JP2017005232A - 電子部品内蔵型配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】搭載される電子素子の放熱性が向上した電子部品内蔵型配線基板を提供する。
【解決手段】電子部品内蔵型配線基板１２であって、一方の主面１ａに電子素子と電気的に接続される第１の電極パッド２ａと他方の主面１ｂに第２の電極パッド２ｂとを有する絶縁基材１と、第１の電極パッド２ａと第２の電極パッド２ｂとの間に埋設された、直方体状の積層体４の端面に設けられた電極側面部６Ａと電極側面部６Ａから上面１ａおよび下面１ｂに延在する上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃを含む一対の外部電極６とを有する電子部品４とを備え、外部電極６は、上面側延在部６Ｂが第１のビアホール導体３ａを介して第１の電極パッド２ａと接続され、下面側延在部６Ｃが第２のビアホール導体３ｂを介して第２の電極パッド２ｂと接続され、上面側延在部および下面側延在部は、上面１ａおよび下面１ｂの中央部に向かって凸状に湾曲して延在している。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板の内部に積層型コンデンサ等の電子部品を内蔵した電子部品内蔵型配線基板に関するものである。

近年、電子機器の小型化が進み、電子部品の高密度化、高集積化に対応した配線基板が要求されており、配線基板の内部に電子部品を内蔵する、特に、積層型コンデンサを内蔵する電子部品内蔵型配線基板が用いられている。

このような電子部品内蔵型配線基板は、例えば、絶縁基材から構成されており、絶縁基材の表面の配線回路パターンと絶縁基材の内部に埋設された積層型コンデンサの外部電極とがビアホール導体を介して電気的に接続されている。このような電子部品内蔵型配線基板は、例えば、特許文献１に開示されたものがある。

特開２０１４−１３０９８７号公報

電子部品内蔵型配線基板は、内部に、例えば、積層型コンデンサ等の電子部品が内蔵されるとともに、上面には、例えば、半導体素子等の電子素子が搭載されている。このような電子部品内蔵型配線基板では、上面に搭載される半導体素子等の電子素子から発生する熱を放熱するために、内蔵される電子部品の外部電極とビアホール導体とからなる放熱経路を内部に有している。また、電子部品内蔵型配線基板は、電子素子のはんだ接合時のリフロー時の配線基板の温度上昇または電子素子の搭載後の環境変化による配線基板の温度上昇等が生じやすい。電子部品内蔵型配線基板は、電子部品が内部に完全に埋め込まれ、外部電極が積層体の上面および下面の中央部側に向かって延在しており、外部電極とビアホール導体とが接続によって拘束されているので、このような温度上昇で構成部材の線膨張係数の違いにより、外部電極の延在部において、特に上面および下面の中央部側の端部の角部に応力が集中しやすく、剥がれまたはクラック等が生じやすくなり、電子部品の信頼性が低下するという問題点があった。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、応力の集中を抑制することができる電子部品内蔵型配線基板を提供することにある。

本発明の一態様に係る電子部品内蔵型配線基板は、一方の主面に設けられた、該一方の主面側に搭載される電子素子と電気的に接続される複数の第１の電極パッドと前記第１の電極パッドの下方に位置するように他方の主面に設けられた、前記第１の電極パッドと電気的に接続される複数の第２の電極パッドとを有する絶縁基材と、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの間の前記絶縁基材内に埋設された、上面、下面、一対の側面および一対の端面を有する直方体状の積層体と該積層体の前記端面に設けられた電極側面部と該電極側面部から前記上面および前記下面に延在する上面側延在部および下面側延在部を含む一対の外部電極とを有する電子部品とを備えており、前記外部電極は、前記上面側延在部が第１のビアホール導体を介して前記第１の電極パッドと接続され、前記下面側延在部が第２のビアホール導体を介して前記第２の電極パッドと接続されており、前記上
面側延在部および前記下面側延在部は、前記上面および前記下面の中央部に向かって凸状に湾曲して延在していることを特徴とするものである。

本発明の電子部品内蔵型配線基板によれば、内蔵される電子部品の外部電極とビアホール導体とからなる放熱経路を設けるとともに、外部電極の上面側延在部および下面側延在部を上面および下面の中央部に向かって凸状に湾曲して延在させることによって、電子部品内蔵型配線基板に搭載される電子素子に対する放熱性を向上させるとともに応力の集中を抑制することができる。

（ａ）は、実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板に電子素子を搭載した状態を示す概略の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す電子部品内蔵型配線基板に内蔵された積層型コンデンサを示す概略の斜視図である。 （ａ）は、図１（ｂ）に示す積層型コンデンサの上面図であり、（ｂ）は、図１（ｂ）に示す積層型コンデンサのＡ−Ａ線で切断した断面図であり、（ｃ）は、図１（ｂ）に示す積層型コンデンサのＢ−Ｂ線で切断した断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、図１（ｂ）に示す積層型コンデンサの外部電極とビアホール導体との接続部（図１(ａ)のＡ領域）について説明するための模式図である。 （ａ）は、図１に示す電子部品内蔵型配線基板に用いられるビアホール導体を説明するための模式図であり、（ｂ）および（ｃ）は、図１に示す電子部品内蔵型配線基板に用いられるビアホール導体の他の例を説明するための模式図である。 （ａ）〜（ｃ）は、実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板の製造方法を説明するための工程図である。 （ａ）〜（ｃ）は、実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板の製造方法を説明するための工程図である。 （ａ）および（ｂ）は、電子部品内蔵型配線基板に電子素子を搭載した状態を示す断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板の他の例に電子素子を搭載した状態を示す概略の断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板の他の例の製造方法を説明するための工程図である。

＜実施の形態＞
以下、本発明の実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板について図面を参照しながら説明する。また、電子部品内蔵型配線基板および電子部品は、便宜的に、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、上面もしくは下面の用語を適宜用いるものとする。

