WO2019188584A1 - 抵抗器 - Google Patents

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WO2019188584A1
WO2019188584A1 PCT/JP2019/011420 JP2019011420W WO2019188584A1 WO 2019188584 A1 WO2019188584 A1 WO 2019188584A1 JP 2019011420 W JP2019011420 W JP 2019011420W WO 2019188584 A1 WO2019188584 A1 WO 2019188584A1
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WO
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resistor
intermediate layer
electrode
protective film
base
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/011420
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English (en)
French (fr)
Inventor
孝彦 伊澤
真 薄田
弘志 齋藤
裕樹 大山
田中　正治
Original Assignee
パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/01—Mounting; Supporting
    • H01C1/012—Mounting; Supporting the base extending along and imparting rigidity or reinforcement to the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/08—Cooling, heating or ventilating arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material

Definitions

  • Patent Document 1 and Patent Document 2 disclose an example of this resistor.
  • the chip resistor disclosed in Patent Document 1 is connected to an alumina substrate, a planarizing layer that covers the entire surface of the alumina substrate, a resistor provided on the surface of the planarizing layer, and both ends of the resistor.
  • a pair of front electrodes and an insulating protective layer covering the resistor are provided.
  • the thin film chip resistor disclosed in Patent Document 2 includes an insulating substrate, a thin film resistor formed on the substrate, a pair of electrodes connected to the thin film resistor, and at least between the pair of electrodes.
  • a protective film covering the thin film resistor is provided.
  • An object of the present disclosure is to provide a resistor used in an electronic device.
  • the resistor according to one embodiment of the present disclosure includes a base material, a resistor, and a protective film that are stacked in this order.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of a resistor according to a first example of the first embodiment of the present disclosure.
  • 1B is a cross-sectional view taken along the line ZZ of the resistor shown in FIG. 1A.
  • FIG. 2A is a schematic cross-sectional view showing how heat generated by the resistor is released.
  • FIG. 2B is a graph showing a temperature decrease rate of the resistor with respect to the thickness of the base intermediate layer.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view of a resistor according to a second example of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view showing how heat generated in the resistor is released.
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view of a resistor according to a third example of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view showing how heat generated by the resistor is released.
  • FIG. 5A is a schematic plan view of a resistor according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line ZZ of the resistor shown in FIG. 5A.
  • FIG. 6A is a schematic plan view showing the resistor when the trimming shape is a straight cut.
  • FIG. 6B is a schematic plan view showing the resistor when the trimming shape is a double cut.
  • FIG. 6C is a schematic plan view showing the resistor when the trimming shape is an L-cut.
  • FIG. 6A is a schematic cross-sectional view of a resistor according to a third example of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view showing how heat generated by the resistor is
  • FIG. 6D is a schematic plan view showing the resistor when the trimming shape is a U-cut.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a resistor according to Modification 1 of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8A is a circuit diagram for measuring noise caused by a resistor.
  • 8B and 8C are graphs showing noise with respect to the voltage applied to the resistor.
  • 9A to 9E show the results of simulating the distribution of the power density of the resistor.
  • the resistor 1 according to the first embodiment of the present disclosure includes a base material 10, a resistor 11, and a protective film 12 stacked in this order, as shown in FIGS. 1A and 1B. Prepare.
  • the resistor 1 according to the second embodiment of the present disclosure also includes a base material 10, a resistor 11, and a protective film 12 stacked in this order as shown in FIGS. 5A and 5B.
  • the base material 10, the resistor 11, and the protective film 12, which are common configurations of the resistor 1 according to the first embodiment and the resistor 1 according to the second embodiment, will be described.
  • the following 1st embodiment and 2nd embodiment are examples of the structure of the resistor 1, and the structure of the resistor 1 is not limited to 1st embodiment and 2nd embodiment.
  • the thickness direction of the resistor 1 is defined as the vertical direction
  • the longitudinal direction of the resistor 1 is defined as the left-right direction
  • the short direction of the resistor 1 is defined as the front-rear direction. Is not intended to define the direction of use of the resistor 1.
  • the arrows indicating “front”, “rear”, “left”, “right”, “upper”, and “lower” in the drawings are merely shown for explanation, and do not involve an entity.
  • the base material 10 is plate-shaped, and the shape of the base material 10 in plan view (the shape when the resistor 1 is viewed from above) is a rectangular shape that is long in the left-right direction. For this reason, the resistor 1 is a so-called chip resistor.
  • planar view means seeing from the direction where the base material 10 and the resistor 11 overlap.
  • the size of the base material 10 in plan view is not particularly limited because it is appropriately set according to the object on which the resistor 1 is mounted. It is preferable that the thickness of the base material 10 is 0.1 mm or more and 0.6 mm or less, for example.
  • the material of the base material 10 is, for example, Al 2 O 3 (alumina). That is, the base material 10 is an alumina base material, for example.
  • the material of the base material 10 may contain components other than Al 2 O 3 .
  • the resistor 11 is on the substrate 10.
  • the resistor 11 is formed on the entire top surface of the substrate 10.
  • the material of the resistor 11 will be described in detail below, but is made of metal.
  • the resistor 11 can be formed by sputtering, for example.
  • the protective film 12 is on the resistor 11.
  • the protective film 12 covers the resistor 11.
  • the resistor 11 can be protected by the protective film 12.
  • the material of the protective film 12 is demonstrated in detail below, it is a hardened
  • the shape of the protective film 12 in plan view is a rectangular shape that is long in the left-right direction, but any shape can be adopted according to the shape of the resistor 11.
  • the resistor 1 includes the base material 10, the resistor 11, and the protective film 12 stacked in this order.
  • the resistor 1 further includes at least one of the base intermediate layer 110 and the cover intermediate layer 111.
  • the base intermediate layer 110 is interposed between the base material 10 and the resistor 11, is in direct contact with the resistor 11, and is an aluminum nitride layer.
  • the cover intermediate layer 111 is an aluminum nitride layer that is interposed between the resistor 11 and the protective film 12 and directly contacts the resistor 11.
  • the base intermediate layer 110 and the cover intermediate layer 111 are in direct contact with the resistor 11, and the base intermediate layer 110 and the cover intermediate layer 111 are aluminum nitride layers. Since aluminum nitride has excellent thermal conductivity, heat generated in the resistor 11 is easily released to the aluminum nitride layer. For this reason, the resistor 1 tends to release heat generated by the resistor 11.
  • the resistor 1 shown in FIGS. 1A and 1B includes a base material 10, a resistor 11, and a protective film 12.
  • the base material 10, the resistor 11, and the protective film 12 are laminated in this order.
  • the resistor 1 of the first example includes a base intermediate layer 110.
  • the resistor 1 further includes an intermediate layer 120 and an electrode 13.
  • each structure of the resistor 1 of a 1st example is demonstrated in detail.
  • the base material 10 is preferably made of alumina.
  • the heat generated by the resistor 11 is not easily released to the alumina substrate.
  • the lower surface of the resistor 11 and the base intermediate layer 110 described later are in direct contact, heat generated in the resistor 11 can be released to the base intermediate layer 110.
  • the resistor 11 is formed on the entire upper surface of the substrate 10. In this case, the heat generated in the resistor 11 can be released to the base intermediate layer 110 from the lower surface of the resistor 11.
  • the first intermediate layer 110 will be described later.
  • the material of the resistor 11 of the first example is, for example, an alloy containing Ni and Cr (NiCr alloy).
  • the resistor 11 can be formed, for example, by performing sputtering or the like on the base material 10.
  • Electrode The resistor 11 of the first example includes an electrode 13.
  • the electrode 13 is electrically connected to the resistor 11. When the resistor 11 and the electrode 13 are in direct contact, the resistor 11 and the electrode 13 are electrically connected.
  • the electrode 13 of the first example includes an upper surface electrode 130, a re-upper surface electrode 131, an end surface electrode 132, a back surface electrode 133, an intermediate electrode 134, and an external electrode 136.
  • the upper surface electrode 130 is located on the resistor 11.
  • the upper surface electrode 130 is in direct contact with the resistor 11.
  • the resistor 1 also includes a pair of upper surface electrodes 130.
  • the pair of upper surface electrodes 130 are respectively formed at both ends of the resistor 11 in the left-right direction.
  • the shape of the upper surface electrode 130 of the first example in a plan view is a rectangular shape, but may be a circular shape, a triangular shape, or other shapes.
  • the material of the upper surface electrode 130 is, for example, a Ni-based alloy.
  • Ni-based alloy examples include a NiCu alloy.
  • the upper surface electrode 130 can be formed by, for example, a sputtering method. Specifically, after a CuNi alloy film is formed by sputtering on the entire upper surface of the resistor 11, unnecessary portions of the film are removed by a photolithography method, an etching method, or the like, thereby forming a pair of upper surface electrodes. 130 can be formed.
  • the re-upper surface electrode 131 is located on the upper surface electrode 130.
  • the upper electrode 131 in the first example is in direct contact with the upper electrode 130. For this reason, the upper surface electrode 131 is electrically connected to the upper surface electrode 130.
  • the pair of re-upper surface electrodes 131 are formed at both ends in the left-right direction of the resistor 11, similarly to the upper surface electrode 130.
  • the material of the upper surface electrode 131 is, for example, a Ni-based alloy.
  • this Ni-based alloy include a NiCu alloy.
  • the re-upper surface electrode 131 can be formed by, for example, a sputtering method. Specifically, by forming a NiCu alloy film by sputtering for the resistor 11 and the upper surface electrode 130, and removing unnecessary portions of this film by photolithography, etching, etc., a pair of upper surface electrodes 131 can be formed.
  • the pair of end face electrodes 132 are respectively formed on both end faces of the base material 10 in the left-right direction.
  • the end face electrode 132 of the first example is in direct contact with the upper surface electrode 130 and the re-upper surface electrode 131. For this reason, the end surface electrode 132 is electrically connected to the upper surface electrode 130 and the upper surface electrode 131.
  • the end face electrode 132 is made of, for example, an epoxy resin and a Cu-based alloy.
  • the Cu-based alloy include a CuNi alloy.
  • a film made of an epoxy resin and a Cu-based alloy is formed on both end surfaces in the left-right direction of the base material 10 on which the pair of upper surface electrodes 130 and the pair of upper surface electrodes 131 are formed, and then cured.
  • a pair of end face electrodes 132 can be formed.
  • the back electrode 133 is located on the lower surface of the substrate 10. In the first example, the back electrode 133 is in direct contact with the lower surface of the substrate 10. Resistor 1 also includes a pair of backside electrodes 133. The back electrode 133 is electrically connected to the end electrode 132. For this reason, the back surface electrode 133 is electrically connected to the upper surface electrode 130 and the re-upper surface electrode 131 through the end surface electrode 132.
  • the material of the back electrode 133 is, for example, a Cu-based alloy.
  • the Cu-based alloy include a CuNi alloy.
  • the back electrode 133 can be formed by sputtering, for example. Specifically, a CuNi alloy film is formed on the entire lower surface of the substrate 10 by a sputtering method, and a central portion in the left-right direction of the film is removed by a photolithography method, an etching method, etc. 133 can be formed.
  • the pair of intermediate electrodes 134 are formed at both ends of the base material 10 in the left-right direction.
  • the intermediate electrode 134 covers the upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, and the back surface electrode 133.
  • the intermediate electrode 134 is in direct contact with the upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, and the back surface electrode 133. Therefore, the intermediate electrode 134 is electrically connected to the upper surface electrode 130, the re-upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, and the back surface electrode 133.
  • the material of the intermediate electrode 134 is, for example, Ni.
  • the intermediate electrode 134 can be formed by, for example, Ni plating.
  • the pair of external electrodes 136 are formed at both ends of the base material 10 in the left-right direction.
  • the external electrode 136 covers the intermediate electrode 134.
  • the external electrode 136 is in direct contact with the intermediate electrode 134. Therefore, the external electrode 136 is electrically connected to the upper surface electrode 130, the re-upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, and the back surface electrode 133 through the intermediate electrode 134.
  • the material of the external electrode 136 is, for example, Sn.
  • the external electrode 136 can be formed by, for example, Sn plating.
  • the protective film 12 of the first example is a cured product of the resin composition as described above.
  • the resin composition for forming the protective film 12 may contain a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.
  • the protective film 12 can be formed by heat-curing the coating film of the resin composition or by irradiating the coating film of the resin composition with ultraviolet rays and curing it.
  • the shape of the protective film 12 in plan view is a rectangular shape that is long in the left-right direction, but any shape can be adopted according to the shape of the resistor 11.
  • the intermediate layer 120 of the first example is interposed between the resistor 11 and the protective film 12.
  • the intermediate layer 120 of the first example directly touches the upper surface of the resistor 11 and directly touches the lower surface of the protective film 12.
  • the intermediate layer 120 of the first example is preferably made of metal oxide or metal nitride. In this case, the resistor 11 is unlikely to corrode.
