JP2004327743A - 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細なパッドと半田バンプとを強固に接合することが可能な半田バンプ付き配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】半田バンプ付き配線基板は、表面に半田接合用のパッド３およびこのパッド３の上面の中央部を露出させる開口部１１を有する樹脂層４が形成された絶縁基板１と、開口部１１の内側に接合された半田バンプ５とを具備している半田バンプ付き配線基板であって、開口部１１は、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成されている。
【選択図】 図２
【解決手段】半田バンプ付き配線基板は、表面に半田接合用のパッド３およびこのパッド３の上面の中央部を露出させる開口部１１を有する樹脂層４が形成された絶縁基板１と、開口部１１の内側に接合された半田バンプ５とを具備している半田バンプ付き配線基板であって、開口部１１は、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成されている。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子や抵抗器等の電子部品を搭載するための半田バンプ付き配線基板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板には、ガラス繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁板と銅箔等から成る配線導体層とを交互に複数積層して成るプリント基板や、絶縁板上に熱硬化性樹脂およびフィラーから成る絶縁層と銅めっき層から成る配線導体層とを複数積層して成るビルドアップ基板が用いられてきている。そして、このようなプリント基板やビルドアップ基板等の配線基板の上面には、半導体素子等の電子部品の電極を接続するための半田接合用のパッドが形成されているとともに、パッドの中央部を露出させる開口部を有する樹脂層が被着されており、さらに、開口部内に露出したパッド上には電子部品とパッドとを接合するための半田バンプが形成されている。
【０００３】
そして、このような半田バンプ付きの配線基板においては、電子部品をその各電極がそれぞれ対応する半田バンプに当接するようにして配線基板の上面に載置し、これらを電気炉等の加熱装置で加熱して半田バンプを溶融させて半田バンプと電子部品の電極とを接合させることによって、電子部品が配線基板上に実装される。この際使用される半田バンプ形成用の半田ペーストに含有される半田粉末としては、例えばＳｎ−Ｐｂ共晶半田等の共晶半田が使用されるのが一般的である。
【０００４】
なお、このような半田バンプ付きの配線基板は、内部および表面の少なくもと一方に複数の配線導体を有する絶縁基板の表面に、配線導体に接続された円形状の複数のパッド、およびこれらのパッドの中央部を露出させる開口部を有する樹脂層を被着し、次にパッド上にフラックスおよび半田粉末から成る半田ペーストを従来周知のスクリーン印刷法により半田バンプの形成に必要な量だけ印刷塗布し、これを加熱して半田ペースト中の半田粉末を溶融させ固化させてパッド上に半田バンプを形成することによって製作されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２１７５３１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや各種電子部品を搭載する混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、電子部品接続用のパッドの小型化および高密度配列化が要求されており、例えばパッドの開口部に露出した部位の直径が９０μｍ以下で配列間隔（パッド中心間の間隔）が１５０μｍ以下のものが出現するようになってきている。
【０００７】
このように微細で、樹脂層の開口部内に露出したパッド上にＳｎ−Ｐｂ共晶半田等の半田粉末を含む半田ペーストを印刷塗布し、半田粉末を加熱すると、共晶温度に達した時点で半田が固相から液相へと瞬時に変化して溶融するため、瞬時に液相となって溶融した半田の表面張力により、半田がパッドに十分に濡れる前にパッドから浮き上がった状態で球状となってしまい、その結果、半田バンプとパッドとが良好に接合されないという問題点を有していた。
【０００８】
したがって、本発明はかかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、パッドと半田バンプとを確実に接合することが可能な半田バンプ付き配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、表面に半田接合用のパッドおよび該パッドの上面の中央部を露出させる開口部を有する樹脂層が形成された絶縁基板と、前記開口部の内側に接合された半田バンプとを具備している半田バンプ付き配線基板であって、前記開口部は、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、パッドの中央部を露出させる開口部を、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成されている形状としたことから、パッドの樹脂層から露出している中央部の直径が９０μｍ程度以下と小さくても、開口部の上側の内寸法が大きいため半田バンプが開口部内に十分に入り込んだ状態でパッドに接合される。その結果、半田バンプとパッドとが強固に接合された接続信頼性に優れた半田バンプ付き配線基板となる。
【００１１】
また、本発明の半田バンプ付き配線基板は、上記構成において、前記樹脂層が前記絶縁基板上に被着された第一の樹脂層と、この第一の樹脂層上に被着された第二の樹脂層とを有しており、前記開口部は、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させるように形成された第一の開口部と、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲むようにして形成された第二の開口部とから成ることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、樹脂層を、絶縁基板上に被着された第一の樹脂層と、この第一の樹脂層上に被着された第二の樹脂層とを有するものとし、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させるように形成された第一の開口部と、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲むようにして形成された第二の開口部とを設けることにより、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を有する樹脂層を、容易かつ確実に形成することが可能となる。
