JP2008060573A - 電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の厚さを薄くすることのできる電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子素子内蔵型印刷回路基板は、(a)パターン22が形成された第1銅箔21に、パターン22と電気的に接続されるように電子素子23を実装する段階と、(b)伝導性突起27が形成された第2銅箔25に、電子素子23と対応した位置にキャビティ28が形成された絶縁層26を積層する段階と、(c)電子素子23がキャビティ28に内蔵され、第1銅箔21と第2銅箔25とが伝導性突起27によって電気的に接続されるように第1銅箔21と第2銅箔25とを積層する段階と、(d)第1銅箔21と第2銅箔25の一部を除去して回路パターン29を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【選択図】図2a
【解決手段】本発明の電子素子内蔵型印刷回路基板は、(a)パターン22が形成された第1銅箔21に、パターン22と電気的に接続されるように電子素子23を実装する段階と、(b)伝導性突起27が形成された第2銅箔25に、電子素子23と対応した位置にキャビティ28が形成された絶縁層26を積層する段階と、(c)電子素子23がキャビティ28に内蔵され、第1銅箔21と第2銅箔25とが伝導性突起27によって電気的に接続されるように第1銅箔21と第2銅箔25とを積層する段階と、(d)第1銅箔21と第2銅箔25の一部を除去して回路パターン29を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【選択図】図2a
Description
本発明は、印刷回路基板の製造方法に関するもので、より詳細には、電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法に関する。
現在、電子電気技術は21世紀の高度情報通信社会の実現に向けて、より多くの容量の情報を保存し、より迅速な情報処理と伝送及びより簡便な情報通信網の構築を実現させるために急速に発展している。
特に、与えられた情報伝送速度の有限性という条件下において、このような条件を満たすことのできる一つの方法として、複数の構成素子をできるだけ小さく具現し、尚且つ信頼性を高めて新しい機能性を付与するという方法が提示されている。
一般的なボールグリッドアレイ(Ball Grid Array、BGA)基板、特に、CSP(Chip Scale Package)のように高密度薄型実装基板が要求される分野では、高性能化と高密度化とを実現するためにフリップチップ(Flip chip)を実装化する傾向がある。この場合に半導体製造業社はバンプ(Bump)の配列をエリアアレイタイプ(Area array type)に転換することは可能であるが、ソルダリング(soldering)などのバンピング(Bumping)工程の費用が高くなり、負担が大きくなる。したがって、パッケージ業社が保有しているワイヤポンディング装備を活用して容易にバンピング(Bumping)工程を行えるスタッドバンプ(Stud Bump)を用いた実装方法が広く活用されている。電子部品を実装する場合には、このようなスタッドバンプを活用して実装した後に内蔵を進める方法と、ソルダリング(soldering)の後に内蔵させる方法などが提案されて現在活発に研究開発されており、一部では小規模であるが既に量産されている。
このような内蔵基板に関する研究において、各技術に共通する課題はチップサイズパッケージ型として開発されるので、内蔵基板の厚みを最小化し、尚且つ信頼性を保障すると共に低価格のプロセス(process)にしなければならないという点である。
本発明は内蔵基板の厚みを薄型化するだけではなく、基板の厚みを基本的に薄くすることができ、さらに信頼性を保障して低価格の工程でフリップチップを内蔵することのできる方法を提供することを目的としている。
本発明の一実施形態によれば、(a)パターンが形成された第1銅箔に、パターンと電気的に接続されるように電子素子を実装する段階と、(b)伝導性突起が形成された第2銅箔に、電子素子と対応した位置にキャビティ(cavity)が形成された絶縁層を積層する段階と、(c)電子素子がキャビティに内蔵され、第1銅箔と第2銅箔とが伝導性突起によって電気的に接続されるように第1銅箔と第2銅箔とを積層する段階と、(d)第1銅箔と第2銅箔の一部を除去して回路パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法を提供する。