図１は、本発明の実施の形態に係る電子部品内蔵型配線基板１２を示す概略の断面図であり、電子部品内蔵型配線基板１２の一方の主面（上面）側に電子素子１１を搭載した状態の断面図を示している。電子部品内蔵型配線基板１２は、絶縁基材１と絶縁基材１の内部に埋設された電子部品４とを備えている。電子部品４は、絶縁基材１内に空隙を形成して、空隙の内部に収容され埋設されている。このように、電子部品内蔵型配線基板１２は、絶縁基材１内に電子部品４が内蔵されたものである。

絶縁基材１は、図１に示すように、一方の主面（上面１ａ）に複数の第１の電極パッド２ａが設けられ、第１の電極パッド２ａの下方の他方の主面（下面１ｂ）に複数の第２の電極パッド２ｂが設けられている。第１の電極パッド２ａは、電子部品内蔵型配線基板１
２に搭載される電子素子１１と電気的に接続され、第１の電極パッドと第２の電極パッド２ｂとは対向するように配置され、電気的に接続される。電子部品４は、第１の電極パッド２ａと第２の電極パッド２ｂとの間の絶縁基材１内に埋設されている。

また、電子部品内蔵型配線基板１２は、内部に第１のビアホール導体３ａと第２のビアホール導体３ｂとを有しており、第１のビアホール導体３ａが第１の電極パッド２ａと電子部品４の外部電極６とを電気的に接続しており、第２のビアホール導体３ｂが第２の電極パッド２ｂと電子部品４の外部電極６とを電気的に接続している。

絶縁基材１は、熱硬化性樹脂を含んでおり、熱膨張係数または弾性率を容易に調整する上で、例えば、無機質の粒状フィラーと有機樹脂とからなる絶縁材料を用いることができる。また、絶縁基材１は、機械的強度を高める上で、例えば、ガラス繊維またはアラミド繊維等の繊維状フィラーと有機樹脂とからなる絶縁材料を用いることができる。

また、無機質の粒状フィラーは、例えば、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃およびＢａＴｉＯ₃の群から選ばれる少なくとも１種を好適に用いることができる。無機質の粒状フィラーとして、ＳｉＯ₂を用いた場合には絶縁層の比誘電率を小さくすることができる。また、無機質の
粒状フィラーとして、Ａｌ₂Ｏ₃を用いた場合には配線基板の熱伝導率を高めることができる。無機質の粒状フィラーとして、ＢａＴｉＯ₃を用いた場合には絶縁層の比誘電率を高
めることができる。特に、電子機器の小型化または高性能化を目的として、高速伝送を行うためには、無機質の粒状フィラーとして低誘電率のＳｉＯ₂を用いることが望ましい。

また、絶縁基材１は、熱硬化性樹脂を含んでおり、熱硬化性樹脂としては、ポリフェニレンエーテル（ＡＰＰＥ）系樹脂、エポキシ系樹脂およびシアネート系樹脂の群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。ＡＰＰＥ系樹脂は、比誘電率、誘電損失および吸水率が低く、さらに、ガラス転移点が高いため、高耐熱性であることから、特に好ましい。さらに、絶縁基材１の混合物は、無機質の粒状フィラーとのぬれ性を改善するために、分散剤またはカップリング剤等を含んでもよい。

第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂは、めっき層からなり、図１に示すように、第１のビアホール導体３ａが絶縁基材１の一方の主面（上面１ａ）の第１電極極パッド２ａと電子部品４の外部電極６とを電気的に接続しており、第２のビアホール導体３ｂが他方の主面（下面１ｂ）の第２の電極パッド２ｂと絶縁基材１内の電子部品４の外部電極６とを電気的に接続している。また、第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）は、図４（ａ）に示すように、絶縁基材１の厚み方向に直交する方向の断面形状が略円形状となるように設けられており、絶縁基材１の表面（上面１ａまたは下面１ｂ）方向に向かって漸次拡径する略逆円錐台形状で形成されている。また、第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）は、例えば、銅（Ｃｕ）めっき層からなる。

また、第１のビアホール導体３（第２のビアホール導体３ｂ）は、絶縁基材１にビアホールを形成してビアホール内の外部電極６の上面側延在部６Ａ（下面側延在部６Ｃ）を覆うようにめっき処理を行なうことによって形成することができる。具体的には、第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）は、外部電極６の上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）が露出するように絶縁基材１内にビアホールを形成して、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）を覆うとともに、外部電極６と第１の電極パッド２ａ（第２の電極パッド２ｂ）とが電気的に接続するようにビアホール内に形成される。

電子部品内蔵型配線基板１２は、図１（ａ）に示すように、電子部品４が絶縁基材１の熱硬化性樹脂内に内蔵されている。図１（ｂ）および図２は、電子部品内蔵型配線基板１
２に内蔵されている電子部品４を取り出して電子部品４の単体を示したものである。電子部品４は、例えば、積層型コンデンサであり、絶縁基材１内に埋設されて、外部電極６が第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂと電気的に接続されている。

電子部品４は、第１の電極パッド２ａと第２の電極パッド２ｂとの間の絶縁基材１内に埋設されており、積層体５と一対の外部電極６とを有している。積層体５は、直方体状であり、上面、下面、一対の側面および一対の端面を有している。図２に示すように、一対の外部電極６は、電極側面部６Ａと上面側延在部６Ｂと下面側延在部６Ｃとを含んでいる。電極側面部６Ａは、積層体５の端面１ｅ（端面１ｆ）に設けられ、上面側延在部６Ｂは、電極側面部６Ａから上面１ａに延在しており、下面側延在部６Ｃは、電極側面部６Ａから下面１ｂに延在している。

電子部品内蔵型配線基板１２は、電子部品４として積層型コンデンサが内蔵されているが、内蔵する電子部品４は、積層型コンデンサに限らない。電子部品４は、例えば、低抗部品またはインダクタ部品等の外部電極を有するものであってもよい。以下では、電子部品４として積層型コンデンサが電子部品内蔵型配線基板１２に用いられる場合について説明する。

