JP2008117873A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

【課題】上面電極が硫化ガスにより硫化された場合でも、チップ抵抗器の電気的特性を損なうことがないチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０には、上面と下面間を貫通するスルーホール１２が電極間方向の両側に保護膜９２の端部よりも内側位置に設けられ、該スルーホール１２内に上面電極３０と下面電極４０とに電気的に接続する内部電極５０が設けられている。なお、スルーホール１２の代わりに、保護膜９２の端部位置の下方において該端部位置を電極間方向に跨ぐように凹部又は切欠部を設けて、該凹部又は切欠部に上面電極と接続する内部電極を設けるようにしてもよい。
【選択図】図１

Description

本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、耐硫化特性を有するチップ抵抗器に関するものである。

従来におけるチップ抵抗器は、例えば、図８に示すような構成により形成されている。つまり、チップ抵抗器５０５は、絶縁基板１０と、電極部２０と、抵抗体８０と、カバーコート９０と、保護膜９２とを有しており、電極部２０は、絶縁基板１０の左右に一対設けられており、上面電極３０と、側面電極６０と、メッキ７０とを有している。このメッキ７０は、ニッケルメッキ７２と、錫メッキ７４の２層により形成されている。ここで、メッキ７０の端部は、保護膜９２の端部に接する状態で固定されており、一般に腐食しやすい上面電極３０が露出しないように形成されている。

なお、出願人は、先行技術文献として、以下の特許文献１を知得している。
特開２０００−１８８４５６号公報

しかし、保護膜９２に接するメッキ７０と保護膜９２との接着強度は一般に低いことから、熱ストレスなどによる収縮膨張の繰り返しにより、この保護膜９２とメッキ７０の間に隙間が形成される。この隙間が上面電極３０まで達すると、一般に銀系厚膜で形成されている上面電極３０は、硫化ガス（例えば、硫化水素）が多く存在するような腐食雰囲気で使用された場合に、上面電極３０に含まれる銀と、その硫化ガスとが反応して絶縁物である硫化銀（Ａｇ₂Ｓ）が生成されて、上面電極３０が腐食されてしまう。つまり、銀が硫化ガスと反応して硫化して、Ａｇ₂Ｓウィスカが形成され、このＡｇ₂Ｓウィスカの成長に伴い上面電極が部分的に消失してしまって、導体としての機能を充分果たせなくなる。つまり、上面電極３０が断線状態となることにより、チップ抵抗器の抵抗値が変化してしまう等故障の原因となる可能性がある。

このように、保護膜９２の端部は、いわゆる硫化ポイントとなり、硫化ガスは、保護膜９２とメッキ７０の僅かな隙間から侵入して、その濃度と時間により上面電極３０の銀を徐々に深く侵していき、硫化ガスが多く存在する雰囲気においては、１〜３年で上面電極の銀が消失して断線することがある。

また、上面電極３０の銀が抵抗体８０の焼成時に抵抗体８０に拡散してチップ抵抗器の特性が劣化することを防止するために、上面電極３０中に微量のパラジウムを含有させる場合があるが、上面電極３０の硫化対策としては必ずしも十分ではなく、また、上面電極３０にパラジウムを銀に対して２０重量％以上を含有させるとほとんど上面電極３０が硫化されなくなるとされているが、上面電極３０の抵抗値が高くなってしまい、低抵抗のチップ抵抗器を製造する場合に適さず、また、パラジウム自体が高価であるため使用用途が限定されてしまうという問題がある。

また、上記特許文献１に記載の抵抗器においては、内部電極１４が設けられているが、内部電極が保護膜の端部よりも外側に設けられているため、保護膜の端部の硫化ポイントの下方で上面電極が硫化して断線すると、抵抗器の抵抗値が変化してしまう。

そこで、本発明は、上面電極が硫化ガスにより硫化された場合でも、チップ抵抗器の電気的特性を損なうことがないチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。

