JP6732459B2

JP6732459B2 - チップ抵抗器およびその製造方法

Info

Publication number: JP6732459B2
Application number: JP2016012067A
Authority: JP
Inventors: 高徳篠浦; 渉今橋
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2015-02-19
Filing date: 2016-01-26
Publication date: 2020-07-29
Anticipated expiration: 2036-01-26
Also published as: JP2016171306A; JP2022105204A; JP7093382B2; JP2020150273A; JP2024010234A

Description

本発明は、各種電子機器に使用されるチップ抵抗器およびその製造方法に関する。

チップ抵抗器の電極の一部を構成する内部電極（上面電極、裏面電極および側面電極）には、主にＡｇが含まれている。チップ抵抗器が使用される電子機器の周辺環境に硫化ガス（Ｈ₂Ｓ、ＳＯ₂など）が存在する場合、前記内部電極は硫化ガスと化合して、黒色の硫化銀（Ａｇ₂Ｓ）を生成する。硫化銀は、電気絶縁性を有するため、前記内部電極の硫化が進展すると前記内部電極が断線する、すなわちチップ抵抗器の電極が断線するおそれがある。

こうした事情から、たとえば特許文献１に開示されているように、前記内部電極のうち、上面電極の材質をＡｇ−Ｐｄ合金としたチップ抵抗器が従来から存在する。Ａｇ−Ｐｄ合金は、耐硫化性能に優れた材質であるものの、高価であるため、経済性に劣るというデメリットを有する。

そこで、同じく特許文献１には、前記内部電極の上面電極の上面に、Ａｇなどの金属粒子と炭素粒子を含むエポキシ樹脂からなる再上面電極をさらに備えたチップ抵抗器が開示されている。前記再上面電極は、上面電極よりも硫化し難い電極であるとともに、Ａｇ−Ｐｄ合金からなる電極よりも安価である。したがって、前記再上面電極を備えたチップ抵抗器は、耐硫化性能を有しつつ、経済性に有利というメリットを有する。

ここで、前記再上面電極を備えたチップ抵抗器は、前記再上面電極を覆うＮｉめっき層（中間電極）を備える。前記再上面電極は炭素粒子を含み、炭素粒子の含有量が多いほど、前記再上面電極の耐硫化性能が向上する。ただし、炭素粒子の含有量が任意の量を超えると、Ｎｉめっき層と前記再上面電極との付着力が低下し、Ｎｉめっき層が剥離する場合がある。Ｎｉめっき層が剥離すると、硫化ガスが前記内部電極（上面電極および側面電極）まで進入し、前記内部電極の硫化の進展によりチップ抵抗器の電極が断線するという懸念がある。

また、一般的には、特許文献２に開示されているチップ抵抗器のように、抵抗体の表面がエポキシ樹脂を含むペーストからなる保護膜により覆われている。

チップ抵抗器の使用状態によっては、前記内部電極を覆うＮｉめっき層（中間電極）の温度が著しく上昇する。このとき、前記Ｎｉめっき層の先端部（平面視における前記Ｎｉめっき層と前記保護膜との境界部）に熱衝撃が生じる場合がある。該熱衝撃が前記保護膜に作用すると、前記保護膜に亀裂が発生する。該亀裂が前記内部電極に向かって進展すると、前記内部電極が露出する。このとき、チップ抵抗器が使用される電子機器の周辺環境に硫化ガスが存在する場合、先述のとおり前記内部電極は硫化ガスと化合して、チップ抵抗器の電極が断線するおそれがある。

特開２０１３−２５８２９２号公報特開２０１２−１５１１９５号公報

本発明は先述した事情に鑑み、コストを抑えつつ、耐硫化性能の向上を図ったチップ抵抗器およびその製造方法を提供することをその課題とする。また、本発明は先述した事情に鑑み、電極に発生した熱衝撃によって保護膜に亀裂が進展しても、硫化による該電極の断線を防止することができるチップ抵抗器およびその製造方法を提供することをその課題とする。

本発明の第１の側面によって提供されるチップ抵抗器は、互いに反対側を向く搭載面および実装面を有した基板と、前記基板の前記搭載面の両端に配置された一対の上面電極と、前記基板の前記搭載面と前記実装面との間に位置する前記基板の側面に配置された部分と、前記基板の厚さ方向視において前記搭載面および前記実装面に重なる部分とを有し、かつ前記上面電極と導通している側面電極と、前記基板の前記搭載面において、前記一対の上面電極の間に搭載された抵抗体と、前記側面電極を覆う中間電極と、前記中間電極を覆う外部電極と、を備えるチップ抵抗器であって、前記上面電極と前記中間電極との間に位置し、かつ前記上面電極および前記側面電極に接して配置されている、前記上面電極よりも硫化し難い特性を有した第１保護層と、前記第１保護層と前記中間電極との間に位置し、かつ前記第１保護層、前記側面電極および前記中間電極に接して配置されている、導電性を有した第２保護層と、を有することを特徴としている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１保護層は、炭素粒子を含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１保護層は、電気絶縁体である。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２保護層は、Ａｇを含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記側面電極は、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記基板の前記実装面の両端に配置された一対の裏面電極をさらに備え、前記側面電極は、前記裏面電極と導通している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記裏面電極は、前記中間電極に覆われている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記基板は、電気絶縁体である。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記基板は、アルミナからなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体の平面視形状は、サーペンタイン状である。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体は、ＲｕＯ₂またはＡｇ−Ｐｄ合金を含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体を貫通するトリミング溝が、前記抵抗体に形成されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記中間電極および前記外部電極は、めっき層からなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記中間電極は、Ｎｉめっき層からなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記外部電極は、Ｓｎめっき層からなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体と、前記上面電極の一部と、を覆う保護膜をさらに備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１保護層の一部が、前記保護膜に覆われている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護膜は、下部保護膜および上部保護膜を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記下部保護膜は、ガラスを含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記上部保護膜は、エポキシ樹脂を含む。

本発明の第２の側面によって提供されるチップ抵抗器の製造方法は、互いに反対側を向く搭載面および実装面を有したシート状基板を用意し、前記シート状基板の前記搭載面に、互いに離間した一対の領域を有する上面電極を形成する工程と、前記シート状基板の前記搭載面のうち、前記一対の領域に挟まれた領域に、前記上面電極と導通する抵抗体を搭載する工程と、前記上面電極の上面に、前記上面電極よりも硫化し難い特性を有した第１保護層を形成する工程と、前記第１保護層の上面に、導電性を有した第２保護層を形成する工程と、前記シート状基板を複数の帯状基板に分割する工程と、前記帯状基板の長手方向の両端に沿って位置する側面、前記搭載面および前記実装面に、前記上面電極と導通し、かつ前記第１保護層および前記第２保護層に接する側面電極を形成する工程と、前記側面電極および前記第２保護層を覆う中間電極と、前記中間電極を覆う外部電極と、をそれぞれ形成する工程と、を備えることを特徴としている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１保護層を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記第１保護層が形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２保護層を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記第２保護層が形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記側面電極を形成する工程では、物理蒸着により、前記側面電極が形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記物理蒸着は、スパッタリング法である。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体を搭載する工程では、印刷を用いた手法により、または物理蒸着およびフォトリソグラフィを用いた手法により、前記抵抗体が搭載される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記中間電極と、前記外部電極と、をそれぞれ形成する工程の前に、前記帯状基板を複数の個片に分割する工程をさらに備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記中間電極と、前記外部電極と、をそれぞれ形成する工程では、めっきにより、前記中間電極と前記外部電極とがそれぞれ形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記シート状基板の前記実装面に、互いに離間した一対の領域を有する裏面電極を形成する工程をさらに備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体に、前記抵抗体を貫通するトリミング溝を形成する工程をさらに備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体と、前記上面電極および前記第１保護層のそれぞれの一部と、を覆う保護膜を形成する工程をさらに備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護膜を形成する工程では、下部保護膜を形成する工程と、上部保護膜を形成する工程と、を含む。