  • the resistor 1 can be applied to an in-vehicle application where the resistor 11 is exposed to an environment where the resistor 11 is easily corroded.
  • the base intermediate layer 110 is interposed between the base material 10 and the resistor 11 as described above, and is in direct contact with the lower surface of the resistor 11.
  • the base intermediate layer 110 is an aluminum nitride layer. Since aluminum nitride has excellent thermal conductivity, the heat generated by the resistor 11 can be released to the base intermediate layer 110 that is in direct contact with the lower surface of the resistor 11 as shown in FIG. 2A. Therefore, the resistor 1 of the first example tends to release the heat generated by the resistor 11.
  • the aluminum nitride constituting the base intermediate layer 110 is represented by the formula Al X N Y. X and Y in this formula are positive numbers.
  • the base intermediate layer 110 is made of single crystal aluminum nitride.
  • the base intermediate layer 110 can be easily thinned.
  • the base intermediate layer 110 is more preferably composed of 4/5 or more of single crystal aluminum nitride, and particularly preferably 9/10 or more of single crystal aluminum nitride.
  • the ratio of the single crystal aluminum nitride constituting the base intermediate layer 110 should be measured by an X-ray diffraction method (XRD: X-rayRCdiffraction), an X-ray rocking curve method (XRC: X-ray Rocking Curve), or the like. Can do.
  • the thickness of the base intermediate layer 110 is preferably 3 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less. In this case, the heat generated in the resistor 11 can be easily released to the base intermediate layer 110 while reducing the thickness of the base intermediate layer 110. Furthermore, the thickness of the base intermediate layer 110 is more preferably 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. In this case, the heat generated in the resistor 11 is easily released by the base intermediate layer 110. 2B shows the temperature decrease rate of the resistor 11 due to the heat generated in the resistor 11 being released to the base intermediate layer 110 when a current is passed through the resistor 1 shown in FIGS. 1A and 1B. The result calculated by simulation is shown.
  • the temperature decrease rate of the resistor 11 is the temperature of the central portion in a plan view of the resistor when a current is passed through a resistor having the same configuration as the resistor 1 except that the base intermediate layer 110 is not provided. Standard.
  • the horizontal axis indicates the thickness of the base intermediate layer 110
  • the vertical axis indicates the temperature decrease rate.
  • the temperature decrease rate is larger than when the thickness of the base intermediate layer 110 is less than 3 ⁇ m. That is, when the thickness of the base intermediate layer 110 is 3 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, the heat generated in the resistor 11 is easily released to the base intermediate layer 110.
  • the base intermediate layer 110 is preferably a sputter layer. That is, it is preferable that the base intermediate layer 110 is produced by a sputtering method. In this case, the base intermediate layer 110 is easily made of single crystal aluminum nitride.
  • the base intermediate layer 110 can be manufactured by forming an electrode film made of Ti and Mo on the substrate 10 and then forming a piezoelectric film made of aluminum nitride on the electrode film.
  • the base intermediate layer 110 is preferably in direct contact with the electrode 13. In this case, the heat released from the resistor 11 to the base intermediate layer 110 is easily released from the base intermediate layer 110 to the electrode 13 (see FIG. 2A).
  • the base intermediate layer 110 is formed on the entire surface of the base material 10, so that a pair of end surface electrodes 132 formed on both ends of the base material 10 in the left-right direction and the base intermediate layer are formed. Layer 110 is in direct contact. Therefore, heat can be released from the base intermediate layer 110 to the end face electrode 132.
  • the resistor 1 is mounted on a circuit of an electronic device, since the electrode 13 and the circuit are connected by solder, the heat released from the base intermediate layer 110 to the electrode 13 can be released to the solder. .
  • FIG. 3A shows a resistor 1 according to a second example of the present embodiment.
  • description may be abbreviate
  • the resistor 1 of the second example is interposed between the resistor 11 and the protective film 12 and includes a cover intermediate layer 111 made of an aluminum nitride layer, but has a base interposed between the resistor 11 and the protective film 12.
  • the intermediate layer 110 is not provided.
  • the upper surface of the resistor 11 and the cover intermediate layer 111 are in direct contact, and the lower surface of the resistor 11 and the substrate 10 are in direct contact. Since aluminum nitride has excellent thermal conductivity, heat generated by the resistor 11 can be released to the cover intermediate layer 111 that is in direct contact with the upper surface of the resistor 11 (see FIG. 3B).
  • the intermediate layer 120 is interposed between the resistor 11 and the protective film 12, but the resistor 1 of the second example is a cover intermediate layer instead of the intermediate layer 120. 111 is provided. For this reason, the resistor 11 can be protected by the cover intermediate layer 111, and the resistor 11 can be hardly corroded. Since the resistor 1 includes the cover intermediate layer 111, the resistor 1 can be applied to an in-vehicle application in which the resistor 11 is exposed to an environment where the resistor 11 is easily corroded.
  • the cover intermediate layer 111 can have the same configuration as the base intermediate layer 110 of the first example. For this reason, it is preferable that 1/2 or more of the cover intermediate layer 111 is made of single crystal aluminum nitride. Further, the cover intermediate layer 111 is more preferably composed of 4/5 or more of single crystal aluminum nitride, and more preferably 9/10 or more of single crystal aluminum nitride. In this case, the cover intermediate layer 111 can be easily thinned.
  • the thickness of the cover intermediate layer 111 is preferably 3 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, and more preferably 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, like the base intermediate layer 110. In this case, the heat generated in the resistor 11 can be easily released to the cover intermediate layer 111, and the cover intermediate layer 111 can be thinned.
  • the cover intermediate layer 111 is preferably a sputtered layer, like the first intermediate layer 110. That is, it is preferable that the cover intermediate layer 111 is produced by a sputtering method. In this case, the cover intermediate layer 111 can be easily made of single crystal aluminum nitride.
  • the cover intermediate layer 111 is preferably in direct contact with the electrode 13.
  • the heat released from the resistor 11 to the cover intermediate layer 111 can be released from the cover intermediate layer 111 to the electrode 13 (see FIG. 3B).
  • the cover intermediate layer 111 is continuously provided from the left upper electrode 130 to the right upper electrode 130, the upper electrode 130 and the cover intermediate layer 111 are in direct contact with each other (FIG. 3A). Therefore, heat can be released from the cover intermediate layer 111 to the upper surface electrode 130.
  • the resistor 1 is mounted on a circuit of an electronic device, the electrode 13 and the circuit are connected by solder, so that the heat released from the cover intermediate layer 111 to the electrode 13 can be released to the solder. .
  • FIG. 4A A resistor 1 of a third example is shown in FIG. 4A.
  • description may be abbreviate
  • the base intermediate layer 110 is interposed between the substrate 10 and the resistor 11, and the cover intermediate layer 111 is interposed between the resistor 11 and the protective film 12.
  • the lower surface of the resistor 11 and the base intermediate layer 110 are in direct contact, and the upper surface of the resistor 11 and the cover intermediate layer 111 are in direct contact. That is, the resistor 11 is interposed between the base intermediate layer 110 and the cover intermediate layer 111. Since aluminum nitride has excellent thermal conductivity, heat generated by the resistor 11 can be released to the base intermediate layer 110 and the cover intermediate layer 111 (see FIG. 4B).
  • the base intermediate layer 110 and the cover intermediate layer 111 are in direct contact with the electrode 13. Therefore, the heat generated by the resistor 11 and released to the base intermediate layer 110 and the heat generated by the resistor 11 and released to the cover intermediate layer 111 can be released to the electrode 13 (FIG. 4B). reference).
  • the resistor 1 is mounted on a circuit of an electronic device, since the electrode 13 and the circuit are connected by solder, heat released from the base intermediate layer 110 to the electrode 13 and from the cover intermediate layer 111 to the electrode 13 The released heat can be released to the solder.
  • the base intermediate layer 110 and the cover intermediate layer 111 of the third example have the same configuration as the base intermediate layer 110 provided in the resistor 1 of the first example and the cover intermediate layer 111 provided in the resistor 1 of the second example. Can do.
  • the configuration of the resistor 1 of the first embodiment is not limited to the configurations of the first example, the second example, and the third example.
  • the base material 10 and the base intermediate layer 110 are in direct contact, but it is not limited to this.
  • another layer may be interposed between the base material 10 and the base intermediate layer 110.
  • This other layer may be made of resin or metal.
  • the cover intermediate layer 111 and the protective film 12 are in direct contact, but the present invention is not limited to this.
  • another layer may be interposed between the cover intermediate layer 111 and the protective film 12. This other layer may be made of resin or metal.
  • the substrate 10 is made of alumina, but is not limited thereto.
  • the substrate 10 may be made of resin, glass, ceramic, silicon, or aluminum nitride.
  • the base intermediate layer 110 is a sputtered layer formed by a sputtering method, but is not limited thereto.
  • the base intermediate layer 110 may be a layer other than the sputter layer. That is, the base intermediate layer 110 may be fabricated by a method other than the sputtering method.
  • the base intermediate layer 110 may be formed by attaching a thin film made of aluminum nitride to the upper surface of the substrate 10.
  • the cover intermediate layer 111 is a sputter layer formed by a sputtering method, but is not limited thereto.
  • the cover intermediate layer 111 may be a layer other than the sputter layer. That is, the cover intermediate layer 111 may be produced by a method other than the sputtering method.
  • the cover intermediate layer 111 may be formed by sticking a thin film made of aluminum nitride on the upper surface of the resistor 11.
  • Second Embodiment 3-1 Outline of Second Embodiment
  • noise due to the resistor may occur due to an analog signal flowing through the resistor. It was. Due to this noise, the quality of sound emitted from an output device such as a speaker or an earphone connected to the audio device may deteriorate.
  • the advantage of the resistor 1 according to the second embodiment is that noise hardly occurs.
  • the resistor 1 includes a base material 10, a resistor 11 located on the base material 10, and a protective film 12 located on the resistor 11.
  • the protective film 12 includes at least one of Ni, Co, Zn, and Ti.
  • the protective film 12 includes one or more of Ni, Co, Zn, and Ti, so that even if an analog signal flows through the resistor 1, the resistor 1 is caused by the resistor 1. Noise hardly occurs. For this reason, when the resistor 1 is mounted on the analog circuit included in the acoustic device, the sound quality of the sound emitted from the output device such as a speaker or an earphone connected to the acoustic device is improved.
  • the resistor 1 shown in FIGS. 5A and 5B includes a base material 10, a resistor 11, and a protective film 12, and the base material 10, the resistor 11, and the protective film 12 are laminated in this order.
  • the resistor 1 of the second embodiment further includes an electrode 13.
  • each configuration of the resistor 1 will be described in more detail.
  • Base material The material of the base material 10 of this embodiment is, for example, Al 2 O 3 (alumina), and the material of the base material 10 is preferably 99% by weight or more of Al 2 O 3 , for example.
  • Resistor 11 of the present embodiment is partially trimmed. Therefore, the resistor 11 is formed on the entire upper surface of the substrate 10 except for the trimmed portion. In the present embodiment, the resistor 11 is in direct contact with the base material 10.
  • the resistor 11 of this embodiment is a film.
  • the electrical resistance value of the resistor 11 (hereinafter also simply referred to as a resistance value) is determined by the thickness of the resistor 11, the material of the resistor 11, the trimming amount of the resistor 11, and the like.
  • the thickness of the resistor 11 is preferably 500 nm or more. In this case, noise caused by the resistor 1 can be made difficult to occur.
  • the material of the resistor 11 is, for example, an alloy (NiCrAl alloy) containing Ni, Cr and Al when the resistance value of the resistor 11 is relatively small (for example, when the resistance value is 10 ⁇ or more and less than 47 ⁇ ).
  • the material of the resistor 11 is, for example, an alloy containing Ni, Cr, Al, and Si (NiCrAlSi alloy) when the resistance value of the resistor 11 is relatively large (for example, when the resistance value is 47 ⁇ or more and less than 20 k ⁇ ). It is.
  • the resistor 11 can be formed by, for example, a sputtering method.
  • the trimming of the resistor 11 is performed by irradiating the resistor 11 with a laser such as a YAG laser and removing a portion irradiated with the laser.
  • a laser such as a YAG laser
  • the trimming amount of the resistor 11 will be described later.
  • Electrode The electrode 13 includes a pair of upper surface electrodes 130, a pair of re-upper surface electrodes 131, a pair of end surface electrodes 132, a pair of back surface electrodes 133, a pair of first intermediate electrodes 134, a pair of second intermediate electrodes 135, and A pair of external electrodes 136 is included.
  • the upper surface electrode 130 is located on the resistor 11.
  • the upper surface electrode 130 of this embodiment is in direct contact with the resistor 11.
  • the resistor 1 also includes a pair of upper surface electrodes 130.
  • the pair of upper surface electrodes 130 are respectively formed at both ends of the resistor 11 in the left-right direction.