積層型コンデンサは、図１および図２に示すように、積層体５と積層体５のそれぞれの端面１ｅ、１ｆに設けられた一対の外部電極６とを有しており、セラミック材料の誘電体層と内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）とが交互に積層されている。一対の外部電極６は、積層体５の端面１ｅ、１ｆに引き出された内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）に電気的に接続されている。

積層型コンデンサは、積層体５が複数の誘電体層が積層されて略直方体状に形成されており、互いに対向する一対の主面（上面１ａおよび下面１ｂ）と互いに対向する一対の側面１ｃ、１ｄと互いに対向する一対の端面１ｅ、１ｆとを有し、互いに対向する一対の端面１ｅ、１ｆに外部電極６が形成されている。このように、一対の端面１ｅ、１ｆが一対の主面（上面１ａおよび下面１ｂ）間に位置するとともに一対の主面（上面１ａおよび下面１ｂ）に直交しており、一対の側面１ｃ、１ｄが、一対の主面（上面１ａおよび下面１ｂ）間に位置するとともに一対の主面（上面１ａおよび下面１ｂ）１ａ、１ｂに直交しており、一対の端面１ｅ、１ｆと一対の側面１ｃ、１ｄとが直交している。なお、略直方体状とは、立方体形状または直方体形状のみならず、例えば、直方体の稜線部分に面取りが施され、稜線部分がＲ形状となっているものを含んでいる。誘電体層となるセラミックグリーンシートを複数枚積層して焼成することで得られる焼結体である。

積層体４は、誘電体層の表面に内部電極５ａ、５ｂが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚積層して焼成することで得られる焼結体である。このように、積層体５は、略直方体状に形成されており、誘電体層および内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）の積層方向（Ｚ方向）に直交する方向の断面（ＸＹ面）となる平面が長方形状となっている。

積層型コンデンサは、長手方向（Ｘ方向）の長さが、例えば、０．６（ｍｍ）〜２．２（ｍｍ）、短手方向（Ｙ方向）の長さが、例えば、０．３（ｍｍ）〜１．５（ｍｍ）、高さ方向（Ｚ方向）の長さが、例えば、０．３（ｍｍ）〜１．２（ｍｍ）である。

誘電体層は、積層方向（Ｚ方向）からの平面視において長方形状である。図２に示した誘電体層および内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）の構造は模式的なものであり、実際には数層〜数百層の誘電体層と内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）とが積層されたものが多く用いられており、１層当たりの厚みが
、例えば、０．２（μｍ）〜３（μｍ）である。積層体４は、例えば、１０（層）〜１０００（層）からなる複数の誘電体層と内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）とがＺ方向に積層されている。また、積層体５内の内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）の積層数は、積層型コンデンサの特性等に応じて適宜に設定される。

誘電体層は、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）またはジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）等が用いられる。また、誘電体層は、高い誘電率の点から、特に、誘電率の高い強誘電体材料としてチタン酸バリウムを用いることが好ましい。

内部電極は、図２に示すように、積層体５の積層方向において第１の内部電極５ａと第２の内部電極５ｂとが対向しており、第１の内部電極５ａが誘電体層間に配置されて、一方の端部が一方の端面１ｅに引き出されており、また、第２の内部電極５ｂが誘電体層間に配置されて、一方の端部が一方の端面１ｅに対向する他方の端面１ｆに引き出されている。

第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂの導電材料は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）または金（Ａｕ）等の金属材料、あるいは、これらの金属材料の一種以上を含む、例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金等の合金材料である。また、第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂは、電極の厚みが、例えば、０．２（μｍ）〜２（μｍ）であり、用途に応じて厚みを適宜に設定すればよい。また、第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂは、同一の金属材料または合金材料によって形成することが好ましい。

一対の外部電極６は、積層体５の長手方向に位置する端面１ｅ、１ｆにそれぞれ設けられており、図２（ｂ）に示すように、一方が端面１ｅに引き出された第１の内部電極５ａを覆うように形成され、第１の内部電極５ａに電気的に接続されており、また、他方が端面１ｆに引き出された第２の内部電極５ｂを覆うように形成され、第２の内部電極５ｂに電気的に接続されている。

図２に示すように、一対の外部電極６は、一方の外部電極６が端面１ｅに設けられるとともに、端面１ｅの電極側面部６Ａから上面１ａおよび下面１ｂの表面にそれぞれ延在して設けられており、上面１ａに上面側延在部６Ｂおよび下面１ｂに下面側延在部６Ｃを有しており、また、一方の外部電極６と同じように、他方の外部電極６が端面１ｆに設けられるとともに、端面１ｆの電極側面部６Ａから上面１ａおよび下面１ｂの表面にそれぞれ延在して設けられており、上面１ａに上面側延在部６Ｂおよび下面１ｂに下面側延在部６Ｃを有している。

一対の外部電極６は、図１および図２に示すように、上面側延在部６Ｂが第１のビアホール導体３ａを介して第１の電極パッド２ａと接続され、下面側延在部６Ｃが第２のビアホール導体３ｂを介して第２の電極パッド２ｂと接続されている。また、図２に示すように、上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃは、延在方向において積層方向から平面視して中央部が端部よりも突出している。

電子部品内蔵型配線基板１２は、一方の主面（上面１ａ）側で外部電極６の上面側延在部６Ｂが第１のビアホール導体３ａを介して第１の電極パッド２ａに接続され、他方の主面（下面１ｂ）側で外部電極６の下面側延在部６Ｃが第２のビアホール導体３ｂを介して第２の電極パッド２ｂで接続されており、第１の電極パッド２ａと第２の電極パッド２ｂとは、厚み方向において第１のビアホール導体３ａと外部電極６と第２のビアホール導体
３ｂとを介して繋がっている。このように、電子部品内蔵型配線基板１２は、一方の主面（上面１ａ）の第１の電極パッド２ａから他方の主面（下面１ｂ）の第２の電極パッド２ｂに向かって、厚み方向において第１のビアホール導体３ａと外部電極６と第２のビアホール導体３ｂとによって内部に熱を放熱するための放熱経路が形成されることになる。