本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、上面と下面間を貫通するスルーホールを電極間方向の両側に有する絶縁基板と、絶縁基板に設けられた一対の電極部で、絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成された上面電極と、絶縁基板の下面の電極間方向の両側に形成された下面電極と、スルーホール内に設けられ、上面電極と下面電極とに電気的に接続する内部電極と、を有する電極部と、一対の上面電極間に設けられた抵抗体と、抵抗体を被覆する保護膜と、を有し、該スルーホールと内部電極とが、保護膜の電極間方向の端部よりも内側に形成されていることを特徴とする。

この第１の構成のチップ抵抗器においては、保護膜の電極間方向の端部から硫化ガスが侵入して、上面電極が硫化して仮に上面電極が保護膜の該端部の下方位置において断線してしまっても、内部電極が設けられているので、上面電極は内部電極を介して下面電極と導通するので、両側の電極部間の導通は確保され、チップ抵抗器の抵抗値が変化することなく、電気的特性が劣化することがない。特に、内部電極は、硫化ポイントである保護膜の端部位置よりも内側に形成されているので、上面電極が硫化ポイントの下方位置において断線しても電極部における導通は確保される。

なお、上記第１の構成に従属する構成として、上記内部電極が、絶縁基板のスルーホールに導電材を充填することにより形成されているものとしてもよい。

また、上記第１の構成に従属する構成として、上記内部電極が、絶縁基板のスルーホール内の内側面に導電材を付着させることにより形成されているものとしてもよい。

また、上記第１の構成及びその従属項に従属する構成として、上記スルーホールが、絶縁基板の電極間方向の両側にそれぞれ複数設けられていて、内部電極が、電極間方向の両側にそれぞれ複数設けられているものとしてもよい。

また、上記第１の構成及びその従属項に従属する構成として、上記電極部が、絶縁基板の電極間方向の側面に設けられ、上面電極と下面電極とに接続する側面電極と、側面電極と上面電極と下面電極の露出面に形成されたメッキと、を有するものとしてもよい。

また、第２には、チップ抵抗器であって、上面の電極間方向の両側に凹部又は切欠部を有する絶縁基板と、絶縁基板に設けられた一対の電極部で、絶縁基板に設けられた凹部又は切欠部内に設けられた内部電極と、絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成され、下側に内部電極が接続された上面電極と、を有する電極部と、一対の上面電極間に設けられた抵抗体と、抵抗体を被覆する保護膜と、を有し、該凹部又は切欠部と内部電極とが、保護膜の電極間方向の端部位置の下方において前記端部位置を電極間方向に跨ぐように設けられていることを特徴とする。

この第２の構成のチップ抵抗器においては、保護膜の電極間方向の端部から硫化ガスが侵入して、上面電極が硫化して仮に上面電極が保護膜の該端部の下方位置において断線してしまっても、内部電極が設けられているので、該上面電極の両端は、内部電極を介して導通が確保され、両側の電極部間の導通は確保されるので、よって、チップ抵抗器の抵抗値が変化することなく、電気的特性が劣化することがない。

なお、上記第２の構成に従属する構成として、上記凹部又は切欠部は、絶縁基板の電極間方向の両側にそれぞれ複数略平行に設けられていて、内部電極が、電極間方向の両側にそれぞれ複数略平行に設けられているものとしてもよい。

また、上記第２の構成及びその従属項に従属する構成として、内部電極の厚みが、絶縁基板の厚みの２０％以下であるとしてもよい。

また、上記第２の構成及びその従属項に従属する構成として、電極部が、絶縁基板の下面の電極間方向の両側に形成された下面電極と、絶縁基板の電極間方向の側面に設けられ、上面電極と下面電極とに接続する側面電極と、側面電極と上面電極と下面電極の露出面に形成されたメッキと、を有するものとしてもよい。