  • the shape of the upper surface electrode 130 in a plan view is a rectangular shape, but may be a circular shape, a triangular shape, or other shapes.
  • the material of the upper surface electrode 130 is, for example, a Cu-based alloy.
  • Examples of the Cu-based alloy include a CuNi alloy.
  • the upper surface electrode 130 can be formed by, for example, a sputtering method.
  • (Ii) Re-upper surface electrode As shown in FIG. 5B, the re-upper surface electrode 131 is located on the upper surface electrode 130.
  • the upper surface electrode 131 of the present embodiment is in direct contact with the upper surface electrode 130. For this reason, the upper surface electrode 131 is electrically connected to the upper surface electrode 130.
  • the pair of re-upper surface electrodes 131 are formed at both ends in the left-right direction of the resistor 11, similarly to the upper surface electrode 130.
  • the material of the resurface electrode 131 is, for example, a Cu-based alloy or Cr.
  • Examples of the Cu-based alloy include a CuNi alloy.
  • the re-upper surface electrode 131 can be formed by, for example, a sputtering method.
  • a CuNi alloy or Cr film is formed by sputtering for the resistor 11 and the upper surface electrode 130, and unnecessary portions of this film are removed by photolithography, etching, etc.
  • An upper surface electrode 131 can be formed.
  • the resistor 1 of this embodiment includes a pair of end face electrodes 132.
  • the pair of end surface electrodes 132 are respectively formed on both end surfaces in the left-right direction of the base material 10 (see FIG. 5B).
  • the end face electrode 132 of this embodiment is in direct contact with the upper surface electrode 130 and the re-upper surface electrode 131. For this reason, the end surface electrode 132 is electrically connected to the upper surface electrode 130 and the upper surface electrode 131.
  • the material of the end face electrode 132 is, for example, Cr or Cu alloy.
  • Examples of the Cu-based alloy include a CuNi alloy.
  • the end face electrode 132 can be formed by, for example, a sputtering method.
  • a pair of end face electrodes 132 can be formed.
  • the back electrode 133 is located on the lower surface of the substrate 10. In the present embodiment, the back electrode 133 is in direct contact with the lower surface of the substrate 10. Resistor 1 also includes a pair of backside electrodes 133. The back electrode 133 is electrically connected to the end electrode 132. For this reason, the back surface electrode 133 is electrically connected to the upper surface electrode 130 and the re-upper surface electrode 131 through the end surface electrode 132.
  • the material of the back electrode 133 is, for example, a Cu-based alloy.
  • the Cu-based alloy include a CuNi alloy.
  • the back electrode 133 can be formed by sputtering, for example. Specifically, a CuNi alloy film is formed on the entire lower surface of the substrate 10 by a sputtering method, and a central portion in the left-right direction of the film is removed by a photolithography method, an etching method, etc. 133 can be formed.
  • the material of the back electrode 133 may be made of an epoxy resin containing Ag.
  • the back electrode 133 can be formed by curing a coating film of an epoxy resin containing Ag.
  • the resistor 1 of the present embodiment includes a pair of first intermediate electrodes 134.
  • a pair of 1st intermediate electrodes 134 are formed in the both ends of the left-right direction of the base material 10 (refer FIG. 5B).
  • the first intermediate electrode 134 covers the upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, and the back surface electrode 133.
  • the first intermediate electrode 134 is in direct contact with the re-upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, and the back surface electrode 133.
  • the first intermediate electrode 134 is electrically connected to the upper surface electrode 130, the upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, and the back surface electrode 133.
  • the material of the first intermediate electrode 134 is, for example, Cu.
  • the first intermediate electrode 134 can be formed by, for example, Cu plating.
  • the resistor 1 of the present embodiment includes a pair of second intermediate electrodes 135.
  • the pair of second intermediate electrodes 135 are formed at both ends in the left-right direction of the base material 10 (see FIG. 5B).
  • the second intermediate electrode 135 covers the first intermediate electrode 134.
  • the second intermediate electrode 135 is in direct contact with the first intermediate electrode 134.
  • the second intermediate electrode 135 is electrically connected to the upper surface electrode 130, the re-upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, and the back surface electrode 133 via the first intermediate electrode 134.
  • the material of the second intermediate electrode 135 is, for example, Ni.
  • the second intermediate electrode 135 can be formed by, for example, Ni plating.
  • the resistor 1 of the present embodiment includes a pair of external electrodes 136.
  • the pair of external electrodes 136 are formed at both ends in the left-right direction of the base material 10 (see FIGS. 5A and 5B).
  • the external electrode 136 covers the second intermediate electrode 135.
  • the external electrode 136 is in direct contact with the second intermediate electrode 135. Therefore, the external electrode 136 is electrically connected to the upper surface electrode 130, the re-upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, and the back surface electrode 133 via the first intermediate electrode 134 and the second intermediate electrode 135.
  • the material of the external electrode 136 is, for example, Sn.
  • the external electrode 136 can be formed by, for example, Sn plating.
  • the resistor 11 can be protected by the protective film 12, and the oxidation of the resistor 11 can be suppressed.
  • a part of the upper surface electrode 131, the first intermediate electrode 134, the second intermediate electrode 135, and the external electrode 136 are overlaid on the protective film 12.
  • the protective film 12 of this embodiment is formed after the upper surface electrode 130 is formed, and the upper surface electrode 131 is formed after the protective film 12 is formed.
  • the protective film 12 of this embodiment is a cured product of the resin composition.
  • the resin composition for producing the protective film 12 includes a resin component, a solvent, an extender pigment, a low noise component, and the like.
  • the resin component may contain a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.
  • the protective film 12 can be formed by heating and curing the coating film of the resin composition.
  • the resin component contains an ultraviolet curable resin
  • the protective film 12 can be formed by irradiating the coating film of the resin composition with ultraviolet rays and curing it.
  • the resin component include epoxy resin, phenol resin, bismaleimide resin, triazine resin and the like.
  • the resin component can contain one or more of these resins.
  • the resin component can contain, for example, an epoxy resin and a phenol resin.
  • the resin component can also contain, for example, an epoxy resin, a bismaleimide resin, and a triazine resin.
  • the ratio of the resin component to the total amount of the resin composition is preferably 30% by weight or more and 50% by weight or more, and more preferably 35% by weight or more and 45% by weight or less.
  • solvents examples include methanol, ethanol, isopropyl alcohol, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, butyl acetate, cyclohexanone, xylene, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether 1- (2-methoxy-2-methylethoxy) -2-propanol, propylene glycol monomethyl ether acetate and the like.
  • the ratio of the solvent with respect to the total amount of the resin composition is preferably 15% by weight to 35% by weight, and more preferably 20% by weight to 30% by weight.
  • extender pigments examples include silicon dioxide, calcium carbonate, barium sulfate and the like.
  • the extender pigment can contain one or more of these components.
  • the ratio of the extender pigment to the total amount of the resin composition is preferably 10% by weight or more and 25% or less.
  • the low noise component When the low noise component is included in the resin composition, that is, the low noise component of the protective film 12 is included, noise due to the resistor 1 is less likely to occur. This is presumed to be because electrical noise caused by the resistor 1 is reduced by including a low noise component in the protective film 12.
  • the low noise component includes one or more of Ni, Co, Zn, and Ti.
  • the resin composition includes one or more of Ni, Co, Zn, and Ti
  • the protective film 12 formed from the resin composition also includes one or more of Ni, Co, Zn, and Ti.
  • the protective film 12 preferably includes all of Ni, Co, Zn, and Ti. In this case, noise caused by the resistor 1 is particularly difficult to occur. For this reason, it is preferable that the low noise component includes all of Ni, Co, Zn, and Ti.
  • the low noise component may include one or more of metal Ni, metal Co, metal Zn, and metal Ti, and includes an oxide of one or more components of Ni, Co, Zn, and Ti. Both of these may be included.
  • the low noise component may include one or more of Ni oxide, Co oxide, and Zn oxide, and a composite oxide of two or more components of Ni, Co, Zn, and Ti. It may be.
  • the low noise component preferably includes a complex oxide containing all of Ni, Co, Zn, and Ti. In this case, noise caused by the resistor 1 is particularly difficult to occur.
  • the ratio of the low noise component to the resin composition is preferably 15% by weight or more. That is, the total ratio of Ni, Co, Zn, and Ti to the resin composition is preferably 15% by weight or more. In this case, noise caused by the resistor 1 is less likely to occur.
  • the ratio of the low noise component to the resin composition is preferably 27% by weight or less. In this case, the resin composition is easily applied and the protective film 12 is easy to produce.
  • the low noise component contains one or more oxides of Ni, Co, Zn, and Ti
  • the ratio of the low noise component to the resin composition is Ni element, Co element, Zn element in the resin composition. And calculated in terms of the total content of Ti element. Moreover, when metal Ni, metal Co, etc.
  • the ratio of metal Ni with respect to a resin composition is 2.5 to 4.5 weight%.
  • the ratio of metal Co to the resin composition is preferably 0.5% by weight or more and 2.5% by weight or less. In this case, noise caused by the resistor 1 is less likely to occur.
  • the resin composition may contain components other than the resin component, the solvent, the extender pigment, and the low noise component.
  • the resin composition may contain additives and inevitable impurities.
  • the protective film 12 of the present embodiment is formed by, for example, forming the film by applying and curing the above resin composition on the entire upper surface of the resistor 11 and the upper electrode 130, and then removing unnecessary portions of the film by a photolithography method. By removing by an etching method or the like, the protective film 12 can be formed. In this case, the protective film 12 is in direct contact with the resistor 11. When the resistor 11 and the protective film 12 are in direct contact, noise due to the resistor 1 is particularly difficult to occur.
  • the thickness of the protective film 12 formed from the above resin composition is preferably 650 ⁇ m or more, and more preferably 680 ⁇ m or more. Further, the thickness of the protective film 12 is preferably 800 ⁇ m or less, and more preferably 750 ⁇ m or less. In this case, it is possible to effectively prevent noise caused by the resistor 1.
  • the resistance value of the resistor 11 can be adjusted by removing a part of the resistor 11 (trimming).
  • the trimming of the resistor 11 can be performed, for example, by irradiating the resistor 11 with a laser such as a YAG laser and removing the irradiated portion.
  • trimming of the resistor 11 is preferably performed along a direction perpendicular to the direction in which the pair of electrodes 13 (upper surface electrodes 130) are arranged.
  • the trimming of the resistor 11 may be performed only at one place or a plurality of places. As shown in FIG. 5B, the resistor 11 of this embodiment is trimmed at a plurality of locations. As shown in FIG. 5B, the resistor 11 according to the present embodiment is trimmed so as not to reach the rear end from the front end toward the rear end, and is trimmed so as not to reach the front end from the rear end toward the front end. ing.
  • the trimming shape as shown in FIG. 5B is also called a serpentine cut.
  • the trimming rate of the resistor 11 is equal to or less than half. In this case, it is possible to increase the proportion of the portion where the power density is high when a voltage is applied to the resistor 11.
  • the resistor 11 has a power density of 1 ⁇ with respect to the area of the portion located between the pair of electrodes 13 of the resistor 11 in plan view. It is preferable that the ratio of the area of 10 6 pW / ⁇ m 2 or more is 30% or more.
  • the resistor 1 when the resistor 1 is mounted on an analog circuit included in the acoustic device, the sound quality of sound emitted from an output device such as an earphone or a speaker connected to the acoustic device is improved. This is presumed to be because thermal noise caused by the resistor 1 is reduced by setting the trimming rate of the resistor 11 to 1 ⁇ 2 or less.
  • the trimming rate of the resistor 11 in this embodiment is perpendicular to the direction in which the pair of electrodes 13 in the trimmed portion are aligned with respect to the length in the direction orthogonal to the direction in which the pair of electrodes 13 of the resistor 11 are aligned. Indicates the ratio of the length in the direction. For example, when the trimming shape is a serpentine cut as shown in FIG.
  • the trimming rate of the resistor 11 means the ratio of the length Y to the length X shown in FIG. 5B.
  • the trimming rate can be defined based on the location where the trimming is performed the longest.
  • the resistor 1 of this embodiment is mounted in the analog circuit of an audio equipment.
  • the resistor 1 is mounted on an analog circuit of a digital-to-analog converter (DAC) included in an audio device, for example.
  • Examples of the analog circuit include a feedback circuit, a current control circuit, and an amplifier circuit.
  • the resistor 1 of this embodiment when the resistor 1 of this embodiment is mounted on a DAC analog circuit, the resistor 1 can be mounted on an output end portion of a circuit that converts a digital signal input to the DAC into an analog signal and outputs the analog signal.
  • the trimming shape of the resistor 11 is a serpentine cut as shown in FIG. 5B, but is not limited thereto.
  • the trimming shape of the resistor 11 may be a straight cut as shown in FIG. 6A, a double cut as shown in FIG. 6B, an L cut as shown in FIG. 6C, or as shown in FIG. 6D. U cut may be used.