したがって、電子部品内蔵型配線基板１２は、一方の主面（上面１ａ）側の第１の電極パッド２ａに電子素子が電気的に接続されるので、一方の主面（上面１ａ）側の第１の電極パッド２ａから他方の主面（下面１ｂ）側の第２の電極パッド２ｂに向かって電子素子１１から生じた熱を効果的に伝えて放熱することができる。

また、図２（ａ）に示すように、上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃは、上面１ａおよび下面１ｂの中央部に向かって円弧状に湾曲して延在している。すなわち、図２（ａ）に示すように、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）は、積層体４の短手方向（Ｙ方向）の長さが端面１ｅ（端面１ｆ）側から上面１ａ（下面１ｂ）の中央部側に向かって漸次小さくなるように上面１ａおよび下面１ｂの中央部側に突出するように凸状に湾曲しており、中央部側に向かって湾曲して延在する湾曲部を有している。このように、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）は、中央部側に向かって凸状に湾曲する湾曲部を有しており、湾曲部は、例えば、凸状に湾曲する円弧状である。

例えば、電子部品内蔵型配線基板は、一方の主面（上面）の第１の電極パッドから他方の主面（下面）の第２の電極パッドに向かって、厚み方向において第１のビアホール導体と外部電極と第２のビアホール導体とによって内部に放熱経路が形成されると、構成部材、例えば、絶縁基材、絶縁基材内部の配線パターン、第１のビアホール導体および第２のビアホール導体等の線膨張係数の違いによって、上面側延在部および下面側延在部に応力が集中しやくなり、剥がれまたはクラック等が生じやすくなる。

しかしながら、電子部品内蔵型配線基板１２は、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）が上面１ａおよび下面１ｂの中央部に向かって凸状に湾曲して延在しているので、構成部材の線膨張係数の違いによって発生する応力が凸状の湾曲部で効果的に分散される。したがって、電子部品内蔵型配線基板１２は、応力の集中が抑制されるので、剥がれまたはクラック等の発生が抑制される。このように、電子部品内蔵型配線基板１２は、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）を凸状に湾曲して延在することによって、電子部品４の信頼性の低下を抑制することができる。

電子部品内蔵配線基板１２は、内蔵される電子部品４の外部電極６と第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂとからなる放熱経路を絶縁基材１の内部に設けることによって、一方の主面（上面１ａ）側に搭載される電子素子１１に対する放熱性を向上させるとともに、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）が延在方向において上面１ａおよび下面１ｂの中央部に向かって凸状に湾曲して延在しているので、応力の集中を抑制することができる。

また、一対の外部電極６は、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）が湾曲した凸状となるように中央部を突出させており、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）の面積が大きくなり、熱容量が大きくなるので、放熱性を向上させることができる。

また、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）は、形状をＲ（曲率半径）を有する湾曲状の角のない形状とすることにより、上面側延在部６Ｂ（下面側延在部６Ｃ）が積層体５から剥離しにくくなる。

積層型コンデンサは、図１に示すように、積層体５の表面の外部電極６の一部が第１の
ビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂと接続されている。具体的には、電子部品内蔵型配線基板１２は、第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂが、図１乃至図３に示すように、積層体５の表面の外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃのエッチング処理領域６ｄで外部電極６と直接的に接続されている。

このように、積層型コンデンサは、絶縁基材１内で外部電極６と第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂとが直接的に接続されており、図１に示すように、一対の外部電極６は、絶縁基材１内で第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂに接する領域と熱硬化性樹脂に接する領域とを有することになる。積層型コンデンサは、エッチング処理領域６ｄが第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂに接する領域であり、外部電極６は、第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂに接する領域（エッチング処理領域６ｄ）の表面粗さ（Ｒａ）が熱硬化性樹脂に接する領域の表面粗さ（Ｒａ）よりも小さい。なお、絶縁基材１内での第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂと外部電極６との接続については後述する。

一対の外部電極６は、下地電極６ａと下地電極を覆う金属層６ｂとを含んでおり、一対の下地電極６ａは、一方が端面１ｅから上面１ａおよび下面１ｂに延在するように形成され、また、他方が端面１ｆから上面１ａおよび下面１ｂに延在するように形成されている。金属層６ｂは、下地電極６ａを覆うように下地電極５の表面上に形成されている。このように、一対の外部電極６は、下地電極６ａと金属層６ｂとから構成されており、端面１ｅにおいて、上面１ａから下面１ｂにわたって設けられており、端面１ｆにおいて、上面１ａから下面１ｂにわたって設けられている。

下地電極６ａの導電材料は、例えば、Ｃｕ（銅）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）または金（Ａｕ）等の金属材料、あるいは、これらの金属材料の一種以上を含む、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合金等の合金材料である。また、一対の下地電極４は、積層体１の表面に同一の金属材料または同一の合金材料によって形成することが好ましい。

外部電極６の下地電極６ａは、端面１ｅ、１ｆに引き出された第１の内部電極５ａまたは第２の内部電極５ｂに電気的に接続されている。また、下地電極６ａの導電材料は、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）または金（Ａｕ）等の金属材料、あるいは、これらの金属材料の一種以上を含む、例えば、Ｃｕ−Ｎｉ合金等の合金材料である。また、下地電極６ａは、例えば、上述の金属材料または合金材料にガラス成分を混合して調製した導電性ペーストが用いられる。一対の下地電極６ａは、セラミック本体５の表面に同一の金属材料または同一の合金材料によって形成することが好ましい。

下地電極６ａは、主面（上面１ａおよび下面１ｂ）における厚みが、例えば、４（μｍ）〜１０（μｍ）であり、端面１ｅ、１ｆにおける厚みが、例えば、１０（μｍ）〜２５（μｍ）であり、側面１ｃ、１ｄにおける厚みが、例えば、４（μｍ）〜１０（μｍ）である。

