JPH07153798A - 半導体製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造方法及び半導体製造装置Info
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- JPH07153798A JPH07153798A JP5329929A JP32992993A JPH07153798A JP H07153798 A JPH07153798 A JP H07153798A JP 5329929 A JP5329929 A JP 5329929A JP 32992993 A JP32992993 A JP 32992993A JP H07153798 A JPH07153798 A JP H07153798A
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- semiconductor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
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- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】配線パターンが形成された基板上に、表面にバ
ンプが形成された半導体チツプをフエイスダウンで実装
した回路基板上の上記半導体チツプを封止する半導体製
造方法において、短時間で半導体チツプの薄膜にダメー
ジを与えずに短時間で半導体チツプ及び基板を洗浄する
と共に短時間で完全に樹脂を封入する。 【構成】半導体チツプと基板にツールを密着させ、半導
体チツプと基板の間隙に対し、ゲートとエアベントを設
けることにより、半導体チツプと基板の間隙に封止樹脂
を圧入できる。このため、封止樹脂を半導体チツプと基
板の間隙に速く確実に封入することが可能となる。ま
た、同様に半導体チツプと基板の間隙に洗浄液をゲート
より注入することにより、間隙に強制的に循環させるこ
とができる。このため、半導体チツプと基板の間隙を確
実に速く洗浄することが可能となる。
ンプが形成された半導体チツプをフエイスダウンで実装
した回路基板上の上記半導体チツプを封止する半導体製
造方法において、短時間で半導体チツプの薄膜にダメー
ジを与えずに短時間で半導体チツプ及び基板を洗浄する
と共に短時間で完全に樹脂を封入する。 【構成】半導体チツプと基板にツールを密着させ、半導
体チツプと基板の間隙に対し、ゲートとエアベントを設
けることにより、半導体チツプと基板の間隙に封止樹脂
を圧入できる。このため、封止樹脂を半導体チツプと基
板の間隙に速く確実に封入することが可能となる。ま
た、同様に半導体チツプと基板の間隙に洗浄液をゲート
より注入することにより、間隙に強制的に循環させるこ
とができる。このため、半導体チツプと基板の間隙を確
実に速く洗浄することが可能となる。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図１０〜図１２） 発明が解決しようとする課題（図１０〜図１２） 課題を解決するための手段（図１〜図８） 作用（図１〜図８） 実施例（図１〜図９） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、フリツプチツプ実装さ
れた半導体装置の製造方法とその製造装置に関するもの
である。
れた半導体装置の製造方法とその製造装置に関するもの
である。
【０００３】
【従来の技術】従来、半導体装置の実装方式の中には、
基板上に形成したリードにバンプを介して半導体チツプ
を接続するという、いわゆるフリツプチツプボンデイン
グと呼ばれるものがある。
基板上に形成したリードにバンプを介して半導体チツプ
を接続するという、いわゆるフリツプチツプボンデイン
グと呼ばれるものがある。
【０００４】すなわち図１０（Ａ）は従来の半導体チツ
プの実装状態を示し、基板２上に形成されたリードにバ
ンプ４を介して半導体チツプ３の電極が接続されてい
る。この半導体チツプ３及び基板２間には封止樹脂３１
を充填し、信頼性を向上し得るようになされている。
プの実装状態を示し、基板２上に形成されたリードにバ
ンプ４を介して半導体チツプ３の電極が接続されてい
る。この半導体チツプ３及び基板２間には封止樹脂３１
を充填し、信頼性を向上し得るようになされている。
【０００５】この場合、図１０（Ａ）のＡ−Ａ´線を断
面にとつて示す図１０（Ｂ）に示すように半導体チツプ
３及び基板２間に間隙を持つたまま、空洞がある状態で
はなく、図１０（Ｃ）に示すようにバンプ４を包むよう
に半導体チツプ３と基板２との間隙に完全に封止樹脂３
１が封止されている必要がある。
面にとつて示す図１０（Ｂ）に示すように半導体チツプ
