以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
図1に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板(以下「配線基板」という)10は、ICチップ内蔵用の配線基板である。配線基板10は、略矩形板状のコア基板11と、コア基板11の第1主面12(図1では下面)上に形成される裏面側ビルドアップ層32(配線積層部)と、コア基板11の第2主面13(図1では上面)上に形成される主面側ビルドアップ層31とからなる。
コア基板11の第2主面13上に形成された主面側ビルドアップ層31は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる3層の樹脂層間絶縁層33,35,37と、銅からなる導体層42とを交互に積層した構造を有している。また、樹脂層間絶縁層33,35,37内には、それぞれビア導体43が設けられている。第3層の樹脂層間絶縁層37の表面上における複数箇所には、ビア導体43を介して導体層42に電気的に接続される端子パッド44がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層35の表面は、ソルダーレジスト50によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト50の所定箇所には、端子パッド44を露出させる開口部46が形成されている。端子パッド44の表面上には、複数のはんだバンプ45が配設されている。各はんだバンプ45は、セラミックコンデンサ101の電源用電極111及びグランド用電極112に電気的に接続されている。なお、各端子パッド44及び各はんだバンプ45からなる領域は、セラミックコンデンサ101を搭載可能な搭載領域20である。搭載領域20は、主面側ビルドアップ層31の表面39に設定されている。さらに、配線基板10とセラミックコンデンサ101との隙間には、エポキシ樹脂からなるアンダーフィル材100が充填されている。これにより、配線基板10とセラミックコンデンサ101とが、界面が封止された状態で互いに固定される。
なお、図1〜図4等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ101は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ101を構成するセラミック焼結体104は、コンデンサ主面102(図1では上面)及びコンデンサ裏面103(図1では下面)を有する板状物である。
セラミック焼結体104は、セラミック誘電体層105を介して電源用内部電極層141とグランド用内部電極層142とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層105は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層141及びグランド用内部電極層142間の誘電体(絶縁体)として機能する。電源用内部電極層141及びグランド用内部電極層142は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体104の内部において一層おきに配置されている。
図1〜図4に示されるように、セラミック焼結体104には、多数のビアホール130が形成されている。これらのビアホール130は、セラミック焼結体104の厚さ方向に延びるとともに、セラミック焼結体104の全面にわたって格子状(アレイ状)に配置されている。各ビアホール130内には、複数のコンデンサ内ビア導体131,132が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用コンデンサ内ビア導体131は、各電源用内部電極層141を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体132は、各グランド用内部電極層142を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体131及び各グランド用コンデンサ内ビア導体132は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、コンデンサ内ビア導体131,132を5列×5列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。
そして図2等に示されるように、セラミック焼結体104のコンデンサ裏面103上には、複数の電源用電極111と複数のグランド用電極112とが突設されている。なお、各グランド用電極112は、コンデンサ裏面103上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。電源用電極111は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体131におけるコンデンサ裏面103側の端面に対して直接接続されており、グランド用電極112は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体132におけるコンデンサ裏面103側の端面に対して直接接続されている。
図2等に示されるように、電極111,112は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。なお本実施形態では、電極111,112の直径が約500μmに設定され、ピッチの最小長さが約580μmに設定されている。
例えば、配線基板10側から電極111,112を介して通電を行い、電源用内部電極層141−グランド用内部電極層142間に電圧を加えると、電源用内部電極層141に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層142に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ101がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ101では、電源用コンデンサ内ビア導体131及びグランド用コンデンサ内ビア導体132がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体131及びグランド用コンデンサ内ビア導体132を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