本発明の第３の側面によって提供されるチップ抵抗器は、互いに反対側を向く搭載面および実装面を有した基板と、前記基板の前記搭載面の両端に配置された一対の上面電極と、前記基板の前記搭載面において、前記一対の上面電極の間に搭載された抵抗体と、前記抵抗体と前記上面電極の一部とを覆う保護膜と、前記基板の前記搭載面と前記実装面との間に位置する前記基板の側面に配置された部分と、前記基板の平面視において前記搭載面および前記実装面に重なる部分とを有し、かつ前記上面電極と導通している側面電極と、前記側面電極を覆う中間電極と、前記中間電極を覆う外部電極と、を備えるチップ抵抗器であって、前記保護膜は、互いに積層された下部保護膜および上部保護膜を有し、前記下部保護膜は、前記上部保護膜よりも熱衝撃に強い材質からなり、前記上面電極の一部が、前記下部保護膜に覆われていることを特徴としている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記上面電極および前記上部保護膜のそれぞれの一部ずつが、前記側面電極に覆われている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記上面電極の上面の少なくとも一部を覆う、前記上面電極よりも硫化し難い特性を有した保護層をさらに備え、前記保護層の少なくとも一部が前記側面電極に覆われている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護層の一部が、前記上部保護膜に覆われている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護層は、炭素粒子を含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護層は、電気絶縁体である。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記側面電極は、Ｎｉ―Ｃｒ合金からなる。

本発明の第４の側面によって提供されるチップ抵抗器の製造方法は、互いに反対側を向く搭載面および実装面を有したシート状基板を用意し、前記シート状基板の前記搭載面に、互いに離間した一対の領域を有する上面電極を形成する工程と、前記シート状基板の前記搭載面のうち、前記一対の領域に挟まれた領域に、前記上面電極と導通する抵抗体を搭載する工程と、前記抵抗体と、前記上面電極の一部とを覆う下部保護膜を形成する工程と、前記下部保護膜を覆う上部保護膜を形成する工程と、前記シート状基板を複数の帯状基板に分割する工程と、前記帯状基板の長手方向の両端に沿って位置する側面、前記搭載面および前記実装面に、前記上面電極と導通する側面電極を形成する工程と、前記側面電極を覆う中間電極と、前記中間電極を覆う外部電極とをそれぞれ形成する工程と、を備えることを特徴としている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記側面電極を形成する工程では、前記上面電極および前記上部保護膜のそれぞれの一部ずつが、前記側面電極に覆われることにより、前記側面電極が形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記上面電極の上面の少なくとも一部を覆う、前記上面電極よりも硫化し難い特性を有した保護層を形成する工程をさらに備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記保護層を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記保護層が形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記側面電極を形成する工程では、前記保護層の少なくとも一部が前記側面電極に覆われることにより、前記側面電極が形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記上部保護膜を形成する工程では、前記保護層の一部が前記上部保護膜に覆われることにより、前記上部保護膜が形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記下部保護膜を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記下部保護膜が形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記上部保護膜を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記上部保護膜が形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記中間電極と、前記外部電極とをそれぞれ形成する工程では、めっきにより、前記中間電極と前記外部電極とがそれぞれ形成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記中間電極と、前記外部電極とをそれぞれ形成する工程の前に、前記帯状基板を複数の個片に分割する工程をさらに備える。

本発明にかかるチップ抵抗器は、上面電極と中間電極との間に位置し、かつ前記上面電極および側面電極に接して配置されている第１保護層を有する。よって、前記上面電極は、前記第１保護層に覆われた構成となっている。前記第１保護層は、前記上面電極よりも硫化し難い特性を有する。したがって、前記第１保護層によって、前記上面電極の硫化が防止され、前記上面電極の断線が回避される。また、本発明にかかるチップ抵抗器は、前記第１保護層とあわせて、前記第１保護層と前記中間電極との間に位置し、かつ前記第１保護層、前記側面電極および前記中間電極に接して配置されている第２保護層を有する。前記第１保護層は、導電性を有した前記第２保護層および前記側面電極に覆われた構成となっている。よって、前記中間電極は、前記第１保護層に接しない構成となっている。したがって、前記中間電極を構成するめっき層の剥離を回避することができる。以上より、前記第１保護層および前記第２保護層を備えることにより、チップ抵抗器のコストを抑えつつ、耐硫化性能の向上を図ることが可能となる。

また、本発明にかかるチップ抵抗器は、互いに積層された下部保護膜および上部保護膜を有し、上面電極の一部が前記下部保護膜に覆われた構成となっている。前記下部保護膜は、前記上部保護膜よりも熱衝撃に強い材質からなる。このため、中間電極および外部電極であるめっき層の先端部（平面視における前記めっき層と前記上部保護膜との境界部）に生じた熱衝撃によって前記上部保護膜に亀裂が発生しても、前記下部保護膜によって該亀裂の進展が抑止される。ゆえに、該亀裂によって前記上面電極が露出しなくなるため、チップ抵抗器の周辺において発生した硫化ガスが、該亀裂を介して前記上面電極まで進入しなくなる。したがって、電極に生じた熱衝撃によって前記上部保護膜に亀裂が発生しても、硫化による該電極の断線を防止することができる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器を示す平面図である。図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図２の一部を拡大した部分拡大断面図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。図１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器を示す平面図である。図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。本発明の第３実施形態にかかるチップ抵抗器を示す平面図である。図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図である。図１９の一部を拡大した部分拡大断面図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。図１８のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。本発明の第４実施形態にかかるチップ抵抗器を示す平面図である。図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図３２の一部を拡大した部分拡大断面図である。図３１のチップ抵抗器の製造方法にかかる工程を示す平面図である。

本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、添付図面に基づいて説明する。

〔第１実施形態〕
図１〜図３に基づき、本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ１について説明する。図１は、チップ抵抗器Ａ１を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図２の一部を拡大した部分拡大断面図である。なお、図１は、理解の便宜上、後述する中間電極３４、外部電極３５および保護膜５を省略している。

これらの図に示すチップ抵抗器Ａ１は、各種電子機器の回路基板に表面実装される形式のものである。本実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ１は、基板１、抵抗体２、電極３、保護層４および保護膜５を備える。本実施形態においては、チップ抵抗器Ａ１は、平面視矩形状である。本実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ１は、いわゆる厚膜（メタルグレーズ皮膜）チップ抵抗器である。

基板１は、図１および図２に示すように、抵抗体２を搭載し、かつチップ抵抗器Ａ１を各種電子機器の回路基板に実装するための部材である。基板１は、電気絶縁体である。本実施形態においては、基板１は、たとえばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる。チップ抵抗器Ａ１の使用時に、抵抗体２より発生した熱を外部に放熱しやすくするため、基板１は、熱伝導率が高い材質であることが好ましい。基板１は、搭載面１１、実装面１２および側面１３を有する。本実施形態においては、基板１は、平面視矩形状である。

搭載面１１は、図２に示す基板１の上面であり、抵抗体２が搭載される面である。実装面１２は、図２に示す基板１の下面であり、チップ抵抗器Ａ１を各種電子機器の回路基板に実装する際に利用される面である。搭載面１１と実装面１２は、互いに反対側を向いている。側面１３は、図１および図２に示すように、搭載面１１および実装面１２に対し直交し、かつ基板１の長手方向（図１に示す方向Ｘ）を向く一対の面である。側面１３は、搭載面１１と実装面１２との間に位置している。

抵抗体２は、電流を制限するまたは電流を検出するなどの機能を果たす素子である。本実施形態においては、抵抗体２の平面視形状は、図１に示す方向Ｘに延びる帯状である。抵抗体２は、たとえばＲｕＯ₂またはＡｇ−Ｐｄ合金などの金属を含むペーストからなる。本実施形態においては、抵抗体２の平面視形状は帯状であるが、該形状をたとえばサーペンタイン状とするなど、いずれの形状とすることができる。抵抗体２は、トリミング溝２１を有する。