３及び基板２間に間隙を持つたまま、空洞がある状態で
はなく、図１０（Ｃ）に示すようにバンプ４を包むよう
に半導体チツプ３と基板２との間隙に完全に封止樹脂３
１が封止されている必要がある。
【０００６】このように完全に封止する方法は例えば特
公平3-15337 号公報に開示されている。この場合、単純
に表面を覆う方法、又は覆つたあと、加圧硬化する方法
・減圧硬化する方法・減圧後加圧する方法のいずれも完
全に隙間に樹脂を入れることができないとなつている。
そのため、半導体チツプ３の１辺以上をコーテイングせ
ず空気抜きを作り、封止材をチツプ高さにほぼ同程度の
高さに塗布したのち、加熱することにより封止材の粘度
を下げる。これにより、半導体チツプと基板間に封止材
が流れ、隙間に完全に樹脂が入るようになされている。
公平3-15337 号公報に開示されている。この場合、単純
に表面を覆う方法、又は覆つたあと、加圧硬化する方法
・減圧硬化する方法・減圧後加圧する方法のいずれも完
全に隙間に樹脂を入れることができないとなつている。
そのため、半導体チツプ３の１辺以上をコーテイングせ
ず空気抜きを作り、封止材をチツプ高さにほぼ同程度の
高さに塗布したのち、加熱することにより封止材の粘度
を下げる。これにより、半導体チツプと基板間に封止材
が流れ、隙間に完全に樹脂が入るようになされている。
【０００７】また、このような完全な封止をするために
は、半導体チツプ３と基板２との間隙を十分に洗浄する
必要がある。一般的に半導体チツプ３と基板２ははんだ
接合されるため、はんだ付け時のフラツクスが残つてお
り、これを洗浄する必要がある。
は、半導体チツプ３と基板２との間隙を十分に洗浄する
必要がある。一般的に半導体チツプ３と基板２ははんだ
接合されるため、はんだ付け時のフラツクスが残つてお
り、これを洗浄する必要がある。
【０００８】このような実装済基板の洗浄には、一般に
は超音波洗浄や浸漬法によつている。これらはいずれ
も、基板を洗浄液中に漬けたのち、超音波洗浄は液を超
音波振動させることにより微細部の洗浄を行うものであ
り、浸漬法はそのまま漬けておくことで、汚染物を化学
的に溶かしとる方法である。これらの方法で半導体チツ
プと基板の間隙の洗浄を行う。
は超音波洗浄や浸漬法によつている。これらはいずれ
も、基板を洗浄液中に漬けたのち、超音波洗浄は液を超
音波振動させることにより微細部の洗浄を行うものであ
り、浸漬法はそのまま漬けておくことで、汚染物を化学
的に溶かしとる方法である。これらの方法で半導体チツ
プと基板の間隙の洗浄を行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが実際にこのよ
うな封止方法を行つてみても、例えば半導体チツプ３と
基板２との間の隙間が60〔μｍ〕程度と低く、またバン
プピツチが 150〔μｍ〕程度と細かい場合、１辺にのみ
封止樹脂３１を塗布すると図１１に示すように全体に流
れ込むのに非常に時間がかかり、例えば一辺が９〔mm〕
でなる四角形形状の半導体チツプ３の場合10分以上かか
る。
うな封止方法を行つてみても、例えば半導体チツプ３と
基板２との間の隙間が60〔μｍ〕程度と低く、またバン
プピツチが 150〔μｍ〕程度と細かい場合、１辺にのみ
封止樹脂３１を塗布すると図１１に示すように全体に流
れ込むのに非常に時間がかかり、例えば一辺が９〔mm〕
でなる四角形形状の半導体チツプ３の場合10分以上かか
る。
【００１０】また図１２（Ａ）に示すように半導体チツ
プ３の２辺以上に塗布した場合、図１２（Ｂ）に示すよ
うに２辺での封止樹脂３１の流れ込みの違いが生じ、図
１２（Ｃ）に示すように封止樹脂３１の中にボイド６５
が発生する。
プ３の２辺以上に塗布した場合、図１２（Ｂ）に示すよ
うに２辺での封止樹脂３１の流れ込みの違いが生じ、図
１２（Ｃ）に示すように封止樹脂３１の中にボイド６５
が発生する。
【００１１】この場合も実際に一辺が９〔mm〕程度の大
きな四角形形状の半導体チツプの場合充填時間が10分以
上かかる。このように従来の封止方法は、半導体チツプ
３と基板２とのギヤツプが狭く、またバンプピツチの細
かい大きな半導体チツプに対しては短時間で確実に封止
樹脂３１を充填することが困難である。
きな四角形形状の半導体チツプの場合充填時間が10分以
上かかる。このように従来の封止方法は、半導体チツプ
３と基板２とのギヤツプが狭く、またバンプピツチの細
かい大きな半導体チツプに対しては短時間で確実に封止
樹脂３１を充填することが困難である。
【００１２】また、洗浄に関しても超音波洗浄は半導体
チツプの薄膜にダメージを与え、半導体チツプそのもの
や基板を接合している半導体チツプの接合部の薄膜を破
壊することがある。また、浸漬法においては小さな間隙
に洗浄液がまわりにくく、洗浄に長時間を有し、例えば
一辺が９〔mm〕程度の大きな四角形形状の半導体チツプ