図1に示されるように、コア基板11の第1主面12上に形成された前記裏面側ビルドアップ層32は、上述した主面側ビルドアップ層31とほぼ同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層32は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる3層の樹脂層間絶縁層34,36,38と、導体層42とを交互に積層した構造を有している。また、樹脂層間絶縁層34,36,38内には、それぞれビア導体47が設けられている。第3層の樹脂層間絶縁層38の下面上における複数箇所には、ビア導体47を介して導体層42に電気的に接続されるBGA用パッド48が格子状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層36の下面は、ソルダーレジスト51によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト51の所定箇所には、BGA用パッド48を露出させる開口部40が形成されている。BGA用パッド48の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ49が配設されている。そして、各はんだバンプ49により、図1に示される配線基板10は図示しないマザーボード上に実装される。
図1に示されるように、本実施形態のコア基板11は、縦25mm×横25mm×厚さ1.0mmの平面視略矩形板状である。コア基板11は、ガラスエポキシからなる基材161と、基材161の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材164と、同じく基材161の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層163とによって構成されている。また、コア基板11には、複数のスルーホール導体16が第1主面12、第2主面13及び導体層163を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体16は、コア基板11の第1主面12側と第2主面13側とを接続導通するとともに、導体層163に電気的に接続している。なお、スルーホール導体16の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体17で埋められている。スルーホール導体16の上端は、樹脂層間絶縁層33の表面上にある導体層42の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体16の下端は、樹脂層間絶縁層34の下面上にある導体層42の一部に電気的に接続されている。さらに、コア基板11は、第1主面12の中央部及び第2主面13の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部90を1つ有している。即ち、収容穴部90は貫通穴である。
そして、収容穴部90内には、ICチップ21(部品)が埋め込まれた状態で収容されている。なお、ICチップ21は、コア基板11の第2主面13とチップ裏面23とを同じ側に向けた状態で収容されている。本実施形態のICチップ21は、縦12.0mm×横12.0mm×厚さ0.93mmの板状物である。ICチップ21は、コア基板11において前記搭載領域20の真下の領域に配置されている。
図1,図5に示されるように、本実施形態のICチップ21は、4つの辺を有する平面視矩形状をなし、部品主面である1つのチップ主面22(図1では下面)、部品裏面である1つのチップ裏面23(図1では上面)、及び、部品側面である4つのチップ側面24,25,26,27を有している。そして、チップ裏面23上の複数箇所には、突起状導体であるバンプ28が突設されている。本実施形態のバンプ28は、銅めっきによって形成された略円筒状の銅ポスト(銅スタッド)である。なお、各バンプ28の頂部の表面は、チップ主面22及びチップ裏面23とほぼ平行になっている。各バンプ28の直径は、本実施形態では80μmに設定されている。また、チップ裏面23から各バンプ28の頂部までの高さは、50μm以上であることが好ましく、本実施形態では70μmに設定されている。そして、各バンプ28は、前記樹脂層間絶縁層33内に設けられたビア導体43に接続される。なお本実施形態では、説明の便宜上、バンプ28を7列×7列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。
図1等に示されるように、前記収容穴部90とICチップ21との隙間は、第1の樹脂充填剤92及び第2の樹脂充填剤93によって埋められている。詳述すると、第1の樹脂充填剤92は、樹脂層間絶縁層33の第2主面13側の面とICチップ21のチップ裏面23との隙間を埋めており、例えば、隣接するバンプ28の間に生じる隙間を埋めている。また、第2の樹脂充填剤93は、収容穴部90の内壁面91とICチップ21のチップ側面24〜27との隙間を埋めている。これらの樹脂充填剤92,93は、ICチップ21を前記コア基板11に固定する機能を有している。なお、第1の樹脂充填剤92及び第2の樹脂充填剤93は、互いに同じ高分子材料(本実施形態では、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂)を主体として形成され、互いに同じ粘度(本実施形態では3Pa・s)を有している。即ち、樹脂充填剤92,93の粘度は、従来の樹脂充填剤の粘度(12〜13Pa・s)よりも低く設定されている。
次に、本実施形態の配線基板10の製造方法について述べる。
コア基板準備工程では、コア基板11の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
コア基板11の中間製品は以下のように作製される。まず、縦400mm×横400mm×厚さ0.8mmの基材161の両面に銅箔が貼付された銅張積層板(図示略)を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って導体層163を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材161の上面及び下面と導体層163とを粗化した後、基材161の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム(厚さ80μm)を熱圧着により貼付し、サブ基材164を形成する。
次に、基材161及びサブ基材164からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部90となる貫通孔を所定位置に形成し、コア基板11の中間製品を得る(図6参照)。なお、コア基板11の中間製品とは、コア基板11となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
また、コンデンサ準備工程では、セラミックコンデンサ101を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
セラミックコンデンサ101は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層141となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層142となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール130を多数個形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール130内に充填する。次に、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように電源用電極111及びグランド用電極112を形成する。
