JP2009021579A - 補強材付き配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】基板裏面側の導体層から基板主面側の導体層に大電流を供給することができ、しかも、信頼性及びハンドリング性を向上させることができる補強材付き配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板１１は、樹脂配線基板４０、補強材３１及び板状接続端子片７１を備える。樹脂配線基板４０は、基板主面４１、基板裏面４２及び基板側面４３を有するとともに、樹脂絶縁層５３，５４及び導体層５５を積層した構造を有する。補強材３１は、樹脂配線基板４０が有する辺の部分に配置されるとともに、基板側面４３と、基板主面４１の外周部と、基板裏面４２の外周部とに内側面３３が面接合される。板状接続端子片７１は、内側面３３に沿うようにして補強材３１に取り付けられ、基板主面４１側の導体層７３及び基板裏面４２側の導体層７３に接触してそれらを電気的に接続する。
【選択図】図４

Description

本発明は、樹脂配線基板の反りを防止するための補強材を備えた補強材付き配線基板に関するものである。

パソコンや携帯電話のようなエレクトロニクス機器の普及は、ＩＴ革命として社会構造に大きな変革をもたらしつつある。この技術の核となるのが大規模半導体集積回路（ＬＳＩ）技術であり、かかるＬＳＩ（ＬＳＩチップ）の動作周波数は演算速度の向上を達成するために益々上がる傾向にある。なお、ＬＳＩチップは、ＬＳＩ搭載用配線基板上にフリップチップ接続された状態（いわゆる半導体パッケージの状態）で使用される（例えば、特許文献１参照）。このＬＳＩチップは、一般に熱膨張係数が２．０ｐｐｍ／℃〜５．０ｐｐｍ／℃程度の半導体材料（例えばシリコン等）を用いて形成される。一方、ＬＳＩ搭載用配線基板は、それよりも熱膨張係数がかなり大きい樹脂材料等を用いて形成された樹脂配線基板であることが多い。この樹脂配線基板の一例としては、高分子材料製のコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成したものが従来提案されている。

ところで近年では、半導体パッケージが搭載される機器の小型化に伴い、樹脂配線基板の小型化、薄肉化が要求されている。しかし、樹脂配線基板が薄肉化され、特にコア基板の厚さが例えば８００μｍ以下になると、樹脂配線基板の剛性の低下が避けられなくなる。この場合、フリップチップ接続に用いたはんだが冷却される際に、チップ材料と基板材料との熱膨張係数差に起因する熱応力の影響を受けて、樹脂配線基板がチップ搭載面側に反りやすくなる。その結果、チップ接合部分にクラックが起こり、オープン不良などが生じやすくなる。つまり、上記のようなＬＳＩチップを用いて半導体パッケージを構成した場合、高い歩留まりや信頼性を実現できないという問題が生じる。また、樹脂配線基板が小型化されると、半導体パッケージのハンドリング性が低下するという問題も生じる。

上記の問題を解決するために、樹脂配線基板１０１の片面（基板主面１０２または基板裏面１０３）に、両面接着テープ１０４（または、はんだ等）を用いて金属製のスティフナ１０５を貼付した半導体パッケージ１００が提案されている（図１３，図１４参照）。このようにすれば、スティフナ１０５によって樹脂配線基板１０１の反りが抑えられ、樹脂配線基板１０１とＬＳＩチップ１０６との接合部分にクラックが生じにくくなるため、歩留まりが高くなり、信頼性が向上する。また、スティフナ１０５を貼付することで半導体パッケージ１００の剛性が高くなるため、半導体パッケージ１００のハンドリング性が向上する。
特開２００２−２６５００号公報（図１など）

ところで、スティフナ１０５は、樹脂配線基板１０１の片面のみに接触する単純形状（平板状）であるため、樹脂配線基板１０１の反りを抑える機能を持たせるために自身の剛性を高くする必要がある。そこで、スティフナ１０５を厚く形成することが考えられるが、半導体パッケージ１００全体が肉厚になり、半導体パッケージ１００の大型化に繋がってしまう。よって、スティフナ１０５を、応力の影響を受けても反らない高剛性の金属材料によって形成することが必須となる。しかし、高剛性の金属材料は一般的に高価であるため、スティフナ１０５の製造コストが上昇し、ひいては半導体パッケージ１００の製造コストが上昇してしまう。

また、上記したＬＳＩチップ１０６は、性能向上に伴って電流の消費量が大きくなる傾向にあるため、樹脂配線基板１０１内に大電流供給用の供給経路を設ける必要がある。なお、樹脂配線基板１０１は、コア基板の表面及び裏面に樹脂絶縁層及び導体層からなるビルドアップ層を積層した構造であり、供給経路は、コア基板を厚さ方向に貫通するスルーホール導体、複数の導体層、樹脂絶縁層を厚さ方向に貫通するビア導体などを通過する経路である。

ところが、樹脂配線基板１０１内に供給経路を設けるためには、大掛かりな設計変更を行わなければならない。仮に、供給経路を設けることができたとしても、導体層は、樹脂配線基板１０１の肉薄化に伴って薄く形成されるために抵抗が大きい。また、スルーホール導体やビア導体は、スペースの問題上、外径を大きくしたり数を増やしたりすることが困難であるために抵抗が大きい。従って、供給経路を介して基板裏面１０３側から基板主面１０２側に電流を供給したとしても電圧降下が大きくなるため、ＬＳＩチップ１０６に大電流を確実に供給することができない。

さらに、従来構造のスティフナ１０５は、単純に樹脂配線基板１０１を補強するだけの機能を有するものであるため、さらに別の機能を付与すれば、更なる高機能化が図られると考えられる。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂配線基板の構造を変更することなく、基板裏面側の導体層から基板主面側の導体層に大電流を供給することができ、しかも、補強材の製造コストを上昇させることなく、信頼性及びハンドリング性を向上させることができる補強材付き配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段としては、基板主面、基板裏面及び基板側面を有し、四辺を有する平面視矩形状をなし、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造の樹脂配線基板と、前記樹脂配線基板が有する辺の部分に配置されるとともに、前記基板側面と、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部の少なくとも一方とに内側面が面接合される補強材と、前記補強材の内側面または外側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられ、前記樹脂配線基板の前記基板主面側の導体層及び前記基板裏面側の導体層に接触してそれらを電気的に接続する板状接続端子片とを備えることを特徴とする補強材付き配線基板がある。

従って、上記手段の発明によれば、補強材は、樹脂配線基板の四辺における２面以上に面接合される構成である。このため、補強材の内側面または外側面に沿うようにして板状接続端子片を補強材に取り付けることが容易になり、樹脂配線基板の外側をバイパスさせて、基板主面側の導体層と基板裏面側の導体層とを電気的に接続することができる。従って、樹脂配線基板の構造を変更することなく、板状接続端子片を介して、基板裏面側の導体層から基板主面側の導体層に大電流を供給することができる。