と基板の間隙を完全に洗浄するには、数時間〜一昼夜要
することがある。
チツプの薄膜にダメージを与え、半導体チツプそのもの
や基板を接合している半導体チツプの接合部の薄膜を破
壊することがある。また、浸漬法においては小さな間隙
に洗浄液がまわりにくく、洗浄に長時間を有し、例えば
一辺が９〔mm〕程度の大きな四角形形状の半導体チツプ
と基板の間隙を完全に洗浄するには、数時間〜一昼夜要
することがある。
【００１３】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、短時間で半導体チツプの薄膜にダメージを与えずに
短時間で半導体チツプ及び基板を洗浄すると共に短時間
で完全に樹脂を封入する半導体製造方法及び半導体製造
装置を提案しようとするものである。
で、短時間で半導体チツプの薄膜にダメージを与えずに
短時間で半導体チツプ及び基板を洗浄すると共に短時間
で完全に樹脂を封入する半導体製造方法及び半導体製造
装置を提案しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、配線パターンが形成された基板２
上に、表面にバンプ４が形成された半導体チツプ３をフ
エイスダウンで実装した回路基板２上の半導体チツプ３
を封止する半導体製造方法において、半導体チツプ３の
側面及び基板２に密着し、少なくとも１つの封止樹脂注
入用ゲート５と少なくとも１つの空気抜きのエアベント
１Ａとを持つツール１を半導体チツプ３及び基板２に密
着させた状態でゲート５より樹脂３１を注入することに
より、半導体チツプ３及び基板２間に樹脂３１を注入及
び封止するようにする。
め本発明においては、配線パターンが形成された基板２
上に、表面にバンプ４が形成された半導体チツプ３をフ
エイスダウンで実装した回路基板２上の半導体チツプ３
を封止する半導体製造方法において、半導体チツプ３の
側面及び基板２に密着し、少なくとも１つの封止樹脂注
入用ゲート５と少なくとも１つの空気抜きのエアベント
１Ａとを持つツール１を半導体チツプ３及び基板２に密
着させた状態でゲート５より樹脂３１を注入することに
より、半導体チツプ３及び基板２間に樹脂３１を注入及
び封止するようにする。
【００１５】また本発明においては、配線パターンが形
成された基板２上に、表面にバンプ４が形成された半導
体チツプ３をフエイスダウンで実装した回路基板２上の
半導体チツプ３を封止する半導体製造装置１０におい
て、半導体チツプ３の側面と基板２に密着し、少なくと
も１つの封止樹脂注入用ゲート５と少なくとも１つの空
気抜きのエアベント１Ａを持つツールと、ツール１を半
導体チツプ３及び基板２に密着させる駆動手段４１、４
４と、半導体チツプ３及び基板２にツール１が密着した
状態でゲート５より樹脂を注入する樹脂注入手段３７、
４６とを備えるようにする。
成された基板２上に、表面にバンプ４が形成された半導
体チツプ３をフエイスダウンで実装した回路基板２上の
半導体チツプ３を封止する半導体製造装置１０におい
て、半導体チツプ３の側面と基板２に密着し、少なくと
も１つの封止樹脂注入用ゲート５と少なくとも１つの空
気抜きのエアベント１Ａを持つツールと、ツール１を半
導体チツプ３及び基板２に密着させる駆動手段４１、４
４と、半導体チツプ３及び基板２にツール１が密着した
状態でゲート５より樹脂を注入する樹脂注入手段３７、
４６とを備えるようにする。
【００１６】また本発明においては、配線パターンが形
成された基板２上に、表面にバンプ４が形成された半導
体チツプ３をフエイスダウンで実装した回路基板２上の
半導体チツプ３を洗浄する半導体製造方法において、半
導体チツプ３の側面及び基板２に密着し、少なくとも１
つの洗浄液注入口５と少なくとも１つの洗浄液排出の開
口部１Ａを持つツール１を半導体チツプ３及び基板２に
密着させた状態で注入口５より洗浄液を注入することに
より、半導体チツプ３及び基板２の間に洗浄液を注入し
洗浄するようにする。
成された基板２上に、表面にバンプ４が形成された半導
体チツプ３をフエイスダウンで実装した回路基板２上の
半導体チツプ３を洗浄する半導体製造方法において、半
導体チツプ３の側面及び基板２に密着し、少なくとも１
つの洗浄液注入口５と少なくとも１つの洗浄液排出の開
口部１Ａを持つツール１を半導体チツプ３及び基板２に
密着させた状態で注入口５より洗浄液を注入することに
より、半導体チツプ３及び基板２の間に洗浄液を注入し
洗浄するようにする。
【００１７】また本発明においては、配線パターンが形
成された基板２上に、表面にバンプ４が形成された半導
体チツプ３をフエイスダウンで実装した回路基板２上の
半導体チツプ３を洗浄する半導体製造装置１０におい
て、半導体チツプ３の側面及び基板２に密着し、少なく
とも１つの洗浄液注入口５と少なくとも１つの洗浄液排
出の開口部１Ａを持つツール１と、ツール１を半導体チ