【００１３】
さらに、本発明の半田バンプ付き配線基板は、上記構成において、前記第一の樹脂層の厚みが前記第二の樹脂層の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、上記構成において、第一の樹脂層の厚みを第二の樹脂層の厚みよりも薄いものとすることにより、半田接合パッドを露出させる開口部内に、より多くの半田を収容して、より大きな半田バンプを形成することが可能となる。
【００１５】
また、本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法は、半田接合用のパッドを有する絶縁基板の表面に、第一の樹脂層およびその上に積層された第二の樹脂層を有する樹脂層を被着するとともに、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させる第一の開口部を形成し、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲む第二の開口部を形成することによって、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を形成する工程と、前記開口部の内面に半田ペーストを塗布し加熱して半田バンプを形成する工程とを具備していることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法は、半田接合用のパッドを有する絶縁基板の表面に、第一の樹脂層およびその上に積層された第二の樹脂層を有する樹脂層を被着するとともに、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させる第一の開口部を形成し、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲む第二の開口部を形成することによって、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を形成し、次に、前記開口部の内面に半田ペーストを塗布し加熱して半田バンプを形成することから、半田接合パッドの露出する直径が９０μｍ程度以下の小さなものであっても、開口部の上側の内寸法が大きいため半田バンプが開口部内に十分に入り込んだ状態で半田接合パッドと接合され、その結果、半田バンプと半田接合パッドとが強固に接合された半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の半田バンプ付き配線基板を以下に詳細に説明する。図１は、本発明の半田バンプ付き配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２は図１の半田バンプ付き配線基板の要部拡大断面図である。また、図３は本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法を説明するための工程毎の要部拡大断面図である。
【００１８】
まず、本発明の半田バンプ付き配線基板（以下、単に配線基板ともいう）について説明する。図１において、１は絶縁基板、２は配線導体、３は半田接合用のパッド、４は樹脂層、５は半田バンプであり、主にこれらで本発明の配線基板が構成されている。なお、図１の例では外部リードピン６を有する例を示したが、外部リードピン６は必ずしも必要ではなく、外部リードピン６に代えて半田から成る外部接続用の端子等を設けてもよい。
【００１９】
本発明における絶縁基板１は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状の芯体１ａの上下面に、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそれぞれ複数層ずつ積層して成り、芯体１ａや各絶縁層１ｂの表面には銅箔や銅めっき層等の導体層から成る複数の配線導体２が形成されている。
【００２０】
芯体１ａは、厚みが０．３〜１．５ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直径０．１〜１．０ｍｍ程度の複数の貫通孔７を有している。各貫通孔７の内面には配線導体２の一部が被着されており、芯体１ａの上下面に形成された配線導体２同士が貫通孔７内の配線導体２を介して電気的に接続されている。
【００２１】
この芯体１ａは、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを作製して熱硬化性樹脂を熱硬化させた後、これに上下面間にわたる貫通孔７をドリル等を用いて形成することにより製作される。また、芯体１ａの上下面の配線導体２は、芯体１ａ用のシートの上下面の全面に厚みが３〜５０μｍ程度の銅箔を貼着し、この銅箔をシートの硬化後にエッチング加工することにより、芯体１ａの上下面に所定のパターンに形成される。また、貫通孔７内の配線導体２は、芯体１ａに貫通孔７を設けた後に、貫通孔７の内面に無電解めっき法や電解めっき法により厚みが３〜５０μｍ程度の銅めっき層を形成することにより貫通孔７の内面に被着形成される。
【００２２】
さらに、芯体１ａは、貫通孔７の内部にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る樹脂柱８が充填されている。樹脂柱８は、貫通孔７を塞ぐとともに貫通孔７の直上および直下の絶縁層１ｂの部位にそれぞれ接続されることにより、芯体１ａの上下面の絶縁層１ｂを強固に固定することができる。この樹脂柱８は、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔７内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下端面を平坦に研磨することにより形成される。そして、樹脂柱８を有する芯体１ａの上下面に絶縁層１ｂが積層される。
【００２３】
芯体１ａの上下面に積層された絶縁層１ｂは、それぞれの厚みが２０〜６０μｍ程度であり、各絶縁層１ｂの上下面間にわたって直径３０〜１００μｍ程度の複数の貫通孔９が形成されており、これらの貫通孔９内には配線導体２の一部が被着形成されている。これらの絶縁層１ｂは、配線導体２を高密度に配線するための絶縁間隔を形成するためのものである。そして、絶縁層１ｂの上層側の配線導体２と下層側の配線導体２とを、貫通孔９内の配線導体２を介して電気的に接続することにより高密度配線を立体的に形成可能としている。
【００２４】
この絶縁層１ｂは、厚みが２０〜６０μｍ程度の未硬化の熱硬化性樹脂のフィルムを芯体１ａの上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工により貫通孔９を穿孔し、さらにその上に次の絶縁層１ｂを同様にして順次積層することによって形成される。なお、各絶縁層１ｂの表面および貫通孔９内に被着された配線導体２は、各絶縁層１ｂを形成する毎に各絶縁層１ｂの表面および貫通孔９内に５〜５０μｍ程度の厚みの銅めっき層を公知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