  • the resistor 11 and the protective film 12 are in direct contact, but the present invention is not limited to this.
  • the resistor 11 and the protective film 12 are not in direct contact with each other, but the resistor 11 and the protective film 12 are indirectly touched via the intermediate layer 14 as in the resistor 1 of the first modification shown in FIG. It may be. That is, the intermediate layer 14 may be interposed between the resistor 11 and the protective film 12.
  • the intermediate layer 14 is, for example, an inorganic protective film made of a metal oxide alloy. The intermediate layer 14 can suppress oxidation of the resistor 11.
  • the upper surface electrode 131 is included in the electrode 13, but the resistor 1 may not include the upper surface electrode 131. That is, the upper surface electrode 130 and the first intermediate electrode 134 may be in direct contact.
  • the base material 10 has a rectangular shape in plan view, and the resistor 1 is a chip resistor, but is not limited thereto.
  • the base material 10 may be cylindrical. That is, the resistor 1 may be cylindrical.
  • the resistor 1 includes a base material 10, a resistor 11, and a protective film 12.
  • the resistor 1 does not include the upper surface electrode 130, the upper surface electrode 131, the end surface electrode 132, the back surface electrode 133, the first intermediate electrode 134, the second intermediate electrode 135, and the external electrode 136, and is electrically connected to the resistor 11.
  • a pair of electrodes may be provided.
  • Example 1 A resistor of Example 1 having the same structure as the resistor 1 shown in FIGS. 5A and 5B and having a resistance value of 22 ⁇ was manufactured.
  • the resin composition used when forming the protective film of the resistor of Example 1 contains all of Ni, Co, Zn, and Ti as low noise components. For this reason, the protective film of the resistor of Example 1 contains all of Ni, Co, Zn, and Ti.
  • Comparative Example 1 A resistor of Comparative Example 1 having the same structure as the resistor 1 shown in FIGS. 5A and 5B and having a resistance value of 22 ⁇ was manufactured.
  • the resin composition used when forming the protective film of the resistor of Comparative Example 1 does not contain Ni, Co, Zn, and Ti, but contains carbon black. For this reason, the protective film of the resistor of Comparative Example 1 does not contain Ni, Co, Zn, and Ti, but contains carbon black.
  • the oscillator 23 is electrically connected to the output unit 21 and can transmit a sine wave from the output unit 21. For this reason, the sine wave transmitted from the output unit 21 flows through the resistor 1 and is received by the input unit 22.
  • the detection unit 24 is electrically connected to the input unit 22 and can detect a sine wave received by the input unit 22.
  • the determination unit 25 is electrically connected to the oscillator 23 and the detection unit 24. The determination unit 25 can measure the noise caused by the resistor 1 by comparing the sine wave transmitted from the oscillator 23 with the sine wave detected by the detection unit 24.
  • the noise caused by the resistor 1 is higher in Example 1 in which the protective film contains all of Ni, Co, Zn, and Ti than in Comparative Example 1 in which the protective film 12 contains carbon black. There is a tendency that does not occur easily.
  • the noise caused by the resistor 1 is smaller in the first embodiment than in the first comparative example.
  • the noise caused by the resistor 1 is higher in Example 1 in which all of Ni, Co, Zn, and Ti are included in the protective film than in Comparative Example 1 in which carbon black is included in the protective film. There is a tendency that does not occur easily.
  • the voltage applied to the resistor 1 is 0.05 V or more, the noise caused by the resistor is smaller in the first embodiment than in the first comparative example.
  • FIGS. 9A to 9E show simulation results of the power density distribution of the resistor 1 according to the second to sixth embodiments.
  • the size of the resistor 11 in plan view was 1.0 mm ⁇ 0.5 mm.
  • the voltage applied between the pair of electrodes 13 was 1V.
  • the portion where the power density is 1 ⁇ 10 6 pW / um 2 or more has high contrast.
  • the resistor 1 of Examples 2 to 4 is larger than the resistor 1 of Examples 5 and 6. This is because the trimming rate of the resistor 1 of Examples 2 to 4 is 50% or less, and the trimming rate of the resistor 1 of Examples 5 and 6 is larger than 50%.
  • the resistor (1) according to the fifth aspect further includes an electrode (13) electrically connected to the resistor (11) in the fourth aspect.
  • the base intermediate layer (110) is in direct contact with the electrode (13).
  • the heat released to the base intermediate layer (110) can be released to the electrode (13).
  • the electrode (13) and the circuit are connected by solder, so that the heat released from the base intermediate layer (110) to the electrode (13) is soldered. Can be released.
  • the thickness of the base intermediate layer (110) is 3 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the base intermediate layer (110) is a sputtered layer.

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Abstract

本開示の目的は、抵抗器を提供することにある。本開示に係る抵抗器（１）は、基材（１０）と、抵抗体（１１）と、保護膜（１２）と、をこの順に積層して備える。

Description

抵抗器
　本開示は、一般には抵抗器に関し、詳細には、電子機器に使用される抵抗器に関する。
　従来、電子機器には抵抗器が実装されることがある。特許文献１及び特許文献２には、この抵抗器の一例が開示されている。特許文献１に開示されたチップ抵抗器は、アルミナ基板と、アルミナ基板の表面全体を覆う平坦化層と、平坦化層の表面上に設けられた抵抗体と、抵抗体の両端部に接続する一対の表電極と、抵抗体を被覆する絶縁性の保護層と、を備える。特許文献２に開示されている薄膜チップ抵抗器は、絶縁性の基板と、基板上に形成された薄膜抵抗体と、薄膜抵抗体と接続された一対の電極と、少なくとも、一対の電極間における薄膜抵抗体を覆う保護膜と、を備える。
特開２０１７－１６８７４９号公報 特開２０１７－１３５２３４号公報
　本開示の目的は、電子機器に使用される抵抗器を提供することにある。
　本開示の一態様に係る抵抗器は、基材と、抵抗体と、保護膜と、をこの順に積層して備える。
図１Ａは、本開示の第一実施形態の第一例に係る抵抗器の概略の平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示す抵抗器のＺ－Ｚ線の断面図である。 図２Ａは、抵抗体で発生した熱が放出される様子を示す概略の断面図である。図２Ｂは、ベース中間層の厚みに対する抵抗体の温度下降率を示すグラフである。 図３Ａは、本開示の第一実施形態の第二例に係る抵抗器の概略の断面図である。図３Ｂは、抵抗体で発生した熱が放出される様子を示す概略の断面図である。 図４Ａは、本開示の第一実施形態の第三例に係る抵抗器の概略の断面図である。図４Ｂは、抵抗体で発生した熱が放出される様子を示す概略の断面図である。 図５Ａは、本開示の第二実施形態に係る抵抗器の概略の平面図である。図５Ｂは、図５Ａに示す抵抗器のＺ－Ｚ線の断面図である。 図６Ａは、トリミングの形状が直線カットである場合の抵抗体を示す概略の平面図である。図６Ｂは、トリミングの形状がダブルカットである場合の抵抗体を示す概略の平面図である。図６Ｃは、トリミングの形状がＬカットである場合の抵抗体を示す概略の平面図である。図６Ｄは、トリミングの形状がＵカットである場合の抵抗体を示す概略の平面図である。 図７は、本開示の第二実施形態の変形例１の抵抗器を示す概略の断面図である。 図８Ａは、抵抗器に起因するノイズを測定するための回路図である。図８Ｂ及び図８Ｃは、抵抗器に印加された電圧に対するノイズを示すグラフである。 図９Ａから図９Ｅは、抵抗体の電力密度の分布をシミュレーションした結果を示す。