本発明に基づくチップ抵抗器によれば、保護膜の電極間方向の端部から硫化ガスが侵入して、上面電極が硫化して仮に上面電極が保護膜の該端部の下方位置において断線してしまっても、抵抗値が変化することなく、電気的特性が劣化することがない。つまり、請求項１においては、内部電極が設けられているので、上面電極は内部電極を介して下面電極と導通するので、両側の電極部間の導通は確保され、抵抗値が変化することなく、電気的特性が劣化することがなく、また、請求項２においては、内部電極が設けられているので、該上面電極の両端は、内部電極を介して導通が確保され、両側の電極部間の導通は確保されるので、よって、チップ抵抗器の抵抗値が変化することなく、電気的特性が劣化することがない。

本発明においては、上面電極が硫化ガスにより硫化された場合でも、チップ抵抗器の電気的特性を損なうことがないチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。

本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器を図１、図２を使用して説明する。なお、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図であるが、図１（ｂ）における一点鎖線は、上面電極３０や抵抗体８０や保護膜９２の最外郭の輪郭を仮想的に示すものである。

本発明に基づくチップ抵抗器５は、図１に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０と、抵抗体８０と、カバーコート（一次コートとしてもよい）９０と、保護膜（二次コートとしてもよい）９２とを有している。

ここで、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、全体には、略直方体形状を呈している。なお、図１に示す例では、絶縁基板１０は平面視では長方形状を呈するが、他の形状、例えば、正方形状でもよい。

また、絶縁基板１０には、絶縁基板１０の上面と底面との間を貫通するスルーホール１２が設けられている。このスルーホール１２は、円柱状を呈し、鉛直方向に設けられていて、絶縁基板１０の長手方向の両側に２つずつ設けられている。なお、このスルーホール１２が設けられている位置は、保護膜９２の長手方向の端部よりも内側（つまり、長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））における中心側（抵抗体側））であり、これにより、保護膜９２の端部とスルーホール１２との間に平面視において距離αが形成されるようになっている。

なお、スルーホール１２の径の大きさは任意であるが、例えば、平面形状が１．６ｍｍ×０．８ｍｍの絶縁基板においては、０．１〜０．２ｍｍ程度の大きさとするのが適切である。つまり、絶縁基板の平面視における短手方向の長さの１／８〜１／４程度の直径とするのが好ましい。

また、電極部２０は、図１に示すように、絶縁基板１０の相対する辺部に沿って計一対設けられている。具体的には、絶縁基板１０の一方の短手辺（Ｙ１−Ｙ２方向の辺）に沿って電極部２０が設けられているとともに、他方の短手辺に沿って電極部２０が設けられている。なお、電極部２０は、短手辺に沿って形成されているとしたが、長手辺に沿って形成されたものとしてもよい。

ここで、電極部２０は、図１に示すように、上面電極３０と、下面電極４０と、内部電極（接続部としてもよい）５０と、側面電極６０と、メッキ７０とを有している。

上面電極３０は、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の上面電極３０は、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の上面電極３０は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この上面電極３０は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。また、上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向（幅方向）の幅は、抵抗体８０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも若干大きく形成されていて、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。また、Ｙ１−Ｙ２方向には、上面電極３０と絶縁基板１０の端部には隙間が形成されている。なお、この上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向の幅を抵抗体８０のＹ１−Ｙ２方向の幅と同一としてもよい。

また、下面電極４０は、図１に示すように、前記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されていて、底面視において略方形状を呈している。つまり、一方の下面電極４０は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の下面電極４０は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。この下面電極４０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は、上面電極３０と略同一の長さに形成されているが、下面電極４０の長さは任意である。また、下面電極４０のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一に形成されている。この下面電極４０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。

また、内部電極５０は、スルーホール１２内に形成され、上面電極３０と下面電極４０とを連結するように形成されている。すなわち、内部電極５０は、上面電極３０や下面電極４０と同じ素材により形成され、該素材をスルーホール１２内に充填させることにより円柱状に形成されたものである。この内部電極５０により、上面電極３０と下面電極４０とが電気的に導通された状態となっている。

なお、スルーホール１２は保護膜９２の長手方向の端部よりも内側に形成されているので、当然内部電極５０の全ての部分が、保護膜９２の長手方向の端部よりも内側に形成されている。

