JPS61164298A - 複合セラミツク多層配線板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は混成集積回路などの電子回路部品に用いられる
複合セラミック多層配線板及びその製造方法に関する。

（従来の技術） 従来の複合セラミック多層配線板は第２図に示す如くセ
ラミック基板１上にＭＯ９Ｗ等の高融点金属粉を主成分
とした導体ペーストを焼結して第１導体層２を形成し、
その第１導体層２の一部を絶線層４中に形成したスルー
ホール３を介して表面に引出し、スルーホール３上に露
出させた第１導体層２の露出表面及び絶縁層４の表面に
Ａｇ、Ａ、ｕ等の貴金跣ペーストを焼結して形成した第
２導体層５．そして必要に応じ第２導体層５のわきに抵
抗ペーストを焼結して形成した抵抗体層６を形成するが
、第２導体層５及び抵抗体層６は通常大気中で焼結され
るため第１導体層２は酸化しないようにすることが必要
である。

（発明が解決しようとする問題点） 通常第２導体層５には約９００℃の温度で焼成して焼結
する導体ペーストが用いられている。しかし複合セラミ
ック多層配線板の場合、６５０℃以上の温度で焼成する
と下地の第１導体層２が酸化する欠点がある。

本発明は上記の欠点のない複合セラミック多層配線板お
よびその製造方法を提供することを目的とするものであ
る。

（問題点を解決するだめの手段） 本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、第
１導体層の露出表面及びその近傍の絶縁層の表面に中性
雰囲気で焼結するガラスを含有する厚膜導体層を形成し
た後、厚膜導体層の表面に第２導体層及び／又は抵抗体
層を形成したところ大気中で６５０℃以上の温度で焼成
しても下地の第１導体層の酸化は見られなかった。

本発明はグリーン法で得られる第１導体層と乾式厚膜法
で得られる第２導体層及び／又は抵抗体層との組み合わ
せからなる複合セラミック多層配線板において、第１導
体層の露出表面及びその近傍の絶縁層の表面に中性雰囲
気で焼結するガラスを含有する厚膜導体層を形成し、さ
らにその表面に第２導体層及び／又は抵゛抗体層を形成
してなる複合セラミック多層配線板並びにセラミックグ
リーンシート上に高融点金属粉を主成分とした導体ペー
ストを印刷する工程、高融点金属粉を主成分とした導体
ペースト上にスルーホールを形成しながら絶縁ペースト
を印刷するか又はスルーホールを形成したセラミックグ
リーンシートを重ねて圧着する工程、そしてこれらを弱
還元性雰囲気中で同時焼成して絶縁層及び第１導体層を
形成する工程、第１導体層の露出表面及びその近傍の絶
縁層の表面に中性雰囲気で焼結するガラスを含む厚膜導
体ペーストを印刷する工程、ガラスを含む厚膜導体ペー
ストを中性雰囲気中で焼成して厚膜導体層を形成する工
程、さらに厚膜導体層の表面に貴金属粉を主成分とした
導体ペースト及び／又は抵抗ペーストを印刷する工程、
貴金属粉を主成分とした導体ペースト及び／又は抵抗ペ
ーストを大気中で焼成して第２導体層及び／又は抵抗体
層を形成する工程を含む複合セラミック多層配線板の製
造方法に関する。

本発明において第１導体層を形成する材料としてはＭｏ
、Ｗ等の高融点金属粉が用いられ、第２導体層を形成す
る材料としてはＡｇ／Ｐｄ、　Ｒｕ等の貴金属粉が用い
られ、抵抗体層を形成する材料としてはカーボン系の物
質、Ｒｕ０ｚ粉等が用いられ。

ガラスを含有する厚膜導体層の形成に用いられる導体材
料としてはＰｔ、　ｐａ、　Ｒｎ等の貴金属粉が用いら
れる。

＝５− なおガラスを含有する厚膜導体層は第１導体層の露出表
面より幅広く形成する必要があり、第１導体層の幅と同
等又は第１導体層の幅より狭いと第２導体層の焼結時に
第１導体層が酸化し２本発明の目的を達成することがで
きない。以上の理由によシガラスを含有する厚膜導体層
の幅は第１導体層の露出表面部分より０．０５ｍｍ以上
広く形成することが好ましい。

本発明における焼成条件において、セラミックグリーン
シート、高融点金属粉を主成分とした導体ペースト及び
絶縁ペーストは弱還元性雰囲気中で焼成することが必要
であり、ガラスを含む厚膜導体ペーストは中性雰囲気中
で焼成することが必要であり、また貴金属粉を主成分と
した導体ペーストは大気中で焼成することが必要であシ
、上記以外の条件で焼成すると接着強度が弱くなったり
。