また、補強材が樹脂配線基板の四辺における２面以上に面接合することで、樹脂配線基板の四辺を確実に補強できるため、樹脂配線基板の反りが確実に抑えられる。それゆえ、樹脂配線基板の反りに起因する不具合が防止されるため、補強材付き配線基板の信頼性が向上する。また、樹脂配線基板に対する補強材の面接合により、補強材付き配線基板の剛性が高くなるため、補強材付き配線基板のハンドリング性が向上する。しかも、補強材は、樹脂配線基板の四辺における２面以上に面接合させるために、単なる平板状よりも剛性が高い形状となる。よって、補強材を肉厚にしたり、補強材をコストの高い高剛性の材料を用いて形成したりしなくても済む。従って、補強材の製造コストを上昇させることなく、信頼性及びハンドリング性を向上させることができる。

上記補強材付き配線基板を構成する前記樹脂配線基板は、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。樹脂配線基板としては、基板主面、基板裏面及び基板側面を有し、四辺を有する平面視矩形状をなし、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造のものが使用される。

樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

前記導体層は主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで導体層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層を形成したりすることも可能である。

また、樹脂配線基板における内層には、コアとして金属板（メタルコア）が設けられていてもよい。かかる金属板を構成する金属の例としては、銅や銅合金、銅以外の金属単体や合金などがある。さらに、樹脂配線基板は、コア基板（樹脂製）上に、樹脂絶縁層と導体層とを交互に形成した形態としてもよい。

上記補強材付き配線基板を構成する補強材は、前記基板側面と、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部の少なくとも一方とに面接合される。補強材の形状等は特に限定されず任意であるが、前記基板側面と、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部とに面接合されうる平面（内側面）を有していることがよい。従って、例えば、前記基板側面と、前記基板主面の外周部とに面接合する断面略Ｌ字状の補強材、前記基板側面と、前記基板裏面の外周部とに面接合する断面略Ｌ字状の補強材、前記基板側面、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部に面接合する断面略コ字状の補強材などを用いることが好ましい。特に、補強材は、前記基板側面、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部に面接合する断面略コ字状の補強材であることがよい。このようにすれば、断面略Ｌ字状である場合よりも補強材の剛性が高くなるため、樹脂配線基板の剛性がよりいっそう向上する。また、選択可能な補強材の形成材料の種類がさらに多くなるため、より低コストの材料を用いて補強材を形成することが可能となり、補強材の製造コストがよりいっそう低減される。

なお、前記基板側面、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部に面接合する断面略コ字状の補強材の一例としては、前記基板側面に面接触可能な補強材本体と、前記補強材本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板主面の外周部に面接触可能な第１突出片と、前記補強材本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板裏面の外周部に面接触可能な第２突出片とによって構成されているものを挙げることができる。この場合、前記第１突出片と前記第２突出片との間隔は、前記樹脂配線基板の厚さよりも小さくなっており、前記第１突出片と前記第２突出片とで前記樹脂配線基板を挟み込んでいることが好ましい。このようにすれば、補強材本体の内側面、第１突出片の内側面、及び、第２突出片の内側面の３面で樹脂配線基板を保持できるため、樹脂配線基板をより安定的に保持できる。しかも、接着剤を用いなくても、樹脂配線基板に補強材を確実に接合することができる。また、接着剤を用いるようにすれば、樹脂配線基板と補強材との接合がより確実になる。なお、基板主面側に例えば半導体集積回路素子が搭載され、基板裏面側が樹脂配線基板を搭載するための母基板に接続される場合、前記第２突出片の厚さは、前記第１突出片の厚さよりも小さくなっていることが好ましい。このようにすれば、樹脂配線基板に補強材を取り付けた場合でも、基板裏面と母基板との間隔があまり大きくならなくて済むため、基板裏面側と母基板とを容易に接続することができる。また、前記第１突出片の突出量は、前記第２突出片の突出量よりも大きく設定されることが好ましい。このようにすれば、第１突出片の突出量が第２突出片の突出量以下である場合よりも補強材の剛性が高くなるため、樹脂配線基板の剛性がよりいっそう向上する。

ここで、上記半導体集積回路素子としては、熱膨張係数が５．０ｐｐｍ／℃未満であるものが使用される。半導体集積回路素子の熱膨張係数は、特に２．０ｐｐｍ／℃以上５．０ｐｐｍ／℃未満であることがよく、その例としては、熱膨張係数が４．０ｐｐｍ／℃程度のシリコンからなる半導体集積回路素子（ＬＳＩチップ）などを挙げることができる。前記半導体集積回路素子の大きさ及び形状は特に限定されないが、少なくとも一辺が５０．０ｍｍ以上であることがよい。このような大型の半導体集積回路素子になると、発熱量が増大しやすく応力の影響も受けやすいため、信頼性の低下という本願発明の課題が発生しやすくなるからである。このような薄肉の半導体集積回路素子になると、剛性が弱くなって応力の影響を受けやすくなるため、信頼性の低下という本願発明の課題が発生しやすくなるからである。

ここで、半導体集積回路素子の「熱膨張係数」とは、厚み方向（Ｚ方向）に対して垂直な方向（ＸＹ方向）の熱膨張係数のことを意味し、０℃〜１００℃の間のＴＭＡ（熱機械分析装置）にて測定した値のことをいう。「ＴＭＡ」とは、熱機械的分析をいい、例えばＪＰＣＡ−ＢＵ０１に規定されるものをいう。

前記補強材は、前記樹脂配線基板を構成する樹脂材料よりも高剛性の樹脂材料からなることが好ましく、例えば樹脂配線基板を構成する樹脂材料よりもヤング率が高い樹脂材料からなることが好ましい。具体的には、補強材を構成する樹脂材料のヤング率は５０ＧＰａ以上であることが好適である。その理由は、補強材自体に高い剛性が付与されていれば、それを面接合することで樹脂配線基板に高い剛性を付与することができ、外部から加わる応力に対していっそう強くなるからである。また、高い剛性を有する補強材であれば、補強材を薄くしても樹脂配線基板に十分高い剛性を付与することができるため、補強材付き配線基板全体の薄肉化を阻害しないからである。なお、単に、樹脂配線基板よりも高剛性という条件を満たすものであれば、補強材はセラミック製であっても金属製であってもよい。しかし、補強材の製造コストや軽量化の面から言えば、補強材は、一般的にセラミック材料や金属材料よりも安価かつ軽量な樹脂材料からなることが好ましい。

前記補強材を構成する樹脂材料の好適例としては、ＰＢ樹脂（ポリブテン樹脂）、ＰＡ樹脂（ポリアミド樹脂）、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体）、ＰＢＴ樹脂（ポリブチレンテレフタレート樹脂）、ＰＰＳ樹脂（ポリフェニレンサルファイド樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＰＣ樹脂（ポリカーボネート樹脂）などが挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料等を使用してもよい。

また前記補強材は、高い剛性を有することに加えて、低い熱膨張係数を有することが好ましい。補強材の熱膨張係数は、前記樹脂絶縁層の熱膨張係数よりも低いことがよく、具体的には５ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃未満であることがよい。