また、内部電極５０は、上面電極３０と下面電極４０とに接続され、上面電極３０と下面電極４０と内部電極５０とは同じ素材により形成されているので、上面電極３０と下面電極４０と内部電極５０とは一体に形成されているといえる。

また、側面電極６０は、上面電極３０の一部と、下面電極４０の一部と、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面と、Ｘ２側の側面と、Ｙ１側の側面の一部と、Ｙ２側の側面の一部）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極６０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。

また、メッキ７０は、ニッケルメッキ（Ｎｉメッキ）７２と、錫メッキ７４とから構成されていて、Ｘ１側の端部領域とＸ２側の端部領域にそれぞれ設けられている。つまり、チップ抵抗器の接続用の電極部の表面にメッキ７０が設けられていて、内側層がニッケルメッキ７２で、外側層が錫メッキ７４となっている。

ここで、ニッケルメッキ７２は、上面電極３０の一部と、側面電極６０と、下面電極４０の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極３０と側面電極６０と下面電極４０の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ７２は、電気メッキにより略均一の膜厚で形成されている。このニッケルメッキ７２は、ニッケルにて形成されており、上面電極３０等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキは、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。

また、錫メッキ７４は、ニッケルメッキ７２の表面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。なお、錫メッキ以外にはんだメッキが用いられる場合もある。

また、抵抗体８０は、図１に示すように、基本的に前記絶縁基板１０の上面に設けられていて、Ｘ１−Ｘ２方向の両端部は上面電極３０に積層して形成されている。つまり、抵抗体８０は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。抵抗体８０のＹ１−Ｙ２方向の幅は、上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。この抵抗体８０は、一対の上面電極３０間を接続するように形成されている。また、抵抗体８０は、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜により形成されている。

また、カバーコート９０は、抵抗体８０の上面に形成され、抵抗体８０へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成されている。このカバーコート９０は、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成されている。

また、保護膜９２は、図１に示すように、主に、カバーコート９０と抵抗体８０を被覆するように設けられている。すなわち、この保護膜９２の形成位置をさらに詳しく説明すると、Ｙ１−Ｙ２方向には、前記絶縁基板１０の幅と略同一に形成され（絶縁基板１０の幅よりも短く形成されていてもよい）、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体８０と上面電極３０の一部を被覆するように設けられている。この保護膜９２は、樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。なお、ほう珪酸鉛ガラスにより形成してもよい。

上記構成のチップ抵抗器５の製造方法について、簡単に説明すると、まず、表面と裏面の両面に一次スリットと二次スリットが形成されていて、かつ、スルーホール１２が形成されている無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）を用意し、このアルミナ基板の裏面（すなわち、底面）に下面電極を形成する。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。なお、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極を形成する。さらには、電極間方向に直角な方向には、帯状に連続して下面電極を形成する。なお、下面電極用のペーストを印刷する際に、スルーホールにもペーストが入り込むが、ペーストの印刷時にペーストをスルーホール内に押し込むようにするのが好ましい。なお、スルーホール内に押し込むのみならず、アルミナ基板の上面側から吸引することによりペーストが入り込みやすくなる。

次に、アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に上面電極を形成する。すなわち、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）又は銀パラジウムペーストである。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。なお、上面電極用のペーストを印刷する際に、スルーホールにもペーストが入り込むが、ペーストの印刷時にペーストをスルーホール内に押し込むようにするのが好ましい。

次に、前記アルミナ基板の上面に抵抗体８０を形成する。つまり、抵抗体８０の抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成する。なお、この抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ）である。

次に、抵抗体８０の上面にホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコート９０を形成する。

次に、抵抗体８０にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。つまり、レーザートリミングにより抵抗体８０にトリミング溝を形成する。

次に、少なくとも抵抗体８０及びカバーコート９０を覆うように保護膜を形成する。つまり、樹脂ペーストを帯状に印刷し、乾燥・硬化させる。

その後は、一次スリットに沿って一次分割する。次に、前記短冊状基板に対して、側面電極を形成する。つまり、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・硬化する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成する方法としてもよい。また、スパッタ法により側面電極を金属薄膜で形成してもよい。その後、二次スリットに沿って二次分割する。次に、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成する。