第１導体層が酸化したりするなどの欠点が生じる。

焼成温度は各ペーストに応じて適宜選択するものとする
。

（実施例） ＝６＝ 以下実施例により本発明を説明する。

実施例１ 厚さ０．８　ｍｍのアルミナセラミックグリーンシート
（アルミナ純度９６重量％）（以下グリーンシートとい
う）上にＷペースト（旭化学製、商品名３ＴＷ−１２０
０）を印刷し、乾燥後その上面に直径０．２　ｍｍのス
ルーホールを形成しながらグリーンシートにする前のス
リップを印刷し、さらにスルーホールに前記と同じＷペ
ーストを充填した後ＰＨ□Ｏ／　Ｐ　Ｈ２の分圧比０．
４５の弱還元性雰囲気中で１時間２００℃の昇温速度で
１５６０°Ｃｔで昇温し、１時間保持した後１時間３０
０℃の速度で降温してグリーンシート及び各ペーストを
焼結し。

第１導体層、絶縁層などを形成した。

次に前記の第１導体層の露出表面と露出表面の端部から
０．１　ｍｍ幅の部分捷で５ｉ０２とＡ、１２０３とＰ
ｔとの混合物からなる厚膜導体ペーストを印刷し。

８０℃で２０分乾燥後Ｎ２雰囲気中で９００℃の温度で
１０分間焼成して厚膜導体ペーストを焼結して厚膜導体
層を形成した。この後厚膜導体層の表面にＡｇ／Ｐｄ導
体ペースト（日中マンセイ社製。

商品名ＴＲ−４８４６）を印刷して被覆し、そしてその
わきにＲｕＯ２系抵抗ペースト（デュポン社製、商品名
≠４５００シリーズ）を印刷し、８７０℃の温度で１０
分間焼成して第１図に示す如く第２導体層５及び抵抗体
層６を形成した複合セラミック多層配線板を得た。なお
第１図において２は第１導体層、３はスルーホール、４
け絶縁層、７はグリーンシート及び８は厚膜導体層であ
った。

実施例２ 実施例１で用いたＡｇ／Ｐａ導体ペーストに代えて（住
友金属鉱山社製、商品名Ｃ−４２４０）のＡｇ／Ｐｄ導
体ペーストを用い、大気中で６５０°Ｃの温度で焼成し
た以外は実施例１と同様の工程及び同様の材料を用いて
複合セラミック多層配線板を得だ。

実施例３ 実施例１で用いたＡｇ／Ｐｄ導体ペーストを５層形成し
た以外は実施例１と同様の工程及び同様の材料を用いて
複合セラミック多層配線板を得た。

次に各実施例で得た複合セラミック多層配線板について
第２導体層及び厚膜導体層の下地の第１導体層を観察し
だところ、酸化は見られなかった。

（発明の効果） 本発明によれば、第２導体層の下面に中性雰囲気で焼結
するガラスを含有する厚膜導体層を形成するので大気中
で６５０℃以上の温度で焼成しても下地の第１導体層は
酸化せず、信頼性の高い複合セラミック多層配線板を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例になる複合セラミック多層配線
板の断面側面図および第２図は従来の複合セラミック多
層配線板の断面側面図である。 符号の説明 １・・・セラミック基板　　２・・・第１導体層３・・
・スルーホール　　　４・・・絶縁層５・・・第２導体
層　　　　６・・・抵抗体層７・・・グリーンシート　
　８・・・厚膜導体層第　１　菌 ｚ：’Ｊｉ　＋卑碌層 Ｙ２邑

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、グリーン法で得られる第１導体層と乾式厚膜法で得
   られる第２導体層及び／又は抵抗体層との組み合わせか
   らなる複合セラミック多層配線板において、第１導体層
   の露出表面及びその近傍の絶縁層の表面に中性雰囲気で
   焼結するガラスを含有する厚膜導体層を形成し、さらに
   その表面に第２導体層及び／又は抵抗体層を形成してな
   る複合セラミック多層配線板。 ２、セラミックグリーンシート上に高融点金属粉を主成
   分とした導体ペーストを印刷する工程、高融点金属粉を
   主成分とした導体ペースト上にスルーホールを形成しな
   がら絶縁ペーストを印刷するか又はスルーホールを形成
   したセラミックグリーンシートを重ねて圧着する工程、
   そしてこれらを弱還元性雰囲気中で同時焼成して絶縁層
   及び第１導体層を形成する工程、第１導体層の露出表面
   及びその近傍の絶縁層の表面に中性雰囲気で焼結するガ
   ラスを含む厚膜導体ペーストを印刷する工程、ガラスを
   含む厚膜導体ペーストを中性雰囲気中で焼成して厚膜導
   体層を形成する工程、さらに厚膜導体層の表面に貴金属
   粉を主成分とした導体ペースト及び／又は抵抗ペースト
   を印刷する工程、貴金属粉を主成分とした導体ペースト
   及び／又は抵抗ペーストを大気中で焼成して第２導体層
   及び／又は抵抗体層を形成する工程を含むことを特徴と
   する複合セラミック多層配線板の製造方法。