前記補強材は樹脂配線基板側に面接合されるが、面接合の手法は特に限定されることはなく、補強材を形成している材料の性質、形状等に合った周知の手法を採用することができる。例えば、補強材の内側面は、その一部に前記板状接続端子片が接着剤を介して貼り付けられるとともに、前記基板側面と、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部の少なくとも一方とに対して接着剤を介して接合固定されていることが好ましい。このようにすれば、補強材に対して板状接続端子片を確実かつ容易に接合できるとともに、樹脂配線基板に対して補強材を確実かつ容易に接合することができる。なお、補強材が樹脂材料からなる場合、接着剤としては、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、ゴム系接着剤などが挙げられる。また、補強材が金属材料やセラミック材料からなる場合、接着剤としては、ポリマーを主成分とする接着剤などが挙げられる。

前記補強材を作製する方法としては、樹脂シートに対するレーザー加工を行って矩形枠状の補強材を切り出す方法、樹脂シートに対するレーザー加工により複数のレール部材を切り出した後にそれぞれのレール部材をそれぞれの端部において互いに接合して矩形枠状の補強材を得る方法、樹脂シートを打ち抜くことにより補強材を得る方法、金型に樹脂材を流し込んで硬化させることにより補強材を得る方法、印刷によって補強材を得る方法などが挙げられる。

前記補強材は、前記内側面側及び前記外側面側を導通させる導体柱と、前記外側面上に配置され前記導体柱に接続される端子パッドとを備え、前記板状接続端子片は、前記導体柱における前記内側面側の端部に接続されていてもよい。このようにすれば、補強材の外側面上に電子部品を実装することができる。仮に、樹脂配線基板に電子部品を実装する場合、電子部品に欠陥があると、電子部品だけでなく樹脂配線基板も無駄になってしまう。一方、上記のように補強材に電子部品を実装する場合、電子部品を実装し直せばよいため、樹脂配線基板が無駄になることはない。

上記補強材付き配線基板を構成する板状接続端子片は、前記樹脂配線基板の前記基板主面側の導体層及び前記基板裏面側の導体層に接触してそれらを電気的に接続している。板状接続端子片は、前記補強材の内側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられていてもよいし、前記補強材の外側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられていてもよいが、前記補強材の内側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられることが好ましい。このようにすれば、板状接続端子片が補強材によって保護されるため、板状接続端子片が他の導電性部材に接触することによる短絡を防止することができる。また、板状接続端子片の破損、腐食などを防止できる。

板状接続端子片を形成する材料としては、導電性を有する材料（例えば導電性金属材料）であることがよく、例えば、鉄、銀、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金、アンバー（Ｆｅ−Ｎｉ系合金、３６％Ｎｉ）、いわゆる４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金、４２％Ｎｉ）、いわゆる５０アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金、５０％Ｎｉ）等といったＦｅ−Ｎｉ系合金、タングステン、モリブデン等の使用が好適である。

前記板状接続端子片は、前記樹脂配線基板よりも高剛性の導電性金属材料からなることが好ましく、例えば樹脂配線基板を構成する樹脂材料よりもヤング率が高い導電性金属材料からなることが好ましい。具体的には、補強材を構成する導電性金属材料のヤング率は５０ＧＰａ以上であることが好適である。その理由は、板状接続端子片自体に高い剛性が付与されていれば、補強材と板状接続端子片との両方で樹脂配線基板に高い剛性を付与することができ、外部から加わる応力に対していっそう強くなるからである。

また前記板状接続端子片は、高い剛性を有することに加えて、低い熱膨張係数を有することが好ましい。板状接続端子片の熱膨張係数は、前記樹脂配線基板の熱膨張係数よりも低いことがよく、具体的には１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃未満であることがよい。

ここで、板状接続端子片は周知の手法により作製される。例えば、金属板に対して必要に応じて抜き穴、凹部などを加工形成することにより作製可能である。この場合の加工方法としては、エッチング等の化学的加工法でもよく、切削加工やパンチング加工等のような機械的加工でもよい。

なお、前記板状接続端子片は、前記補強材の内側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられ、前記補強材の内側面の一部に、前記板状接続端子片を収容するための収容凹部が形成され、前記収容凹部の深さが前記板状接続端子片の厚さと等しくなっていることが好ましい。このような構造があれば、板状接続端子片を収容凹部に収容した際に、補強材の内側面と、板状接続端子片の収容凹部の開口端側の面とが面一になる。これにより、樹脂配線基板と補強材との間に板状接続端子片を配置した場合であっても、補強材の内側面と樹脂配線基板の表面（基板側面と、基板主面及び基板裏面の少なくとも一方）との接触面積が確保されるため、樹脂配線基板の四辺をより確実に補強できる。また、板状接続端子片は、収容凹部内に収容された状態で保持されるため、位置合わせが容易である。なお、収容凹部に接着剤を流し込むようにすれば、板状接続端子片の位置合わせがより確実になる。

また、前記板状接続端子片は、前記基板主面上及び前記基板裏面上に形成された電源用導体層、または、前記基板主面上及び前記基板裏面上に形成されたグランド用導体層に接触することで電気的に接続されていることが好ましい。このようにすれば、板状接続端子片を介して電源用導体層やグランド用導体層に大電流を流すことができるため、基板主面及び基板裏面の少なくとも一方の側に搭載された半導体集積回路素子などを確実に動作させることができる。

さらに、前記板状接続端子片が複数設けられるとともに、前記補強材が絶縁樹脂材料からなることが好ましい。このようにすれば、複数の板状接続端子片を介してより多くの大電流を流すことができる。また、補強材が絶縁樹脂材料からなるため、それぞれの板状接続端子片を通過する供給経路同士の短絡を防止することができる。

また、前記補強材が、前記基板側面に面接触可能な補強材本体と、前記補強材本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板主面の外周部に面接触可能な第１突出片と、前記補強材本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板裏面の外周部に面接触可能な第２突出片とによって構成される場合、前記板状接続端子片は、前記基板側面及び前記補強材本体に接触可能な端子片本体と、前記端子片本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板主面の外周部及び前記第１突出片に面接触可能な第１突出部と、前記端子片本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板裏面の外周部及び前記第２突出片に面接触可能な第２突出部とによって構成され、前記第１突出部の突出量は、前記第１突出片の突出量よりも大きく設定され、前記第２突出部の突出量は、前記第２突出片の突出量よりも大きく設定されることが好ましい。このようにすれば、基板主面の外周部にある基板主面側の導体層だけでなく、基板主面の中心部にある基板主面側の導体層に対しても第１突出部を接触させることができる。同様に、基板裏面の外周部にある基板裏面側の導体層だけでなく、基板裏面の中心部にある基板裏面側の導体層に対しても第２突出部を接触させることができる。よって、基板主面側の導体層と基板裏面側の導体層とを、板状接続端子片を介してより確実に接続できる。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１〜図４に示されるように、本実施形態の半導体パッケージ１０は、スティフナ付き配線基板１１（補強材付き配線基板）と、半導体集積回路素子であるＬＳＩチップ２１とからなるＰＧＡ（ピングリッドアレイ）である。なお、半導体パッケージ１０の形態は、ＰＧＡのみに限定されず、例えばＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。ＬＳＩチップ２１は、縦１５．０ｍｍ×横１５．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの矩形平板状であって、熱膨張係数が４．２ｐｐｍ／℃のシリコンからなる。ＬＳＩチップ２１の下面２４側の表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、ＬＳＩチップ２１の下面２４側には、複数の面接続端子２２が格子状に設けられている。