チップ抵抗器５の使用状態について説明すると、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。配線基板への実装においては、図２に示すように、チップ抵抗器５は、配線基板１００上に形成されたランド１０２にハンダフィレット１１０を介して実装される。

本実施例のチップ抵抗器５においては、保護膜９２の長手方向における端部、すなわち、保護膜９２とメッキ７０の境界位置である硫化ポイントより硫化ガスが侵入して、上面電極３０の銀が硫化して仮に上面電極３０が該硫化ポイントの下方位置において断線してしまっても、内部電極５０が設けられているので、上面電極３０は内部電極５０を介して下面電極４０と導通し、これにより、両側の電極部２０間の導通は確保され、抵抗値が変化することなく、電気的特性が劣化することがない。特に、内部電極５０は、硫化ポイントである保護膜９２の端部位置よりも内側に形成されているので、上面電極３０が硫化ポイントの下方位置において断線しても電極部２０における導通は確保される。また、内部電極５０が両側にそれぞれ複数設けられているので、導通が確実に確保される。

なお、上記の説明において、スルーホール１２の数は、両側に２つずつの計４つであるとして説明したが、これには限られず任意であり、例えば、両側に１以上の整数個ずつでもよい。例えば、両側に１つずつでもよく、３つずつでもよい。

また、上記の説明においては、内部電極５０の外側の端部と保護膜９２の端部間に間隔αが設けられていて、内部電極５０の全てが保護膜９２の端部よりも内側にあるとして説明したが、これには限られず、少なくとも、内部電極５０の内側の端部が保護膜９２の端部よりも内側に位置していればよい。つまり、保護膜９２の端部よりも内側に内部電極５０の少なくとも一部が存在すればよい。ただし、図１に示すように、内部電極５０の全てが保護膜９２の端部よりも内側にある方が好適である。

また、上記の説明においては、内部電極５０は、スルーホール１２内に円柱状に形成されているとして説明したが、これには限られず、内部電極５０を構成する素材をスルーホール１２の内側面に付着させて、略筒状に形成してもよい。この場合の製造に当たっては、例えば、下面電極のペーストを印刷後にアルミナ基板の上面側から吸引し、また、上面電極のペーストを印刷後にアルミナ基板の下面側から吸引することによりペーストをスルーホール１２の内側面に付着させる方法が考えられる。このように、内部電極５０が筒状に形成される場合には、上面電極３０や下面電極４０のスルーホール形成位置は開口していることになる。

また、スルーホール１２は円柱状であるとしたが、これには限られず、スルーホール１２の横断面の形状は任意である。

次に、上記実施例１のチップ抵抗器の変形例について説明する。実施例１の変形例に基づくチップ抵抗器２０５は、図３に示すように構成され、上記実施例１のチップ抵抗器５と略同様の構成であるが、保護膜９２と電極部２０の構成が異なる。

すなわち、保護膜９２は、絶縁基板１０の長手方向の一方の端部から他方の端部にまで形成され、これにより、上面電極３０の上面の領域は全て保護膜９２により被覆されている。また、側面電極６０やメッキ７０が保護膜９２の上面に重なるように形成され、上面電極３０はその端面のみが側面電極６０と接している。

また、チップ抵抗器２０５の場合でも、スルーホール１２は保護膜９２の長手方向の端部よりも内側に形成されていて、保護膜９２の端部とスルーホール１２との間に平面視において距離βが形成されるようになっている。

チップ抵抗器２０５における上記以外の構成は、チップ抵抗器５と同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。