ツプ３及び基板２に密着させる駆動手段４１、４４と、
半導体チツプ３及び基板２にツール１が密着した状態で
注入口５より洗浄液を注入する洗浄液注入手段３７、４
６とを備えるようにする。
成された基板２上に、表面にバンプ４が形成された半導
体チツプ３をフエイスダウンで実装した回路基板２上の
半導体チツプ３を洗浄する半導体製造装置１０におい
て、半導体チツプ３の側面及び基板２に密着し、少なく
とも１つの洗浄液注入口５と少なくとも１つの洗浄液排
出の開口部１Ａを持つツール１と、ツール１を半導体チ
ツプ３及び基板２に密着させる駆動手段４１、４４と、
半導体チツプ３及び基板２にツール１が密着した状態で
注入口５より洗浄液を注入する洗浄液注入手段３７、４
６とを備えるようにする。
【００１８】
【作用】半導体チツプ側面と基板２にツール１を密着さ
せることにより、半導体チツプ３と基板２の間隙をふさ
ぐことになる。この状態で、ゲート５より樹脂３１を入
れることで、半導体チツプ３と基板２の間隙に封止樹脂
３１を圧入することができ、この際エアベント１Ａから
空気が抜ける。このように、半導体チツプ３と基板２の
間に強制的に樹脂３１を入れることにより、速く、確実
な封止が可能となる。
せることにより、半導体チツプ３と基板２の間隙をふさ
ぐことになる。この状態で、ゲート５より樹脂３１を入
れることで、半導体チツプ３と基板２の間隙に封止樹脂
３１を圧入することができ、この際エアベント１Ａから
空気が抜ける。このように、半導体チツプ３と基板２の
間に強制的に樹脂３１を入れることにより、速く、確実
な封止が可能となる。
【００１９】また、同様に洗浄液をゲート５より流し込
むことにより、半導体チツプ３と基板２の間隙に強制的
に洗浄液を循環させることにより、速く、確実な洗浄が
可能となる。
むことにより、半導体チツプ３と基板２の間隙に強制的
に洗浄液を循環させることにより、速く、確実な洗浄が
可能となる。
【００２０】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００２１】図１において１０は全体として半導体製造
装置を示し、基台１１上に支柱４５を介して駆動部４４
が支持されており、当該駆動部４４にはツール１を保持
するヘツド４３が上下方向に移動自在に支持されてい
る。従つて駆動部４４を駆動することにより、ヘツド４
３に保持されたツール１を上下方向に移動させることが
できる。
装置を示し、基台１１上に支柱４５を介して駆動部４４
が支持されており、当該駆動部４４にはツール１を保持
するヘツド４３が上下方向に移動自在に支持されてい
る。従つて駆動部４４を駆動することにより、ヘツド４
３に保持されたツール１を上下方向に移動させることが
できる。
【００２２】また基台１１上には矢印Ｘで示す方向又は
これとは逆方向と、矢印Ｙで示す方向又はこれとは逆方
向と、矢印θで示す方向又はこれとは逆方向とにそれぞ
れ可動し得る基板台４１が設けられており、基板を載置
した状態で任意の方向に移動し得るようになされてい
る。
これとは逆方向と、矢印Ｙで示す方向又はこれとは逆方
向と、矢印θで示す方向又はこれとは逆方向とにそれぞ
れ可動し得る基板台４１が設けられており、基板を載置
した状態で任意の方向に移動し得るようになされてい
る。
【００２３】さらに基台１１上には洗浄液又は封止樹脂
を供給するデイスペンサ４６が設けられており、当該デ
イスペンサ４６からチユーブ３７を介してツール１に洗
浄液又は封止樹脂を供給し得る。
を供給するデイスペンサ４６が設けられており、当該デ
イスペンサ４６からチユーブ３７を介してツール１に洗
浄液又は封止樹脂を供給し得る。
【００２４】ここでツール１は基板２上に実装された半
導体チツプ３を取り囲むようになされており、図２はツ
ール１によつて基板２上の半導体３を取り囲んだ状態を
示し、図２（Ａ）は上面図、図２（Ｂ）はＡ−Ａ´線を
断面にとつて示す断面図であり、図２（Ｃ）はＢ−Ｂ´
線を断面にとつて示す断面図である。
導体チツプ３を取り囲むようになされており、図２はツ
ール１によつて基板２上の半導体３を取り囲んだ状態を
示し、図２（Ａ）は上面図、図２（Ｂ）はＡ−Ａ´線を
断面にとつて示す断面図であり、図２（Ｃ）はＢ−Ｂ´
線を断面にとつて示す断面図である。
【００２５】すなわち実装された半導体チツプ３を封
止、洗浄するにあたり、半導体チツプ３をツール１でか
こむ。ツール１は半導体３の側面及び基板２に密着する
ようになされておりツール１には洗浄液、又は封止樹脂
を注入するゲート５が設けられている。またゲート５の
対辺に開放部１Ａが設けられている。
止、洗浄するにあたり、半導体チツプ３をツール１でか
こむ。ツール１は半導体３の側面及び基板２に密着する
ようになされておりツール１には洗浄液、又は封止樹脂
を注入するゲート５が設けられている。またゲート５の
対辺に開放部１Ａが設けられている。