下地電極６ａは、積層体５の表面に形成されており、めっき層６ｂは、下地電極６ａの全体を覆うように下地電極６ａに形成されている。また、めっき層６ｂは、図２に示すように、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１と銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２とを含んでおり、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１は下地電極６ａを覆うように形成されており、また、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２はニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１を覆うように形成されている。銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２は、表面に凹凸部６ｃを有しており、凹凸部６ｃは絶縁基材１の熱硬化性樹脂との密着性を向上させる。

このように、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１は、下地電極６ａと銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２との間に形成されており、内側の下地電極６ａを保護することができる。具体的には、第１のビアホール導体３（第２のビアホール導体３ｂ）はめっき層で形成されており、絶縁基材１内にめっき処理を行なって第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）を形成する場合には、このめっき処理の前にビアホールの内部に対してエッチング処理が行なわれる。このエッチング処理は、ビアホール内の銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の酸化膜を除去するとともに銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の表面を平坦にするために行なうものである。また、このエッチング処理は、ビアホール形成時のレーザ加工でビアホールの側面が凹凸となっており、この凹凸を平坦にするために行なうものである。

このエッチング処理では、特に、めっき層６ｂの表面の銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２がエッチング処理される。かりに、エッチング液が銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２から下地電極６ａに侵入しようとしても、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１は、下地電極６ａと銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２との間に形成されており、緻密なめっき層であり、また、酸化しやすく、酸化被膜を有しているので、エッチングされにくく、エッチング処理の際にエッチング液の下地電極６ａへの侵入を抑制するので、下地電極６ａを保護することができる。

具体的には、例えば、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２をエッチング処理する場合には、一般的に酸系のエッチング液が用いられており、一方、ガラス成分を含有する下地電極６ａは内部に間隙を有しているので、下地電極６ａの内部の間隙をエッチング液が通過して積層体５に到達すると、酸系のエッチング液で誘電体層または内部電極（第１の内部電極５ａおよび第２の内部電極５ｂ）が腐食して絶縁性の低下が生じやすくなる。しかしながら、電子部品内蔵型配線基板１２は、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１が形成されているので、エッチング液が下地電極６ａに侵入するのを抑制することができる。

また、かりに、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２がオーバーエッチングされたとしても、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１が下地電極６ａと銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２との間に形成されているので、下地電極６ａを保護することができる。すなわち、エッチング処理において、かりに、エッチング量が大きくなったとしても、下地電極６ａへのエッチング液の侵入が銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２によって抑制されるので、積層型コンデンサは、外部電極６に対するエッチング処理の自由度を高めることができる。

ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１は、図２に示すように、下地電極６ａを覆うように下地電極６ａの表面上に形成されている。ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１は、ニッケル（Ｎｉ）を含むものであり、厚みが、例えば、２（μｍ）〜１０（μｍ）である。

銅（ｃｕ）めっき層６ｂ２は、図２に示すように、ニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１の外側に形成されている。銅（ｃｕ）めっき層６ｂ２は、銅（Ｃｕ）を含むものであり、厚みが、例えば、５（μｍ）〜１２（μｍ）である。めっき層６ｂは、例えば、電解めっき法等を用いてニッケル（Ｎｉ）めっき層６ｂ１と銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２とを連続して形成することができる。

また、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２は、第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）が銅（Ｃｕ）めっき層を含んで形成されており、第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）と外部電極６との接続信頼性を向上させることができる。このように、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２は、第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）との電気的な接続を良好にするために、第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）の材質である銅（Ｃｕ）を含むことが好ましい。

積層型コンデンサは、図２に示すように、外部電極６の表面に凹凸部６ｃが形成されており、表面の凹凸部６ｃは表面粗さ（Ｒａ）が２（μｍ）以下となるように設けられている。また、エッチング処理領域６ｄは、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の凹凸部６ｃをエッチング処理することによって形成されており、他の領域（領域６ｄ以外の領域）と比べて表面がより平坦となっている。

外部電極６の表面の凹凸部６ｃに対してエッチング処理を行なう場合には、エッチング処理領域６ｄが平坦になるように、表面の凹凸部６ｃは、表面粗さ（Ｒａ）が２（μｍ）以下となるように設けられている。一方、表面粗さ（Ｒａ）が２（μｍ）より大きくなると、均一なエッチング処理が行われにくくなり、エッチング処理領域６ｄが平坦になりにくく、後述するように、第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）が均一なめっき層として形成されにくくなる。

また、凹凸部６ｃは、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の形成において添加剤として金属光沢剤を添加しためっき液を用いることによって、表面粗さ（Ｒａ）が２（μｍ）以下となるように表面形状が調整される。なお、表面粗さ（Ｒａ）は、中心線平均粗さ（Ｒａ）であり、例えば、表面粗さ測定器を用いて測定することができる。

また、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２は、凹凸部６ｃの表面粗さ（Ｒａ）を小さくすると、少ないエッチング量で表面が平坦になりやすく、表面を平坦にするためにオーバーエッチングしなくてもよいので、めっき層の厚みを薄くすることができる。このように、積層型コンデンサは、凹凸部６ｃの表面粗さ（Ｒａ）を小さくして、好ましくは、外部電極６の表面粗さ（Ｒａ）を１（μｍ）以下にして、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の全体の厚みを薄くすることによって、厚み方向（Ｚ方向）の寸法を小さくすることができる。

ここで、絶縁基材１内での第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）と外部電極６との接続について以下に説明する。

図３（ａ）は、図１に示す電子部品内蔵型配線基板１２において第１のビアホール導体３ａと外部電極６との接続部を示すＡ領域の拡大図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）の拡大図から第１のビアホール導体３ａを除いた外部電極６の表面のエッチング処理領域６ｄの状態を示す拡大図である。また、図３（ｃ）は、外部電極６の表面にエッチング処理領域６ｄが形成される前の外部電極６の状態を示す拡大図であり、破線で示すようにエッチング処理領域６ｄに対応する領域には凹凸部６ｃが形成されている。なお、第２のビアホール導体３ｂと外部電極６との接続部についても同様であり、以下では、第１のビアホール導体３ａと外部電極６との接続部について説明する。