　１．本開示の抵抗器の概要
　本開示の第一実施形態に係る抵抗器１は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、基材１０と、抵抗体１１と、保護膜１２と、をこの順に積層して備える。
　また本開示の第二実施形態に係る抵抗器１も、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、基材１０と、抵抗体１１と、保護膜１２と、をこの順に積層して備える。
　まずは、第一実施形態に係る抵抗器１及び第二実施形態に係る抵抗器１の共通の構成である基材１０、抵抗体１１、及び保護膜１２について説明する。なお、下記の第一実施形態及び第二実施形態は、抵抗器１の構成の例であり、抵抗器１の構成は、第一実施形態及び第二実施形態に限定されない。例えば第一実施形態の抵抗器１の構成と、第二実施形態に係る抵抗器１の構成とを、適宜組み合わせても良い。
　また以下の説明では、図面に示すように、抵抗器１の厚み方向を上下方向、抵抗器１の長手方向を左右方向、抵抗器１の短手方向を前後方向と規定するが、これらの方向は抵抗器１の使用方向を規定する趣旨ではない。また、図面中の「前」、「後」、「左」、「右」、「上」、「下」を示す矢印は説明のために表記しているに過ぎず、実体を伴わない。
　（基材について）
　基材１０は板状であり、基材１０の平面視の形状（抵抗器１を上方から見た際の形状）は左右方向に長い矩形状である。このため、抵抗器１は、所謂、チップ型抵抗器である。なお、本明細書において平面視とは、基材１０と抵抗体１１とが重なる方向から見ることを意味する。
　基材１０の平面視の寸法は、抵抗器１を実装する対象に応じて適宜設定されるため、特に限定されない。基材１０の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
　基材１０の材質は、例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）である。すなわち、基材１０は、例えばアルミナ基材である。基材１０の材質には、Ａｌ２Ｏ３以外の成分が含まれていていもよい。
　（抵抗体について）
　抵抗体１１は、基材１０上にある。抵抗体１１は、基材１０の上面全体に形成されている。抵抗体１１の材質については以下で詳細に説明するが、金属製である。抵抗体１１は、例えばスパッタリング法により形成することができる。
　（保護膜について）
　保護膜１２は、抵抗体１１上にある。保護膜１２は、抵抗体１１を覆っている。保護膜１２によって抵抗体１１を保護することができる。保護膜１２の材質については以下で詳細に説明するが、樹脂組成物の硬化物である。保護膜１２の平面視の形状は、左右方向に長い矩形状であるが、抵抗体１１の形状に合わせて任意の形状を採用することができる。
　２．第一実施形態について
　２－１．第一実施形態の概要
　上記特許文献１に記載のチップ抵抗器では、電圧が印加された際に抵抗体で発生する熱を、十分に放出することができなかった。第一実施形態の抵抗器１の利点は、抵抗体で発生する熱を放出しやすいことである。
　第一実施形態に係る抵抗器１は、上述の通り、基材１０と、抵抗体１１と、保護膜１２と、をこの順に積層して備える。抵抗器１は、ベース中間層１１０及びカバー中間層１１１のうち少なくとも一方を更に備える。ベース中間層１１０は、基材１０と抵抗体１１との間に介在し、抵抗体１１と直接触れ、かつ、窒化アルミニウム層である。カバー中間層１１１は、抵抗体１１と保護膜１２との間に介在し、抵抗体１１と直接触れる、かつ、窒化アルミニウム層である。
　第一実施形態に係る抵抗器１では、ベース中間層１１０及びカバー中間層１１１のうち少なくとも一方が抵抗体１１と直接触れ、かつ、ベース中間層１１０及びカバー中間層１１１は窒化アルミニウム層である。窒化アルミニウムは優れた熱伝導性を有するため、抵抗体１１で発生する熱を窒化アルミニウム層に放出しやすい。このため抵抗器１では、抵抗体１１で発生する熱を放出しやすい。
　２－２．第一実施形態の詳細
　２－２－１．第一例
　以下、第一実施形態の第一例に係る抵抗器１の詳細を説明する。図１Ａ及び図１Ｂに示す抵抗器１には、基材１０、抵抗体１１、及び保護膜１２を備える。抵抗器１では、基材１０、抵抗体１１、保護膜１２の順で積層されている。第一例の抵抗器１は、ベース中間層１１０を備える。抵抗器１は、中間層１２０及び電極１３を更に備える。以下、第一例の抵抗器１の各構成を更に詳しく説明する。
　（１）基材
　第一例の抵抗器１では、基材１０がアルミナ製であることが好ましい。アルミナ基材である基材１０と抵抗体１１とが直接接していると、抵抗体１１で発生した熱はアルミナ基材に放出されにくい。しかし抵抗体１１の下面と後述のベース中間層１１０とが直接触れていることにより、抵抗体１１で発生した熱をベース中間層１１０に放出することができる。
　（２）抵抗体
　第一例の抵抗器１では、抵抗体１１が、基材１０の上面全体に形成されている。この場合、抵抗体１１で発生した熱を、抵抗体１１の下面からベース中間層１１０に放出することができる。第一中間層１１０については後述する。
　第一例の抵抗体１１の材質は、例えば、Ｎｉ及びＣｒを含む合金（ＮｉＣｒ系合金）である。抵抗体１１は、例えば、基材１０に対してスパッタリング等を行うことで形成することができる。
　（３）電極
　第一例の抵抗体１１は、電極１３を含む。電極１３は抵抗体１１と電気的に接続されている。抵抗体１１と電極１３とが直接触れることにより、抵抗体１１と電極１３とが電気的に接続されている。第一例の電極１３には、上面電極１３０、再上面電極１３１、端面電極１３２、裏面電極１３３、中間電極１３４、及び外部電極１３６が含まれる。
　図１Ｂに示すように、上面電極１３０は抵抗体１１上に位置している。上面電極１３０は、抵抗体１１と直接触れている。また抵抗器１には、一対の上面電極１３０が含まれる。一対の上面電極１３０は、抵抗体１１の左右方向の両端部にそれぞれ形成されている。第一例の上面電極１３０の平面視の形状は、矩形状であるが、円形状であってもよく、三角形状であってもよく、その他の形状であってもよい。
　上面電極１３０の材質は、例えば、Ｎｉ系合金である。このＮｉ系合金の例には、ＮｉＣｕ合金が含まれる。上面電極１３０は、例えばスパッタリング法により形成することができる。具体的には、抵抗体１１の上面全体を対象にスパッタリング法によってＣｕＮｉ合金の膜を形成した後、この膜の不要部分をフォトリソグラフィ法、エッチング法等の方法で取り除くことにより、一対の上面電極１３０を形成することができる。
　再上面電極１３１は、上面電極１３０上に位置している。第一例の再上面電極１３１は、上面電極１３０と直接触れている。このため、再上面電極１３１は上面電極１３０と電気的に接続されている。一対の再上面電極１３１は、上面電極１３０と同様に、抵抗体１１の左右方向の両端部にそれぞれ形成されている。
　再上面電極１３１の材質は、例えば、Ｎｉ系合金である。このＮｉ系合金の例には、ＮｉＣｕ合金が含まれる。再上面電極１３１は、例えば、スパッタリング法により形成することができる。具体的には、抵抗体１１及び上面電極１３０を対象に、スパッタリング法でＮｉＣｕ合金の膜を形成し、この膜の不要部分をフォトリソグラフィ法、エッチング法等で取り除くことにより、一対の再上面電極１３１を形成することができる。
　一対の端面電極１３２は、基材１０の左右方向の両端面にそれぞれ形成されている。第一例の端面電極１３２は、上面電極１３０及び再上面電極１３１と直接触れている。このため、端面電極１３２は、上面電極１３０及び再上面電極１３１と電気的に接続されている。
　端面電極１３２は、例えば、エポキシ樹脂及びＣｕ系合金から形成される。このＣｕ系合金の例には、ＣｕＮｉ合金が含まれる。具体的には、一対の上面電極１３０及び一対の再上面電極１３１が形成された基材１０の左右方向の両端面に、エポキシ樹脂及びＣｕ系合金からなる膜を形成した後、硬化させることによって、一対の端面電極１３２を形成することができる。
　裏面電極１３３は、基材１０の下面上に位置している。第一例では、裏面電極１３３は、基材１０の下面と直接触れている。また抵抗器１には、一対の裏面電極１３３が含まれる。裏面電極１３３は端面電極１３２と電気的に接続されている。このため、裏面電極１３３は、端面電極１３２を介して、上面電極１３０及び再上面電極１３１と電気的に接続されている。
　裏面電極１３３の材質は、例えば、Ｃｕ系合金である。このＣｕ系合金の例には、ＣｕＮｉ合金が含まれる。裏面電極１３３は、例えばスパッタリング法により形成することができる。具体的には、基材１０の下面全体を対象にスパッタリング法でＣｕＮｉ合金の膜を形成し、この膜の左右方向の中央部分をフォトリソグラフィ法、エッチング法等で取り除くことにより、一対の裏面電極１３３を形成することができる。
　一対の中間電極１３４は、基材１０の左右方向の両端部に形成されている。中間電極１３４は、再上面電極１３１、端面電極１３２、及び裏面電極１３３を覆っている。本実施形態では、中間電極１３４は、再上面電極１３１、端面電極１３２、及び裏面電極１３３と直接触れている。このため、中間電極１３４は、上面電極１３０、再上面電極１３１、端面電極１３２、及び裏面電極１３３と電気的に接続されている。中間電極１３４の材質は、例えばＮｉである。中間電極１３４は、例えば、Ｎｉめっきによって形成され得る。
　一対の外部電極１３６は、基材１０の左右方向の両端部に形成されている。外部電極１３６は、中間電極１３４を覆っている。本実施形態では、外部電極１３６は、中間電極１３４と直接触れている。このため外部電極１３６は、中間電極１３４を介して、上面電極１３０、再上面電極１３１、端面電極１３２、及び裏面電極１３３と電気的に接続されている。外部電極１３６の材質は、例えばＳｎである。外部電極１３６は、例えば、Ｓｎめっきによって形成され得る。
　（４）保護膜
　第一例の保護膜１２は、上述の通り、樹脂組成物の硬化物である。保護膜１２を形成するための樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含んでいてもよく、紫外線硬化性樹脂を含んでいてもよい。このため保護膜１２は、樹脂組成物の塗膜を加熱硬化させる、或いは、樹脂組成物の塗膜に紫外線を照射して硬化させることによって、形成することができる。第一例では、保護膜１２の平面視の形状が、左右方向に長い矩形状であるが、抵抗体１１の形状に合わせて任意の形状を採用することができる。
　（５）中間層
　第一例の中間層１２０は、抵抗体１１と保護膜１２との間に介在している。第一例の中間層１２０は、抵抗体１１の上面と直接触れ、かつ、保護膜１２の下面と直接触れている。
　第一例の中間層１２０は、金属酸化物製又は金属窒化物製であることが好ましい。この場合、抵抗体１１が腐食しにくくなる。抵抗器１が中間層１２０を備えることにより、抵抗体１１が腐食されやすい環境に晒される車載用途等に、抵抗器１を適用することができる。
　（６）ベース中間層
　ベース中間層１１０は、上述の通り、基材１０と抵抗体１１との間に介在し、抵抗体１１の下面と直接触れている。ベース中間層１１０は窒化アルミニウム層である。窒化アルミニウムは優れた熱伝導性を有することから、図２Ａに示すように、抵抗体１１で発生した熱を、抵抗体１１の下面と直接触れているベース中間層１１０に放出することができる。したがって、第一例の抵抗器１は、抵抗体１１で発生した熱を放出しやすい。ベース中間層１１０を構成する窒化アルミニウムはＡｌＸＮＹの式で示される。この式中のＸ及びＹは正数である。
　第一例では、ベース中間層１１０の１／２以上が、単結晶の窒化アルミニウムで構成されていることが好ましい。この場合、ベース中間層１１０を容易に薄膜化することができる。ベース中間層１１０は、４／５以上が単結晶の窒化アルミニウムで構成されていることがより好ましく、９／１０以上が単結晶の窒化アルミニウムで構成されていることが特に好ましい。なお、ベース中間層１１０を構成する単結晶の窒化アルミニウムの割合は、Ｘ線回折法（ＸＲＤ：X‐ray diffraction）、Ｘ線ロッキングカーブ法（ＸＲＣ：X-ray Rocking Curve)等によって測定することができる。
　第一例では、ベース中間層１１０の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。この場合、ベース中間層１１０を薄膜化しながら、抵抗体１１で発生した熱をベース中間層１１０に放出しやすくすることができる。さらに、ベース中間層１１０の厚みは、５μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、抵抗体１１で発生した熱をベース中間層１１０により放出しやすい。図２Ｂは、図１Ａ及び図１Ｂに示す抵抗器１に電流を流した場合に、抵抗体１１で発生した熱がベース中間層１１０に放出されることによる、抵抗体１１の温度下降率を、シミュレーションによって算出した結果を示している。抵抗体１１の温度下降率は、ベース中間層１１０を備えないこと以外は抵抗器１と同様の構成を備える抵抗器に電流を流した場合の、抵抗体の平面視での中心部の温度を基準とした。図２Ｂにおいて、横軸はベース中間層１１０の厚みを示し、縦軸は温度下降率を示している。図２Ｂによれば、ベース中間層１１０の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下である場合には、ベース中間層１１０の厚みが３μｍ未満である場合よりも、温度下降率が大きい。すなわち、ベース中間層１１０の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下である場合、抵抗体１１で発生した熱がベース中間層１１０に放出されやすい。
　第一例では、ベース中間層１１０がスパッタ層であることが好ましい。すなわち、ベース中間層１１０が、スパッタリング法によって作製されることが好ましい。この場合、ベース中間層１１０を単結晶の窒化アルミニウムで構成しやすい。例えばベース中間層１１０は、基材１０上にＴｉ及びＭｏで構成された電極膜を形成した後、この電極膜上に窒化アルミニウムからなる圧電膜を形成することによって、作製することができる。