トリミング溝２１は、図１および図２に示すように、抵抗体２の厚さ方向に貫通する溝である。トリミング溝２１により、抵抗体２の長手方向（図１に示す方向Ｘ）に沿う側面に開口部が形成される。本実施形態においては、平面視Ｌ字状のトリミング溝２１が抵抗体２に形成されている。トリミング溝２１は、抵抗体２の抵抗値が所要の値となるよう調整するために形成される。

電極３は、図１〜図３に示すように、抵抗体２と導通するとともに、チップ抵抗器Ａ１と各種電子機器の回路基板の配線パターンとを相互接続するための、互いに離間した一対の部材である。電極３は、図１に示す方向Ｘにおいて抵抗体２を挟んだ両側に配置されている。本実施形態においては、電極３は、上面電極３１、裏面電極３２、側面電極３３、中間電極３４および外部電極３５を有する。

上面電極３１は、図１〜図３に示すように、基板１の搭載面１１上の両端に配置された、互いに離間した一対の領域を有する。上面電極３１は、平面視矩形状である。また、上面電極３１の一部が、搭載面１１と抵抗体２との間に挟まれている。したがって、抵抗体２は上面電極３１と導通している。上面電極３１は、たとえばＡｇを含むペーストからなる。

裏面電極３２は、図１〜図３に示すように、基板１の実装面１２上の両端に配置された、互いに離間した一対の領域を有する。裏面電極３２の平面視形状は、上面電極３１と略同一である（図示略）。裏面電極３２は、上面電極３１と同じく、たとえばＡｇを含むペーストからなる。なお、裏面電極３２は、省略することができる。

側面電極３３は、図１〜図３に示すように、基板１の側面１３に配置された、互いに離間した一対の領域を有する。側面電極３３は、側面１３に加え、上面電極３１、裏面電極３２および保護層４のそれぞれ一部を覆っている。すなわち、側面電極３３は、側面１３に配置された部分と、基板１の厚さ方向視において、基板１の搭載面１１および実装面１２と重なる部分とを有する。側面電極３３により、上面電極３１と裏面電極３２とが互いに導通している。したがって、上面電極３１および側面電極３３によって、抵抗体２は裏面電極３２と導通している。本実施形態においては、側面電極３３は、たとえばＮｉ−Ｃｒ合金からなる。なお、側面電極３３の材質は、導電性を有し、かつ硫化し難い特性を有した金属であれば、いずれでもよい。

中間電極３４は、図２および図３に示すように、裏面電極３２、側面電極３３および保護層４を覆う、互いに離間した一対の部位である。本実施形態においては、中間電極３４は、たとえばＮｉめっき層からなる。中間電極３４は、電極３を熱や衝撃から保護する機能を果たす。

外部電極３５は、図２および図３に示すように、中間電極３４を覆う、互いに離間した一対の部位である。本実施形態においては、外部電極３５は、たとえばＳｎめっき層からなる。外部電極３５に半田が付着して、外部電極３５が半田と一体化することで、チップ抵抗器Ａ１と各種電子機器の回路基板の配線パターンとが相互接続される。本実施形態においては、中間電極３４はＮｉめっき層からなるため、中間電極３４に半田を直接付着させることが困難である。したがって、Ｓｎめっき層からなる外部電極３５が必要となる。

保護層４は、図１〜図３に示すように、上面電極３１の少なくとも一部を覆う、互いに離間した一対の部材である。本実施形態においては、保護層４は、第１保護層４１および第２保護層４２を有する。保護層４は、上面電極３１の硫化を防止する機能を果たす。

第１保護層４１は、図２および図３に示す上面電極３１の上面に形成された、互いに離間した一対の領域を有する。第１保護層４１は、上面電極３１よりも硫化し難い特性を有する。また、第１保護層４１は、上面電極３１と中間電極３４との間に位置し、かつ上面電極３１および側面電極３３に接して配置されている。本実施形態においては、第１保護層４１は、たとえばＲｕなどよりなるガラスおよび金属酸化物と、炭素粒子（カーボンブラック）と、エポキシ樹脂とを含むペーストからなる。この場合、第１保護層４１は、導電性を有する。ここで、第１保護層４１は、電気絶縁体であってもよい。電気絶縁体である第１保護層４１は、たとえばガラスを含むペーストからなる。

第２保護層４２は、図２および図３に示す第１保護層４１の上面に形成された、互いに離間した一対の領域を有する。第２保護層４２は、導電性を有する。また、第２保護層４２は、第１保護層４１と中間電極３４との間に位置し、かつ第１保護層４１、側面電極３３および中間電極３４に接して配置されている。本実施形態においては、第２保護層４２は、たとえばＡｇとエポキシ樹脂とを含むペーストからなる。

保護膜５は、図１〜図３に示すように、抵抗体２を覆い、抵抗体２を外部から保護する機能を果たす部材である。保護膜５は、下部保護膜５１および上部保護膜５２を有する。下部保護膜５１は、抵抗体２の表面（図２に示す抵抗体２の上面）を覆っている。下部保護膜５１は、たとえばガラスを含むペーストからなる。上部保護膜５２は、基板１の一部と、抵抗体２と、上面電極３１の一部とを覆っている。本実施形態においては、第１保護層４１の一部が、上部保護膜５２に覆われた構造となっている。ここで、上部保護膜５２の一部が、第１保護層４１に覆われた構造となっていてもよい。上部保護膜５２は、たとえばエポキシ樹脂を含むペーストからなる。

次に、図４〜図１５に基づき、チップ抵抗器Ａ１の製造方法について説明する。図４〜図１１は、チップ抵抗器Ａ１の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図１２〜図１５は、チップ抵抗器Ａ１の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。なお、図１０〜図１５は、理解の便宜上、保護膜５の下部保護膜５１を省略している。また、図１２および図１３は、理解の便宜上、抵抗体２、上面電極３１、側面電極３３、第１保護層４１、第２保護層４２および上部保護膜５２について、それぞれの厚さを無視している。

最初に、図４に示すように、アルミナからなるシート状基板８１を用意する。シート状基板８１は、搭載面１１および実装面１２を有する。搭載面１１と実装面１２は、互いに反対側を向いている。図４は、シート状基板８１の搭載面１１を示している。搭載面１１においては、図４に示す縦方向に複数の一次分割溝８１１が、図４に示す横方向に複数の二次分割溝８１２が碁盤目状に形成されている。一次分割溝８１１および二次分割溝８１２は、搭載面１１とは反対側の実装面１２においても同一本数が形成されている（図示略）。一次分割溝８１１および二次分割溝８１２の平面視における位置は、搭載面１１および実装面１２ともに同一である。一次分割溝８１１と二次分割溝８１２とによって形成される区画が、チップ抵抗器Ａ１の基板１に相当する領域である。

次いで、図５に示すように、シート状基板８１の搭載面１１上に、シート状基板８１の一次分割溝８１１を跨ぐように上面電極３１を形成する。あわせて、シート状基板８１の実装面１２上に、一次分割溝８１１を跨ぐように裏面電極３２を形成する（図示略）。上面電極３１および裏面電極３２の平面視における位置および大きさは、略同一である。本実施形態においては、上面電極３１および裏面電極３２は、Ａｇにガラスフリットを含有させたペーストを、搭載面１１および実装面１２にシルクスクリーンを用いてそれぞれ印刷し、焼成炉により焼成することで形成される。該工程により、互いに離間した一対の領域を有する上面電極３１および裏面電極３２が、搭載面１１および実装面１２に形成される。