一方、スティフナ付き配線基板１１は、樹脂配線基板４０と、補強材であるスティフナ３１と、３つの板状接続端子片（具体的には、２つの電源用板状接続端子片７１と１つのグランド用板状接続端子片７２）とを備えている。樹脂配線基板４０は、１つの基板主面４１、１つの基板裏面４２及び４つの基板側面４３を有し、四辺を有する平面視矩形状をなしている。また、樹脂配線基板４０は、ガラスエポキシからなる略矩形板状のコア基板４４を有するとともに、コア基板４４のコア主面４５（図４では上面）上に第１ビルドアップ層５１を有し、同じくコア基板４４のコア裏面４６（図４では下面）上に第２ビルドアップ層５２を有するビルドアップ多層配線基板である。

図４に示されるように、本実施形態のコア基板４４は、縦５０．０ｍｍ×横５０．０ｍｍ×厚さ０．４ｍｍの平面視略矩形状である。コア基板４４は、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が１０〜３０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１８ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板４４の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。また、コア基板４４における複数箇所には、コア主面４５及びコア裏面４６を貫通するスルーホール導体４７が形成されている。これらのスルーホール導体４７は、コア基板４４のコア主面４５側とコア裏面４６側とを接続導通している。なお、スルーホール導体４７の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体４８で埋められている。そして、スルーホール導体４７における開口部には銅めっき層からなる蓋状導体４９が形成され、その結果スルーホール導体４７が塞がれている。

図４に示されるように、コア基板４４のコア主面４５上に形成された第１ビルドアップ層５１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層５３と、銅からなる導体層５５とを交互に積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層５３の熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂絶縁層５３の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。各樹脂絶縁層５３における複数箇所には、導体層５５に接続されるビア導体５８が形成されている。なお、ビア導体５８は、電解銅めっきによって形成されるコンフォーマルビア（完全に銅めっきが埋まらない形態のビア）である。また、第２層の樹脂絶縁層５３の表面上における複数箇所には、端子パッド５６がアレイ状に形成されている。さらに、第２層の樹脂絶縁層５３の表面は、ソルダーレジスト（図示略）によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジストの所定箇所には端子パッド５６を露出させる開口部（図示略）が形成され、端子パッド５６の表面上には複数のはんだバンプ５７が配設されている。各はんだバンプ５７は、前記ＬＳＩチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。即ち、ＬＳＩチップ２１は、樹脂配線基板４０の前記基板主面４１側に搭載されている。また、ＬＳＩチップ２１と樹脂配線基板４０との隙間には、熱硬化性樹脂からなるアンダーフィル材６１が充填形成されている。

図４に示されるように、コア基板４４のコア裏面４６上に形成された第２ビルドアップ層５２は、上述した第１ビルドアップ層５１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層５２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層５４と、導体層５５とを交互に積層した構造を有しており、樹脂絶縁層５４の熱膨張係数が１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）となっている。また、各樹脂絶縁層５４における複数箇所には、導体層５５に接続されるビア導体５８が形成されている。なお、ビア導体５８は、電解銅めっきによって形成されるコンフォーマルビアである。また、第２層の樹脂絶縁層５４の下面上における複数箇所には、導体層５５に電気的に接続されるＰＧＡ用パッド５９が形成されている。さらに、第２層の樹脂絶縁層５４の下面は、ソルダーレジスト（図示略）によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジストの所定箇所には、ＰＧＡ用パッド５９を露出させる開口部（図示略）が形成されている。ＰＧＡ用パッド５９の表面上には、図示しないマザーボード（母基板）との電気的な接続を図るための複数のピン６０がはんだ付けによって接合されている。そして、各ピン６０により、図１〜図４に示されるスティフナ付き配線基板１１は図示しないマザーボード上に実装される。

図１〜図８に示されるように、前記スティフナ３１は、前記樹脂配線基板４０が有する辺（即ち、前記基板側面４３を構成する辺）の部分に配置されるとともに、四辺（即ち、４つの基板側面４３を構成する辺）を包囲する環状樹脂部材である。本実施形態のスティフナ３１は、縦５２．０ｍｍ×横５２．０ｍｍ×厚さ２．０ｍｍの平面視矩形枠状である。なお、スティフナ３１の表面（図３では上面）の面積は５８８ｍｍ^２であって、樹脂配線基板４０の基板主面４１の面積は２５００ｍｍ^２であるため、スティフナ３１の表面の面積は基板主面４１の面積の約２４％となっている。スティフナ３１は、樹脂配線基板４０（コア基板４４及びビルドアップ層５１，５２）を構成する樹脂材料（本実施形態ではガラスエポキシ及びエポキシ樹脂）よりも高剛性の絶縁樹脂材料（本実施形態ではポリブテン樹脂）によって形成されている。これにより、スティフナ３１の熱膨張係数は、樹脂絶縁層５３，５４の熱膨張係数（２０ｐｐｍ／℃程度）よりも小さい値となっており、具体的には約１５ｐｐｍ／℃に設定されている。また、スティフナ３１のヤング率は、樹脂配線基板４０のヤング率（約３０ＧＰａ）よりも大きい値となっており、約５０ＧＰａに設定されている。

図１，図２，図５，図６に示されるように、スティフナ３１は、２つのレール部材（具体的には、平面視略コ字状のレール部材３５と平面視略棒状のレール部材３６）からなっている。各レール部材３５，３６をそれぞれの端部において互いに接続することにより、矩形枠状のスティフナ３１が形成される。

また図３〜図８に示されるように、スティフナ３１（レール部材３５，３６）は、内側面３３及び外側面３２を有しており、補強材本体３７、第１突出片３８及び第２突出片３９により、一側面側に窪み３４を有する断面略コ字状に構成される。補強材本体３７は、前記基板側面４３と平行に配置されており、基板側面４３に面接触可能となっている。第１突出片３８は、補強材本体３７の第１端部（図４では上端部）から前記樹脂配線基板４０の中心方向に突出して、前記基板主面４１の外周部（即ち、前記ＬＳＩチップ２１の実装エリアであるダイエリアを除く領域）に面接触可能となっている。第２突出片３９は、補強材本体３７の第２端部（図４では下端部）から樹脂配線基板４０の中心方向（即ち、第１突出片３８と同一方向）に突出して、前記基板裏面４２の外周部（即ち、前記ピン６０が存在するエリアを除く領域）に面接触可能となっている。なお、補強材本体３７の幅（図４では上端から下端までの高さ）は、本実施形態では２．０ｍｍに設定されている。第１突出片３８及び第２突出片３９の突出長さ（突出量）は、互いに等しく設定されており、本実施形態では約２．０ｍｍに設定されている。また、第１突出片３８と第２突出片３９との間隔は、樹脂配線基板４０の厚さよりもやや大きくなっており、本実施形態では約０．８ｍｍに設定されている。さらに、補強材本体３７及び第１突出片３８の厚さは、スティフナ３１が所望の剛性を得られる程度に設定されており、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下（本実施形態では１．０ｍｍ）に設定されている。一方、第２突出片３９の厚さは、樹脂配線基板４０側のピン６０とマザーボードとの接続を容易にするために、補強材本体３７及び第１突出片３８の厚さよりも小さく設定されており、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下（本実施形態では０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下）に設定されている。