　第一例では、ベース中間層１１０が電極１３と直接触れていることが好ましい。この場合、抵抗体１１からベース中間層１１０に放出された熱が、ベース中間層１１０から電極１３に放出されやすい（図２Ａ参照）。第一例では、図１Ｂに示すように、ベース中間層１１０が基材１０の全面に形成されることで、基材１０の左右方向の両端部に形成された一対の端面電極１３２とベース中間層１１０とが直接触れている。このため、ベース中間層１１０から端面電極１３２に熱を放出することができる。また抵抗器１が電子機器の回路に実装される場合、電極１３と回路とがはんだで接続されることから、ベース中間層１１０から電極１３に放出された熱を、はんだに放出することができる。
　２－２－２．第二例
　本実施形態の第二例に係る抵抗器１を図３Ａに示す。第二例の抵抗器１における、第一例の抵抗器１と同じ構成については、同じ記号を付することによって、説明を省略することがある。
　第二例の抵抗器１は、抵抗体１１と保護膜１２との間に介在し、窒化アルミニウム層からなるカバー中間層１１１を備えるが、抵抗体１１と保護膜１２との間に介在するベース中間層１１０を備えていない。
　具体的には、第二例の抵抗器１では、抵抗体１１の上面とカバー中間層１１１とが直接触れ、抵抗体１１の下面と基材１０とが直接触れている。窒化アルミニウムは優れた熱伝導性を有することから、抵抗体１１で発生した熱を、抵抗体１１の上面と直接触れているカバー中間層１１１に放出することができる（図３Ｂ参照）。
　また第一例の抵抗器１では、抵抗体１１と保護膜１２との間に中間層１２０が介在しているが、第二例の抵抗器１は、中間層１２０に代わって、カバー中間層１１１を備えている。このため、カバー中間層１１１によって、抵抗体１１を保護することができ、抵抗体１１を腐食しにくくすることができる。抵抗器１がカバー中間層１１１を備えることにより、抵抗体１１が腐食されやすい環境に晒される車載用途等に、抵抗器１を適用することができる。
　カバー中間層１１１は、第一例のベース中間層１１０と同様の構成を有することができる。このため、カバー中間層１１１は、１／２以上が単結晶の窒化アルミニウムで構成されていることが好ましい。またカバー中間層１１１は、４／５以上が単結晶の窒化アルミニウムで構成されていることがより好ましく、９／１０以上が単結晶の窒化アルミニウムで構成されていることが特に好ましい。この場合、カバー中間層１１１を容易に薄膜化することができる。
　またカバー中間層１１１の厚みは、ベース中間層１１０と同様に、３μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、抵抗体１１で発生した熱をカバー中間層１１１に放出しやすく、かつ、カバー中間層１１１を薄膜化することができる。
　またカバー中間層１１１は、第一中間層１１０と同様に、スパッタ層であることが好ましい。すなわち、カバー中間層１１１が、スパッタリング法によって作製されることが好ましい。この場合、カバー中間層１１１を単結晶の窒化アルミニウムで構成しやすい。
　第二例では、カバー中間層１１１が電極１３と直接触れていることが好ましい。この場合、抵抗体１１からカバー中間層１１１に放出された熱を、カバー中間層１１１から電極１３に放出することができる（図３Ｂ参照）。第二例では、カバー中間層１１１が左側の上面電極１３０上から右側の上面電極１３０上まで連続的に設けられていることにより、上面電極１３０とカバー中間層１１１とが直接触れている（図３Ａ参照）。このため、カバー中間層１１１から上面電極１３０に熱を放出することができる。また抵抗器１が電子機器の回路に実装される場合、電極１３と回路とがはんだで接続されることから、カバー中間層１１１から電極１３に放出された熱を、はんだに放出することができる。
　２－２－３．第三例
　第三例の抵抗器１を図４Ａに示す。第三例の抵抗器１における、第一例に係る抵抗器１と同じ構成については、同じ記号を付することによって、説明を省略することがある。
　第三例の抗器１では、基板１０と抵抗体１１との間にベース中間層１１０が介在し、かつ、抵抗体１１と保護膜１２との間にカバー中間層１１１が介在している。
　具体的には、抵抗体１１の下面とベース中間層１１０とが直接触れ、かつ、抵抗体１１の上面とカバー中間層１１１とが直接触れている。すなわち抵抗体１１は、ベース中間層１１０とカバー中間層１１１の間に介在している。窒化アルミニウムは優れた熱伝導性を有することから、抵抗体１１で発生した熱をベース中間層１１０及びカバー中間層１１１に放出することができる（図４Ｂ参照）。
　また第三例では、ベース中間層１１０及びカバー中間層１１１は、電極１３と直接触れている。このため、抵抗体１１で発生してベース中間層１１０に放出された熱、及び抵抗体１１で発生してカバー中間層１１１に放出された熱を、電極１３に放出することができる（図４Ｂ参照）。抵抗器１が電子機器の回路に実装される場合、電極１３と回路とがはんだで接続されることから、ベース中間層１１０から電極１３に放出された熱、及びカバー中間層１１１から電極１３に放出された熱を、はんだに放出することができる。
　第三例のベース中間層１１０及びカバー中間層１１１は、第一例の抵抗器１が備えるベース中間層１１０、及び第二例の抵抗器１が備えるカバー中間層１１１と同様の構成を有することができる。
　２－３．第一実施形態の変形例
　第一実施形態の抵抗器１の構成は、第一例、第二例、及び第三例の構成に限られない。
　第一例及び第三例の抵抗器１では、基材１０とベース中間層１１０とが直接触れているが、これに限定されない。例えば、基材１０とベース中間層１１０との間に他の層が介在していてもよい。この他の層は樹脂製であってもよく、金属製であってもよい。
　第二例及び第三例の抵抗器１では、カバー中間層１１１と保護膜１２とが直接触れているが、これに限定されない。例えば、カバー中間層１１１と保護膜１２との間に他の層が介在していてもよい。この他の層は、樹脂製であってもよく、金属製であってもよい。
　第一例、第二例、及び第三例の抵抗器１では、基材１０がアルミナ製であるが、これに限定されない。例えば、基材１０が、樹脂製であってもよく、ガラス製であってもよく、セラミック製であってもよく、シリコン製であってもよく、窒化アルミニウム製であってもよい。
　第一例及び第三例の抵抗器１では、ベース中間層１１０が、スパッタリング法によって形成されたスパッタ層であるが、これに限定されない。例えば、ベース中間層１１０がスパッタ層以外の層であってもよい。すなわち、ベース中間層１１０がスパッタリング法以外の方法によって作製されてもよい。例えば窒化アルミニウム製の薄膜を基材１０の上面に貼り付けることによってベース中間層１１０を形成してもよい。
　第二例及び第三例の抵抗器１では、カバー中間層１１１が、スパッタリング法によって形成されたスパッタ層であるが、これに限定されない。例えば、カバー中間層１１１がスパッタ層以外の層であってもよい。すなわち、カバー中間層１１１がスパッタリング法以外の方法によって作製されてもよい。例えば窒化アルミニウム製の薄膜を抵抗体１１の上面に貼り付けることによってカバー中間層１１１を形成してもよい。
　３．第二実施形態について
　３－１．第二実施形態の概要
　音響機器のアナログ回路に特許文献２に記載の抵抗器が実装された場合に、この抵抗器にアナログ信号が流れることにより、抵抗器に起因するノイズが発生することがあった。このノイズによって、音響機器と接続されたスピーカ、イヤホン等の出力機器から発せられる音の音質が低下することがある。第二実施形態の抵抗器１の利点は、ノイズが生じにくいことである。
　第二実施形態に係る抵抗器１は、図５Ｂに示すように、基材１０と、基材１０上に位置する抵抗体１１と、抵抗体１１上に位置する保護膜１２とを備える。保護膜１２には、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち少なくとも一種が含まれる。
　第二実施形態に係る抵抗器１では、保護膜１２にＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち一種以上が含まれることにより、抵抗器１にアナログ信号が流れても、抵抗器１に起因するノイズが生じにくい。このため、音響機器が備えるアナログ回路に抵抗器１が実装をされることにより、この音響機器と接続されたスピーカ、イヤホン等の出力機器から発せられる音の音質が良くなる。
　３－２．第二実施形態の詳細
　以下、第二実施形態に係る抵抗器１の詳細を説明する。図５Ａ及び図５Ｂに示す抵抗器１には、基材１０、抵抗体１１、及び保護膜１２が含まれ、基材１０、抵抗体１１、保護膜１２の順に積層されている。第二実施形態の抵抗器１は、更に電極１３を含む。以下、抵抗器１の各構成を更に詳しく説明する。
　（１）基材
　本実施形態の基材１０の材質は、例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）であり、基材１０の材質は、例えば９９重量％以上がＡｌ２Ｏ３であることが好ましい。
　（２）抵抗体
　本実施形態の抵抗体１１は、一部トリミングされている。そのため抵抗体１１は、トリミングされている部分を除いて、基材１０の上面全体に形成されている。本実施形態では、抵抗体１１が基材１０と直接触れている。本実施形態の抵抗体１１は膜状である。
　抵抗体１１の電気抵抗値（以下、単に抵抗値ともいう）は、抵抗体１１の厚み、抵抗体１１の材質、及び抵抗体１１のトリミング量などによって定まる。
　本実施形態では、抵抗体１１の厚みが、５００ｎｍ以上であることが好ましい。この場合、抵抗器１に起因するノイズを生じにくくすることができる。
　抵抗体１１の材質は、抵抗体１１の抵抗値が比較的小さい場合（例えば抵抗値が１０Ω以上４７Ω未満の場合）には、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ及びＡｌを含む合金（ＮｉＣｒＡｌ合金）である。また抵抗体１１の材質は、抵抗体１１の抵抗値が比較的大きい場合（例えば抵抗値が４７Ω以上２０ｋΩ未満の場合）には、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＳｉを含む合金（ＮｉＣｒＡｌＳｉ合金）である。抵抗体１１は、例えば、スパッタリング法により形成することができる。
　抵抗体１１のトリミングは、抵抗体１１にＹＡＧレーザ等のレーザを照射して、レーザが照射された部分を取り除くことによって行われる。抵抗体１１のトリミング量については後述する。
　（３）電極
　電極１３は、一対の上面電極１３０、一対の再上面電極１３１、一対の端面電極１３２、一対の裏面電極１３３、一対の第一中間電極１３４、一対の第二中間電極１３５、及び一対の外部電極１３６を含む。
　（ｉ）上面電極
　図５Ｂに示すように、上面電極１３０は抵抗体１１上に位置している。本実施形態の上面電極１３０は、抵抗体１１と直接触れている。また抵抗器１には、一対の上面電極１３０が含まれる。一対の上面電極１３０は、抵抗体１１の左右方向の両端部にそれぞれ形成されている。上面電極１３０の平面視の形状は、図５Ｂに示すように、矩形状であるが、円形状であってもよく、三角形状であってもよく、その他の形状であってもよい。
　上面電極１３０の材質は、例えば、Ｃｕ系合金である。このＣｕ系合金の例には、ＣｕＮｉ合金が含まれる。上面電極１３０は、例えばスパッタリング法により形成することができる。
　具体的には、抵抗体１１の上面全体を対象にスパッタリング法によってＣｕＮｉ合金の膜を形成した後、この膜の不要部分をフォトリソグラフィ法、エッチング法等の方法で取り除くことにより、一対の上面電極１３０を形成することができる。
　（ｉｉ）再上面電極
　図５Ｂに示すように、再上面電極１３１は、上面電極１３０上に位置している。本実施形態の再上面電極１３１は、上面電極１３０と直接触れている。このため、再上面電極１３１は上面電極１３０と電気的に接続されている。一対の再上面電極１３１は、上面電極１３０と同様に、抵抗体１１の左右方向の両端部にそれぞれ形成されている。
　再上面電極１３１の材質は、例えば、Ｃｕ系合金又はＣｒである。このＣｕ系合金の例には、ＣｕＮｉ合金が含まれる。再上面電極１３１は、例えば、スパッタリング法により形成することができる。
　具体的には、抵抗体１１及び上面電極１３０を対象に、スパッタリング法でＣｕＮｉ合金又はＣｒの膜を形成し、この膜の不要部分をフォトリソグラフィ法、エッチング法等で取り除くことにより、一対の再上面電極１３１を形成することができる。
　（ｉｉｉ）端面電極
　本実施形態の抵抗器１には、一対の端面電極１３２が含まれる。一対の端面電極１３２は、基材１０の左右方向の両端面にそれぞれ形成されている（図５Ｂ参照）。本実施形態の端面電極１３２は、上面電極１３０及び再上面電極１３１と直接触れている。このため、端面電極１３２は、上面電極１３０及び再上面電極１３１と電気的に接続されている。
　端面電極１３２の材質は、例えば、Ｃｒ又はＣｕ系合金である。このＣｕ系合金の例には、ＣｕＮｉ合金が含まれる。端面電極１３２は、例えばスパッタリング法により形成することができる。
　具体的には、一対の上面電極１３０及び一対の再上面電極１３１が形成された基材１０の左右方向の両端面を対象にして、スパッタリング法でＣｒ又はＣｕＮｉ合金の膜を形成することで、一対の端面電極１３２を形成することができる。
　（ｉｖ）裏面電極
　図５Ｂに示すように、裏面電極１３３は、基材１０の下面上に位置している。本実施形態では、裏面電極１３３は、基材１０の下面と直接触れている。また抵抗器１には、一対の裏面電極１３３が含まれる。裏面電極１３３は端面電極１３２と電気的に接続されている。このため、裏面電極１３３は、端面電極１３２を介して、上面電極１３０及び再上面電極１３１と電気的に接続されている。
　裏面電極１３３の材質は、例えば、Ｃｕ系合金である。このＣｕ系合金の例には、ＣｕＮｉ合金が含まれる。裏面電極１３３は、例えばスパッタリング法により形成することができる。具体的には、基材１０の下面全体を対象にスパッタリング法でＣｕＮｉ合金の膜を形成し、この膜の左右方向の中央部分をフォトリソグラフィ法、エッチング法等で取り除くことにより、一対の裏面電極１３３を形成することができる。
　また裏面電極１３３の材質が、Ａｇを含有させたエポキシ樹脂製であってもよい。この場合、Ａｇを含有させたエポキシ樹脂の塗膜を硬化させることにより、裏面電極１３３を形成することができる。
　（ｖ）第一中間電極
　本実施形態の抵抗器１には、一対の第一中間電極１３４が含まれる。一対の第一中間電極１３４は、基材１０の左右方向の両端部に形成されている（図５Ｂ参照）。第一中間電極１３４は、再上面電極１３１、端面電極１３２、及び裏面電極１３３を覆っている。本実施形態では、第一中間電極１３４は、再上面電極１３１、端面電極１３２、及び裏面電極１３３と直接触れている。このため、第一中間電極１３４は、上面電極１３０、再上面電極１３１、端面電極１３２、裏面電極１３３と電気的に接続されている。第一中間電極１３４の材質は、例えばＣｕである。第一中間電極１３４は、例えば、Ｃｕめっきによって形成され得る。