この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極111,112をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体104となる。
次に、得られたセラミック焼結体104が有する各電極111,112に対して無電解銅めっき(厚さ10μm程度)を行う。その結果、各電極111,112の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ101が完成する。
さらに、ICチップ準備工程(部品準備工程)では、チップ裏面23上の複数箇所にバンプ28が配置されたICチップ21を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
ICチップ21のバンプ28は以下のように形成される。まず、ICチップ21のチップ裏面23上にフォトレジスト材(厚さ70μm)をラミネートする。次に、フォトレジスト材に対して露光及び現像を行い、チップ裏面23上の導体部分を露出させる貫通孔(内径80μm)を複数箇所に形成する。そして、フォトレジスト材を介してチップ裏面23上の導体部分に対する電解銅めっきを行った後、フォトレジスト材を除去する。その結果、ICチップ21のチップ裏面23上に高さ70μmのバンプ28が形成される。
続く収容工程では、まず、収容穴部90の第2主面13側開口を、剥離可能な粘着テープ171でシールする。なお、粘着テープ171は、ヒータ(図示略)を備えた支持テーブル172によって支持されている。次に、マウント装置(ヤマハ発動機株式会社製)を用いて、第1主面12とチップ主面22とを同じ側に向け、かつ、第2主面13とチップ裏面23とを同じ側に向けた状態で収容穴部90内にICチップ21を収容する(図7参照)。このとき、ICチップ21は、各バンプ28の頂部の表面が粘着テープ171の粘着層に貼り付けられることにより仮固定される。
続く充填工程では、収容穴部90とICチップ21との隙間に、ディスペンサ装置(Asymtek社製)を用いて、熱硬化性樹脂製の樹脂充填剤92,93を充填する。具体的に言うと、第1充填工程では、まず、支持テーブル172のヒータを作動させ、第1の樹脂充填剤92の硬化開始温度よりも低い温度で支持テーブル172の加熱を行う。なお、支持テーブル172の温度は、100℃以下であることがよく、本実施形態では100℃に設定されている。次に、3つのチップ側面25,26,27と収容穴部90の内壁面91との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、1つのチップ側面24と内壁面91との隙間のみから、ディスペンサ装置を用いて液状の第1の樹脂充填剤92を注入する(図8,図9参照)。即ち、第1充填工程では、第1の樹脂充填剤92を全周(全てのチップ側面24〜27と内壁面91との隙間)から供給しないようになっている。そして、注入した第1の樹脂充填剤92は、毛細管現象によって粘着テープ171とICチップ21のチップ裏面23との間に入り込み、チップ裏面23に沿ってチップ側面26側(図8,図9に示す矢印F1参照)に移動する。なお、粘着テープ171の粘着層はシリコーン系の粘着剤によって形成されているため、第1の樹脂充填剤92は、粘着テープ171上をスムーズに移動する。その結果、第1の樹脂充填剤92により、隣接するバンプ28の間に生じる隙間が埋められる(図10参照)。それとともに、第1の樹脂充填剤92の第1主面12側の端面が、チップ裏面23と同じ高さに到達する。続く第2充填工程では、収容穴部90の内壁面91とICチップ21のチップ側面24〜27との隙間に、ディスペンサ装置を用いて液状の第2の樹脂充填剤93を注入する。これにより、収容穴部90とICチップ21との隙間が埋められるとともに、第2の樹脂充填剤93の第1主面12側の端面が第1主面12及びチップ主面22と同じ高さに到達する。(図11参照)。
続く固定工程では、樹脂充填剤92,93を硬化させることにより、ICチップ21を収容穴部90内に固定する。具体的には、120℃で加熱処理を1時間行うと、第1の樹脂充填剤92が硬化すると同時に第2の樹脂充填剤93が硬化して、第1の樹脂充填剤92と第2の樹脂充填剤93とが互いに馴染んで一体化し、ICチップ21がコア基板11に固定される。そして、固定工程後、粘着テープ171を剥離する。その後、コア基板11の第1主面12及び第2主面13や、バンプ28の頂部の表面などの粗化を行う。
次に、従来周知の手法に基づいて第2主面13の上に主面側ビルドアップ層31を形成するとともに、第1主面12の上に裏面側ビルドアップ層32を形成する。具体的に言うと、まず、第2主面13及び各バンプ28上に感光性エポキシ樹脂を被着して露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層33を形成する(図12参照)。また、第1主面12及びチップ主面22に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂層間絶縁層34を形成する(図12参照)。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー(LCP:Liquid Crystalline Polymer)を被着してもよい。
さらに、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体43が形成されるべき位置にビア孔(図示略)を形成する。具体的には、樹脂層間絶縁層33を貫通するビア孔を形成し、ICチップ21のチップ裏面23に突設されたバンプ28の頂部の表面を露出させる。
さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、コア基板11及び樹脂層間絶縁層33,34を貫通する貫通孔(図示略)を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、樹脂層間絶縁層33,34の表面上、ビア孔の内面、及び、貫通孔の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂層間絶縁層33,34上に導体層42がパターン形成される。これと同時に、貫通孔内にスルーホール導体16が形成されるとともに、各ビア孔の内部にビア導体43が形成される。その後、スルーホール導体16の空洞部を絶縁樹脂材料(エポキシ樹脂)で穴埋めし、閉塞体17を形成する。
次に、樹脂層間絶縁層33,34上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体43,47が形成されるべき位置にビア孔(図示略)を有する樹脂層間絶縁層35,36を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体43,47が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体43,47を形成するとともに、樹脂層間絶縁層35,36上に導体層42をパターン形成する。