そして図３，図４に示されるように、スティフナ３１の内側面３３は、基板側面４３と、基板主面４１の外周部と、基板裏面４２の外周部とに対して、接着剤５０を介して面接合（接合固定）される。なお、本実施形態の接着剤５０は、エポキシ系接着剤である。

図１〜図７に示されるように、前記各板状接続端子片７１，７２は、スティフナ３１（具体的には前記レール部材３５）の内側面３３に沿うようにしてスティフナ３１に取り付けられている。具体的に言うと、レール部材３５の内側面３３には、収容凹部７０（図７，図８参照）が複数箇所に形成されており、各板状接続端子片７１，７２は、それぞれの収容凹部７０内に収容されている。なお、各収容凹部７０は、レール部材３５において互いに離間配置されている。また、収容凹部７０の深さは板状接続端子片７１，７２の厚さとほぼ等しくなっており、収容凹部７０の幅は板状接続端子片７１，７２の幅（本実施形態では、２ｍｍ以上５ｍｍ以下）とほぼ等しくなっている。

各板状接続端子片７１，７２は、前記樹脂配線基板４０（前記コア基板４４及び前記ビルドアップ層５１，５２）を構成する樹脂材料（本実施形態ではガラスエポキシ及びエポキシ樹脂）よりも高剛性の導電性金属材料（本実施形態では銅及び銅導体金属）からなり、金属板を折り曲げることによって断面略コ字状に形成されている。これにより、各板状接続端子片７１，７２の熱膨張係数は、コア基板４４の熱膨張係数（１８ｐｐｍ／℃）や前記樹脂絶縁層５３，５４の熱膨張係数（２０ｐｐｍ／℃程度）よりも小さい値となっており、具体的には１６．８ｐｐｍ／℃に設定されている。また、各板状接続端子片７１，７２のヤング率は、樹脂配線基板４０のヤング率よりも大きい値となっており、１３０ＧＰａに設定されている。

図３，図４，図７等に示されるように、各板状接続端子片７１，７２は、端子片本体７５、第１突出部７６及び第２突出部７７によって構成されている。端子片本体７５は、前記基板側面４３及び前記補強材本体３７と平行に配置されており、基板側面４３及び補強材本体３７（収容凹部７０の底面）に面接触可能となっている。第１突出部７６は、端子片本体７５の第１端部（図４では上端部）から樹脂配線基板４０の中心方向に突出して、前記基板主面４１の外周部及び第１突出片３８（収容凹部７０の底面）に面接触可能となっている。第２突出部７７は、端子片本体７５の第２端部（図４では下端部）から樹脂配線基板４０の中心方向（即ち、第１突出部７６と同一方向）に突出して、前記基板裏面４２の外周部及び第２突出片３９（収容凹部７０の底面）に面接触可能となっている。なお、端子片本体７５の幅（図４では上端から下端までの高さ）、即ち、第１突出部７６と第２突出部７７との間隔は、本実施形態では約０．８ｍｍに設定されている。第１突出部７６の突出量は第１突出片３８の突出量よりも大きく設定され、第２突出部７７の突出量は第２突出片３９の突出量よりも大きく設定されている。さらに、端子片本体７５、第１突出部７６及び第２突出部７７の厚さは、本実施形態では約０．１ｍｍに設定されている。なお、供給される電力が大きい場合には、給電量に応じて、端子片本体７５、第１突出部７６及び第２突出部７７をさらに厚くすることがよい。

図３，図４等に示されるように、各板状接続端子片７１，７２は、それぞれの収容凹部７０の内側面に対して、接着剤を介して貼り付けられている。なお、収容凹部７０の内側面に塗布される接着剤は、前記スティフナ３１の窪み３４内に塗布される接着剤５０と同じものである。

また、各板状接続端子片７１，７２は、樹脂配線基板４０の基板主面４１側の導体層及び基板裏面４２側の導体層に接触して、両者を電気的に接続している。具体的に言うと、各電源用板状接続端子片７１は、基板主面４１上において端子パッド５６に接続された電源用導体層７３、及び、基板裏面４２上においてＰＧＡ用パッド５９に接続された電源用導体層７３に接触することで、両電源用導体層７３を電気的に接続している。詳述すると、電源用板状接続端子片７１の第１突出部７６の先端部は、基板主面４１上に形成された電源用導体層７３に対して、はんだ７８（図４参照）を介して電気的に接続されている。一方、電源用板状接続端子片７１の第２突出部７７の先端部は、基板裏面４２上に形成された電源用導体層７３に対して、はんだ７９（図４参照）を介して電気的に接続されている。即ち、電源用板状接続端子片７１は、ＰＧＡ用パッド５９（電源用導体層７３）、ビア導体５８、導体層５５、スルーホール導体４７、端子パッド５６（電源用導体層７３）などを介してＬＳＩチップ２１に電流を供給する供給経路のバイパス経路を構成している。

図３，図４に示されるように、グランド用板状接続端子片７２は、基板主面４１上において端子パッド５６に接続されたグランド用導体層７４、及び、基板裏面４２に上においてＰＧＡ用パッド５９に接続されたグランド用導体層７４に接触することで、両グランド用導体層７４を電気的に接続している。詳述すると、グランド用板状接続端子片７２の第１突出部７６の先端部は、基板主面４１上に形成されたグランド用導体層７４に対して、はんだ（図示略）を介して電気的に接続されている。一方、グランド用板状接続端子片７２の第２突出部７７の先端部は、基板裏面４２上に形成されたグランド用導体層７４に対して、はんだ（図示略）を介して電気的に接続されている。即ち、グランド用板状接続端子片７２は、ＰＧＡ用パッド５９（グランド用導体層７４）、ビア導体５８、導体層５５、スルーホール導体４７、端子パッド５６（グランド用導体層７４）などを通過する経路のバイパス経路を構成している。

次に、本実施形態の半導体パッケージ１０の製造方法について説明する。

まず、樹脂配線基板４０を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。樹脂配線基板４０は以下のように作製される。まず、縦５０．０ｍｍ×横５０．０ｍｍ×厚み０．４ｍｍの基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板（図示略）を準備する。そして、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、銅張積層板を貫通する貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール導体４７を形成した後、そのスルーホール導体４７内に閉塞体４８を充填形成する。さらに、銅張積層板の両面に対して銅めっきを行った後、さらに銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って蓋状導体４９をパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、コア基板４４を得る。

次に、コア基板４４のコア主面４５及びコア裏面４６に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体５８が形成されるべき位置に盲孔を有する第１層の樹脂絶縁層５３，５４（厚さ４０μｍ）を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔の内部にビア導体５８を形成するとともに、樹脂絶縁層５３，５４上に導体層５５を形成する。