【００２６】図３は半導体製造装置１０を用いて半導体
チツプ３が実装された基板２を洗浄液によつて洗浄又は
封止樹脂によつて封止する処理手順を示し、半導体製造
装置１０の制御部（図示せず）は洗浄工程又は封止工程
が指定されるとステツプＳＰ１から当該処理手順に入
り、ステツプＳＰ２において実装済の基板２を基板台４
１にクランパ（図示せず）によつてで固定する。クラン
パは機械式のもの又はエアチヤツクでなる。
チツプ３が実装された基板２を洗浄液によつて洗浄又は
封止樹脂によつて封止する処理手順を示し、半導体製造
装置１０の制御部（図示せず）は洗浄工程又は封止工程
が指定されるとステツプＳＰ１から当該処理手順に入
り、ステツプＳＰ２において実装済の基板２を基板台４
１にクランパ（図示せず）によつてで固定する。クラン
パは機械式のもの又はエアチヤツクでなる。
【００２７】この状態において制御部はツール１が基板
２上の被封止半導体チツプ３上にくるように基板台４１
のＸ−Ｙ−θを合わせる。この作業は、例えば図４
（Ａ）及び（Ｂ）に示すようにカメラ４７の中心に半導
体チツプ３の中心を合わせた後、予め測つておいたカメ
ラ４７とツール１の距離ａだけテーブルを移動させるよ
うになされている。
２上の被封止半導体チツプ３上にくるように基板台４１
のＸ−Ｙ−θを合わせる。この作業は、例えば図４
（Ａ）及び（Ｂ）に示すようにカメラ４７の中心に半導
体チツプ３の中心を合わせた後、予め測つておいたカメ
ラ４７とツール１の距離ａだけテーブルを移動させるよ
うになされている。
【００２８】この位置合わせ後、制御部はステツプＳＰ
３に移つて駆動部４３を駆動することによりツール１を
下げ、当該ツール１を半導体チツプ３及び基板２に密着
させる。この後、制御部はステツプＳＰ４においてデイ
スペンサ部４６からツール１のゲート５に洗浄液、又は
封止樹脂を送り込む。
３に移つて駆動部４３を駆動することによりツール１を
下げ、当該ツール１を半導体チツプ３及び基板２に密着
させる。この後、制御部はステツプＳＰ４においてデイ
スペンサ部４６からツール１のゲート５に洗浄液、又は
封止樹脂を送り込む。
【００２９】送り込みが完了した時点で制御部はステツ
プＳＰ５に移つて、デイスペンサ４６からの封止樹脂又
は洗浄液の供給を停止した後ツール１を引き上げ、続く
ステツプＳＰ６において洗浄済基板（洗浄時）又は封止
済基板（封止時）を乾燥又は硬化処理し、ステツプＳＰ
７において当該処理手順を終了する。
プＳＰ５に移つて、デイスペンサ４６からの封止樹脂又
は洗浄液の供給を停止した後ツール１を引き上げ、続く
ステツプＳＰ６において洗浄済基板（洗浄時）又は封止
済基板（封止時）を乾燥又は硬化処理し、ステツプＳＰ
７において当該処理手順を終了する。
【００３０】以上の構成において、半導体製造装置１０
を用いて実装済の基板２を洗浄する場合、図５に示すよ
うに半導体チツプ３を実装した基板２上の半導体チツプ
３にツールを密着させ、ツール１のゲート５より洗浄液
を注入する（これは、例えばゲート５の径に合わせたチ
ユーブ３７を用い、シリンダ等をつなぐことで簡単に実
現できる）。
を用いて実装済の基板２を洗浄する場合、図５に示すよ
うに半導体チツプ３を実装した基板２上の半導体チツプ
３にツールを密着させ、ツール１のゲート５より洗浄液
を注入する（これは、例えばゲート５の径に合わせたチ
ユーブ３７を用い、シリンダ等をつなぐことで簡単に実
現できる）。
【００３１】この結果ツール１は開放部１Ａ以外によつ
て半導体チツプ３を押さえられていることにより、洗浄
液は半導体チツプ３の下を矢印ｂに沿つて流れ、ツール
１の開放部１Ａより流れ出す。依つて、半導体チツプ３
の下部の汚染を洗浄することができる。因に図５（Ａ）
は上面図を示し、図５（Ｂ）はＡ−Ａ´線を断面にとつ
て示す断面図である。
て半導体チツプ３を押さえられていることにより、洗浄
液は半導体チツプ３の下を矢印ｂに沿つて流れ、ツール
１の開放部１Ａより流れ出す。依つて、半導体チツプ３
の下部の汚染を洗浄することができる。因に図５（Ａ）
は上面図を示し、図５（Ｂ）はＡ−Ａ´線を断面にとつ
て示す断面図である。
【００３２】これに対して半導体製造装置１０を用いて
実装済の基板２を封止樹脂３１によつて封止する場合、
図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように半導体チツプ３を実
装した基板２上の半導体チツプ３にツールを密着させ、
ツール１のゲート５より封止樹脂を注入する。因に図６
（Ａ）は上面図を示し、図６（Ｂ）はＡ−Ａ´線を断面
にとつて示す断面図である。
実装済の基板２を封止樹脂３１によつて封止する場合、
図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように半導体チツプ３を実