このチップ抵抗器２０５においても、保護膜９２とメッキ７０の境界位置である硫化ポイントＰから硫化ガスが侵入して、上面電極３０の銀が硫化して仮に上面電極３０が断線してしまっても、内部電極５０が設けられているので、上面電極３０は内部電極５０を介して下面電極４０と導通するので、両側の電極部２０間の導通は確保され、抵抗値が変化することなく、電気的特性が劣化することがない。特に、内部電極５０は、硫化ポイントである保護膜９２の端部位置よりも内側に形成されているので、硫化ガスが保護膜９２とメッキ７０の境界位置から侵入して上面電極３０の外側の端部領域において断線しても電極部２０における導通は確保される。

次に実施例２のチップ抵抗器について説明する。実施例２におけるチップ抵抗器３０５は、上記実施例１のチップ抵抗器５と略同様の構成であるが、絶縁基板と電極部の構成が異なる。

すなわち、チップ抵抗器３０５における絶縁基板１０は、全体に略直方体形状を呈しているが、図４に示すように、上面に凹部１４が設けられている。この凹部１４は、長手方向の両側に複数（図の例では３つ）ずつ設けられており、平面視においては、上面電極３０の下側領域内に設けられている。なお、長手方向の両側にそれぞれ設けられた複数の凹部１４は、互いに平行に設けられている。

この凹部１４は、保護膜９２の長手方向の端部となる位置の下方に、保護膜９２の長手方向の端部となる位置を跨ぐように設けられている。凹部１４の長手方向の中心位置が保護膜９２の長手方向の端部の下方位置となるように設けるのが好ましい。なお、凹部１４の長手方向の外側の端部と、絶縁基板１０の長手方向の端部とは、間隔が設けられている。

この凹部１４は、断面略溝状の凹部であり、長手方向の縦断面が略逆台形状を呈し、短手方向の縦断面が先端に行くほど細くなる略テーパ状を呈している。この凹部１４の形成の方法としては、基板の焼成前に上面に凹部を形成しておく方法と、焼成された基板にスクライバやトリマ等のレーザー加工により凹部を形成する方法が考えられるが、基板の焼成前に上面に凹部を形成しておく場合には、凹部１４の短手方向の断面形状は、図６に示すように、先端が略楕円状となるが、焼成された基板にレーザー加工により凹部を形成する場合には、図７に示すように、凹部１４の短手方向の断面形状は、クサビ状の形状となる。なお、凹部１４の深さとしては、上面電極３０の厚みの１０倍以上又は絶縁基板１０の厚みの２０％以下の深さ（これ以上の深さとすると、一次分割の際に凹部１４の箇所で割れてしまう可能性がある）とするのが好ましく、例えば、平面形状が１．６ｍｍ×０．８ｍｍの絶縁基板においては、５０〜１００μｍとするのが好適であるが、基板の焼成前に上面に凹部を形成する場合はもちろんのこと、レーザー加工によりそのような深さに形成することは容易である。

また、電極部２０は、実施例１と同様に、絶縁基板１０の相対する辺部に沿って計一対設けられており、図４に示すように、上面電極３０と、内部電極３２と、下面電極４０と、側面電極６０と、メッキ７０とを有している。

ここで、上面電極３０は、実施例１の上面電極３０と同様な構成であり、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。

また、内部電極３２は、絶縁基板１０に設けられた凹部１４内に設けられ、保護膜９２の長手方向の端部の位置の下方において長手方向に跨ぐように設けられている。この内部電極３２は、略板状を呈し、凹部１４の内側面の形状と同様の外形を呈している。つまり、内部電極３２は、上面電極３０や下面電極４０と同じ素材により形成され、該素材を凹部１４内に充填させることにより、内部電極３２は、長手方向の縦断面が略逆台形状を呈し、短手方向の縦断面が略テーパ状を呈した略板状を呈している。長手方向の両側にそれぞれ設けられた複数（図４の例では、３つ）の内部電極３２は、互いに平行に設けられている。この内部電極３２の上端は、上面電極３０と接続されている。

なお、内部電極３２の高さとしては、上面電極３０の厚みの１０倍以上又は絶縁基板１０の厚みの２０％までの深さとするのが好ましく、例えば、平面形状が１．６ｍｍ×０．８ｍｍの絶縁基板においては、５０〜１００μｍとするのが好適である。