次いで、図６に示すように、シート状基板８１の搭載面１１のうち、上面電極３１が有する前記一対の領域により挟まれた領域に、上面電極３１と導通する抵抗体２を搭載する。本実施形態においては、抵抗体２は、ＲｕＯ₂またはＡｇ−Ｐｄ合金などの金属にガラスフリットを含有させたペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、焼成炉により焼成することで搭載される。

次いで、図７に示すように、上面電極３１の上面で、かつ抵抗体２によって挟まれた領域に、上面電極３１よりも硫化し難い特性を有した第１保護層４１を形成する。本実施形態においては、第１保護層４１は、Ｒｕなどよりなるガラスおよび金属酸化物と、炭素粒子と、エポキシ樹脂とを含むペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、硬化させることで形成される。この場合の第１保護層４１は、導電性を有する。第１保護層４１を電気絶縁体とする場合は、ガラスを含むペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、焼成炉により焼成することで形成される。ここで、導電性を有する第１保護層４１の形成にあたっては、第１保護層４１が抵抗体２に接しないよう、平面視において第１保護層４１と抵抗体２との間に隙間を設ける。第１保護層４１が抵抗体２に接すると、チップ抵抗器Ａ１の抵抗値が変動するためである。該工程により、上面電極３１の一部が第１保護層４１に覆われる。

次いで、図８に示すように、第１保護層４１の上面に、導電性を有した第２保護層４２を形成する。本実施形態においては、第２保護層４２は、Ａｇとエポキシ樹脂とを含むペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、硬化させることで形成される。第２保護層４２の形成にあたっては、第２保護層４２の抵抗体２に隣接する端部において、第１保護層４１が露出するようにする。該工程により、第１保護層４１の一部が第２保護層４２に覆われる。

次いで、図９に示すように、抵抗体２の表面を覆う下部保護膜５１を形成する。本実施形態においては、下部保護膜５１は、ガラスを含むペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、焼成炉により焼成することで形成される。該後工程の後工程である、抵抗体２にトリミング溝２１を形成する工程では、該溝をレーザにより形成するため、抵抗体２に熱衝撃が作用するとともに、抵抗体２の微粒子が発生する。そこで、下部保護膜５１は、前記熱衝撃を緩和しつつ、前記微粒子が抵抗体２に再付着して、抵抗体２の抵抗値が変動することを防止する機能を果たす。

次いで、図１０に示すように、抵抗体２を貫通するトリミング溝２１を抵抗体２に形成する。トリミング溝２１は、レーザトリミング装置（図示略）により形成される。トリミング溝２１の形成手順は次のとおりである。最初に、抵抗体２の長手方向に沿う一対の側面のうち、一方の側面から他方の側面に向かって、抵抗体２を流れる電流の方向に対し直交するように、トリミング溝２１を形成する。次いで、抵抗体２の抵抗値が、チップ抵抗器Ａ１の所要の値に近い値まで上昇した後、抵抗体２を流れる電流の方向（抵抗体２の長手方向）と平行になるように、そのまま向きを９０°転換してトリミング溝２１を形成する。抵抗体２の抵抗値が、チップ抵抗器Ａ１の所要の値になったとき、トリミング溝２１の形成を終了する。該工程により、平面視Ｌ字状のトリミング溝２１が抵抗体２に形成される。なお、トリミング溝２１は、抵抗体２の長手方向の両端に、抵抗値測定用のプローブ（図示略）を当接した状態の下で形成される。

次いで、図１１に示すように、シート状基板８１の搭載面１１上に、上部保護膜５２を形成する。このとき、抵抗体２に加え、上面電極３１および第１保護層４１のそれぞれの一部が上部保護膜５２に覆われる。なお、第２保護層４２は、上部保護膜５２に覆われない。本実施形態においては、上部保護膜５２は、シート状基板８１の二次分割溝８１２を跨ぐように、シート状基板８１の一次分割溝８１１に沿って延びる複数の帯状に形成される。また、本実施形態においては、上部保護膜５２は、エポキシ樹脂を含むペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、硬化させることで形成される。なお、上部保護膜５２は、図９に示す保護膜５の下部保護膜５１と同様に、各々の抵抗体２ごとに分離された状態となるように形成してもよい。

次いで、図１２に示すように、シート状基板８１を、シート状基板８１の一次分割溝８１１で切断し、複数の帯状基板８６に分割する。このとき、帯状基板８６の長手方向に沿って、側面１３が帯状基板８６の両側にそれぞれ形成される。

次いで、図１３に示すように、帯状基板８６の長手方向の両端に沿って位置する側面１３と、搭載面１１および実装面１２のそれぞれ一部とに、側面電極３３を形成する。本実施形態においては、側面電極３３は、スパッタリング法などによる物理蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）により、Ｎｉ−Ｃｒ合金を成膜することで形成される。側面電極３３の形成にあたっては、側面１３と、側面１３と直交して配置されている第２保護層４２および裏面電極３２のそれぞれの表面の一部とが、側面電極３３に一体として覆われるようにする（裏面電極３２について図示略）。このとき、側面電極３３は、第２保護層４２、第１保護層４１、上面電極３１および裏面電極３２の側面１３に沿ったそれぞれの端部に接する。該工程により、上面電極３１と裏面電極３２とが、側面電極３３によって互いに導通する。

次いで、図１４に示すように、帯状基板８６を、帯状基板８６の二次分割溝８１２で切断し、複数の個片８７に分割する。このとき、側面電極３３の形状は、基板１を挟むコの字状となる。また、側面電極３３は、第２保護層４２および裏面電極３２のそれぞれの表面の一部に形成された側面電極３３の部位を挟んだ両端に位置する、基板１の搭載面１１および実装面１２の一部にもそれぞれ形成される（裏面電極３２について図示略）。

次いで、図１５に示すように、個片８７において、裏面電極３２、側面電極３３および第２保護層４２を覆う中間電極３４と、中間電極３４を覆う外部電極３５とをそれぞれ形成する（裏面電極３２について図示略）。本実施形態においては、中間電極３４はＮｉめっき、外部電極３５はＳｎめっきによりそれぞれ形成される。該工程により、抵抗体２と導通する一対の電極３が形成される。以上の工程を経ることにより、チップ抵抗器Ａ１が製造される。

次に、チップ抵抗器Ａ１の作用効果について説明する。

本実施形態によれば、チップ抵抗器Ａ１は、上面電極３１と中間電極３４との間に位置し、かつ上面電極３１および側面電極３３に接して配置されている第１保護層４１を有する。よって、上面電極３１の少なくとも一部が、第１保護層４１に覆われた構成となっている。第１保護層４１は、炭素粒子を含むため、上面電極３１よりも硫化し難い特性を有する。したがって、第１保護層４１によって、上面電極３１の硫化が防止され、上面電極３１の断線が回避される。

また、チップ抵抗器Ａ１は、第１保護層４１とあわせて、第１保護層４１と中間電極３４との間に位置し、かつ第１保護層４１、側面電極３３および中間電極３４に接して配置されている第２保護層４２を有する。第２保護層４２は、Ａｇを含むため導電性を有する。第１保護層４１は、第２保護層４２と、同じく導電性を有する側面電極３３とに覆われた構成となっている。よって、中間電極３４は、炭素粒子を含む第１保護層４１に接しない構成となっている。したがって、中間電極３４であるＮｉめっき層の剥離を回避することができる。

以上より、炭素粒子を含む上面電極３１よりも硫化し難い特性を有した第１保護層４１と、Ａｇを含む導電性を有した第２保護層４２とを備えることにより、チップ抵抗器Ａ１のコストを抑えつつ、耐硫化性能の向上を図ることが可能となる。