【００２５】
また、絶縁基板１の上下面間にわたって形成された配線導体２は電子部品の各電極を外部電気回路基板の配線導体等に接続するための導電路として機能し、絶縁基板１の上面の電子部品の実装領域にある配線導体２の部位の一部が、電子部品の各電極に、錫を６３質量％および鉛を３７質量％含む錫６３−鉛３７共晶半田、錫９６．５−銀３．５共晶半田、錫９６−銀３．５−銅０．５非共晶半田等の低融点半田から成る半田バンプ５を介してパッド３に接合される。また、絶縁基板１の下面に露出した配線導体２の部位の一部が、外部電気回路基板の配線導体等に接続される外部リードピン６を接合するためのピン接合パッド１０に電気的に接続されている。
【００２６】
パッド３やピン接合パッド１０は、配線導体２に接続された導体層から成る略円形のパターンの外周部を、後述する樹脂層４により１５〜３５μｍ程度の幅で被覆してその外周縁を画定することにより、露出する直径が、パッド３であれば５０〜２００μｍ程度、ピン接合パッド１０であれば０．５〜２．５ｍｍ程度になるように形成されている。このように、パッド３およびピン接合パッド１０の外周部を樹脂層４により被覆することによって、パッド３同士やピン接合パッド１０同士の電気的な短絡が有効に防止されるとともに、パッド３やピン接合パッド１０の絶縁基板１に対する接合強度を高くすることができる。
【００２７】
さらに、最表層の絶縁層１ｂ上にはパッド３やピン接合パッド１０の中央部を露出させる開口部１１・１２を有する樹脂層４が被着されている。樹脂層４は、例えば耐半田性を有する（半田の融点では変形等を生じない）アクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた絶縁材料から成り、表層の配線導体２同士の電気的絶縁信頼性を高めるとともに、パッド３やピン接合パッド１０の絶縁基板１への接合強度を大きなものとする作用をなす。
【００２８】
また、パッド３には、半田バンプ５が接合されている。半田バンプ５は、錫６３−鉛３７共晶半田、９６．５−銀３．５共晶半田、錫９６−銀３．５−銅０．５非共晶半田等の低融点半田から成り、パッド３と電子部品とを電気的および機械的に接続する接続端子として機能する。そして、電子部品の各電極がそれぞれ対応する半田バンプ５に当接するようにして絶縁基板１上に電子部品を載置し、これらを電気炉などの加熱装置で加熱して半田バンプ５を溶融させ固化させることにより半田バンプ５と電子部品の電極とが接続される。
【００２９】
なお、本発明においては、パッド３が形成された上面側に被着された樹脂層４は、図２に要部断面図で示すように、絶縁層１ｂ上に積層された厚みが５〜１０μｍの第一の樹脂層４ａと、その上に積層された厚みが１５〜２０μｍの第二の樹脂層４ｂとを有しており、第一の樹脂層４ａにはパッド３の中央部を露出させる第一の開口部１１ａが形成されており、第二の樹脂層４ｂには第一の開口部１１ａの周囲を取り囲む第二の開口部１１ｂが形成されている。それにより開口部１１は、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された形状となっている。これによりパッド３の樹脂層４から露出している中央部の直径が９０μｍ程度以下と小さくても、開口部１１の上側の内寸法が大きいため半田バンプ５が開口部１１内に十分に入り込んだ状態でパッド３に接合される。その結果、半田バンプ５とパッド３とが強固に接合された接続信頼性に優れた半田バンプ付き配線基板となる。
【００３０】
なお、上面側の耐半田樹脂層４を第一の樹脂層４ａと第二の樹脂層４ｂとの二層構造とし、第一の樹脂層４ａにパッド３の中央部を露出させる第一の開口部１１ａを、第二の樹脂層４ｂに第一の開口部１１ａの開口部１１ａの周囲を取り囲む第二の開口部１１ｂを形成することにより、半田接合パッド３を露出させてその内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部１１を有する樹脂層４を容易かつ確実に形成することができる。
【００３１】
さらに、第一の樹脂層４ａの厚みを第二の樹脂層４ｂの厚みよりも薄いものとすることにより、パッド３を露出させる開口部１１内に、より多くの半田を収容して、より大きな半田バンプ５を形成することが可能となり、半田バンプ５を介したパッド３と電子部品の電極との接続を良好なものとすることができる。
【００３２】
また、ピン接合パッド１０には、銅や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る外部リードピン６が半田バンプ５よりも融点が高い半田を介して接合されている。外部リードピン６は、絶縁基板１に実装される電子部品を外部電気回路基板に電気的に接続するための端子部材として機能し、外部リードピン６を外部電気回路基板の配線導体に半田やソケットを介して接続することにより、電子部品が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００３３】
次に本発明の配線基板の製造方法について図３（ａ）〜（ｄ）を基に説明する。
【００３４】
先ず、図３（ａ）に示すように、上面に半田接合用のパッド３が形成された絶縁基板１を準備する。絶縁基板１は、上述したように例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状の芯体１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそれぞれ複数層ずつ積層したものであり、その上面から下面にかけて銅箔や銅めっき膜から成る配線導体２が形成されている。なお、図３（ａ）〜（ｄ）においては、絶縁基板１のうち、絶縁層１ｂの一部しか図示していない。また、パッド３は、配線導体２の一部として例えばセミアディティブ法により円形のパターンに形成される。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁基板１の表面に第一の樹脂層４ａおよびその上の第二の樹脂層４ｂとから成る樹脂層４を被着させるとともに、第一の樹脂層４ａに半田接合パッド３の中央部を露出させる第一の開口部１１ａおよび第二の樹脂層４ｂに第一の開口部１１ａの周囲を取り囲む第二の開口部１１ｂを形成して、耐半田樹脂層４に第一の開口部１１ａおよび第二の開口部１１ｂから成り、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段部が形成された開口部１１を形成する。この開口部１１を有する樹脂層４は、例えば先ず、絶縁基板１上に第一の樹脂層４ａ用の感光性樹脂ペーストを塗布した後に乾燥して第一の未露光樹脂層を形成する。次に、第一の未露光樹脂層を第一の開口部１１ａに対応するマスクパターンを有する露光マスクを用いて露光して第一の露光済樹脂層を形成する。次に、第一の露光済樹脂層の上に第二の樹脂層４ｂ用の感光性樹脂ペーストを塗布した後に乾燥して第二の未露光樹脂層を形成する。次に、第二の未露光樹脂層を第二の開口部１１ｂに対応するマスクパターンを有する露光マスクを用いて露光して第二の露光済樹脂層を形成する。次に、第一および第二の露光済樹脂層を現像した後、紫外線硬化および熱硬化させることにより形成される。なお、第一および第二の樹脂層４ａ・４ｂ用の感光性樹脂ペーストとしては、感光性のエポキシ樹脂や感光性の変性ポリフェニレンエーテル樹脂のペーストが用いられる。