次に、第１層の樹脂絶縁層５３，５４上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体５８が形成されるべき位置に盲孔を有する第２層の樹脂絶縁層５３，５４（厚さ４０μｍ）を形成する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔の内部にビア導体５８を形成する。さらに、第２層の樹脂絶縁層５３上に端子パッド５６（電源用導体層７３、グランド用導体層７４）を形成するとともに、第２層の樹脂絶縁層５４上にＰＧＡ用パッド５９（電源用導体層７３、グランド用導体層７４）を形成する。

この後、第２層の樹脂絶縁層５３，５４上にソルダーレジストを形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジストに、端子パッド５６やＰＧＡ用パッド５９（電源用導体層７３やグランド用導体層７４）を露出させる開口部をパターニングする。以上の結果、両面にビルドアップ層５１，５２を備える所望の樹脂配線基板４０が完成する。

その後、樹脂配線基板４０における複数の端子パッド５６上に略半球状のはんだバンプ５７を形成しておく。はんだバンプ５７を形成する手法としては特に限定されず、印刷法やめっき法などの周知の手法を採用することができる。次に、はんだ付けにより、ＰＧＡ用パッド５９の表面上にピン６０を接合する。その後、樹脂配線基板４０の基板主面４１にＬＳＩチップ２１を載置する。このとき、ＬＳＩチップ２１側の面接続端子２２と、樹脂配線基板４０側の端子パッド５６とを位置合わせするようにする。そして、２００℃前後の温度に加熱して各はんだバンプ５７をリフローすることにより、各面接続端子２２と各端子パッド５６とを接合する。この後、ＬＳＩチップ２１と樹脂配線基板４０との隙間にアンダーフィル材６１となる熱硬化性樹脂を充填しかつ熱硬化させる。

また、樹脂配線基板４０を補強するためのスティフナ３１を作製し、あらかじめ準備しておく。スティフナ３１は、例えば以下のように作製される。まず、第１型（図示略）と第２型（図示略）とを合わせることにより、内部に平面視略コ字状のレール部材３５と同一形状かつ同一体積のキャビティを構成する。この状態で、熱可塑性を有するポリブテン樹脂を加熱した状態でキャビティ内に充填した後、冷却することにより、レール部材３５が成形される。その後、第１型及び第２型を互いに離間させれば、成形されたレール部材３５が取り出される。同様に、第３型（図示略）と第４型（図示略）とを合わせることにより、内部に平面視略棒状のレール部材３６と同一形状かつ同一体積のキャビティを構成する。この状態で、ポリブテン樹脂を加熱した状態でキャビティ内に充填した後、冷却することにより、レール部材３６が形成される。その後、第３型及び第４型を互いに離間させれば、成形されたレール部材３６が取り出される。

さらに、各板状接続端子片７１，７２を作製し、あらかじめ準備しておく。板状接続端子片７１，７２は、例えば以下のように作製される。まず、後に板状接続端子片７１，７２となる金属板（本実施形態では銅板及び導体金属板）を打ち抜き金型の下型（図示略）上に配置する。そして、打ち抜き金型の上型を下降させる。このとき、金属板が打ち抜かれ、板状接続端子片７１，７２の中間製品が形成される。その後、板状接続端子片７１，７２の中間製品を所定箇所で折り曲げて断面略コ字状に形成すれば、板状接続端子片７１，７２が完成する。

次に、レール部材３５の各収容凹部７０内に接着剤を塗布し、各収容凹部７０内に板状接続端子片７１，７２を挿入する。この状態で、接着剤を乾燥硬化させれば、板状接続端子片７１，７２がレール部材３５に取り付けられる。次に、レール部材３５の窪み３４内に接着剤５０を塗布し、その窪み３４内に樹脂配線基板４０を挿入する（図５参照）。さらに、レール部材３６の窪み３４内に接着剤５０を塗布するとともに、レール部材３５の両端部に設けられた端面３０（図５参照）に接着剤を塗布する。なお、端面３０に塗布される接着剤は、収容凹部７０内に塗布される接着剤や窪み３４内に塗布される接着剤５０と同じものである。そして、レール部材３６の両端部（第１突出片３８及び第２突出片３９の先端面）をレール部材３５の両端部（端面３０）に接触させるとともに、レール部材３６の窪み３４内に樹脂配線基板４０の外周部を挿入させる。この状態で、接着剤を乾燥硬化させれば、各レール部材３５，３６が、それぞれの端部において接着剤を介して互いに接続され、矩形枠状のスティフナ３１が形成される。また、接着剤５０の乾燥硬化により、スティフナ３１が樹脂配線基板４０に対して接合固定される。その後、板状接続端子片７１，７２の第１突出部７６を、基板主面４１側の導体層（導体層７３，７４）にはんだ７８を介して接続し、板状接続端子片７１，７２の第２突出部７７を、基板裏面４２側の導体層（導体層７３，７４）にはんだ７９を介して接続すれば、図１に示す半導体パッケージ１０が得られる。なお、レール部材３５に板状接続端子片７１，７２を取り付ける接着剤、各レール部材３５，３６を互いに接続する接着剤、及び、スティフナ３１を樹脂配線基板４０に接合固定する接着剤５０は、常温（非加熱状態）で乾燥硬化されるため、樹脂配線基板４０が熱応力の影響を受けなくて済む。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態のスティフナ付き配線基板１１では、スティフナ３１が、樹脂配線基板４０の四辺における複数の面（基板主面４１、基板裏面４２、基板側面４３）に面接合される構成である。このため、スティフナ３１の内側面３３に沿うようにして板状接続端子片７１，７２をスティフナ３１に取り付けることが容易になり、樹脂配線基板４０の外側をバイパスさせて、基板主面４１側の導体層（導体層７３，７４）と基板裏面４２側の導体層（導体層７３，７４）と電気的に接続することができる。従って、樹脂配線基板４０の構造を変更することなく、板状接続端子片７１，７２を介して、基板裏面４２側の導体層（導体層７３，７４）から基板主面４１側の導体層（導体層７３，７４）に大電流を供給することができる。ゆえに、電源用導体層７３に電気的に接続されるＬＳＩチップ２１に大電流を確実に供給することができる。

また、スティフナ３１が基板主面４１、基板裏面４２及び基板側面４３に面接合することで、樹脂配線基板４０の四辺を確実に補強できるため、樹脂配線基板４０の反りが確実に抑えられる。それゆえ、樹脂配線基板４０の反りに起因する不具合が防止されるため、スティフナ付き配線基板１１の信頼性が向上する。さらに、樹脂配線基板４０が反りにくくなることで基板裏面４２が平坦になるため、半導体パッケージ１０を確実にマザーボード上に実装できる。また、樹脂配線基板４０に対するスティフナ３１の面接合により、スティフナ付き配線基板１１の剛性が高くなるため、スティフナ付き配線基板１１のハンドリング性が向上する。しかも、スティフナ３１は、窪み３４を有しており、単なる平板状よりも剛性が高い形状であるため、スティフナ３１を肉厚にしたり、スティフナ３１をコストの高い高剛性の材料を用いて形成したりしなくても済む。従って、スティフナ３１の製造コストを上昇させることなく、信頼性及びハンドリング性を向上させることができる。