上面電極３１などの硫化の要因となる硫化ガスの大半は、チップ抵抗器Ａ１において、中間電極３４および外部電極３５を構成するめっき層と、保護膜５の上部保護膜５２との界面に沿ってチップ抵抗器Ａ１の内部へ進入する。そこで、第１保護層４１の一部が上部保護膜５２に覆われた構成とすることで、前記界面に沿って進入した前記硫化ガスを遮へいする効果がより大きくなる。なお、第１保護層４１が、上部保護膜５２の一部を覆う構成であっても、チップ抵抗器Ａ１の耐硫化性能は確保されている。

仮に、前記界面に沿って硫化ガスが進入した場合、Ａｇを含む第２保護層４２が優先的に硫化する。すなわち、第２保護層４２は、犠牲電極に類似した機能を果たす。また、第２保護層４２は、第１保護層４１および側面電極３３によって上面電極３１に接しない構成となっているため、第２保護層４２が硫化しても上面電極３１は硫化しない。したがって、Ａｇを含む第２保護層４２を有することで、チップ抵抗器Ａ１の耐硫化性能をより向上させることが可能となる。

側面電極３３の材質を、導電性を有し、かつ硫化し難い特性を有するＮｉ−Ｃｒ合金とすることで、側面電極３３は硫化しなくなる。よって、側面電極３３の断線が回避されるとともに、側面電極３３を介した上面電極３１の硫化が防止される。また、側面電極３３は、スパッタリング法などによる物理蒸着によって形成されることから、側面電極３３と接する第１保護層４１を電気絶縁体とすることができる。この場合、第１保護層４１は、たとえばガラスを含むペーストからなるため、チップ抵抗器Ａ１のコストをより縮減することが可能となる。

〔第２実施形態〕
図１６および図１７に基づき、本発明の第２実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ２について説明する。これらの図において、先述したチップ抵抗器Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。

図１６は、チップ抵抗器Ａ２を示す平面図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。なお、図１６は、理解の便宜上、中間電極３４、外部電極３５および保護膜５を省略している。本実施形態においては、チップ抵抗器Ａ２は、平面視矩形状である。

本実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ２は、抵抗体２の平面視形状および保護膜５の構成が、チップ抵抗器Ａ１と異なる。本実施形態においては、抵抗体２の平面視形状は、サーペンタイン状である。該形状の抵抗体２は、スパッタリング法などによる物理蒸着によって基板１の搭載面１１に抵抗体２を搭載した後、フォトリソグラフィを用いた手法によって形成することができる。この場合、抵抗体２は、たとえばＮｉ−Ｃｒ合金などからなる。すなわち、本実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ２は、いわゆる薄膜チップ抵抗器である。また、本実施形態においては、保護膜５の下部保護膜５１が省略されている。

次に、チップ抵抗器Ａ２の作用効果について説明する。

本実施形態によっても、チップ抵抗器Ａ１と同様に、炭素粒子を含む上面電極３１よりも硫化し難い特性を有した第１保護層４１と、Ａｇを含む導電性を有した第２保護層４２とを備えることにより、チップ抵抗器Ａ２のコストを抑えつつ、耐硫化性能の向上を図ることが可能である。また、抵抗体２の平面視形状をサーペンタイン状とすることで、チップ抵抗器Ａ２の抵抗値を、チップ抵抗器Ａ１よりも相対的に高くするとともに、抵抗値の精度向上を図ることができる。

〔第３実施形態〕
図１８〜図２０に基づき、本発明の第３実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ３について説明する。これらの図において、先述したチップ抵抗器Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。

図１８は、チップ抵抗器Ａ３を示す平面図である。図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図である。図２０は、図１９の一部を拡大した部分拡大断面図である。なお、図１８は、理解の便宜上、中間電極３４および外部電極３５を省略している。本実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ３は、チップ抵抗器Ａ１と同じく、いわゆる厚膜チップ抵抗器である。また、本実施形態においては、チップ抵抗器Ａ３は、平面視矩形状である。

本実施形態のチップ抵抗器Ａ３は、保護層４が省略されていることと、電極３および保護膜５の構成が、チップ抵抗器Ａ１と異なる。

本実施形態にかかる電極３は、チップ抵抗器Ａ１と同様に、上面電極３１、裏面電極３２、側面電極３３、中間電極３４および外部電極３５を有する。これらのうち、側面電極３３、中間電極３４および外部電極３５の構成が、チップ抵抗器Ａ１と異なる。

側面電極３３は、図１８〜図２０に示すように、基板１の側面１３に配置された部位である。側面電極３３は、側面１３に加え、上面電極３１、裏面電極３２および上部保護膜５２のそれぞれ一部を覆っている。すなわち、側面電極３３は、側面１３に配置された部分と、基板１の平面視において、基板１の搭載面１１および実装面１２と重なる部分とを有する。側面電極３３により、上面電極３１と裏面電極３２とが互いに導通している。したがって、上面電極３１および側面電極３３によって、抵抗体２は裏面電極３２と導通している。本実施形態においては、側面電極３３は、たとえばＮｉ−Ｃｒ合金からなる。なお、側面電極３３の材質は、導電性を有し、かつ硫化し難い特性を有した金属であれば、いずれでもよい。

中間電極３４は、図１９および図２０に示すように、裏面電極３２と、側面電極３３とを覆う部位である。本実施形態においては、中間電極３４は、たとえばＮｉめっき層からなる。

外部電極３５は、図１９および図２０に示すように、中間電極３４を覆う部位である。本実施形態においては、外部電極３５は、たとえばＳｎめっき層からなる。

保護膜５は、図１８〜図２０に示すように、抵抗体２を覆い、抵抗体２を外部から保護する機能を果たす部材である。保護膜５は、下部保護膜５１および上部保護膜５２を有する。下部保護膜５１と上部保護膜５２は、互いに積層されている。下部保護膜５１および上部保護膜５２は、ともに電気絶縁体である。本実施形態にかかる下部保護膜５１は、上部保護膜５２よりも熱衝撃に強い材質からなる。

下部保護膜５１は、抵抗体２を覆う部位である。下部保護膜５１は、図１９および図２０に示す上部保護膜５２の下方に位置している。下部保護膜５１は、抵抗体２に加え、上面電極３１の表面（図１９および図２０に示す上面電極３１の上面）の一部を覆っている。下部保護膜５１は、図１８に示すように、チップ抵抗器Ａ３の平面視における側面電極３３と上部保護膜５２との境界部よりも、基板１の側面１３に向かって外側に延出した形状となっている。下部保護膜５１は、たとえばガラスを含むペーストからなる。

上部保護膜５２は、基板１および上面電極３１のそれぞれ一部と、抵抗体２を覆う下部保護膜５１とを覆う部位である。上部保護膜５２は、図１９および図２０に示す下部保護膜５１の上方に位置している。本実施形態においては、上部保護膜５２の一部が、側面電極３３に覆われた構成となっている。上部保護膜５２は、たとえばエポキシ樹脂を含むペーストからなる。

次に、図２１〜図３０に基づき、チップ抵抗器Ａ３の製造方法について説明する。図２１〜図６は、チップ抵抗器Ａ３の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図２７〜図３０は、チップ抵抗器Ａ３の製造方法にかかる工程を示す斜視図である。なお、図２７および図２８は、理解の便宜上、抵抗体２、上面電極３１、側面電極３３、下部保護膜５１および上部保護膜５２について、それぞれの厚さを無視している。

最初に、図２１に示すように、アルミナからなるシート状基板８１を用意する。シート状基板８１は、搭載面１１および実装面１２を有している。搭載面１１および実装面１２は、互いに反対側を向いている。図２１は、シート状基板８１の搭載面１１を示している。搭載面１１においては、図２１に示す縦方向に複数の一次分割溝８１１が、図２１に示す横方向に複数の二次分割溝８１２が碁盤目状に形成されている。一次分割溝８１１および二次分割溝８１２は、実装面１２においても搭載面１１に形成されている本数と同一本数が形成されている（図示略）。一次分割溝８１１および二次分割溝８１２の平面視における位置は、搭載面１１および実装面１２ともに同一である。一次分割溝８１１と二次分割溝８１２とによって形成される区画が、チップ抵抗器Ａ３の基板１となる領域である。