電子部品内蔵型配線基板１２は、図１および図３に示すように、第１のビアホール導体３ａが外部電極６の上面側延在部６Ｂの表面のエッチング処理領域６ｄで外部電極６と直接的に接続されており、外部電極６の上面側延在部６Ｂのエッチング処理領域６ｄが第１のビアホール導体３ａとの接続部となっている。

外部電極６は、図３（ｂ）に示すように、エッチング処理領域６ｄが他の領域（エッチング処理領域６ｄ以外の領域）と比べて表面粗さ（Ｒａ）が小さく、表面がより平坦となっており、表面粗さ（Ｒａ）がエッチング処理領域６ｄと他の領域（エッチング領域６ｄ以外の領域）とでは異なっている。外部電極６は、図３（ｃ）に示すように、エッチング処理領域６ｄとなる領域においてエッチング処理前には凹凸部６ｃを有しており、この凹凸部６ｃに対してエッチング処理を行なってエッチング処理領域６ｄを平坦にしている。

したがって、外部電極６は、エッチング処理を行なうことによってエッチング処理領域
６ｄと他の領域（エッチング領域６ｄ以外の領域）とで表面粗さ（Ｒａ）が異なっており、エッチング処理領域６ｄの表面粗さ（Ｒａ）が熱硬化性樹脂と接する領域の表面粗さ（Ｒａ）よりも小さくなっている。このように、電子部品内蔵型配線基板１２は、積層型コンデンサが絶縁基材１内に埋設されており、積層型コンデンサは、エッチング処理領域６ｄと絶縁基材１内で熱硬化性樹脂に接する領域とにおいて外部電極６の上面側延在部６Ｂの表面粗さ（Ｒａ）が異なっている。

具体的には、ビアホールは絶縁基材１内に外部電極６の上面側延在部６Ｂの表面が露出するように形成される。そして、エッチング処理領域６ｄは、ビアホール内に露出する外部電極６の凹凸部６ｃに対して凹凸部６ｃの高低差が小さくなるようにエッチング処理を行なうことによって形成される。ビアホール内をめっき処理することによって、第１のビアホール導体３ａは、エッチング処理された外部電極６の表面を覆うとともに、外部電極６と電極パッド２ａとを電気的に接続するように絶縁基材１内のビアホール内にめっき層として形成される。

エッチング処理領域６ｄは、図２（ｂ）および図３（ｂ）では、平坦な状態として示しているが、表面粗さ（Ｒａ）が１（μｍ）以下となるような凹凸部を有していてもよい。すなわち、エッチング処理領域６ｄは、他の領域よりも凹凸部の高低差が小さくなるように形成されており、平坦とは、エッチング処理領域６ｄが平坦な場合だけを含むものでなく、表面粗さ（Ｒａ）が１（μｍ）以下となるような凹凸部を有している場合も含んでいる。

このように、外部電極６は、図２および図３に示すように、上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃの表面に凹凸部６ｃを有しており、外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃのうち第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂとの接続部のエッチング処理領域６ｄの表面のみが平坦となっている。したがって、積層型コンデンサは、外部電極６のエッチング処理領域６ｄの表面が平坦となり、外部電極６のエッチング処理領域６ｄ以外の領域の表面に凹凸部６ｃを有することになり、エッチング処理領域６ｄで外部電極６と第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂとが直接的に接続される。すなわち、外部電極６は、エッチング処理領域６ｄの表面が平坦な領域となり、めっき層からなる第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂは、エッチング処理領域６ｄで外部電極６と直接的に接続されることになる。

第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂは、めっき層で形成されており、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２の表面のエッチング処理領域６ｄにめっき処理を行なうことによって、外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃの銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２上に形成される。したがって、エッチング処理領域６ｄにおいて銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２上にめっき処理を行なうことによって、第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂは、銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２上に均一なめっき層として形成されるので、外部電極６との接続信頼性を向上させることができる。

また、第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂは、ビアホール内の平坦な銅（Ｃｕ）めっき層６ｂ２上およびビアホール内の側面において均一なめっき層として成長するので、絶縁基材１の表面の第１の電極パッド２ａおよび第２の電極パッド２ｂとの電気的な接続信頼性も良好なものとなる。したがって、第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂは、外部電極６との接続信頼性を向上させるとともに第１の電極パッド２ａおよび第２の電極パッド２ｂとの接続信頼性も良好なものとすることができる。

また、積層型コンデンサは、絶縁基材１の熱硬化性樹脂に接する領域においては外部電
極６が凹凸部６ｃを有しており、熱硬化性樹脂が凹凸部６ｃに侵入することによってアンカー効果が高まるので、外部電極６と絶縁基材１との密着性を向上させることができる。

ここで、図１に示す電子部品内蔵型配線基板１２に用いられる第１のビアホール導体３ａ（第２のビアホール導体３ｂ）の他の例の第１のビアホール導体３Ａ（第２のビアホール導体３Ｂ）について以下に説明する。図４（ｂ）は、エッチング処理領域６ｄ１を示しており、ビアホール導体３Ａ（第２のビアホール導体３Ｂ）に対してエッチング処理領域６ｄ１が用いられる。

また、図４（ｃ）は、第１のビアホール導体３Ａ（第２のビアホール導体３Ｂ）をＸ方向およびＹ方向から視た模式的な断面図であり、ビアホール導体３Ａの形状を説明するためのものである。ビアホール導体３Ａ（第２のビアホール導体３Ｂ）は、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、絶縁基材１の厚み方向に直交する方向の断面形状が略楕円形状となるように設けられており、絶縁基材１の表面方向に向かって漸次拡径する略逆楕円錐台形状で形成されている。すなわち、ビアホール導体３Ａ（第２のビアホール導体３Ｂ）は、絶縁基材１の厚み方向に直交する方向の断面形状が楕円形状であり、楕円形状の長径が積層体５の端面１ｅ、１ｆに略平行となるような略逆楕円錐台形状で形成されている。