前記電子素子は、フリップチップ(flip chip)タイプであり、前記段階(a)は、(a1)第1銅箔に感光性フィルムを積層する段階と、(a2)感光性フィルムの一部を除去する段階と、(a3)第1銅箔にメッキでパターンを形成する段階と、(a4)パターンとフリップチップとが電気的に接続されるようにフリップチップを第1銅箔に実装する段階とを含むようにすることができる。
一方、前記段階(d)は、(d1)第2銅箔に感光性フィルムを積層する段階と、(d2)感光性フィルムの一部を除去する段階と、(d3)第1銅箔と第2銅箔の露出している部分を除去して回路パターンを形成する段階とを含むようにすることができる。このような工程を実施することにより、第1銅箔に形成された回路パターンを埋め込むことができる。
前記伝導性突起は、絶縁層から突出した導電性ペーストバンプとすることにより、積層工程の際に第1銅箔と第2銅箔との間で良好な電気的接続を得ることができる。このような伝導性突起は、導電性ペーストだけではなく金属スパイク(spike)などの形態でも可能であり、伝導性突起が金属スパイク(spike)である場合には、前記段階(c)は、金属スパイクと第1銅箔との間に導電性物質を介在させる段階をさらに含むようにすることができる。
本発明によれば、電子素子を内蔵する際に製造工程の数を最小化できるので、費用を節減することができる。
さらに、電子素子を内蔵する際に一層の回路パターンを埋め込み型で形成することができるので、微細な回路の形成が簡便になるだけではなく、印刷回路基板全体の厚さを減らすことができ、剛性を高めることもできる。
以下、本発明に係る電子素子内蔵型印刷回路基板の実施形態を添付した図面に基づいて詳しく説明する。添付図面において、同一の構成要素には同一の参照符号を付して重複した説明は省略する。
図1は、本発明の好ましい第1実施形態に係る電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法を示すフローチャートであり、図2aは、本発明の好ましい第1実施形態に係る電子素子内蔵型印刷回路基板の製造工程を示す図である。図2aを参照すると、第1銅箔21、パターン22、電子素子23、スタッドバンプ24、第2銅箔25、絶縁層26、伝導性突起27、キャビティ(cavity)28、回路パターン29、コア基板100を示している。
図1の段階S11は、パターン22が形成された第1銅箔21に、パターン22と電気的に接続されるように電子素子23を実装する段階であって、図2aの(a)はこの工程に対応する図である。図2aの(a)に示したように、パターン22が形成された第1銅箔21に電子素子23を実装する。電子素子23は、フリップチップ形態を用いる。したがって、下部の端子(図示せず)にスタッドバンプ24を形成して第1銅箔21に形成されたパターン22と電気的に接続する。この際、電子素子23と第1銅箔21との間には、非伝導性ペースト20などを介在させて接着力を高めるようにすることが好ましい。スタッドバンプ24の代わりに一般的なバンプを用いてもよい。一方、第1銅箔21にパターン22を形成する場合に、スタッドバンプ24と対応するように微細パターン22を形成する必要がある。
そこで、このような微細パターン22を形成する方法を、図2bに基づいて説明する。図2bは、第1銅箔21にパターン22を形成する工程を示した図である。図2bの(a)に示すように、先ず、第1銅箔21を準備する。ここで、第1銅箔21の厚みは、後に行われる第2銅箔25の回路形成工程において除去される量を考慮して決定する必要がある。これは、より簡単な工程で回路を実現するためである。第1銅箔21は、電子部品が実装される面であり、メッキ及び実装工程に充分に耐えられる程度の厚みがなくてはならない。ここで、部品実装時の剛性及びエッチング性を考慮して銅箔を支持できるキャリア(carrier)を介在させてもよい。第1銅薄21はエッチング工程で除去される部分なので、できるだけ薄いものを用いることも必要である。
この後、第1銅箔21にドライフィルム28aを積層し、パターン22が形成される部分を考慮して露光及び現像工程を行うと、図2bの(b)に示すようにドライフィルム28aの一部が除去される。
最後に図2bの(c)及び(d)に示すように、メッキした後にドライフィルム28aを除去すると、第1銅箔21にパターン22が形成される。このような方法は、一種のセミ−アディティブ(semi−additive)工法であって、微細なパターン22を容易に形成できるという長所があるので、現在では印刷回路基板を製造する工程に広く用いられている。しかし、特に本実施形態ではシード層(seed layer)にメッキするのではなく、第1銅箔21にメッキ工程を行ってパターン22を形成するので、より容易にパターン22を形成することができる。