次いで、図２２に示すように、シート状基板８１の搭載面１１上に、シート状基板８１の一次分割溝８１１を跨ぐように上面電極３１を形成する。あわせて、シート状基板８１の実装面１２上に、一次分割溝８１１を跨ぐように裏面電極３２を形成する（図示略）。上面電極３１および裏面電極３２の平面視における位置は、略同一である。本実施形態においては、上面電極３１および裏面電極３２は、Ａｇにガラスフリットを含有させたペーストを、搭載面１１および実装面１２にシルクスクリーンを用いてそれぞれ印刷し、焼成炉により焼成することで形成される。該工程により、互いに離間した一対の領域を有する上面電極３１および裏面電極３２が、搭載面１１および実装面１２に形成される。

次いで、図２３に示すように、シート状基板８１の搭載面１１のうち、上面電極３１が有する前記一対の領域により挟まれた領域に、上面電極３１と導通する抵抗体２を搭載する。本実施形態においては、抵抗体２は、ＲｕＯ₂またはＡｇ−Ｐｄ合金などの金属にガラスフリットを含有させたペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、焼成炉により焼成することで搭載される。

次いで、図２４に示すように、抵抗体２の表面を覆う下部保護膜５１を形成する。本実施形態においては、下部保護膜５１は、ガラスを含むペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、焼成炉により焼成することで形成される。該工程により、抵抗体２の表面と、上面電極３１の一部とが、下部保護膜５１に覆われる。

次いで、図２５に示すように、抵抗体２を貫通するトリミング溝２１を、抵抗体２の各々に形成する。トリミング溝２１は、レーザトリミング装置（図示略）により形成される。トリミング溝２１の形成手順は、先述した図１０に示すチップ抵抗器Ａ１におけるトリミング溝２１の形成手順と同一である。該工程により、平面視Ｌ字状のトリミング溝２１が抵抗体２に形成される。なお、トリミング溝２１は、抵抗体２を挟む一対の上面電極３１の露出部に、抵抗値測定用のプローブ（図示略）を当接した状態の下で形成される。

次いで、図２６に示すように、シート状基板８１の搭載面１１上に上部保護膜５２を形成する。このとき、抵抗体２の表面と上面電極３１の一部とを覆う下部保護膜５１と、上面電極３１の一部とが、上部保護膜５２に覆われる。本実施形態においては、上部保護膜５２は、シート状基板８１の二次分割溝８１２を跨ぐように、シート状基板８１の一次分割溝８１１に沿って延びる複数の帯状に形成される。また、本実施形態においては、上部保護膜５２は、エポキシ樹脂を含むペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、硬化させることで形成される。なお、上部保護膜５２は、図２４に示す下部保護膜５１と同様に、各々の抵抗体２ごとに分離された状態となるように形成してもよい。

次いで、図２７に示すように、シート状基板８１を、シート状基板８１の一次分割溝８１１で切断し、複数の帯状基板８６に分割する。このとき、帯状基板８６の長手方向に沿って、側面１３が帯状基板８６の両側にそれぞれ形成される。

次いで、図２８に示すように、帯状基板８６の長手方向の両端に沿って位置する側面１３と、搭載面１１および実装面１２のそれぞれ一部とに、側面電極３３を形成する。本実施形態においては、側面電極３３は、スパッタリング法などによる物理蒸着により、Ｎｉ−Ｃｒ合金を成膜することで形成される。側面電極３３の形成にあたっては、側面１３と、側面１３と直交して配置されている上面電極３１、裏面電極３２および上部保護膜５２のそれぞれの表面の一部とが、側面電極３３に一体として覆われるようにする（裏面電極３２について図示略）。このとき、側面電極３３は、上面電極３１および裏面電極３２の側面１３に沿ったそれぞれの端部に接する。該工程により、上面電極３１と裏面電極３２とが、側面電極３３によって互いに導通する。

次いで、図２９に示すように、帯状基板８６を、帯状基板８６の二次分割溝８１２で切断し、複数の個片８７に分割する。このとき、側面電極３３の形状は、基板１を挟むコの字状となる。また、側面電極３３は、上面電極３１および裏面電極３２のそれぞれの表面の一部に形成された側面電極３３の部分を挟んだ両側に位置する、基板１の搭載面１１および実装面１２の一部にもそれぞれ形成される。

次いで、図３０に示すように、個片８７において、裏面電極３２および側面電極３３を覆う中間電極３４と、中間電極３４を覆う外部電極３５とをそれぞれ形成する（裏面電極３２について図示略）。本実施形態においては、中間電極３４はＮｉめっき、外部電極３５はＳｎめっきによりそれぞれ形成される。該工程により、抵抗体２と導通する一対の電極３が形成される。以上の工程を経ることにより、チップ抵抗器Ａ３が製造される。

次に、チップ抵抗器Ａ３の作用効果について説明する。

本実施形態によれば、チップ抵抗器Ａ３は、互いに積層された下部保護膜５１および上部保護膜５２を有し、上面電極３１の一部が下部保護膜５１に覆われた構成となっている。下部保護膜５１は、上部保護膜５２よりも熱衝撃に強い材質からなる。このため、中間電極３４および外部電極３５であるめっき層の先端部（平面視における前記めっき層と上部保護膜５２との境界部）に生じた熱衝撃によって上部保護膜５２に亀裂が発生しても、下部保護膜５１によって前記亀裂の進展が抑止される。ゆえに、前記亀裂によって上面電極３１が露出しなくなるため、チップ抵抗器Ａ３の周辺において発生した硫化ガスが、前記亀裂を介して上面電極３１まで進入しなくなる。したがって、電極３に生じた熱衝撃によって上部保護膜５２に亀裂が発生しても、硫化による電極３の断線を防止することができる。

側面電極３３の材質を、導電性を有し、かつ硫化し難い特性を有するＮｉ−Ｃｒ合金とすることで、側面電極３３の硫化が抑止される。よって、側面電極３３の断線が回避されるとともに、側面電極３３を介した上面電極３１の硫化が回避される。また、側面電極３３は、スパッタリング法などによる物理蒸着によって形成されることから、電気絶縁体である上部保護膜５２との付着性能がより向上する。したがって、側面電極３３とともに中間電極３４であるＮｉめっき層の剥離が回避されるため、該剥離によって上面電極３１の一部が露出し、該露出部が硫化する懸念が解消される。

〔第４実施形態〕
図３１〜図３３に基づき、本発明の第４実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ４について説明する。これらの図において、先述したチップ抵抗器Ａ１と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。

図３１は、チップ抵抗器Ａ４を示す平面図である。図３２は、図３１のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。図３３は、図３２の一部を拡大した部分拡大断面図である。なお、図３１は、理解の便宜上、中間電極３４および外部電極３５を省略している。本実施形態にかかるチップ抵抗器Ａ４は、チップ抵抗器Ａ１と同じく、いわゆる厚膜チップ抵抗器である。また、本実施形態においては、チップ抵抗器Ａ４は、平面視矩形状である。

本実施形態のチップ抵抗器Ａ４は、保護層４および保護膜５の構成が、チップ抵抗器Ａ１と異なる。

保護層４は、図３１〜図３３に示すように、上面電極３１の上面に形成された、互いに離間した一対の領域を有した部材である。保護層４は、上面電極３１よりも硫化し難い特性を有している。本実施形態においては、保護層４は、上面電極３１および下部保護膜５１の、それぞれの一部を覆っている。なお、保護層４は、下部保護膜５１の一部を覆っていなくてもよい。また、本実施形態においては、保護層４の一部ずつが、側面電極３３および上部保護膜５２のそれぞれに覆われ、かつ基板１の側面１３に揃う面において、側面電極３３と接している。本実施形態にかかる保護層４は、チップ抵抗器Ａ１の第１保護層４１と同じく、たとえばＲｕなどよりなるガラスおよび金属酸化物と、炭素粒子（カーボンブラック）と、エポキシ樹脂とを含むペーストからなる。この場合、保護層４は導電性を有する。なお、保護層４は、たとえばガラスを含むペーストからなる電気絶縁体であってもよい。