このように、ビアホール導体３Ａ（第２のビアホール導体３Ｂ）は、略逆楕円錐台形状で形成することによって、略逆円錐台形状と比べて外部電極６との接続面積が大きくなり、外部電極６との接続を確実に確保することができるので、外部電極６との接続信頼性をさらに向上させることができる。

また、ビアホール導体３Ａ（第２のビアホール導体３Ｂ）は、かりに、ビアホール導体３Ａ（第２のビアホール導体３Ｂ）の形成位置がＸ方向（外部電極６の長手方向）にずれたとしても、略逆楕円錐台形状で形成されているので、外部電極６との接続信頼性を確保することができる。

ここで、電子部品内蔵型配線基板１２の製造方法についての一例を以下に説明する。

まず、図５（ａ）に示すように、未硬化の熱硬化性樹脂を含む第１乃至第３の絶縁シート１Ａａ、１Ａｂ、１Ａｃをそれぞれ準備する。第１乃至第３の絶縁シートは、ポリフェニレンエーテル系樹脂またはエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂と、ＳｉＯ₂またはＡｌ₂Ｏ₃等の不定形の無機室フィラーとの混合材料からなる。未硬化状態の第１乃至第３の絶縁
シート１Ａａ、１Ａｂ、１Ａｃは、８０（μｍ）〜１５０（μｍ）の厚みでドクターブレードを用いて作製される。

また、図５（ａ）に示すように、第２の絶縁シート１Ａｂは第１の電極パッド２ａを形成するための金属層が、第３の１Ａｃは第２の電極パッド２ｂを形成するための金属層が表面に設けられており、金属層は、例えば、銅箔またはアルミニウム箔等の金属箔である。

次に、第１の絶縁シート１Ａａに電子部品４を収容して埋設するための空隙１ａａを形成する。また、電子部品４は、上述したように、例えば、積層型コンデンサであり、積層体５と積層体５の端面に設けられた一対の外部電極６を有しており、外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃが、表面に凹凸部６ｃを有するとともに、下地電極６ａとニッケルめっき層６ｂ１および銅めっき層６ｂ２とを含んでいる。なお、以下では、内蔵する電子部品４として積層型コンデンサを用いる場合について説明する。

図５（ｂ）に示すように、積層型コンデンサを第１の絶縁シート１Ａａの空隙１ａａに配置し、積層型コンデンサを配置した第１の絶縁シート１Ａａの上下に第２および第３の絶縁シート１Ａｂおよび１Ａｃを積層して仮積層体１Ａを形成する。

この仮積層体１Ａを絶縁シート中の熱硬化性樹脂が溶融する温度範囲よりも低い、例えば、１００（℃）〜１２０（℃）の温度において、例えば、１（ＭＰａ）〜４（ＭＰａ）の圧力でもって一旦加熱加圧を行ない、積層型コンデンサの外部電極６の表面に形成された凹凸部６ｃに熱硬化性樹脂を十分に含浸させる。

その後、熱硬化性樹脂が硬化する温度であり、熱硬化性樹脂の溶融温度よりも高い、例えば、１４０（℃）〜１６０（℃）の温度において、例えば、４（ＭＰａ）〜８（ＭＰａ）の圧力でもって加熱加圧を行ない、熱硬化性樹脂を硬化させて、埋設した積層型コンデンサと第１乃至第３の絶縁シートＡ１ａ、１Ａｂ、１Ａｃの界面を強固に接着するとともに、第１乃至第３の絶縁シート１Ａａ、１Ａｂ、１Ａｃ同士を積層密着して、内部に積層型コンデンサが埋設された絶縁基材１となる積層体１ＡＡを作製する。

図５（ｃ）に示すように、積層体１ＡＡの上下面の表面に第１の電極パッド２ａおよび第２の電極パッド２ｂを形成する。第１の電極パッド２ａおよび第２の電極パッド２ｂは、例えば、周知のフォトリソグラフィー法を用いて、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト除去等の工程を経ることによって形成される。

次に、図６（ａ）に示すように、積層体１ＡＡの第１の電極パッド２ａおよび第２の電極パッド２ｂが形成されている上面および下面の表面側にレーザ加工法を用いて外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃが露出するようにビアホールを形成する。そして、ビアホール内に露出している外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃの凹凸部６ｃに対してエッチング処理を行なう。このエッチング処理の際には、ビアホール内の外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃの凹凸部６ｃがエッチング処理されるとともにビアホール内の側面の凹凸もエッチング処理される。エッチング処理によって、上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃにエッチング処理領域６ｄが形成される。

図６（ｂ）に示すように、エッチング処理された外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃを覆うように、また、第１の電極パッド２ａおよび第２の電極パッド２ｂと外部電極６とが電気的に接続するようにビアホール内をめっき処理して、積層体１ＡＡにめっき層からなる第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂを形成して、絶縁基材１を作製する。このようにして、積層型コンデンサが内蔵された電子部品内蔵型配線基板１２を製造することができる。

電子部品内蔵型配線基板１２は、図６（ｃ）に示すように、絶縁基材１の上下面に、少なくとも１層の絶縁シート（例えば、周知のプリプレグシート）を用いてさらに上下面に絶縁層７を設けて、絶縁層７上に電子素子１１に電気的に接続される電極パッド９を形成することができる。このように、電子部品内蔵型配線基板１２は、多層構造の配線基板とすることができる。また、この場合にも、絶縁層に対して上述の製造方法と同様な製造方法を用いて、ビアホール導体７ａおよび電極パッド９等を形成することができる。また、最外層には、絶縁層８が電極パッド９およびビアホール導体７ａを露出するように設けられている。