次に、図1の段階S12は、伝導性突起27が形成された第2銅箔25に、電子素子23と対応した位置にキャビティ28が形成された絶縁層26を一枚、あるいは複数枚積層させる段階であり、図2aの(b)は、この工程に対応する図である。
図2の(b)に示したように、絶縁層26を貫通して第2銅箔25と結合した伝導性突起27が突出している。本実施形態の伝導性突起27としては、ペーストバンプや導電性スパイク、その他の伝導性物質を用いる。このようなペーストバンプなどの形成過程については、一般的に知られているB2it(Buried Bump interconnection technology)方法などを用いることができ、導電性スパイク(spike)などは前述したようにセミ−アディティブ方法によって形成することができる。ここで、ペーストバンプ、あるいは導電性スパイクは、後に実施される積層工程において容易に第1銅箔21と電気的に接続できるように、上下部の連結部品を整合させて電気的に完全に接続できるように加圧して連結される。
一方、絶縁層26にはキャビティ28が形成されている。キャビティ28は、第1銅箔21と第2銅箔25とを積層した場合に、第1銅箔21に実装された電子素子23に対応した位置に形成され、電子素子23を内蔵できるだけの空間を備えている。キャビティ28は、絶縁層26に形成された後に第2銅箔25に予備積層されてもよく、また絶縁層26を第2銅箔25に予備積層した後に形成されてもよい。本実施形態では、図1の段階S11を行った後に段階S12を行っているが、段階S11と段階S12を実施する順序は、これに限定されるわけではなく、逆に実施してもよい。
次に、図1の段階S13は、電子素子23をキャビティ28に内蔵し、第1銅箔21と第2銅箔25を伝導性突起27によって電気的に接続するように第1銅箔21と第2銅箔25を積層する段階であり、図2aの(c)は、この工程に対応する図である。
伝導性突起27は、図2aの(b)に示したように導電性ペーストバンプなどの形態であり、一部が絶縁層26から突出した形状を備えている。したがって、図2aの(c)に示すように第1銅箔21と第2銅箔25を積層すると、電気的に接続される。この際、第1銅箔21と第2銅箔25との間に空隙が発生しないように積層することが好ましい。
図1の段階S14は、第1銅箔21と第2銅箔25の一部を除去して回路パターン29を形成する段階であって、図2aの(d)及び(e)は、この工程に対応する図である。図2aの(d)に示すように第2銅箔25の上部に感光性フィルム28bを積層し、回路パターン29が形成される部分を考慮して露光及び現像を行う。この後エッチングすれば、図2aの(e)に示すように第2銅箔25の露出した部分が除去されると共に、第1銅箔21の回路部分以外の表面すべてが除去される。このような過程を通じて結果的に図2aの(e)に示すように電子素子を内蔵したコア基板100が完成する。このようなコア基板100は、単独で印刷回路基板にもなる。一方、第1銅箔21の除去されなかった回路パターン29は絶縁層26の内部に埋め込まれた埋め込み型回路パターン29になる。これにより、基板全体の厚みを減らすことができ、剛性も増加させることができる。
次に、図3は、本発明の好ましい第2実施形態に係る電子素子内蔵型印刷回路基板の製造工程を示す図である。図3を参照すると、第1銅薄31、パターン32、電子素子33、スタッドバンプ34、第2銅薄35、絶縁層36、金属スパイク37、キャビティ(cavity)38、感光性フィルム38b、回路パターン39、コア基板300を示している。
本実施形態は、伝導性突起として導電性ペーストバンプを用いずに、金属スパイク(Spike)37を用いており、この点を除けば図2aに示した第1実施形態と全般的に同様である。ここで、金属スパイク37を形成する金属としては、銅(Cu)を用いることが好ましいが、これに限定されるわけではない。金属スパイク37を形成する場合に、図3の(c)の積層工程において第1銅箔31のパターン32との電気的な接続を良好にするために、図3の(c)工程を行う時に金属スパイク37とパターン32との間に導電性物質を介在させることが好ましい。このような導電性物質は、積層工程だけで上下の電気的な接続を可能とする物質であり、一般的に前述した導電性ペーストなどを用いることができる。導電性物質は金属スパイク37とパターン32との間の信頼性を向上させて連結する。