　（ｖｉ）第二中間電極
　本実施形態の抵抗器１には、一対の第二中間電極１３５が含まれる。一対の第二中間電極１３５は、基材１０の左右方向の両端部に形成されている（図５Ｂ参照）。第二中間電極１３５は、第一中間電極１３４を覆っている。本実施形態では、第二中間電極１３５は、第一中間電極１３４と直接触れている。このため、第二中間電極１３５は、第一中間電極１３４を介して、上面電極１３０、再上面電極１３１、端面電極１３２、及び裏面電極１３３と電気的に接続されている。第二中間電極１３５の材質は、例えばＮｉである。第二中間電極１３５は、例えば、Ｎｉめっきによって形成され得る。
　（ｖｉｉ）外部電極
　本実施形態の抵抗器１には、一対の外部電極１３６が含まれる。一対の外部電極１３６は、基材１０の左右方向の両端部に形成されている（図５Ａ及び図５Ｂ参照）。外部電極１３６は、第二中間電極１３５を覆っている。本実施形態では、外部電極１３６は、第二中間電極１３５と直接触れている。このため外部電極１３６は、第一中間電極１３４及び第二中間電極１３５を介して、上面電極１３０、再上面電極１３１、端面電極１３２、及び裏面電極１３３と電気的に接続されている。外部電極１３６の材質は、例えばＳｎである。外部電極１３６は、例えば、Ｓｎめっきによって形成され得る。
　（４）保護膜
　本実施形態では、保護膜１２によって抵抗体１１を保護することができ、抵抗体１１の酸化を抑制することができる。本実施形態では、保護膜１２上に、再上面電極１３１、第一中間電極１３４、第二中間電極１３５、及び外部電極１３６の一部が重ねられている。このため本実施形態の保護膜１２は、上面電極１３０を形成した後に形成され、また再上面電極１３１は、保護膜１２が形成された後に形成される。
　本実施形態の保護膜１２は、樹脂組成物の硬化物である。保護膜１２を作製するための樹脂組成物には、樹脂成分、溶剤、体質顔料、及び低ノイズ成分などが含まれる。
　樹脂成分は、熱硬化性樹脂を含んでいてもよく、紫外線硬化性樹脂を含んでいてもよい。樹脂成分が熱硬化性樹脂を含む場合には、樹脂組成物の塗膜を加熱して硬化させることによって保護膜１２を形成することができる。また樹脂成分が紫外線硬化性樹脂を含む場合には、樹脂組成物の塗膜に紫外線を照射して硬化させることによって保護膜１２を形成することができる。樹脂成分の例には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂等が含まれる。樹脂成分は、これらの樹脂のうち一種以上を含有することができる。樹脂成分は、例えば、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含有することができる。また樹脂成分は、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、及びトリアジン樹脂を含有することもできる。樹脂組成物全量に対する樹脂成分の割合は、３０重量％以上５０重量％以上であることが好ましく、３５重量％以上４５重量％以下であることがより好ましい。
　溶剤の例には、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、酢酸ブチル、シクロヘキサノン、キシレン、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１－（２－メトキシ－２－メチルエトキシ）－２－プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が含まれる。本実施形態では、樹脂組成物全量に対する溶剤の割合は、１５重量％以上３５重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上３０重量％以下であることが好ましい。
　体質顔料の例には、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム、硫酸バリウム等が含まれる。体質顔料は、これらの成分のうち一種以上を含有することができる。樹脂組成物全量に対する体質顔料の割合は、１０重量％以上２５％以下であることが好ましい。
　樹脂組成物に低ノイズ成分が含まれることにより、すなわち保護膜１２の低ノイズ成分が含まれることで、抵抗器１に起因するノイズが生じにくくなる。これは、保護膜１２に低ノイズ成分が含まれることで、抵抗器１に起因する電気ノイズが小さくなるためと推定される。低ノイズ成分は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉのうち一種以上が含まれる。このため、樹脂組成物はＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち一種以上を含み、樹脂組成物から形成される保護膜１２にも、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち一種以上が含まれる。本実施形態では、保護膜１２に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち全てが含まれることが好ましい。この場合、抵抗器１に起因するノイズが特に生じにくくなる。このため、低ノイズ成分には、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち全てが含まれることが好ましい。
　低ノイズ成分には、金属Ｎｉ、金属Ｃｏ、金属Ｚｎ、及び金属Ｔｉのうち一種以上が含まれていてもよく、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち一種以上の成分の酸化物が含まれていてもよく、これらの両方が含まれていてもよい。低ノイズ成分には、Ｎｉ酸化物、Ｃｏ酸化物、及びＺｎ酸化物うち一種以上が含まれていてもよく、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉうち二種以上の成分の複合酸化物が含まれていてもよい。特に低ノイズ成分には、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ、及びＴｉの全てを含む複合酸化物が含まれることが好ましい。この場合、抵抗器１に起因するノイズが特に生じにくくなる。
　樹脂組成物に対する低ノイズ成分の割合は、１５重量％以上であることが好ましい。すなわち樹脂組成物に対するＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉの合計の割合は１５重量％以上であることが好ましい。この場合、抵抗器１に起因するノイズが生じにくくなりやすい。樹脂組成物に対する低ノイズ成分の割合は、２７重量％以下であることが好ましい。この場合、樹脂組成物を塗布しやすく、保護膜１２を作製しやすい。なお、低ノイズ成分にＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち一種以上の酸化物が含まれる場合、樹脂組成物に対する低ノイズ成分の割合は、樹脂組成物中のＮｉ元素、Ｃｏ元素、Ｚｎ元素、及びＴｉ元素の合計の含有率に換算して計算される。また低ノイズ成分として、金属Ｎｉ、金属Ｃｏ等が含まれる場合、樹脂組成物に対する金属Ｎｉの割合は２．５重量％以上４．５重量％以下であることが好ましい。また樹脂組成物に対する金属Ｃｏの割合は０．５重量％以上２．５重量％以下であることが好ましい。この場合、抵抗器１に起因するノイズが生じにくくなりやすい。
　樹脂組成物には、樹脂成分、溶剤、体質顔料、及び低ノイズ成分以外の成分が含まれていてもよい。例えば樹脂組成物には、添加剤、不可避的な不純物が含まれていてもよい。
　本実施形態の保護膜１２は、例えば、抵抗体１１及び上面電極１３０の上面全体に、上述の樹脂組成物を塗布して硬化させて膜を形成した後、この膜の不要部分をフォトリソグラフィ法、エッチング法等で取り除くことにより、保護膜１２を形成することができる。この場合の保護膜１２は、抵抗体１１と直接触れている。抵抗体１１と保護膜１２とが直接触れている場合、抵抗器１に起因するノイズが特に生じにくくなる。また上述の樹脂組成物から形成される保護膜１２の厚みは、６５０μｍ以上であることが好ましく、６８０μｍ以上であることがより好ましい。また保護膜１２の厚みは、８００μｍ以下であることが好ましく、７５０μｍ以下であることがより好ましい。この場合、抵抗器１に起因するノイズを効果的に生じにくくすることができる。
　（５）抵抗体のトリミングについて
　抵抗体１１の一部を取り除くこと（トリミング）により、抵抗体１１の抵抗値を調整することができる。抵抗体１１のトリミングは、例えば、抵抗体１１に対して、ＹＡＧレーザ等のレーザーを照射して、照射された部分を取り除くことで行うことができる。本実施形態では、抵抗体１１のトリミングは、一対の電極１３（上面電極１３０）が並ぶ方向と直行する方向に沿って行うことが好ましい。
　抵抗体１１のトリミングは、一箇所のみ行ってもよく、複数箇所行ってもよい。本実施形態の抵抗体１１は、図５Ｂに示すように、複数箇所トリミングされている。本実施形態の抵抗体１１は、図５Ｂに示すように、前端から後端に向かって後端に達しないようにトリミングされ、かつ、後端から前端に向かって前端に達しないようにトリミングされている。図５Ｂに示すようなトリミングの形状は、サーペンタインカットともいう。
　本実施形態では、抵抗体１１のトリミング率が二分の一以下であることが好ましい。この場合、抵抗体１１に電圧が印加された際の、電力密度が高くなる部分の割合を大きくすることができる。抵抗体１１は、一対の電極１３間に１Ｖの電圧を印加した場合に、平面視で、抵抗体１１の一対の電極１３間に位置する部分の面積に対する、抵抗体１１の電力密度が１×１０６ｐＷ／μｍ２以上である部分の面積の比率が、３０％以上であることが好ましい。これにより、音響機器が備えるアナログ回路に抵抗器１を実装した場合に、この音響機器と接続されたイヤホン、スピーカ等の出力機器から発せられる音の音質がよくなる。これは、抵抗体１１のトリミング率を二分の一以下にすることで、抵抗器１に起因する熱ノイズが小さくなるためと推定される。なお、本実施形態における抵抗体１１のトリミング率とは、抵抗体１１の一対の電極１３が並ぶ方向と直行する方向の長さに対する、トリミングされた部分の一対の電極１３が並ぶ方向と直行する方向の長さの割合を示す。例えば、図５Ｂに示すようにトリミングの形状がサーペンタインカットである場合、抵抗体１１のトリミング率は、図５Ｂに示す長さＸに対する、長さＹの割合を意味する。また抵抗体１１の複数個所に異なる長さでトリミングが施されている場合には、最も長くトリミングが施されている箇所に基づいてトリミング率を規定することができる。
　（６）音響機器について
　本実施形態の抵抗器１は、音響機器のアナログ回路に実装される。抵抗器１は、例えば音響機器が備えるデジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：digital to analog converter）のアナログ回路に実装される。アナログ回路としては、例えば、フィードバック回路、電流制御回路、増幅回路等が挙げられる。例えば本実施形態の抵抗器１をＤＡＣのアナログ回路に実装する場合には、ＤＡＣに入力されたデジタル信号をアナログ信号に変換して出力する回路における出力端の部分に実装することができる。
　３－３．第二実施形態の変形例
　第二実施形態の抵抗器１の構成は、上述の構成に限定されない。
　上述の第二実施形態の抵抗器１では、抵抗体１１のトリミングの形状は、図５Ｂに示すようにサーペンタインカットであるが、これに限定されない。例えば、抵抗体１１のトリミングの形状が、図６Ａに示すような直線カットでもよく、図６Ｂに示すようなダブルカットでもよく、図６Ｃに示すようなＬカットでもよく、図６Ｄに示すようなＵカットでもよい。
　上述の第二実施形態の抵抗器１では、抵抗体１１と保護膜１２とが直接触れているがこれに限定されない。例えば、図７に示す変形例１の抵抗体１のように、抵抗体１１と保護膜１２とが直接触れずに、抵抗体１１と保護膜１２とが中間層１４を介して間接的に触れていてもよい。すなわち抵抗体１１と保護膜１２との間に中間層１４が介在していてもよい。中間層１４は、例えば、金属酸化物合金製の無機保護膜である。この中間層１４によって抵抗体１１の酸化を抑制することができる。
　上述の第二実施形態の抵抗器１では、電極１３に再上面電極１３１が含まれるが、抵抗器１が再上面電極１３１を備えていなくてもよい。すなわち、上面電極１３０と第一中間電極１３４が直接触れていてもよい。
　上述の第二実施形態の抵抗器１では、基材１０が平面視矩形状であり、抵抗器１がチップ抵抗器であるが、これに限定されない。例えば、基材１０が円筒状であってもよい。すなわち抵抗器１が円筒状であってもよい。この場合、抵抗器１は、基材１０と、抵抗体１１と、保護膜１２とを備える。また抵抗器１は、上面電極１３０、再上面電極１３１、端面電極１３２、裏面電極１３３、第一中間電極１３４、第二中間電極１３５、外部電極１３６を備えず、抵抗体１１と電気的に接続された一対の電極を備えていてもよい。
　３－４．第二実施形態の実施例
　以下、第二実施形態の実施例及び比較例について説明する。
　（実施例１）
　図５Ａ及び図５Ｂに示す抵抗器１と同様の構造を備え、抵抗値が２２Ωである実施例１の抵抗器を作製した。実施例１の抵抗器の保護膜を形成する際に使用した樹脂組成物には、低ノイズ成分として、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉのうち全てが含まれている。このため、実施例１の抵抗器の保護膜には、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉのうち全てが含まれている。
　（比較例１）
　図５Ａ及び図５Ｂに示す抵抗器１と同様の構造を備え、抵抗値が２２Ωである比較例１の抵抗器を作製した。比較例１の抵抗器の保護膜を形成する際に使用した樹脂組成物には、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉが含まれておらず、カーボンブラックが含まれている。このため、比較例１の抵抗器の保護膜には、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉが含まれず、カーボンブラックが含まれている。
　（抵抗器に起因するノイズの測定）
　実施例１及び比較例１の抵抗器に起因するノイズを測定した。