また、内部電極３２は、上面電極３０に接続され、上面電極３０と内部電極３２とは同じ素材により形成されているので、上面電極３０と内部電極３２とは全体に一体に形成されているといえる。

なお、電極部２０における下面電極４０と、側面電極６０と、メッキ７０の構成は、上記実施例１におけるチップ抵抗器５と同様であるので、詳しい説明を省略する。また、絶縁基板１０と電極部２０以外の構成は、上記実施例１におけるチップ抵抗器５と同様であるので、詳しい説明を省略する。

上記構成のチップ抵抗器３０５の製造方法は、上記チップ抵抗器５と略同様であるが、凹部１４が形成されているアルミナ基板を使用する。なお、アルミナ基板に凹部１４を形成する方法としては、基板の焼成前に上面に凹部を形成しておく方法や、焼成された基板にスクライバやトリマ等のレーザー加工により凹部を形成する方法が考えられる
また、下面電極の形成後には、内部電極３２と上面電極３０を形成するが、その際には、電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。電極ペーストの印刷に際しては、電極ペーストをアルミナ基板の上面に印刷することにより、凹部１４内にも電極ペーストが充填される。これにより、上面電極３０と内部電極３２が形成される。この場合の電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）又は銀パラジウムペーストである。上記以外の製造方法は、チップ抵抗器５と同様であるので詳しい説明を省略する。

チップ抵抗器３０５の使用状態について説明すると、実施例１の場合と同様に、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。

本実施例のチップ抵抗器３０５においては、保護膜９２の長手方向における端部、すなわち、保護膜９２とメッキ７０の境界位置である硫化ポイントより硫化ガスが侵入して、上面電極３０の銀が硫化して仮に上面電極３０が該硫化ポイントにおいて断線してしまっても、内部電極３２が設けられているので、該上面電極３０の両端は、内部電極３２を介して導通が確保され、よって、チップ抵抗器の抵抗値が変化することなく、電気的特性が劣化することがない。また、内部電極３２が両側にそれぞれ複数設けられているので、導通が確実に確保される。

次に、上記実施例２のチップ抵抗器の変形例について説明する。実施例２の変形例に基づくチップ抵抗器４０５は、上記チップ抵抗器３０５と略同様の構成であるが、図５に示すように、凹部１４の代わりに切欠部１４’が設けられていて、この切欠部１４’内に内部電極３２が設けられている点が異なる。

すなわち、絶縁基板１０には、長手方向の端部の上面側に複数（図の例では３つ）の切欠部１４’が設けられていて、上記チップ抵抗器３０５における凹部１４の長手方向の外側の端部を絶縁基板１０の端部にまで伸ばした状態となっていて、切欠部１４’は、絶縁基板１０の長手方向の側面に露出している。

つまり、この切欠部１４’は、平面視において、上面電極３０の下側領域内に設けられていて、長手方向の両側にそれぞれ設けられた複数の切欠部１４’は、互いに平行に設けられている。また、切欠部１４’は、保護膜９２の長手方向の端部となる位置の下方に、保護膜９２の長手方向の端部となる位置を跨ぐように設けられている。この切欠部１４’は、断面略溝状の凹部であり、長手方向の縦断面が略逆台形状を呈し、短手方向の縦断面が先端に行くほど細くなる略テーパ状を呈している。

切欠部１４’の深さとしては、上面電極３０の厚みの１０倍以上又は絶縁基板１０の厚みの２０％までの深さとするのが好ましく、例えば、平面形状が１．６ｍｍ×０．８ｍｍの絶縁基板においては、５０〜１００μｍとするのが好適である。