装した基板２上の半導体チツプ３にツールを密着させ、
ツール１のゲート５より封止樹脂を注入する。因に図６
（Ａ）は上面図を示し、図６（Ｂ）はＡ−Ａ´線を断面
にとつて示す断面図である。
【００３３】この結果図７に示すように、ツール１は開
放部１Ａ以外によつて半導体チツプ３を押さえられてい
ることにより、封止樹脂３１は半導体チツプ３の下を流
れる。このときエアは開放部１Ａから抜け出し、図８に
示すように半導体チツプ３及び基板２間は完全に封止樹
脂３１が充填され封止される。因に図７（Ａ）及び図８
（Ａ）は上面図を示し、図７（Ｂ）及び図８（Ｂ）はＡ
−Ａ´線を断面にとつて示す断面図である。
放部１Ａ以外によつて半導体チツプ３を押さえられてい
ることにより、封止樹脂３１は半導体チツプ３の下を流
れる。このときエアは開放部１Ａから抜け出し、図８に
示すように半導体チツプ３及び基板２間は完全に封止樹
脂３１が充填され封止される。因に図７（Ａ）及び図８
（Ａ）は上面図を示し、図７（Ｂ）及び図８（Ｂ）はＡ
−Ａ´線を断面にとつて示す断面図である。
【００３４】以上の構成によれば、ツール１にゲート５
及び開放部１Ａを形成したことにより、洗浄時において
ゲート５から洗浄液を注入することにより当該洗浄液を
半導体チツプ３及び基板２の間隙に強制的に循環させる
ことができ、半導体チツプ３及び基板２間を確実かつ短
時間で洗浄することができると共に、封止時においてゲ
ート５から封止樹脂３１を半導体チツプ３及び基板２の
間隙に強制的に圧入することができ、封止樹脂３１を半
導体チツプ３及び基板２間に確実かつ短時間で封入する
ことができる。
及び開放部１Ａを形成したことにより、洗浄時において
ゲート５から洗浄液を注入することにより当該洗浄液を
半導体チツプ３及び基板２の間隙に強制的に循環させる
ことができ、半導体チツプ３及び基板２間を確実かつ短
時間で洗浄することができると共に、封止時においてゲ
ート５から封止樹脂３１を半導体チツプ３及び基板２の
間隙に強制的に圧入することができ、封止樹脂３１を半
導体チツプ３及び基板２間に確実かつ短時間で封入する
ことができる。
【００３５】なお上述の実施例においては、一体物のツ
ール１を用いた場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、当該ツール１を分割し、例えば左右から挟み込
むような形状のものとしても上述の場合と同様の効果を
得ることができる。またツール１のゲート位置、大き
さ、数、形状や開放部の位置、大きさ、数、形状は、半
導体チツプ３の大きさやバンプ４の大きさ、配置等を考
慮して適宜設定するようにすれば良い。
ール１を用いた場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、当該ツール１を分割し、例えば左右から挟み込
むような形状のものとしても上述の場合と同様の効果を
得ることができる。またツール１のゲート位置、大き
さ、数、形状や開放部の位置、大きさ、数、形状は、半
導体チツプ３の大きさやバンプ４の大きさ、配置等を考
慮して適宜設定するようにすれば良い。
【００３６】また上述の実施例においては、図４につい
て上述した方法によつて半導体チツプ３の位置合わせを
行つた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
例えば図９に示すようにツール１と半導体チツプ３の間
に光学系４８を入れ、合成画像をカメラ４７で確認する
ことにより半導体チツプ３及びツール１の位置合わせを
行うようにしても良い。
て上述した方法によつて半導体チツプ３の位置合わせを
行つた場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
例えば図９に示すようにツール１と半導体チツプ３の間
に光学系４８を入れ、合成画像をカメラ４７で確認する
ことにより半導体チツプ３及びツール１の位置合わせを
行うようにしても良い。
【００３７】また上述の実施例においては、ツール１を
Ｚ（上下）方向、基板２をＸ−Ｙ−θ方向に動かす場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、ツール１を
θ方向、基板２をＸ−Ｙ−Ｚ方向の動きをさせたり、又
はツール１をＸ−Ｙ−θ方向、基板２をＺ方向の動きを
させたり、その他の組合せでも上述の場合と同様の効果
を得ることができる。
Ｚ（上下）方向、基板２をＸ−Ｙ−θ方向に動かす場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、ツール１を
θ方向、基板２をＸ−Ｙ−Ｚ方向の動きをさせたり、又
はツール１をＸ−Ｙ−θ方向、基板２をＺ方向の動きを
させたり、その他の組合せでも上述の場合と同様の効果
を得ることができる。
【００３８】また上述の実施例においては、洗浄液又は