（２）本実施形態の板状接続端子片７１，７２は、樹脂配線基板４０を構成する樹脂材料よりも高剛性の導電性金属材料からなるため、樹脂配線基板４０の四辺を、スティフナ３１だけでなく板状接続端子片７１，７２によっても補強することができる。これにより、樹脂配線基板４０の反りがより確実に抑えられ、反りに起因する不具合がより確実に防止されるため、スティフナ付き配線基板１１の信頼性がよりいっそう向上する。

（３）本実施形態のスティフナ３１は、複数のレール部材３５，３６をそれぞれの端部において互いに接続することにより、矩形枠状に形成されている。従って、比較的単純な構造のレール部材３５，３６によってスティフナ３１を形成できるため、スティフナ３１の製造コストがよりいっそう低減される。

（４）本実施形態の第１突出片３８の突出長さは約２．０ｍｍであり、第１突出片３８は、基板主面４１の外周部の一部分のみを覆っているに過ぎない。よって、基板主面４１の露出部分が大きくなるため、基板主面４１上に、ＬＳＩチップ２１だけでなく、ＬＳＩチップ２１以外の電子部品も容易に実装することができる。しかも、板状接続端子片７１，７２の第１突出部７６の突出量は、第１突出片３８の突出量よりも大きい。このため、ＬＳＩチップ２１（または電子部品）を基板主面４１の中心部に配置した場合であっても、板状接続端子片７１，７２とＬＳＩチップ２１（または電子部品）とを確実に電気的に接続できる。

なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。

・図９に示されるように、外側面９２上に電子部品８１を実装したスティフナ９１を、半導体パッケージ１０Ｄを構成するスティフナ付き配線基板１１Ｄに設けてもよい。この場合、スティフナ９１は、内側面９３側及び外側面９２側を導通させるスルーホール導体８２（導体柱）と、内側面９３上及び外側面９２上に配置されスルーホール導体８２に接続される端子パッド８３とを備えている。スルーホール導体８２における内側面９３側の端部に配置された端子パッド８３には電源用板状接続端子片７１が接続され、スルーホール導体８２における外側面９２側の端部に配置された端子パッド８３には電子部品８１が接続される。

このようにすれば、電子部品８１に欠陥があったとしても、電子部品８１を実装し直すことができ、樹脂配線基板４０が無駄になることはない。なお、電子部品としては、例えば、裏面または側面に複数の端子を有するチップ部品（例えばチップトランジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップコイルなど）などがある。

・上記実施形態では、第１突出片３８と第２突出片３９との間隔が、樹脂配線基板４０の厚さよりもやや大きくなっていた。しかし、第１突出片３８と第２突出片３９との間隔を樹脂配線基板４０の厚さより小さくし、第１突出片３８と第２突出片３９とで樹脂配線基板４０を挟み込むようにしてもよい。これに伴い、第１突出部７６と第２突出部７７との間隔を樹脂配線基板４０の厚さより小さくし、第１突出部７６と第２突出部７７とで樹脂配線基板４０を挟み込むようにしてもよい。このようにすれば、接着剤５０を用いなくても、樹脂配線基板４０にスティフナ３１を確実に接合することができる。また、接着剤５０を用いるようにすれば、樹脂配線基板４０とスティフナ３１との接合がより確実になる。

・上記実施形態のスティフナ３１は、複数のレール部材３５，３６からなり、各レール部材３５，３６をそれぞれの端部において互いに接続することにより、矩形枠状に形成されていた。しかし、スティフナ３１は、矩形枠状の１つの部材であってもよい。

・上記実施形態のスティフナ３１は、樹脂配線基板４０の四辺を包囲していたが、四辺を包囲していなくてもよい。

・上記実施形態の半導体パッケージ１０を構成するスティフナ付き配線基板１１は、第１突出片３８及び第２突出片３９の突出長さが互いに等しく設定されたスティフナ３１を備えていた。なお、基板裏面４２は、ＰＧＡ用パッド５９（及びピン６０）が略全面に配置されているために強度が高いが、基板主面４１は、ＩＣチップ２１が中央部に配置されているために強度が低い。

そこで図１０に示されるように、第１突出片１１１の突出量Ｌ１を第２突出片１１２の突出量Ｌ２よりも大きく設定したスティフナ３１Ａを、半導体パッケージ１０Ａを構成するスティフナ付き配線基板１１Ａに設けてもよい。ここで、第１突出片１１１の突出量Ｌ１は４ｍｍに設定され、第２突出片１１２の突出量Ｌ２は２ｍｍに設定されている。また、第１突出片１１１は第２突出片１１２よりも厚く設定されている。具体的に言うと、第１突出片１１１の厚さは０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下（図１０では１．０ｍｍ）に設定され、第２突出片１１２の厚さは０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下（図１０では０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下）に設定されている。このようにすれば、スティフナ３１Ａの剛性がよりいっそう高くなるため、樹脂配線基板４０の剛性がよりいっそう向上する。

・図１１に示されるように、半導体パッケージ１０Ｂを構成するスティフナ付き配線基板１１Ｂにスティフナ３１Ｂを設け、スティフナ３１Ｂの外側面１２１（上面）上にプリント配線基板Ｐ１を設置してもよい。なお、スティフナ３１Ｂの第１突出片１２２は、基板主面４１からＩＣチップ２１の表面（図１１では上面）までの高さよりも厚く設定されているため、プリント配線基板Ｐ１はＩＣチップ２１に接触しないようになる。即ち、スティフナ３１Ｂは、樹脂配線基板４０を補強する機能と、樹脂配線基板４０とプリント配線基板Ｐ１との間に介在するスペーサとしての機能とを兼ねている。

・図１２に示されるように、半導体パッケージ１０Ｃを構成するスティフナ付き配線基板１１Ｃにスティフナ３１Ｃを設け、スティフナ３１Ｃの外側面１３１（上面）上にプリント配線基板Ｐ１を設置してもよい。さらに、スティフナ３１Ｃに、内側面１３２側及び外側面１３１側を導通させるスルーホール導体１３３と、内側面１３２上及び外側面１３１上に配置されスルーホール導体１３３に接続される端子パッド１３４とを設け、端子パッド１３４上にはんだバンプ１３５を設けてもよい。これにより、樹脂配線基板４０側の電源用板状接続端子片７１とプリント配線基板Ｐ１の基板側端子パッド１３６とが、スルーホール導体１３３、端子パッド１３４、はんだバンプ１３５を介して電気的に接続される。

・上記実施形態におけるスティフナ３１は、ポリブテン樹脂によって形成されていた。しかし、スティフナ３１を他の樹脂材料によって形成してもよいし、セラミック材料によって形成してもよい。また、スティフナ３１と板状接続端子片７１，７２との間に絶縁物を介在させるのであれば、スティフナ３１をアンバー（Ｆｅ−Ｎｉ系合金、３６％Ｎｉ）などの金属材料によって形成してもよい。スティフナ３１を金属材料によって形成すれば、静電気やノイズからの電磁波をスティフナ３１によって遮蔽することができる。