図4は、本発明の好ましい第3実施形態に係る電子素子内蔵型印刷回路基板の製造工程を示す図である。図4を参照すると、第1銅箔41、電子素子43、スタッドバンプ44、第2銅薄45、絶縁層46、金属スパイク47、回路パターン49、コア基板300を示している。
図4は多層印刷回路基板を製造するための工程図であり、図4に示す本実施形態では、図3の工程で得られたコア基板300の両面に絶縁層と回路層とを積層し、多層印刷回路基板を製造することができる。このような積層工程は、一般的な工法であるので詳細な説明は省略する。
図5は本発明の好ましい第4実施形態に係る電子素子内蔵型印刷回路基板の製造工程を示す図である。図5を参照すると、電子素子53、回路パターン59、コア基板300、バンプ基板60、印刷回路基板3000を示している。
本実施形態は、コア基板300において、電子素子53と電気的に接続された回路パターン59の方向に多層の積層工程を行う場合の一例を示している。一般的に、電子素子53が電気的に接続される部分には、接続されない部分と比較して相対的に多くの回路パターン59が必要であり、回路パターン59の電気的信号が良好に外部へ伝達されるためには、その下面には多くのパターン層が必要である。したがって、図5に示すように、電子素子53が連結される回路パターン59の下面に多層の積層工程を行うようにすることができる。この際、バンプ基板60を介在させて一括して積層すれば、より簡便に多層の印刷回路基板を製造することができる。結果として、図5の(c)に示すようにコア基板300を基準として非対称な形状の電子素子内蔵型印刷回路基板3000を製造することができる。
本発明の技術思想を前述した実施形態によって具体的に記述したが、前述した実施形態はその説明のためのものに過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。また、本発明の技術分野において通常の専門家であれば、本発明の技術思想の範囲内で多様な実施形態を実現できることが理解できるであろう。
21 銅箔
22 パターン
23 電子素子
24 スタッドバンプ
25 第2銅箔
26 絶縁層
27 伝導性突起
28 キャビティ
29 回路パターン
22 パターン
23 電子素子
24 スタッドバンプ
25 第2銅箔
26 絶縁層
27 伝導性突起
28 キャビティ
29 回路パターン
Claims (5)
- (a)パターンが形成された第1銅箔に、前記パターンと電気的に接続されるように電子素子を実装する段階と、
(b)伝導性突起が形成された第2銅箔に、前記電子素子と対応した位置にキャビティ(cavity)が形成された絶縁層を積層する段階と、
(c)前記電子素子が前記キャビティに内蔵され、前記第1銅箔と前記第2銅箔とが前記伝導性突起によって電気的に接続されるように前記第1銅箔と前記第2銅箔とを積層する段階と、
(d)前記第1銅箔と前記第2銅箔の一部を除去して回路パターンを形成する段階と
を含むことを特徴とする電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法。 - 前記電子素子がフリップチップ(flip chip)であり、
前記段階(a)が、
(a1)前記第1銅箔に感光性フィルムを積層する段階と、
(a2)前記感光性フィルムの一部を除去する段階と、
(a3)前記第1銅箔にメッキで前記パターンを形成する段階と、
(a4)前記パターンと前記フリップチップとが電気的に接続されるように前記フリップチップを前記第1銅箔に実装する段階と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法。 - 前記段階(d)が、
(d1)前記第2銅箔に感光性フィルムを積層する段階と、
(d2)前記感光性フィルムの一部を除去する段階と、
(d3)前記第1銅箔と前記第2銅箔の露出している部分を除去して前記回路パターンを形成する段階と
を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法。 - 前記伝導性突起が、前記絶縁層から突出した導電性ペーストバンプであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法。
- 前記伝導性突起が、金属スパイク(spike)であり、
前記段階(c)が、
前記金属スパイクと前記第1銅箔との間に導電性物質を介在させる段階をさらに含んでいることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の電子素子内蔵型印刷回路基板の製造方法。
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100202 |