封止樹脂を塗出する１つのデイスペンサ４６を設けた場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば１
台の半導体製造装置１０に２つのデイスペンサ４６及び
エアーブロー用ユニツトを設け、２つのデイスペンサか
らは各々洗浄液及び封止樹脂を塗出できるようにしても
良い。このようにすれば、先ず洗浄液を塗出し半導体チ
ツプ下を洗浄し、次に同じゲートよりエアーを吹き込
み、洗浄液の追い出し、乾燥を行う。次に同じゲートよ
り、封止樹脂を塗出注入することで、１台の半導体製造
装置１０によつて洗浄−封止の工程を一連の流れで行う
ことができる。
封止樹脂を塗出する１つのデイスペンサ４６を設けた場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば１
台の半導体製造装置１０に２つのデイスペンサ４６及び
エアーブロー用ユニツトを設け、２つのデイスペンサか
らは各々洗浄液及び封止樹脂を塗出できるようにしても
良い。このようにすれば、先ず洗浄液を塗出し半導体チ
ツプ下を洗浄し、次に同じゲートよりエアーを吹き込
み、洗浄液の追い出し、乾燥を行う。次に同じゲートよ
り、封止樹脂を塗出注入することで、１台の半導体製造
装置１０によつて洗浄−封止の工程を一連の流れで行う
ことができる。
【００３９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、半導体チ
ツプと基板にツールを密着させ、半導体チツプと基板の
間隙に対し、ゲートとエアベントを設けることにより、
半導体チツプと基板の間隙に封止樹脂を圧入できる。こ
のため、封止樹脂を半導体チツプと基板の間隙に速く確
実に封入することが可能となる。
ツプと基板にツールを密着させ、半導体チツプと基板の
間隙に対し、ゲートとエアベントを設けることにより、
半導体チツプと基板の間隙に封止樹脂を圧入できる。こ
のため、封止樹脂を半導体チツプと基板の間隙に速く確
実に封入することが可能となる。
【００４０】また、同様に半導体チツプと基板の間隙に
洗浄液をゲートより注入することにより、間隙に強制的
に循環させることができる。このため、半導体チツプと
基板の間隙を確実に速く洗浄することが可能となる。
洗浄液をゲートより注入することにより、間隙に強制的
に循環させることができる。このため、半導体チツプと
基板の間隙を確実に速く洗浄することが可能となる。
【図１】本発明による半導体製造装置の全体構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】ツールによる半導体チツプ及び基板間の遮蔽状
態を示す平面図及び断面図である。
態を示す平面図及び断面図である。
【図３】洗浄又は封止処理手順を示すフローチヤートで
ある。
ある。
【図４】ツールの位置合わせ手順を示す略線図である。
【図５】本発明による洗浄工程を示す平面図及び断面図
である。
である。
【図６】封止工程における封止前の状態を示す平面図及
び断面図である。
び断面図である。
【図７】封止工程における封止中の状態を示す平面図及
び断面図である。
び断面図である。
【図８】封止工程における封止後の状態を示す平面図及
び断面図である。
び断面図である。
【図９】位置合わせ方法の他の実施例を示す略線図であ
る。
る。
【図１０】従来の封止状態を示す平面図及び断面図であ
る。
る。
【図１１】従来の１辺塗布による封止方法を示す平面図
である。
である。
【図１２】従来の２辺塗布による封止方法を示す平面図
である。
である。
１……ツール、２……基板、３……半導体チツプ、４…
…バンプ、５……ゲート、２１……洗浄液の流れ、３１
……封止樹脂、４１……基板台、４３……ヘツド、４５
……支柱、４６……デイスペンサ、４７……カメラ、４
８……光学系、６５……ボイド。
…バンプ、５……ゲート、２１……洗浄液の流れ、３１
……封止樹脂、４１……基板台、４３……ヘツド、４５
……支柱、４６……デイスペンサ、４７……カメラ、４
８……光学系、６５……ボイド。
Claims (4)
- 【請求項１】配線パターンが形成された基板上に、表面
にバンプが形成された半導体チツプをフエイスダウンで
実装した回路基板上の上記半導体チツプを封止する半導
体製造方法において、 上記半導体チツプの側面及び上記基板に密着し、少なく
とも１つの封止樹脂注入用ゲートと少なくとも１つの空
気抜きのエアベントとを持つツールを上記半導体チツプ
及び上記基板に密着させた状態で上記ゲートより樹脂を
注入することにより、上記半導体チツプ及び上記基板間
に樹脂を注入及び封止することを特徴とする半導体製造
方法。 - 【請求項２】配線パターンが形成された基板上に、表面
にバンプが形成された半導体チツプをフエイスダウンで
実装した回路基板上の上記半導体チツプを封止する半導
体製造装置において、 上記半導体チツプの側面及び上記基板に密着し、少なく