・上記実施形態において、樹脂配線基板４０における基板主面４１上や基板裏面４２上には、ＬＳＩチップ２１のほかに電子部品が実装されていてもよい。電子部品としては、例えば、裏面または側面に複数の端子を有するチップ部品（例えばチップトランジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップコイルなど）などがある。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）基板主面、基板裏面及び基板側面を有し、四辺を有する平面視矩形状をなし、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造の樹脂配線基板、前記樹脂配線基板が有する辺の部分に配置されるとともに、前記基板側面と、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部の少なくとも一方とに内側面が面接合される補強材、及び、前記補強材の内側面及び外側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられ、前記樹脂配線基板の前記基板主面側の導体層及び前記基板裏面側の導体層に接触してそれらを電気的に接続する板状接続端子片を備える補強材付き配線基板と、前記基板主面及び前記基板裏面の少なくとも一方の側に搭載された半導体集積回路素子とを備えることを特徴とする半導体パッケージ。

（２）基板主面、基板裏面及び基板側面を有し、四辺を有する平面視矩形状をなし、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造の樹脂配線基板に取り付けられる接続端子片付き補強材であって、前記樹脂配線基板が有する辺の部分に配置可能であり、前記基板側面と、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部の少なくとも一方とに内側面が面接合可能な補強材と、前記補強材の内側面または外側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられ、前記基板主面側の導体層及び前記基板裏面側の導体層に接触してそれらを電気的に接続可能な板状接続端子片とを備えることを特徴とする接続端子片付き補強材。

（３）基板主面、基板裏面及び基板側面を有し、四辺を有する平面視矩形状をなし、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造の樹脂配線基板と、前記樹脂配線基板が有する辺の部分に配置されるとともに、前記基板側面と、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部の少なくとも一方とに内側面が面接合される補強材と、前記補強材の内側面または外側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられ、前記樹脂配線基板の前記基板主面側の導体層及び前記基板裏面側の導体層に接触してそれらを電気的に接続する板状接続端子片とを備え、前記補強材は、複数のレール部材からなり、前記複数のレール部材をそれぞれの端部において互いに接続することにより、矩形枠状に形成されていることを特徴とする補強材付き配線基板。

本実施形態における半導体パッケージを示す概略斜視図。 半導体パッケージを示す概略斜視図。 半導体パッケージを示す概略断面図。 半導体パッケージを示す要部断面図。 樹脂配線基板にスティフナを取り付けるときの状態を示す概略斜視図。 スティフナの構成を示す概略斜視図。 スティフナと板状接続端子片との関係を示す概略断面図。 スティフナにおける収容凹部付近を示す正面図。 他の実施形態における半導体パッケージを示す要部断面図。 他の実施形態における半導体パッケージを示す要部断面図。 他の実施形態における半導体パッケージを示す要部断面図。 他の実施形態における半導体パッケージを示す要部断面図。 従来技術における半導体パッケージを示す概略斜視図。 同じく、半導体パッケージを示す概略断面図。

符号の説明

１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ…補強材付き配線基板としてのスティフナ付き配線基板
３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，９１…補強材としてのスティフナ
３２，９２，１２１，１３１…補強材の外側面
３３，９３，１３２…補強材の内側面
３７…補強材本体
３８，１１１，１２２…第１突出片
３９，１１２…第２突出片
４０…樹脂配線基板
４１…基板主面
４２…基板裏面
４３…基板側面
５０…接着剤
５３，５４…樹脂絶縁層
５５…導体層
７０…収容凹部
７１…板状接続端子片としての電源用板状接続端子片
７２…板状接続端子片としてのグランド用板状接続端子片
７３…基板主面側の導体層及び基板裏面側の導体層としての電源用導体層
７４…基板主面側の導体層及び基板裏面側の導体層としてのグランド用導体層
７５…端子片本体
７６…第１突出部
７７…第２突出部
８２，１３３…導体柱としてのスルーホール導体
８３，１３４…端子パッド
Ｌ１…第１突出片の突出量
Ｌ２…第２突出片の突出量

Claims (9)

1. 基板主面、基板裏面及び基板側面を有し、四辺を有する平面視矩形状をなし、樹脂絶縁層及び導体層を積層した構造の樹脂配線基板と、
   前記樹脂配線基板が有する辺の部分に配置されるとともに、前記基板側面と、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部の少なくとも一方とに内側面が面接合される補強材と、
   前記補強材の内側面または外側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられ、前記樹脂配線基板の前記基板主面側の導体層及び前記基板裏面側の導体層に接触してそれらを電気的に接続する板状接続端子片と
   を備えることを特徴とする補強材付き配線基板。
2. 前記板状接続端子片は、前記補強材の内側面に沿うようにして前記補強材に取り付けられ、
   前記補強材の内側面の一部に、前記板状接続端子片を収容するための収容凹部が形成され、前記収容凹部の深さが前記板状接続端子片の厚さと等しくなっている
   ことを特徴とする請求項１に記載の補強材付き配線基板。
3. 前記板状接続端子片は、前記基板主面上及び前記基板裏面上に形成された電源用導体層、または、前記基板主面上及び前記基板裏面上に形成されたグランド用導体層に接触することで電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の補強材付き配線基板。
4. 前記板状接続端子片が複数設けられるとともに、前記補強材が絶縁樹脂材料からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の補強材付き配線基板。
5. 前記補強材は、前記樹脂配線基板を構成する樹脂材料よりも高剛性の樹脂材料からなり、前記板状接続端子片は、前記樹脂配線基板よりも高剛性の導電金属材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の補強材付き配線基板。
6. 前記補強材の内側面は、その一部に前記板状接続端子片が接着剤を介して貼り付けられているとともに、前記基板側面と、前記基板主面の外周部及び前記基板裏面の外周部の少なくとも一方とに対して接着剤を介して接合固定されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の補強材付き配線基板。
7. 前記補強材は、前記基板側面に面接触可能な補強材本体と、前記補強材本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板主面の外周部に面接触可能な第１突出片と、前記補強材本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板裏面の外周部に面接触可能な第２突出片とによって構成され、
   前記板状接続端子片は、前記基板側面及び前記補強材本体に接触可能な端子片本体と、前記端子片本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板主面の外周部及び前記第１突出片に面接触可能な第１突出部と、前記端子片本体から前記樹脂配線基板の中心方向に突出して前記基板裏面の外周部及び前記第２突出片に面接触可能な第２突出部とによって構成され、
   前記第１突出部の突出量は、前記第１突出片の突出量よりも大きく設定され、前記第２突出部の突出量は、前記第２突出片の突出量よりも大きく設定される
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の補強材付き配線基板。
8. 前記第１突出片の突出量は、前記第２突出片の突出量よりも大きく設定されることを特徴とする請求項７に記載の補強材付き配線基板。
9. 前記補強材は、前記内側面側及び前記外側面側を導通させる導体柱と、前記外側面上に配置され前記導体柱に接続される端子パッドとを備え、
   前記板状接続端子片は、前記導体柱における前記内側面側の端部に接続される
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の補強材付き配線基板。

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