上記以外の構成は、チップ抵抗器３０５と同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。

また、上記構成のチップ抵抗器４０５の製造方法は、切欠部１４’が形成されているアルミナ基板を使用することになるが、隣接するチップ抵抗器の切欠部１４’とつながった形状の凹部が形成されているアルミナ基板を使用することになる。隣接するチップ抵抗器の切欠部１４’がつながった凹部をアルミナ基板に形成するには、基板の焼成前に上面に凹部を形成しておく方法や、焼成された基板にスクライバやトリマ等のレーザー加工により凹部を形成する方法が考えられるが、切欠部の形成に当たって、１つの凹部を形成することにより一度に２つ分の切欠部を形成することができる。

上記以外のチップ抵抗器４０５の製造方法は、チップ抵抗器３０５の場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。

チップ抵抗器４０５の使用状態について説明すると、上記実施例２の場合と同様に、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。

本実施例のチップ抵抗器４０５においては、上記実施例２の場合と同様に、保護膜９２の長手方向における端部、すなわち、保護膜９２とメッキ７０の境界位置である硫化ポイントより硫化ガスが侵入して、上面電極３０の銀が硫化して仮に上面電極３０が該硫化ポイントにおいて断線してしまっても、内部電極３２が設けられているので、抵抗体８０は、抵抗体８０及び内部電極３２に接続された上面電極３０の一部と、内部電極３２と、内部電極３２及び側面電極６０に接続された上面電極３０の一部により側面電極６０と導通するので、両側の電極部２０間の導通は確保され、抵抗値が変化することなく、電気的特性が劣化することがない。また、このチップ抵抗器４０５の場合には、内部電極３２が側面電極６０と接続されているので、この点においても、両側の電極部２０間の導通が確保される。

なお、上記実施例２及び実施例２の変形例の説明において、切欠部１４’の数は、両側に３つずつの計６つであるとして説明したが、これには限られず任意であり、例えば、両側に１以上の整数個ずつでもよい。

本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の構成を示す図であり、（ａ）はその断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。 本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の使用状態を示す断面図である。 本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の変形例を示す断面図である。 本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の構成を示す図であり、（ａ）はその断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。 本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の変形例の構成を示す図であり、（ａ）はその断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ断面図である。 本発明の実施例２の断面図及び実施例２の変形例の断面図を示す図であり、図４におけるＣ−Ｃ断面図及び図５におけるＥ−Ｅ断面図を示す図である。 本発明の実施例２の断面図及び実施例２の変形例の断面図の他の例を示す図であり、図４におけるＣ−Ｃ断面図及び図５におけるＥ−Ｅ断面図を示す図である。 従来におけるチップ抵抗器の構成を示す断面図である。

符号の説明

５、２０５、３０５、４０５ チップ抵抗器
１０ 絶縁基板
１２ スルーホール
１４ 凹部
２０ 電極部
３０ 上面電極
４０ 下面電極
３２、５０ 内部電極
６０ 側面電極
７０ メッキ
８０ 抵抗体
９０ カバーコート
９２ 保護膜

Claims (2)

1. チップ抵抗器であって、
   上面と下面間を貫通するスルーホールを電極間方向の両側に有する絶縁基板と、
   絶縁基板に設けられた一対の電極部で、
   絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成された上面電極と、
   絶縁基板の下面の電極間方向の両側に形成された下面電極と、
   スルーホール内に設けられ、上面電極と下面電極とに電気的に接続する内部電極と、を有する電極部と、
   一対の上面電極間に設けられた抵抗体と、
   抵抗体を被覆する保護膜と、
   を有し、
   該スルーホールと内部電極とが、保護膜の電極間方向の端部よりも内側に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
2. チップ抵抗器であって、
   上面の電極間方向の両側に凹部又は切欠部を有する絶縁基板と、
   絶縁基板に設けられた一対の電極部で、
   絶縁基板に設けられた凹部又は切欠部内に設けられた内部電極と、
   絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成され、下側に内部電極が接続された上面電極と、を有する電極部と、
   一対の上面電極間に設けられた抵抗体と、
   抵抗体を被覆する保護膜と、
   を有し、
   該凹部又は切欠部と内部電極とが、保護膜の電極間方向の端部位置の下方において前記端部位置を電極間方向に跨ぐように設けられていることを特徴とするチップ抵抗器。

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