【００３６】
次に、図３（ｃ）に示すように、樹脂層４の開口部１１内に露出したパッド３上に、半田粉末およびフラックスを含有する半田ペースト２１をスクリーン印刷法を採用して印刷塗布する。半田粉末としては粒径が３〜２５μｍ程度の球状の半田が使用される。半田粉末としては粒径が３〜２５μｍ程度の球状の半田が使用される。この半田粉末としては、錫６３−鉛３７共晶半田、錫９６．５−銀３．５共晶半田、錫９６−銀３．５−銅０．５非共晶半田等の低融点半田が使用できる。
【００３７】
次に図３（ｄ）に示すように、半田ペースト２１を加熱することにより半田ペースト２１中の半田粉末を溶融させてパッド３に接合した半田バンプ５を形成する。このとき、本発明の製造方法によれば、パッド３の露出する直径が９０μｍ程度以下の小さなものであっても、開口部１１の上側の内寸法が大きいため半田バンプ５が開口部１１内に十分に入り込んだ状態でパッド３と接合され、その結果、半田バンプ５とパッド３とが強固に接合された半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
【００３８】
さらに、第一の樹脂層４ａの厚みを第二の樹脂層４ｂの厚みよりも薄いものとしておくことにより、パッド３を露出させる開口部１１内に、より多くの半田を収容して、より大きな半田バンプ５を形成することが可能となり、それにより電子部品の電極とパッド３との半田バンプ５を介した接続を良好なものとすることができる。
【００３９】
かくして、本発明により提供される半田バンプ付き配線基板は、絶縁基板１の上面に電子部品をその電極が半田バンプ５に当接するようにして載置し、半田バンプ５を加熱溶融させて電子部品の電極とパッド３とを接合させることにより製品としての電子装置となる。
【００４０】
なお、本発明は、上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、パッドの中央部を露出させる開口部を、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成されている形状としたことから、パッドの樹脂層から露出している中央部の直径が９０μｍ程度以下と小さくても、開口部の上側の内寸法が大きいため半田バンプが開口部内に十分に入り込んだ状態でパッドに接合される。その結果、半田バンプとパッドとが強固に接合された接続信頼性に優れた半田バンプ付き配線基板となる。
【００４２】
また、本発明の半田バンプ付き配線基板は、樹脂層を、絶縁基板上に被着された第一の樹脂層と、この第一の樹脂層上に被着された第二の樹脂層とを有するものとし、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させるように形成された第一の開口部と、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲むようにして形成された第二の開口部とを設けることにより、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を有する樹脂層を、容易かつ確実に形成することが可能となる。
【００４３】
さらに、本発明の半田バンプ付き配線基板は、上記構成において、第一の樹脂層の厚みを第二の樹脂層の厚みよりも薄いものとすることにより、半田接合パッドを露出させる開口部内に、より多くの半田を収容して、より大きな半田バンプを形成することが可能となる。
【００４４】
また、本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法は、半田接合用のパッドを有する絶縁基板の表面に、第一の樹脂層およびその上に積層された第二の樹脂層を有する樹脂層を被着するとともに、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させる第一の開口部を形成し、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲む第二の開口部を形成することによって、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を形成し、次に、前記開口部の内面に半田ペーストを塗布し加熱して半田バンプを形成することから、半田接合パッドの露出する直径が９０μｍ程度以下の小さなものであっても、開口部の上側の内寸法が大きいため半田バンプが開口部内に十分に入り込んだ状態で半田接合パッドと接合され、その結果、半田バンプと半田接合パッドとが強固に接合された半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半田バンプ付き配線基板の実施形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１の半田バンプ付き配線基板の要部拡大断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法を説明するための工程毎の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１：絶縁基板
２：配線導体
３：パッド
４：樹脂層
４ａ：第一の樹脂層
４ｂ：第二の樹脂層
５：半田バンプ
１１：開口部
１１ａ：第一の開口部
１１ｂ：第二の開口部
２１：半田ペースト
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子や抵抗器等の電子部品を搭載するための半田バンプ付き配線基板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板には、ガラス繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁板と銅箔等から成る配線導体層とを交互に複数積層して成るプリント基板や、絶縁板上に熱硬化性樹脂およびフィラーから成る絶縁層と銅めっき層から成る配線導体層とを複数積層して成るビルドアップ基板が用いられてきている。そして、このようなプリント基板やビルドアップ基板等の配線基板の上面には、半導体素子等の電子部品の電極を接続するための半田接合用のパッドが形成されているとともに、パッドの中央部を露出させる開口部を有する樹脂層が被着されており、さらに、開口部内に露出したパッド上には電子部品とパッドとを接合するための半田バンプが形成されている。