次に、樹脂層間絶縁層35,36上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体43,47が形成されるべき位置にビア孔(図示略)を有する樹脂層間絶縁層37,38を形成する。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体43,47が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔の内部にビア導体43,47を形成するとともに、樹脂層間絶縁層37上に端子パッド44を形成し、樹脂層間絶縁層38上にBGA用パッド48を形成する。
次に、樹脂層間絶縁層37,38上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト50,51を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト50,51に開口部40,46をパターニングする。さらに、端子パッド44上にはんだバンプ45を形成し、かつ、BGA用パッド48上にはんだバンプ49を形成する。なお、この状態のものは、配線基板10となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板10が多数個同時に得られる。
次に、配線基板10を構成する主面側ビルドアップ層31の搭載領域20にセラミックコンデンサ101を載置する。このとき、セラミックコンデンサ101側の電極111,112と、はんだバンプ45とを位置合わせするようにする。そして、220℃〜240℃程度の温度に加熱してはんだバンプ45をリフローすることにより、はんだバンプ45と電極111,112とを接合し、配線基板10側とセラミックコンデンサ101側とを電気的に接続する。さらに、配線基板10とセラミックコンデンサ101との隙間にアンダーフィル材100を充填して硬化処理を行い、前記隙間を樹脂封止する。その結果、搭載領域20にセラミックコンデンサ101が搭載される(図1参照)。
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
(1)本実施形態の配線基板10の製造方法によれば、第1充填工程において、チップ側面25〜27と内壁面91との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外のチップ側面24と内壁面91との隙間から第1の樹脂充填剤92を注入している(図8,図9参照)。これに伴い、第1の樹脂充填剤92は、毛細管現象により、チップ裏面23に沿って移動して隣接するバンプ28の間に生じる隙間に流れ込むため、チップ裏面23と粘着テープ171との間にある空気は、第1の樹脂充填剤92によってチップ側面25〜27と内壁面91との隙間から収容穴部90外に押し出される。その結果、隣接するバンプ28の間に生じる隙間を第1の樹脂充填剤92で確実に埋めることができ、空気が収容穴部90内に残ることに起因したボイドの発生を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた配線基板10を得ることができる。
(2)本実施形態の第1充填工程では、1つのチップ側面24と内壁面91との隙間のみから第1の樹脂充填剤92を注入している。即ち、残り3つのチップ側面25〜27と内壁面91との隙間が空気の逃げ道となる。これにより、空気の逃げ道が多数確保され、収容穴部90の底部にある空気を確実に収容穴部90外に押し出すことができるため、隣接するバンプ28の間に生じる隙間を第1の樹脂充填剤92で確実に埋めることができる。
(3)本実施形態のバンプ28は、銅めっきによって形成された銅ポスト(銅スタッド)であるため、バンプ28を例えば導電性ペーストなどによって形成する場合に比べて、バンプ28の導電性が向上する。
(4)本実施形態では、ICチップ21が搭載領域20に搭載されたセラミックコンデンサ101の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ101とICチップ21とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ101によるICチップ21のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ICチップ21とセラミックコンデンサ101との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記第1充填工程では、1つのチップ側面24と内壁面91との隙間のみから第1の樹脂充填剤92を注入していた。しかし図13に示されるように、第1充填工程では、隣接する2つのチップ側面24,25と内壁面91との隙間から第1の樹脂充填剤92を注入するようにしてもよい。この場合、注入した第1の樹脂充填剤92は、毛細管現象によって粘着テープ171とICチップ21のチップ裏面23との間に入り込み、チップ裏面23に沿ってチップ側面26とチップ側面27との接続部分に向かって(図13に示す矢印F2参照)移動する。このようにすれば、短時間で多量の第1の樹脂充填剤92を注入できるため、配線基板10を効率良く製造することができる。また、第1の樹脂充填剤92の注入箇所が隣接しているため、空気の逃げ道が塞がれなくて済む。
・図14に示されるように、ICチップ21が長辺及び短辺を有する平面視矩形状をなす場合、第1充填工程において、長辺を構成するチップ側面24と内壁面91との隙間から優先的に第1の樹脂充填剤92を注入するようにしてもよい。この場合、注入した第1の樹脂充填剤92は、毛細管現象によって粘着テープ171とICチップ21のチップ裏面23との間に入り込み、チップ裏面23に沿ってチップ側面26側(図14に示す矢印F3参照)に移動する。このようにすれば、短辺を構成するチップ側面25,27と内壁面91との隙間から第1の樹脂充填剤92を注入する場合に比べて、短時間で多量の第1の樹脂充填剤92を注入できるため、配線基板10を効率良く製造することができる。
・上記実施形態の第2充填工程では、収容穴部90の内壁面91とICチップ21のチップ側面24〜27との隙間に、ディスペンサ装置を用いて第2の樹脂充填剤93を注入することにより、収容穴部90とICチップ21との隙間を埋めていた。しかし、内壁面91とチップ側面24〜27との隙間を、樹脂層間絶縁層33の一部によって埋めるようにしてもよいし、樹脂を印刷することによって埋めるようにしてもよい。
・上記実施形態の配線基板10では、搭載領域20にセラミックコンデンサ101が搭載されていたが、搭載領域20に、チップコンデンサ、レジスター、ICチップ、DRAM素子などの他の表面実装部品を搭載してもよい。