　図８Ａは、抵抗器に起因するノイズを測定するための回路を示す回路図である。図８Ａに示す回路には、ノイズ測定器２０及び抵抗器１が含まれる。ノイズ測定器２０は、出力部２１、入力部２２、発振器２３、検出部２４、及び判定部２５を含む。出力部２１は、抵抗器１が備える一対の外部電極１３６（図５Ａ参照）のうち一方と同軸ケーブルで接続されている。また入力部２２は、抵抗器１が備える一対の外部電極１３６（図５Ａ参照）のうち一方と、同軸ケーブルで接続されている。このため、出力部２１と抵抗器１とは電気的に接続され、入力部２２と抵抗器１とは電気的に接続されており、抵抗器１に電流が流れる。発振器２３は、出力部２１と電気的に接続され、出力部２１から正弦波を送信することができる。このため、出力部２１から送信された正弦波は、抵抗器１を流れて、入力部２２で受信される。検出部２４は、入力部２２と電気的に接続され、入力部２２で受信した正弦波を検出することができる。判定部２５は、発振器２３及び検出部２４と電気的に接続されている。判定部２５は、発振器２３から送信した正弦波と、検出部２４で検出された正弦波とを比較して、抵抗器１に起因するノイズを測定することができる。
　図８Ｂ及び図８Ｃは、実施例１及び比較例１の抵抗器１に印加された電圧に対するノイズを示すグラフである。図８Ｂは、正弦波の周波数が１００Ｈｚ（低周波帯）である場合を示している。図８Ｃは、正弦波の周波数が２０ｋＨｚ（高周波帯）である場合を示している。図８Ｂ及び図８Ｃに示すグラフにおいて、抵抗器１に印加された電圧を示し、縦軸は抵抗器に起因するノイズの値を示す。図８Ｂ及び図８Ｃのグラフにおいて、実線は実施例１の抵抗器１を示し、破線は比較例１の抵抗器を示す。
　図８Ｂによると、保護膜にＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉのうち全てが含まれる実施例１の方が、保護膜１２にカーボンブラックが含まれる比較例１よりも、抵抗器１に起因するノイズが生じにくい傾向がある。特に抵抗器１に印加された電圧が０．２Ｖ以上である場合に、実施例１の方が比較例１よりも、抵抗器１に起因するノイズが小さい。また図８Ｃによると、保護膜にＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｔｉのうち全てが含まれる実施例１の方が、保護膜にカーボンブラックが含まれる比較例１よりも、抵抗器１に起因するノイズが生じにくい傾向がある。特に抵抗器１に印加された電圧が０．０５Ｖ以上である場合に、実施例１の方が比較例１よりも、抵抗器に起因するノイズが小さい。
　（実施例２から実施例６）
　抵抗体１１のトリミング量を、以下の表１のようにしたこと以外は、実施例１と同様の構成を備える、実施例２から実施例６の抵抗器を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　（電力密度の分布）
　図９Ａから図９Ｅは、実施例２から実施例６の抵抗器１の電力密度の分布のシミュレーション結果を示している。抵抗器１において、抵抗体１１の平面視の寸法は１．０ｍｍ×０．５ｍｍであった。また一対の電極１３間に印加された電圧は１Ｖであった。図９Ａから図９Ｅにおいて、電力密度が１×１０６ｐＷ／ｕｍ２以上である部分は、コントラストを高くしている。
　図９Ａから図９Ｅに示すように、平面視で、抵抗体１１の一対の電極１３間に位置する部分の面積に対する、抵抗体１１の電力密度が１×１０６ｐＷ／ｕｍ２以上である部分の面積の比率が、実施例５、６の抵抗器１よりも実施例２から４の抵抗器１の方が大きい。これは、実施例２から４の抵抗器１のトリミング率が５０％以下であり、実施例５、６の抵抗器１のトリミング率が５０％よりも大きいためである。
　４．まとめ
　第一の態様に係る抵抗器（１）は、基材（１０）と、抵抗体（１１）と、保護膜（１２）と、をこの順に積層して備える。
　第二の態様に係る抵抗器（１）は、第一の態様において、ベース中間層（１１０）及びカバー中間層（１１１）のうち少なくとも一方を更に備える。ベース中間層（１１０）は、基材（１０）と抵抗体（１１）との間に介在し、抵抗体（１１）と直接触れ、かつ、窒化アルミニウム層である。カバー中間層（１１１）は、抵抗体（１１）と保護膜（１２）との間に介在し、抵抗体（１１）と直接触れ、かつ、窒化アルミニウム層である。
　この構成によれば、ベース中間層（１１０）及びカバー中間層（１１１）のうち少なくとも一方を通じて、抵抗体（１１）で発生する熱を放出することができる。このため抵抗器（１）では、抵抗体（１１）で発生する熱を放出しやすい。
　第三の態様に係る抵抗器（１）は、第一又は第二の態様において、基材（１０）がアルミナ製である。
　この構成によれば、抵抗体（１１）の下面とベース中間層（１１０）とが接していることで、抵抗体（１１）で発生した熱をベース中間層（１１０）に放出することができ、基材（１０）がアルミナ製であっても、抵抗体（１１）で発生した熱を放出しやすい。
　第四の態様に係る抵抗器（１）は、第一～第三のいずれか一の態様において、ベース中間層（１１０）を備える。
　この構成によれば、抵抗体（１１）で発生した熱を、抵抗体（１１）の下面と直接触れているベース中間層（１１０）に放出することができる。
　第五の態様に係る抵抗器（１）は、第四の態様において、抵抗体（１１）と電気的に接続されている電極（１３）を更に備える。ベース中間層（１１０）は、電極（１３）と直接触れている。
　この構成によれば、ベース中間層（１１０）に放出された熱を電極（１３）に放出することができる。抵抗器（１）が電子機器の回路に実装される場合、電極（１３）と回路とがはんだで接続されることから、ベース中間層（１１０）から電極（１３）に放出された熱をはんだに放出することができる。
　第六の態様に係る抵抗器（１）は、第四又は第五の態様において、ベース中間層（１１０）の１／２以上が、単結晶の窒化アルミニウムで構成されている。
　この構成によれば、ベース中間層（１１０）の厚みを小さくすることができ、抵抗器（１）の厚みを小さくすることができる。
　第七の態様に係る抵抗器（１）は、第四～第六のいずれか一の態様において、ベース中間層（１１０）の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下である。
　この構成によれば、抵抗体（１１）で発生した熱をベース中間層（１１０）に放出しやすく、かつ、ベース中間層（１１０）を薄膜化しやすい。
　第八の態様に係る抵抗器（１）は、第四～第七のいずれか一の態様において、ベース中間層（１１０）がスパッタ層である。
　この構成によれば、ベース中間層（１１０）を単結晶の窒化アルミニウムで構成しやすく、かつ、ベース中間層（１１０）の厚みを小さくしやすい。
　第九の態様に係る抵抗器（１）は、第二～第八のいずれか一の態様において、カバー中間層（１１１）を備える。
　この構成によれば、抵抗体（１１）で発生した熱を、抵抗体（１１）の上面と直接触れているカバー中間層（１１１）に放出することができる。
　第十の態様に係る抵抗器（１）は、第九の態様において、抵抗体（１１）と電気的に接続されている電極（１３）を更に備える。カバー中間層（１１１）は、電極（１３）と直接触れている。
　この構成によれば、カバー中間層（１１１）に放出された熱を電極（１３）に放出することができる。抵抗器（１）が電子機器の回路に実装される場合、電極（１３）と回路とがはんだで接続されることから、カバー中間層（１１１）から電極（１３）に放出された熱をはんだに放出することができる。
　第十一の態様に係る抵抗器（１）は、第九又は第十の態様において、カバー中間層（１１１）の１／２以上が、単結晶の窒化アルミニウムで構成されている。
　この構成によれば、カバー中間層（１１１）の厚みを小さくすることができ、抵抗器（１）の厚みを小さくすることができる。
　第十二の態様に係る抵抗器（１）は、第九から第十一のいずれか一の態様において、カバー中間層（１１１）の厚みが３μｍ以上２０μｍ以下である。
　この構成によれば、抵抗体（１１）で発生した熱をカバー中間層（１１１）に放出しやすく、かつ、カバー中間層（１１１）を薄膜化することができる。
　第十三の態様に係る抵抗器（１）は、第九から第十二のいずれか一の態様において、カバー中間層（１１１）がスパッタ層である。
　この構成によれば、カバー中間層（１１１）を単結晶の窒化アルミニウムで構成しやすく、かつ、カバー中間層（１１１）の厚みを小さくしやすい。
　第十四の態様に係る抵抗器（１）は、第一～第十三のいずれか一の態様において、保護膜１２に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち一種以上が含まれる。
　この構成によれば、抵抗器（１）に起因するノイズが生じにくくなる。これにより、音響機器が備えるアナログ回路に抵抗器（１）を実装した場合に、この音響機器と接続されたスピーカ、イヤホン等の出力機器から発せられる音の音質が良くなる。
　第十五態様に係る抵抗器（１）は、第一～第十四のいずれか一の態様において、保護膜（１２）に、Ｎｉ、Ｃｏ，Ｚｎ、及びＴｉの全てが含まれる。
　この構成によれば、抵抗器（１）に起因するノイズが特に生じにくくなる。
　第十六の態様に係る抵抗器（１）は、第一～第十五のいずれか一の態様において、抵抗体（１１）のトリミング率が二分の一以下である。
　この構成によれば、抵抗体（１１）に電圧が印加された際の、電力密度が高くなる部分の割合を大きくすることができる。
　第十七の態様に係る抵抗器（１）は、第一～第十六のいずれか一の態様において、抵抗体（１１）と電気的に接続された一対の電極（１３、１３）更に備える。抵抗器（１）では、一対の電極（１３、１３）間に１Ｖの電圧が印加された場合に、平面視で、抵抗体（１１）の一対の電極（１３）間に位置する部分の面積に対する、抵抗体（１１）の電力密度が１×１０６ｐＷ／μｍ２以上である部分の面積の比率が、３０％以上である。
　この構成によれば、音響機器が備えるアナログ回路に抵抗器（１）を実装した場合に、この音響機器と接続されたスピーカ、イヤホン等の出力機器から発せられる音の音質が良くなる。
　第十八の態様に係る抵抗器（１）は、第一～第十七のいずれか一の態様において、抵抗体（１１）と保護膜（１２）とが直接触れている。
　この構成によれば、抵抗器（１）に起因するノイズが特に生じにくくなる。
　第十九の態様に係る抵抗器（１）は、第一～第十八のいずれか一の態様において、保護膜（１２）は樹脂組成物の硬化物である。この樹脂組成物はＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち一種以上を含み、この樹脂組成物に対するＮｉ、Ｃｏ，Ｚｎ、及びＴｉの合計の割合は１５重量％以上である。
　この構成によれば、抵抗器（１）に起因するノイズが特に生じにくい。
　第二十の態様に係る抵抗器（１）は、第一～第十九のいずれか一の態様において、音響機器に用いられ、この音響機器が備えるアナログ回路に実装される。
　この構成によれば、抵抗器（１）に起因するノイズが生じにくいため、音響機器が備えるアナログ回路に抵抗器（１）を実装した場合に、この音響機器と接続されたスピーカ、イヤホン等の出力機器から発せられる音の音質が良くなる。
　１　　　抵抗器
　１０　　基材
　１１　　抵抗体
　１１０　ベース中間層
　１１１　カバー中間層
　１２　　保護膜
　１３　　電極
 

Claims (20)

  1. 基材と、
    抵抗体と、
    保護膜と、をこの順に積層して備える、
    抵抗器。
  2. 前記基材と前記抵抗体との間に介在し、前記抵抗体と直接触れ、かつ、窒化アルミニウム層であるベース中間層、及び前記抵抗体と前記保護膜との間に介在し、前記抵抗体と直接触れ、かつ、窒化アルミニウム層であるカバー中間層のうち少なくとも一方を更に備える、
    請求項１に記載の抵抗器。
  3. 前記基材がアルミナ製である、
    請求項１又は２に記載の抵抗器。
  4. 前記ベース中間層を備える、
    請求項２又は３に記載の抵抗器。
  5. 前記抵抗体と電気的に接続されている電極を更に備え、
    前記ベース中間層が前記電極と直設触れている、
    請求項４に記載の抵抗器。
  6. 前記ベース中間層の１／２以上が、単結晶の窒化アルミニウムで構成されている、
    請求項４又は５に記載の抵抗器。
  7. 前記ベース中間層の厚みが、３μｍ以上２０μｍ以下である、
    請求項４～６のいずれか一項に記載の抵抗器。
  8. 前記ベース中間層が、スパッタ層である、
    請求項４～７のいずれか一項に記載の抵抗器。
  9. 前記カバー中間層を備える、
    請求項２～８のいずれか一項に記載の抵抗器。
  10. 前記抵抗体と電気的に接続されている電極を更に含み、
    前記カバー中間層が前記電極と直接触れている、
    請求項９に記載の抵抗器。
  11. 前記カバー中間層の１／２以上が、単結晶の窒化アルミニウムで構成されている、
    請求項９又は１０に記載の抵抗器。
  12. 前記カバー中間層の厚みが、３μｍ以上２０μｍ以下である、
    請求項９から１１のいずれか一項に記載の抵抗器。
  13. 前記カバー中間層が、スパッタ層である、
    請求項９から１２のいずれか一項に記載の抵抗器。
  14. 前記保護膜に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち一種以上が含まれる、
    請求項１に記載の抵抗器。
  15. 前記保護膜に、Ｎｉ、Ｃｏ，Ｚｎ、及びＴｉの全てが含まれる
    請求項１４に記載の抵抗器。
  16. 前記抵抗体のトリミング率が二分の一以下である
    請求項１４又は１５に記載の抵抗器。
  17. 前記抵抗体と電気的に接続された一対の電極を更に備え、
    前記一対の電極間に１Ｖの電圧を印加された場合に、平面視で、前記抵抗体の前記一対の電極間に位置する部分の面積に対する、前記抵抗体の電力密度が１×１０６ｐＷ／μｍ２以上である部分の面積の比率が、３０％以上である、
    請求項１４～１６のいずれか一項に記載の抵抗器。
  18. 前記抵抗体と前記保護膜とが直接触れている
    請求項１４～１７のいずれか一項に記載の抵抗器。
  19. 前記保護膜は樹脂組成物の硬化物であり、
    前記樹脂組成物はＮｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、及びＴｉのうち一種以上を含み、
    前記樹脂組成物に対するＮｉ、Ｃｏ，Ｚｎ、及びＴｉの合計の割合は１５重量％以上である、
    請求項１４～１８のいずれか一項に記載の抵抗器。
  20. 音響機器が備えるアナログ回路に実装される
    請求項１４～１９のいずれか一項に記載の抵抗器。
     
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