【０００３】
そして、このような半田バンプ付きの配線基板においては、電子部品をその各電極がそれぞれ対応する半田バンプに当接するようにして配線基板の上面に載置し、これらを電気炉等の加熱装置で加熱して半田バンプを溶融させて半田バンプと電子部品の電極とを接合させることによって、電子部品が配線基板上に実装される。この際使用される半田バンプ形成用の半田ペーストに含有される半田粉末としては、例えばＳｎ−Ｐｂ共晶半田等の共晶半田が使用されるのが一般的である。
【０００４】
なお、このような半田バンプ付きの配線基板は、内部および表面の少なくもと一方に複数の配線導体を有する絶縁基板の表面に、配線導体に接続された円形状の複数のパッド、およびこれらのパッドの中央部を露出させる開口部を有する樹脂層を被着し、次にパッド上にフラックスおよび半田粉末から成る半田ペーストを従来周知のスクリーン印刷法により半田バンプの形成に必要な量だけ印刷塗布し、これを加熱して半田ペースト中の半田粉末を溶融させ固化させてパッド上に半田バンプを形成することによって製作されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２１７５３１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや各種電子部品を搭載する混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、電子部品接続用のパッドの小型化および高密度配列化が要求されており、例えばパッドの開口部に露出した部位の直径が９０μｍ以下で配列間隔（パッド中心間の間隔）が１５０μｍ以下のものが出現するようになってきている。
【０００７】
このように微細で、樹脂層の開口部内に露出したパッド上にＳｎ−Ｐｂ共晶半田等の半田粉末を含む半田ペーストを印刷塗布し、半田粉末を加熱すると、共晶温度に達した時点で半田が固相から液相へと瞬時に変化して溶融するため、瞬時に液相となって溶融した半田の表面張力により、半田がパッドに十分に濡れる前にパッドから浮き上がった状態で球状となってしまい、その結果、半田バンプとパッドとが良好に接合されないという問題点を有していた。
【０００８】
したがって、本発明はかかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、パッドと半田バンプとを確実に接合することが可能な半田バンプ付き配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、表面に半田接合用のパッドおよび該パッドの上面の中央部を露出させる開口部を有する樹脂層が形成された絶縁基板と、前記開口部の内側に接合された半田バンプとを具備している半田バンプ付き配線基板であって、前記開口部は、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、パッドの中央部を露出させる開口部を、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成されている形状としたことから、パッドの樹脂層から露出している中央部の直径が９０μｍ程度以下と小さくても、開口部の上側の内寸法が大きいため半田バンプが開口部内に十分に入り込んだ状態でパッドに接合される。その結果、半田バンプとパッドとが強固に接合された接続信頼性に優れた半田バンプ付き配線基板となる。
【００１１】
また、本発明の半田バンプ付き配線基板は、上記構成において、前記樹脂層が前記絶縁基板上に被着された第一の樹脂層と、この第一の樹脂層上に被着された第二の樹脂層とを有しており、前記開口部は、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させるように形成された第一の開口部と、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲むようにして形成された第二の開口部とから成ることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、樹脂層を、絶縁基板上に被着された第一の樹脂層と、この第一の樹脂層上に被着された第二の樹脂層とを有するものとし、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させるように形成された第一の開口部と、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲むようにして形成された第二の開口部とを設けることにより、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を有する樹脂層を、容易かつ確実に形成することが可能となる。
【００１３】
さらに、本発明の半田バンプ付き配線基板は、上記構成において、前記第一の樹脂層の厚みが前記第二の樹脂層の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、上記構成において、第一の樹脂層の厚みを第二の樹脂層の厚みよりも薄いものとすることにより、半田接合パッドを露出させる開口部内に、より多くの半田を収容して、より大きな半田バンプを形成することが可能となる。
【００１５】
また、本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法は、半田接合用のパッドを有する絶縁基板の表面に、第一の樹脂層およびその上に積層された第二の樹脂層を有する樹脂層を被着するとともに、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させる第一の開口部を形成し、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲む第二の開口部を形成することによって、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を形成する工程と、前記開口部の内面に半田ペーストを塗布し加熱して半田バンプを形成する工程とを具備していることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法は、半田接合用のパッドを有する絶縁基板の表面に、第一の樹脂層およびその上に積層された第二の樹脂層を有する樹脂層を被着するとともに、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させる第一の開口部を形成し、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲む第二の開口部を形成することによって、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を形成し、次に、前記開口部の内面に半田ペーストを塗布し加熱して半田バンプを形成することから、半田接合パッドの露出する直径が９０μｍ程度以下の小さなものであっても、開口部の上側の内寸法が大きいため半田バンプが開口部内に十分に入り込んだ状態で半田接合パッドと接合され、その結果、半田バンプと半田接合パッドとが強固に接合された半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の半田バンプ付き配線基板を以下に詳細に説明する。図１は、本発明の半田バンプ付き配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２は図１の半田バンプ付き配線基板の要部拡大断面図である。また、図３は本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法を説明するための工程毎の要部拡大断面図である。