また、図７に示すように、例えば、電子素子１１の電極パッドと電子部品内蔵型配線基板１２の電極パッド９とにはんだを設けてはんだ接合することにより、電子部品内蔵型配線基板１２に電子素子１１を搭載することができる。

電子部品内蔵型配線基板１２は、例えば、図８に示すように構成であってもよい。電子部品内蔵型配線基板１２Ａは、図８（ａ）に示すように、一対の外部電極６のうち一方の外部電極６側に配置された第１の電極パッド２ａと第２の電極パッド２ｂとを接続導体２ｃを介して直接接続している。このような構成により、電子部品内蔵型配線基板１２Ａはさらに放熱性が向上する。

また、電子部品内蔵型配線基板１２Ｂは、図８（ｂ）に示すように、一対の外部電極６に対応して配置された第１の電極パッド２ａと第２の電極パッド２ｂとを接続導体２ｃを介して直接接続している。このような構成により、電子部品内蔵型配線基板１２Ｂはさらに放熱性が向上する。

また、例えば、電子部品内蔵型配線基板１２、１２Ａ、１２Ｂは、さらに、電子機器に組み込まれるマザーボード等の配線基板上に搭載することができる。放熱性が向上した電子部品内蔵型配線基板１２、１２Ａ、１２Ｂを電子機器に組み込まれるマザーボード等の配線基板上に搭載することによって、電子機器は、全体として、放熱性が向上するとともに信頼性の低下が抑制されたものとなる。

電子部品内蔵型配線基板１２Ｂは、図５および図６で示すような製造方法を用いて作製することができる。

上述したような製造方法（図５（ａ）〜図５（ｃ））を用いて、図９（ａ）に示すような積層体１ＡＡを作製する。図９（ｂ）に示すように、積層体１ＡＡの第１の電極パッド２ａおよび第２の電極パッド２ｂが形成されている上面および下面の表面側にレーザ加工法を用いて外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃが露出するようにビアホールを形成する。さらに、ドリル加工を用いて接続導体２ｃを形成する領域に貫通孔を形成する。

図９（ｃ）に示すように、ビアホール内に露出している外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃの凹凸部６ｃに対してエッチング処理を行なう。このエッチング処理の際には、ビアホール内の外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃの凹凸部６ｃがエッチング処理されるとともにビアホール内の側面の凹凸部もエッチング処理される。また、貫通孔内の内周面の凹凸部もエッチング処理される。

そして、図９（ｃ）に示すように、エッチング処理された外部電極６の上面側延在部６Ｂおよび下面側延在部６Ｃを覆うように、また、第１の電極パッド２ａおよび第２の電極パッド２ｂと外部電極６とが電気的に接続するようにビアホール内をめっき処理して、積層体１ＡＡにめっき層からなる第１のビアホール導体３ａおよび第２のビアホール導体３ｂを形成とともに、第１の電極パッド２ａと第２の電極パッド２ｂとが電気的に接続するように貫通孔内をめっき処理して、積層体１ＡＡにめっき層からなる接続導体２ｃを形成して、絶縁基材１を作製する。このようにして、積層型コンデンサが内蔵された電子部品内蔵型配線基板１２Ｂを製造することができる。

本発明は、上述した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。

１ 絶縁基材
１ａ 第１の絶縁シート
１ｂ 第２の絶縁シート
１ｃ 第３の絶縁シート
２ａ 第１の電極パッド
２ｂ 第２の電極パッド
２ｃ 接続導体
３ａ 第１のビアホール導体
３ｂ 第２のビアホール導体
４ 電子部品
５ 積層体
５ａ 第１の内部電極
５ｂ 第２の内部電極
６ 外部電極
６Ａ 電極側面部
６Ｂ 上面側延在部
６Ｃ 下面側延在部
６ａ 下地電極
６ｂ めっき層
６ｂ１ ニッケル（Ｎｉ）めっき層
６ｂ２ 銅（Ｃｕ）めっき層
６ｃ 凹凸部
６ｄ、６ｄ１ エッチング処理領域
１２、１２Ａ、１２Ｂ 電子部品内蔵型配線基板

Claims (4)

1. 一方の主面に設けられた、該一方の主面側に搭載される電子素子と電気的に接続される複数の第１の電極パッドと前記第１の電極パッドの下方に位置するように他方の主面に設けられた、前記第１の電極パッドと電気的に接続される複数の第２の電極パッドとを有する絶縁基材と、
   前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの間の前記絶縁基材内に埋設された、上面、下面、一対の側面および一対の端面を有する直方体状の積層体と該積層体の前記端面に設けられた電極側面部と該電極側面部から前記上面および前記下面に延在する上面側延在部および下面側延在部を含む一対の外部電極とを有する電子部品とを備えており、
   前記外部電極は、前記上面側延在部が第１のビアホール導体を介して前記第１の電極パッドと接続され、前記下面側延在部が第２のビアホール導体を介して前記第２の電極パッドと接続されており、
   前記上面側延在部および前記下面側延在部は、前記上面および前記下面の中央部に向かって凸状に湾曲して延在していることを特徴とする電子部品内蔵型配線基板。
2. 前記第１のビアホール導体および前記第２のビアホール導体は、前記絶縁基材の厚み方向に直交する方向の断面形状が楕円形状であり、該楕円形状の長径が前記端面に略平行であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵型配線基板。
3. 前記一対の外部電極は、下地電極と該下地電極を覆っているニッケルめっき層および該ニッケルめっき層を覆っている銅めっき層とを含んでおり、前記上面側延在部および前記下面側延在部の前記銅めっき層の表面の一部にエッチング処理されたエッチング処理領域を有しており、該エッチング処理領域で前記第１のビアホール導体および前記第２のビアホール導体と接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品内蔵型配線基板。
4. 前記第１のビアホール導体および前記第２のビアホール導体は銅を含むめっき層で形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品内蔵型配線基板。
   

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