とも１つの封止樹脂注入用ゲートと少なくとも１つの空
気抜きのエアベントを持つツールと、 上記ツールを半導体チツプ及び基板に密着させる駆動手
段と、 上記半導体チツプ及び上記基板に上記ツールが密着した
状態で上記ゲートより樹脂を注入する樹脂注入手段とを
具えることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】配線パターンが形成された基板上に、表面
にバンプが形成された半導体チツプをフエイスダウンで
実装した回路基板上の上記半導体チツプを洗浄する半導
体製造方法において、 上記半導体チツプの側面及び上記基板に密着し、少なく
とも１つの洗浄液注入口と少なくとも１つの洗浄液排出
の開口部を持つツールを上記半導体チツプ及び上記基板
に密着させた状態で上記注入口より洗浄液を注入するこ
とにより、上記半導体チツプ及び上記基板の間に洗浄液
を注入し洗浄することを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項４】配線パターンが形成された基板上に、表面
にバンプが形成された半導体チツプをフエイスダウンで
実装した回路基板上の上記半導体チツプを洗浄する半導
体製造装置において、 上記半導体チツプの側面及び上記基板に密着し、少なく
とも１つの洗浄液注入口と少なくとも１つの洗浄液排出
の開口部を持つツールと、 上記ツールを半導体チツプ及び基板に密着させる駆動手
段と、 上記半導体チツプ及び上記基板に上記ツールが密着した
状態で上記注入口より洗浄液を注入する洗浄液注入手段
とを具えることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5329929A JPH07153798A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5329929A JPH07153798A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153798A true JPH07153798A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=18226855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5329929A Pending JPH07153798A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153798A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000260792A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US6566165B1 (en) * | 1996-07-19 | 2003-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for mounting a semiconductor chip to a semiconductor chip-mounting board |
| JP2009224624A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 部品内蔵配線基板の製造方法 |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP5329929A patent/JPH07153798A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6566165B1 (en) * | 1996-07-19 | 2003-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for mounting a semiconductor chip to a semiconductor chip-mounting board |
| US6787922B2 (en) | 1996-07-19 | 2004-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor chip—mounting board |
| JP2000260792A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2009224624A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 部品内蔵配線基板の製造方法 |
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