【００１８】
まず、本発明の半田バンプ付き配線基板（以下、単に配線基板ともいう）について説明する。図１において、１は絶縁基板、２は配線導体、３は半田接合用のパッド、４は樹脂層、５は半田バンプであり、主にこれらで本発明の配線基板が構成されている。なお、図１の例では外部リードピン６を有する例を示したが、外部リードピン６は必ずしも必要ではなく、外部リードピン６に代えて半田から成る外部接続用の端子等を設けてもよい。
【００１９】
本発明における絶縁基板１は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状の芯体１ａの上下面に、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそれぞれ複数層ずつ積層して成り、芯体１ａや各絶縁層１ｂの表面には銅箔や銅めっき層等の導体層から成る複数の配線導体２が形成されている。
【００２０】
芯体１ａは、厚みが０．３〜１．５ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直径０．１〜１．０ｍｍ程度の複数の貫通孔７を有している。各貫通孔７の内面には配線導体２の一部が被着されており、芯体１ａの上下面に形成された配線導体２同士が貫通孔７内の配線導体２を介して電気的に接続されている。
【００２１】
この芯体１ａは、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを作製して熱硬化性樹脂を熱硬化させた後、これに上下面間にわたる貫通孔７をドリル等を用いて形成することにより製作される。また、芯体１ａの上下面の配線導体２は、芯体１ａ用のシートの上下面の全面に厚みが３〜５０μｍ程度の銅箔を貼着し、この銅箔をシートの硬化後にエッチング加工することにより、芯体１ａの上下面に所定のパターンに形成される。また、貫通孔７内の配線導体２は、芯体１ａに貫通孔７を設けた後に、貫通孔７の内面に無電解めっき法や電解めっき法により厚みが３〜５０μｍ程度の銅めっき層を形成することにより貫通孔７の内面に被着形成される。
【００２２】
さらに、芯体１ａは、貫通孔７の内部にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る樹脂柱８が充填されている。樹脂柱８は、貫通孔７を塞ぐとともに貫通孔７の直上および直下の絶縁層１ｂの部位にそれぞれ接続されることにより、芯体１ａの上下面の絶縁層１ｂを強固に固定することができる。この樹脂柱８は、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔７内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下端面を平坦に研磨することにより形成される。そして、樹脂柱８を有する芯体１ａの上下面に絶縁層１ｂが積層される。
【００２３】
芯体１ａの上下面に積層された絶縁層１ｂは、それぞれの厚みが２０〜６０μｍ程度であり、各絶縁層１ｂの上下面間にわたって直径３０〜１００μｍ程度の複数の貫通孔９が形成されており、これらの貫通孔９内には配線導体２の一部が被着形成されている。これらの絶縁層１ｂは、配線導体２を高密度に配線するための絶縁間隔を形成するためのものである。そして、絶縁層１ｂの上層側の配線導体２と下層側の配線導体２とを、貫通孔９内の配線導体２を介して電気的に接続することにより高密度配線を立体的に形成可能としている。
【００２４】
この絶縁層１ｂは、厚みが２０〜６０μｍ程度の未硬化の熱硬化性樹脂のフィルムを芯体１ａの上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工により貫通孔９を穿孔し、さらにその上に次の絶縁層１ｂを同様にして順次積層することによって形成される。なお、各絶縁層１ｂの表面および貫通孔９内に被着された配線導体２は、各絶縁層１ｂを形成する毎に各絶縁層１ｂの表面および貫通孔９内に５〜５０μｍ程度の厚みの銅めっき層を公知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
【００２５】
また、絶縁基板１の上下面間にわたって形成された配線導体２は電子部品の各電極を外部電気回路基板の配線導体等に接続するための導電路として機能し、絶縁基板１の上面の電子部品の実装領域にある配線導体２の部位の一部が、電子部品の各電極に、錫を６３質量％および鉛を３７質量％含む錫６３−鉛３７共晶半田、錫９６．５−銀３．５共晶半田、錫９６−銀３．５−銅０．５非共晶半田等の低融点半田から成る半田バンプ５を介してパッド３に接合される。また、絶縁基板１の下面に露出した配線導体２の部位の一部が、外部電気回路基板の配線導体等に接続される外部リードピン６を接合するためのピン接合パッド１０に電気的に接続されている。
【００２６】
パッド３やピン接合パッド１０は、配線導体２に接続された導体層から成る略円形のパターンの外周部を、後述する樹脂層４により１５〜３５μｍ程度の幅で被覆してその外周縁を画定することにより、露出する直径が、パッド３であれば５０〜２００μｍ程度、ピン接合パッド１０であれば０．５〜２．５ｍｍ程度になるように形成されている。このように、パッド３およびピン接合パッド１０の外周部を樹脂層４により被覆することによって、パッド３同士やピン接合パッド１０同士の電気的な短絡が有効に防止されるとともに、パッド３やピン接合パッド１０の絶縁基板１に対する接合強度を高くすることができる。
【００２７】
さらに、最表層の絶縁層１ｂ上にはパッド３やピン接合パッド１０の中央部を露出させる開口部１１・１２を有する樹脂層４が被着されている。樹脂層４は、例えば耐半田性を有する（半田の融点では変形等を生じない）アクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた絶縁材料から成り、表層の配線導体２同士の電気的絶縁信頼性を高めるとともに、パッド３やピン接合パッド１０の絶縁基板１への接合強度を大きなものとする作用をなす。