保護膜５は、図３１〜図３３に示すように、抵抗体２を覆い、抵抗体２を外部から保護する機能を果たす部材である。保護膜５は、下部保護膜５１および上部保護膜５２を有する。下部保護膜５１と上部保護膜５２は、互いに積層されている。下部保護膜５１および上部保護膜５２は、ともに電気絶縁体である。本実施形態にかかる下部保護膜５１の材質はチップ抵抗器Ａ３の下部保護膜５１と同一であり、上部保護膜５２の材質はチップ抵抗器Ａ３の材質と同一である。

下部保護膜５１は、抵抗体２を覆う部位である。下部保護膜５１は、図３２および図３３に示す上部保護膜５２の下方に位置している。チップ抵抗器Ａ３と同様に、下部保護膜５１は、抵抗体２に加え、上面電極３１の表面（図３２および図３３に示す上面電極３１の上面）の一部を覆っている。下部保護膜５１は、図３１に示すように、チップ抵抗器Ａ４の平面視における側面電極３３と上部保護膜５２との境界部よりも、基板１の側面１３に向かって外側に延出した形状となっている。

上部保護膜５２は、基板１および保護層４のそれぞれ一部と、抵抗体２を覆う下部保護膜５１とを覆う部位である。上部保護膜５２は、図３２および図３３に示す下部保護膜５１の上方に位置している。本実施形態においては、上部保護膜５２の一部が、側面電極３３、中間電極３４および外部電極３５に接している。

次に、図３４に基づき、チップ抵抗器Ａ４の製造方法について説明する。先述したチップ抵抗器Ａ３の製造において、図２１および図２２に示すシート状基板８１を用意し、上面電極３１を形成する工程と、図２３に示す抵抗体２を搭載する工程と、図２４に示す下部保護膜５１を形成する工程と、図２５に示すトリミング溝２１を形成する工程とが、チップ抵抗器Ａ４の製造においても同一である。

図３４に示すように、抵抗体２にトリミング溝２１を形成した後、上面電極３１が露出している部分に、上面電極３１よりも硫化し難い特性を有した保護層４を形成する。本実施形態においては、保護層４は、たとえばＲｕなどよりなるガラスおよび金属酸化物と、炭素粒子と、エポキシ樹脂とを含むペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、硬化させることで形成される。この場合の保護層４は、導電性を有している。保護層４を電気絶縁体とする場合は、ガラスを含むペーストを、シルクスクリーンを用いて印刷し、焼成炉により焼成することで形成される。該工程により、上面電極３１が露出している部分と、下部保護膜５１の一部とが、保護層４に覆われる。

次いで、シート状基板８１の搭載面１１上に上部保護膜５２を形成する。このとき、抵抗体２の表面と上面電極３１の一部とを覆う下部保護膜５１と、保護層４の一部とが、上部保護膜５２に覆われる。上部保護膜５２の形成方法は、図２６に示すチップ抵抗器Ａ３の製造方法にかかる工程における形成方法と同様である。上部保護膜５２を形成した後、チップ抵抗器Ａ４が製造されるまでの工程は、チップ抵抗器Ａ３と同一である。

次に、チップ抵抗器Ａ４の作用効果について説明する。

本実施形態によっても、チップ抵抗器Ａ３と同様に、上面電極３１の一部が下部保護膜５１に覆われた構成とすることにより、電極３に生じた熱衝撃によって上部保護膜５２に亀裂が発生しても、硫化による電極３の断線を防止することができる。また、保護層４を備えることにより、上面電極３１の上面が、下部保護膜５１に加え、保護層４にも覆われた構成となる。保護層４は、上面電極３１よりも硫化し難い特性を有している。したがって、チップ抵抗器Ａ４の耐硫化性能を、チップ抵抗器Ａ３よりもさらに向上させることが可能となる。

本発明にかかるチップ抵抗器は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明にかかるチップ抵抗器の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

本発明によって提供されるチップ抵抗器およびその製造方法の技術的構成について、以下に付記する。

［付記１］
互いに反対側を向く搭載面および実装面を有した基板と、
前記基板の前記搭載面の両端に配置された一対の上面電極と、
前記基板の前記搭載面において、前記一対の上面電極の間に搭載された抵抗体と、
前記抵抗体と前記上面電極の一部とを覆う保護膜と、
前記基板の前記搭載面と前記実装面との間に位置する前記基板の側面に配置された部分と、前記基板の平面視において前記搭載面および前記実装面に重なる部分とを有し、かつ前記上面電極と導通している側面電極と、
前記側面電極を覆う中間電極と、
前記中間電極を覆う外部電極と、を備えるチップ抵抗器であって、
前記保護膜は、互いに積層された下部保護膜および上部保護膜を有し、
前記下部保護膜は、前記上部保護膜よりも熱衝撃に強い材質からなり、
前記上面電極の一部が、前記下部保護膜に覆われていることを特徴とする、チップ抵抗器。
［付記２］
前記上面電極および前記上部保護膜のそれぞれの一部ずつが、前記側面電極に覆われている、付記１に記載のチップ抵抗器。
［付記３］
前記上面電極の上面の少なくとも一部を覆う、前記上面電極よりも硫化し難い特性を有した保護層をさらに備え、前記保護層の少なくとも一部が前記側面電極に覆われている、付記１に記載のチップ抵抗器。
［付記４］
前記保護層の一部が、前記上部保護膜に覆われている、付記３に記載のチップ抵抗器。
［付記５］
前記保護層は、炭素粒子を含む、付記３または４に記載のチップ抵抗器。
［付記６］
前記保護層は、電気絶縁体である、付記３または４に記載のチップ抵抗器。
［付記７］
前記下部保護膜は、ガラスを含む、付記１ないし６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記８］
前記上部保護膜は、エポキシ樹脂を含む、付記１ないし７のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記９］
前記側面電極は、Ｎｉ―Ｃｒ合金からなる、付記１ないし８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記１０］
前記基板の前記実装面の両端に配置された一対の裏面電極をさらに備え、前記側面電極は、前記裏面電極と導通している、付記１ないし９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記１１］
前記裏面電極は、前記中間電極に覆われている、付記１０に記載のチップ抵抗器。
［付記１２］
前記基板は、電気絶縁体である、付記１ないし１１のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記１３］
前記基板は、アルミナからなる、付記１２に記載のチップ抵抗器。
［付記１４］
前記抵抗体を貫通するトリミング溝が、前記抵抗体に形成されている、付記１ないし１３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記１５］
前記中間電極および前記外部電極は、めっき層からなる、付記１ないし１４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
［付記１６］
前記中間電極は、Ｎｉめっき層からなる、付記１５に記載のチップ抵抗器。
［付記１７］
前記外部電極は、Ｓｎめっき層からなる、付記１５に記載のチップ抵抗器。
［付記１８］
互いに反対側を向く搭載面および実装面を有したシート状基板を用意し、前記シート状基板の前記搭載面に、互いに離間した一対の領域を有する上面電極を形成する工程と、
前記シート状基板の前記搭載面のうち、前記一対の領域に挟まれた領域に、前記上面電極と導通する抵抗体を搭載する工程と、
前記抵抗体と、前記上面電極の一部とを覆う下部保護膜を形成する工程と、
前記下部保護膜を覆う上部保護膜を形成する工程と、
前記シート状基板を複数の帯状基板に分割する工程と、
前記帯状基板の長手方向の両端に沿って位置する側面、前記搭載面および前記実装面に、前記上面電極と導通する側面電極を形成する工程と、
前記側面電極を覆う中間電極と、前記中間電極を覆う外部電極とをそれぞれ形成する工程と、を備えることを特徴とする、チップ抵抗器の製造方法。
［付記１９］
前記側面電極を形成する工程では、前記上面電極および前記上部保護膜のそれぞれの一部ずつが、前記側面電極に覆われることにより、前記側面電極が形成される、付記１８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２０］
前記上面電極の上面の少なくとも一部を覆う、前記上面電極よりも硫化し難い特性を有した保護層を形成する工程をさらに備える、付記１８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２１］
前記保護層を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記保護層が形成される、付記２０に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２２］
前記側面電極を形成する工程では、前記保護層の少なくとも一部が前記側面電極に覆われることにより、前記側面電極が形成される、付記２０または２１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２３］
前記上部保護膜を形成する工程では、前記保護層の一部が前記上部保護膜に覆われることにより、前記上部保護膜が形成される、付記２２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２４］
前記下部保護膜を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記下部保護膜が形成される、付記１８ないし２３のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２５］
前記上部保護膜を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記上部保護膜が形成される、付記１８ないし２４のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２６］
前記側面電極を形成する工程では、物理蒸着により、前記側面電極が形成される、付記１８ないし２５のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２７］
前記物理蒸着は、スパッタリング法である、付記２６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２８］
前記中間電極と、前記外部電極とをそれぞれ形成する工程では、めっきにより、前記中間電極と前記外部電極とがそれぞれ形成される、付記１８ないし２７のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記２９］
前記中間電極と、前記外部電極とをそれぞれ形成する工程の前に、前記帯状基板を複数の個片に分割する工程をさらに備える、付記２８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記３０］
前記シート状基板の前記実装面に、互いに離間した一対の領域を有する裏面電極を形成する工程をさらに備える、付記１８ないし２９のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
［付記３１］
前記抵抗体に、前記抵抗体を貫通するトリミング溝を形成する工程をさらに備える、付記１８ないし３０のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。

Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４：チップ抵抗器
１：基板
１１：搭載面
１２：実装面
１３：側面
２：抵抗体
２１：トリミング溝
３：電極
３１：上面電極
３２：裏面電極
３３：側面電極
３４：中間電極
３５：外部電極
４：保護層
４１：第１保護層
４２：第２保護層
５：保護膜
５１：下部保護膜
５２：上部保護膜
８１：シート状基板
８１１：一次分割溝
８１２：二次分割溝
８６：帯状基板
８７：個片
Ｘ：方向

Claims

互いに反対側を向く搭載面および実装面を有する基板と、
前記基板の前記搭載面の両端に配置された一対の上面電極と、
前記基板の前記搭載面において、前記一対の上面電極の間に搭載された抵抗体と、
前記基板の前記搭載面と前記実装面との間に位置する前記基板の側面に配置された部分と、前記基板の厚さ方向視において前記搭載面および前記実装面に重なる部分とを有し、かつ前記一対の上面電極のいずれかと導通している側面電極と、
前記側面電極を覆う中間電極と、
前記中間電極を覆う外部電極と、を備えるチップ抵抗器であって、
前記一対の上面電極のいずれかと、前記中間電極との間に位置し、かつ当該上面電極に接して配置されているとともに、前記一対の上面電極よりも硫化し難い特性を有する第１保護層と、
前記第１保護層と前記中間電極との間に位置し、かつ前記第１保護層および前記中間電極に接して配置されるとともに、導電性を有する第２保護層と、をさらに備え、
前記第１保護層は、電気絶縁体であることを特徴とする、チップ抵抗器。
前記第２保護層は、Ａｇを含む、請求項１に記載のチップ抵抗器。
前記側面電極は、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる、請求項１または２に記載のチップ抵抗器。
前記基板の前記実装面の両端に配置された一対の裏面電極をさらに備え、
前記側面電極は、前記一対の裏面電極のいずれかと導通している、請求項１ないし３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記一対の裏面電極のいずれかは、前記中間電極に覆われている、請求項４に記載のチップ抵抗器。
前記基板は、電気絶縁体である、請求項１ないし５のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記基板は、アルミナからなる、請求項６に記載のチップ抵抗器。
前記抵抗体の平面視形状は、サーペンタイン状である、請求項１ないし７のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記抵抗体は、ＲｕＯ ₂ またはＡｇ−Ｐｄ合金を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記抵抗体を貫通するトリミング溝が、前記抵抗体に形成されている、請求項１ないし９のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記中間電極および前記外部電極は、めっき層からなる、請求項１ないし１０のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記中間電極は、Ｎｉめっき層からなる、請求項１１に記載のチップ抵抗器。
前記外部電極は、Ｓｎめっき層からなる、請求項１１に記載のチップ抵抗器。
前記抵抗体と、前記一対の上面電極の各々の一部と、を覆う保護膜をさらに備える、請求項１ないし１３のいずれかに記載のチップ抵抗器。
前記第１保護層の一部が、前記保護膜に覆われている、請求項１４に記載のチップ抵抗器。
前記保護膜は、下部保護膜および上部保護膜を有する、請求項１４または１５に記載のチップ抵抗器。
前記下部保護膜は、ガラスを含む、請求項１６に記載のチップ抵抗器。
前記上部保護膜は、エポキシ樹脂を含む、請求項１６に記載のチップ抵抗器。
互いに反対側を向く搭載面および実装面を有するシート状基板を用意し、前記シート状基板の前記搭載面に、互いに離間した一対の領域を有する上面電極を形成する工程と、
前記シート状基板の前記搭載面のうち、前記一対の領域に挟まれた領域に、前記上面電極と導通する抵抗体を搭載する工程と、
前記上面電極の上面に、電気絶縁体であり、かつ前記上面電極よりも硫化し難い特性を有する第１保護層を形成する工程と、
前記第１保護層の上面に、導電性を有する第２保護層を形成する工程と、
前記シート状基板を複数の帯状基板に分割する工程と、
前記複数の帯状基板の各々の長手方向の両端に沿って位置する側面、前記搭載面および前記実装面に、前記上面電極と導通する側面電極を形成する工程と、
前記側面電極および前記第２保護層を覆う中間電極と、前記中間電極を覆う外部電極と、をそれぞれ形成する工程と、を備えることを特徴とする、チップ抵抗器の製造方法。
前記第１保護層を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記第１保護層が形成される、請求項１９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記第２保護層を形成する工程では、印刷を用いた手法により、前記第２保護層が形成される、請求項１９または２０に記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記側面電極を形成する工程では、物理蒸着により、前記側面電極が形成される、請求項１９ないし２１のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記物理蒸着は、スパッタリング法である、請求項２２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記抵抗体を搭載する工程では、印刷を用いた手法により、または物理蒸着およびフォトリソグラフィを用いた手法により、前記抵抗体が搭載される、請求項１９ないし２３のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記中間電極と、前記外部電極と、をそれぞれ形成する工程の前に、前記複数の帯状基板の各々を複数の個片に分割する工程をさらに備える、請求項１９ないし２４のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記中間電極と、前記外部電極と、をそれぞれ形成する工程では、めっきにより、前記中間電極と前記外部電極とがそれぞれ形成される、請求項２５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記シート状基板の前記実装面に、互いに離間した一対の領域を有する裏面電極を形成する工程をさらに備える、請求項１９ないし２６のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記抵抗体に、前記抵抗体を貫通するトリミング溝を形成する工程をさらに備える、請求項１９ないし２７のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記抵抗体と、前記上面電極および前記第１保護層のそれぞれの一部と、を覆う保護膜を形成する工程をさらに備える、請求項１９ないし２８のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
前記保護膜を形成する工程では、下部保護膜を形成する工程と、上部保護膜を形成する工程と、を含む、請求項２９に記載のチップ抵抗器の製造方法。