・上記実施形態では、ICチップ21のバンプ28が、銅めっきによって形成された導体(銅ポスト)であった。しかし、バンプ28は、例えばチップ裏面23上に銅ペーストを印刷することによって形成された導体であってもよいし、チップ裏面23上にはんだボールを載置してリフローさせることによって形成された導体であってもよい。
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
(1)第1主面及び第2主面を有し、少なくとも前記第1主面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び4つの部品側面を有し、4つの辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所に突起状導体が配置された部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記第2主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含む配線基板の製造方法において、前記充填工程は、前記4つの部品側面のうち、少なくとも1つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から第1の樹脂充填剤を注入し、注入した第1の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記突起状導体の間に生じる隙間を埋める第1充填工程と、前記第1充填工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に第2の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記部品との隙間を埋める第2充填工程とからなり、前記第1の樹脂充填剤及び前記第2の樹脂充填剤は、液状の熱硬化性樹脂であることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
(2)第1主面及び第2主面を有し、少なくとも前記第1主面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び4つの部品側面を有し、4つの辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所にバンプが配置され、前記部品裏面から前記バンプの頂部までの高さが50μm以上に設定された部品としての半導体集積回路素子を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記第2主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記半導体集積回路素子を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記収容穴部と前記半導体集積回路素子との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記半導体集積回路素子を固定する固定工程とを含む配線基板の製造方法において、前記充填工程は、前記4つの部品側面のうち、少なくとも1つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から第1の樹脂充填剤を注入し、注入した第1の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記バンプの間に生じる隙間を埋める第1充填工程と、前記第1充填工程後、前記収容穴部と前記半導体集積回路素子との隙間に第2の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記半導体集積回路素子との隙間を埋める第2充填工程とからなることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
(3)第1主面及び第2主面を有し、前記第1主面及び前記第2主面の両方にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び4つの部品側面を有し、4つの辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所に突起状導体が配置された部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記収容穴部の前記第2主面側開口を粘着層を有する粘着テープで塞ぐとともに、前記第2主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含む配線基板の製造方法において、前記充填工程は、前記4つの部品側面のうち、少なくとも1つの部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の部品側面と前記収容穴部の内壁面との隙間から第1の樹脂充填剤を注入し、注入した第1の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記突起状導体の間に生じる隙間を埋める第1充填工程と、前記第1充填工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に第2の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記部品との隙間を埋める第2充填工程とからなり、前記固定工程後に前記粘着テープを除去することを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
(4)第1主面及び第2主面を有し、少なくとも前記第1主面にて開口する収容穴部を有するコア基板を準備するコア基板準備工程と、部品主面、部品裏面及び4つの部品側面を有し、4つの辺を有する平面視矩形状をなし、前記部品裏面上の複数箇所に突起状導体が配置された部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記第2主面と前記部品裏面とを同じ側に向けた状態で、前記収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に樹脂充填剤を充填する充填工程と、前記充填工程後、前記樹脂充填剤を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含む配線基板の製造方法において、前記充填工程は、前記4つの辺のうち、少なくとも1辺側からの前記収容穴部の内壁面と前記部品との隙間に対する充填を行わないようにした状態で、それ以外の辺側から前記収容穴部の内壁面と前記部品との隙間に第1の樹脂充填剤を注入し、注入した第1の樹脂充填剤を前記部品裏面に沿って移動させることにより、隣接する前記突起状導体の間に生じる隙間を埋める第1充填工程と、前記第1充填工程後、前記収容穴部と前記部品との隙間に第2の樹脂充填剤を注入することにより、前記収容穴部と前記部品との隙間を埋める第2充填工程とからなることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。