【００２８】
また、パッド３には、半田バンプ５が接合されている。半田バンプ５は、錫６３−鉛３７共晶半田、９６．５−銀３．５共晶半田、錫９６−銀３．５−銅０．５非共晶半田等の低融点半田から成り、パッド３と電子部品とを電気的および機械的に接続する接続端子として機能する。そして、電子部品の各電極がそれぞれ対応する半田バンプ５に当接するようにして絶縁基板１上に電子部品を載置し、これらを電気炉などの加熱装置で加熱して半田バンプ５を溶融させ固化させることにより半田バンプ５と電子部品の電極とが接続される。
【００２９】
なお、本発明においては、パッド３が形成された上面側に被着された樹脂層４は、図２に要部断面図で示すように、絶縁層１ｂ上に積層された厚みが５〜１０μｍの第一の樹脂層４ａと、その上に積層された厚みが１５〜２０μｍの第二の樹脂層４ｂとを有しており、第一の樹脂層４ａにはパッド３の中央部を露出させる第一の開口部１１ａが形成されており、第二の樹脂層４ｂには第一の開口部１１ａの周囲を取り囲む第二の開口部１１ｂが形成されている。それにより開口部１１は、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された形状となっている。これによりパッド３の樹脂層４から露出している中央部の直径が９０μｍ程度以下と小さくても、開口部１１の上側の内寸法が大きいため半田バンプ５が開口部１１内に十分に入り込んだ状態でパッド３に接合される。その結果、半田バンプ５とパッド３とが強固に接合された接続信頼性に優れた半田バンプ付き配線基板となる。
【００３０】
なお、上面側の耐半田樹脂層４を第一の樹脂層４ａと第二の樹脂層４ｂとの二層構造とし、第一の樹脂層４ａにパッド３の中央部を露出させる第一の開口部１１ａを、第二の樹脂層４ｂに第一の開口部１１ａの開口部１１ａの周囲を取り囲む第二の開口部１１ｂを形成することにより、半田接合パッド３を露出させてその内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部１１を有する樹脂層４を容易かつ確実に形成することができる。
【００３１】
さらに、第一の樹脂層４ａの厚みを第二の樹脂層４ｂの厚みよりも薄いものとすることにより、パッド３を露出させる開口部１１内に、より多くの半田を収容して、より大きな半田バンプ５を形成することが可能となり、半田バンプ５を介したパッド３と電子部品の電極との接続を良好なものとすることができる。
【００３２】
また、ピン接合パッド１０には、銅や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る外部リードピン６が半田バンプ５よりも融点が高い半田を介して接合されている。外部リードピン６は、絶縁基板１に実装される電子部品を外部電気回路基板に電気的に接続するための端子部材として機能し、外部リードピン６を外部電気回路基板の配線導体に半田やソケットを介して接続することにより、電子部品が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００３３】
次に本発明の配線基板の製造方法について図３（ａ）〜（ｄ）を基に説明する。
【００３４】
先ず、図３（ａ）に示すように、上面に半田接合用のパッド３が形成された絶縁基板１を準備する。絶縁基板１は、上述したように例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状の芯体１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそれぞれ複数層ずつ積層したものであり、その上面から下面にかけて銅箔や銅めっき膜から成る配線導体２が形成されている。なお、図３（ａ）〜（ｄ）においては、絶縁基板１のうち、絶縁層１ｂの一部しか図示していない。また、パッド３は、配線導体２の一部として例えばセミアディティブ法により円形のパターンに形成される。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁基板１の表面に第一の樹脂層４ａおよびその上の第二の樹脂層４ｂとから成る樹脂層４を被着させるとともに、第一の樹脂層４ａに半田接合パッド３の中央部を露出させる第一の開口部１１ａおよび第二の樹脂層４ｂに第一の開口部１１ａの周囲を取り囲む第二の開口部１１ｂを形成して、耐半田樹脂層４に第一の開口部１１ａおよび第二の開口部１１ｂから成り、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段部が形成された開口部１１を形成する。この開口部１１を有する樹脂層４は、例えば先ず、絶縁基板１上に第一の樹脂層４ａ用の感光性樹脂ペーストを塗布した後に乾燥して第一の未露光樹脂層を形成する。次に、第一の未露光樹脂層を第一の開口部１１ａに対応するマスクパターンを有する露光マスクを用いて露光して第一の露光済樹脂層を形成する。次に、第一の露光済樹脂層の上に第二の樹脂層４ｂ用の感光性樹脂ペーストを塗布した後に乾燥して第二の未露光樹脂層を形成する。次に、第二の未露光樹脂層を第二の開口部１１ｂに対応するマスクパターンを有する露光マスクを用いて露光して第二の露光済樹脂層を形成する。次に、第一および第二の露光済樹脂層を現像した後、紫外線硬化および熱硬化させることにより形成される。なお、第一および第二の樹脂層４ａ・４ｂ用の感光性樹脂ペーストとしては、感光性のエポキシ樹脂や感光性の変性ポリフェニレンエーテル樹脂のペーストが用いられる。
【００３６】
次に、図３（ｃ）に示すように、樹脂層４の開口部１１内に露出したパッド３上に、半田粉末およびフラックスを含有する半田ペースト２１をスクリーン印刷法を採用して印刷塗布する。半田粉末としては粒径が３〜２５μｍ程度の球状の半田が使用される。半田粉末としては粒径が３〜２５μｍ程度の球状の半田が使用される。この半田粉末としては、錫６３−鉛３７共晶半田、錫９６．５−銀３．５共晶半田、錫９６−銀３．５−銅０．５非共晶半田等の低融点半田が使用できる。
【００３７】
次に図３（ｄ）に示すように、半田ペースト２１を加熱することにより半田ペースト２１中の半田粉末を溶融させてパッド３に接合した半田バンプ５を形成する。このとき、本発明の製造方法によれば、パッド３の露出する直径が９０μｍ程度以下の小さなものであっても、開口部１１の上側の内寸法が大きいため半田バンプ５が開口部１１内に十分に入り込んだ状態でパッド３と接合され、その結果、半田バンプ５とパッド３とが強固に接合された半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
【００３８】
さらに、第一の樹脂層４ａの厚みを第二の樹脂層４ｂの厚みよりも薄いものとしておくことにより、パッド３を露出させる開口部１１内に、より多くの半田を収容して、より大きな半田バンプ５を形成することが可能となり、それにより電子部品の電極とパッド３との半田バンプ５を介した接続を良好なものとすることができる。
【００３９】
かくして、本発明により提供される半田バンプ付き配線基板は、絶縁基板１の上面に電子部品をその電極が半田バンプ５に当接するようにして載置し、半田バンプ５を加熱溶融させて電子部品の電極とパッド３とを接合させることにより製品としての電子装置となる。
【００４０】
なお、本発明は、上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の半田バンプ付き配線基板は、パッドの中央部を露出させる開口部を、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成されている形状としたことから、パッドの樹脂層から露出している中央部の直径が９０μｍ程度以下と小さくても、開口部の上側の内寸法が大きいため半田バンプが開口部内に十分に入り込んだ状態でパッドに接合される。その結果、半田バンプとパッドとが強固に接合された接続信頼性に優れた半田バンプ付き配線基板となる。
【００４２】
また、本発明の半田バンプ付き配線基板は、樹脂層を、絶縁基板上に被着された第一の樹脂層と、この第一の樹脂層上に被着された第二の樹脂層とを有するものとし、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させるように形成された第一の開口部と、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲むようにして形成された第二の開口部とを設けることにより、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を有する樹脂層を、容易かつ確実に形成することが可能となる。
【００４３】
さらに、本発明の半田バンプ付き配線基板は、上記構成において、第一の樹脂層の厚みを第二の樹脂層の厚みよりも薄いものとすることにより、半田接合パッドを露出させる開口部内に、より多くの半田を収容して、より大きな半田バンプを形成することが可能となる。
【００４４】
また、本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法は、半田接合用のパッドを有する絶縁基板の表面に、第一の樹脂層およびその上に積層された第二の樹脂層を有する樹脂層を被着するとともに、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させる第一の開口部を形成し、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲む第二の開口部を形成することによって、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を形成し、次に、前記開口部の内面に半田ペーストを塗布し加熱して半田バンプを形成することから、半田接合パッドの露出する直径が９０μｍ程度以下の小さなものであっても、開口部の上側の内寸法が大きいため半田バンプが開口部内に十分に入り込んだ状態で半田接合パッドと接合され、その結果、半田バンプと半田接合パッドとが強固に接合された半田バンプ付き配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半田バンプ付き配線基板の実施形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１の半田バンプ付き配線基板の要部拡大断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の半田バンプ付き配線基板の製造方法を説明するための工程毎の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１：絶縁基板
２：配線導体
３：パッド
４：樹脂層
４ａ：第一の樹脂層
４ｂ：第二の樹脂層
５：半田バンプ
１１：開口部
１１ａ：第一の開口部
１１ｂ：第二の開口部
２１：半田ペースト
Claims (4)
- 表面に半田接合用のパッドおよび該パッドの上面の中央部を露出させる開口部を有する樹脂層が形成された絶縁基板と、前記開口部の内側に接合された半田バンプとを具備している半田バンプ付き配線基板であって、前記開口部は、その内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成されていることを特徴とする半田バンプ付き配線基板。
- 前記樹脂層は、前記絶縁基板上に被着された第一の樹脂層とその上に被着された第二の樹脂層とを有しており、前記開口部は、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させるように形成された第一の開口部と、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲むようにして形成された第二の開口部とから成ることを特徴とする請求項１記載の半田バンプ付き配線基板。
- 前記第一の樹脂層の厚みが前記第二の樹脂層の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項２記載の半田バンプ付き配線基板。
- 半田接合用のパッドを有する絶縁基板の表面に、第一の樹脂層およびその上に積層された第二の樹脂層を有する樹脂層を被着するとともに、前記第一の樹脂層に前記パッドの上面の中央部を露出させる第一の開口部を形成し、前記第二の樹脂層に前記第一の開口部の周囲を取り囲む第二の開口部を形成することによって、内側面に上側の内寸法が下側よりも大きくなるように段差が形成された開口部を形成する工程と、前記開口部の内面に半田ペーストを塗布し加熱して半田バンプを形成する工程とを具備していることを特徴とする半田バンプ付き配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003120792A JP2004327743A (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003120792A JP2004327743A (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004327743A true JP2004327743A (ja) | 2004-11-18 |
Family
ID=33499530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003120792A Pending JP2004327743A (ja) | 2003-04-24 | 2003-04-24 | 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004327743A (ja) |
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