JPS6077187A - セラミツク電子部品及びその製造法 - Google Patents
セラミツク電子部品及びその製造法Info
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- JPS6077187A JPS6077187A JP58184421A JP18442183A JPS6077187A JP S6077187 A JPS6077187 A JP S6077187A JP 58184421 A JP58184421 A JP 58184421A JP 18442183 A JP18442183 A JP 18442183A JP S6077187 A JPS6077187 A JP S6077187A
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- JP
- Japan
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- ceramic
- tungsten
- molybdenum
- thick film
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、厚膜抵抗層として二酸化タングステン及び／
又は二酸化モリブデンを用いたセラミック電子部品およ
びその製造法に関するものである。
又は二酸化モリブデンを用いたセラミック電子部品およ
びその製造法に関するものである。
従来、混成集積回路基板に用いられる厚膜抵抗層として
は、酸化ルテニウム、酸化パラジウム等の貴金属酸化物
とガラス質との混合物からなるものが広く知られている
。しかしながら、これら厚膜抵抗層は、厚膜抵抗ペース
トを基板上に印刷後、酸化雰囲気中で焼成する必要があ
る。従って、例えば、タングステン、モリブデン等の高
融点金属を導体層とするセラミック配線基板上に厚膜抵
抗層を形成するためには、これら高融点金属を酸化雰囲
気焼成時の酸化から守るために、貴金属を主成分とする
導電性保護層の形成が必要となり、コスト高となる問題
点があった。
は、酸化ルテニウム、酸化パラジウム等の貴金属酸化物
とガラス質との混合物からなるものが広く知られている
。しかしながら、これら厚膜抵抗層は、厚膜抵抗ペース
トを基板上に印刷後、酸化雰囲気中で焼成する必要があ
る。従って、例えば、タングステン、モリブデン等の高
融点金属を導体層とするセラミック配線基板上に厚膜抵
抗層を形成するためには、これら高融点金属を酸化雰囲
気焼成時の酸化から守るために、貴金属を主成分とする
導電性保護層の形成が必要となり、コスト高となる問題
点があった。
ぞの他、酸化スズやホウ化ランタン等とガラスらは中性
雰囲気中で焼成する必要がある。このため、タングステ
ン、モリブデン等の高融点金属を導体−とするセラミツ
゛り配線基板上にこのような厚膜抵抗層を形成するには
、高融点金属層の表面に鉄属メッキ等の保護膜を施し、
高融点金属からなる導体層の酸化を防ぐことが極めて大
切である。
雰囲気中で焼成する必要がある。このため、タングステ
ン、モリブデン等の高融点金属を導体−とするセラミツ
゛り配線基板上にこのような厚膜抵抗層を形成するには
、高融点金属層の表面に鉄属メッキ等の保護膜を施し、
高融点金属からなる導体層の酸化を防ぐことが極めて大
切である。
しかしながら、中性界゛囲気といえども完全なる中性を
保持することは極めて困難で、弱い酸化雰囲気となると
鉄属メッキ層の表面がわずかに酸化され、厚膜抵抗層と
の界面抵抗の発生や半田漏れ不良等の問題点が生ずるこ
とがあった。
保持することは極めて困難で、弱い酸化雰囲気となると
鉄属メッキ層の表面がわずかに酸化され、厚膜抵抗層と
の界面抵抗の発生や半田漏れ不良等の問題点が生ずるこ
とがあった。
本発明は、前記のような問題点を解決するために成され
たものであり、高融点金属導体層や鉄属メッキ層等が酸
化されて導通抵抗が大きくなることがない還元性雰囲気
中で焼成された厚膜抵抗層を含むセラミック電子部品及
びその製造法を提供する事を目的とする。
たものであり、高融点金属導体層や鉄属メッキ層等が酸
化されて導通抵抗が大きくなることがない還元性雰囲気
中で焼成された厚膜抵抗層を含むセラミック電子部品及
びその製造法を提供する事を目的とする。
本発明は、セラミック基板と高融点金属導体層とを重ね
合わせた複層板の高融点金属導体層表面上に、二酸化タ
ングステン及び／又は二酸化モリブデンとガラス質とよ
り成る厚膜抵抗層を接続配置したことを特徴とするセラ
ミック電子部品を提供しようとするものである。
合わせた複層板の高融点金属導体層表面上に、二酸化タ
ングステン及び／又は二酸化モリブデンとガラス質とよ
り成る厚膜抵抗層を接続配置したことを特徴とするセラ
ミック電子部品を提供しようとするものである。
本発明はさらにセラミックグリーンシーｉ〜またはセラ
ミック焼成基板上に、タングステン、モリブデン等の高
融点金属より成る導体ペーストを印刷形成した後、還元
性雰囲気中で焼成してセラミック基板と導体層とより成
る複層板を形成し、次いで該複層板の露出した導体層上
にタングステン酸化物及び／又はモリブデン酸化物粉末
とガラス粉末を主成分とづ“る厚膜抵抗ペーストを印刷
し、水素を含む還元性雰囲気中で焼成して厚膜抵抗層を
形成することを特徴と゛りるセラミック部品の製造法を
提供しようとするものである。
ミック焼成基板上に、タングステン、モリブデン等の高
融点金属より成る導体ペーストを印刷形成した後、還元
性雰囲気中で焼成してセラミック基板と導体層とより成
る複層板を形成し、次いで該複層板の露出した導体層上
にタングステン酸化物及び／又はモリブデン酸化物粉末
とガラス粉末を主成分とづ“る厚膜抵抗ペーストを印刷
し、水素を含む還元性雰囲気中で焼成して厚膜抵抗層を
形成することを特徴と゛りるセラミック部品の製造法を
提供しようとするものである。
以下、本発明の構成を詳細に順次工程順に説明する。
まず、アルミナ、ベリリア等を主成分とづるセラミック
グリーンシートを、公知のドクターブレード法等により
調整し、混成集積回路基板として必要な方法に切断した
第１図に示すセラミックグリーンシート１を準備する。
グリーンシートを、公知のドクターブレード法等により
調整し、混成集積回路基板として必要な方法に切断した
第１図に示すセラミックグリーンシート１を準備する。
次いで、そのグリーンシート１上にタングステン、モリ
ブデン等の高融点金属を主成分とする導体ペースト２と
、該導体ペースト２の１部分が露出する開口３を有する
セラミックグリーンシート１と同一成分を主原料とする
絶縁ペースト４とを、スクリーン印刷により交互に印刷
積層する。なお、導体ペースト２と絶縁ペースト４との
積層数は用途に応じて適宜選択すればよい。そして、セ
ラミックグリーンシート１の表面に導体ペースト２およ
び絶縁ペースト３を交互に積層した積層体と、１４００
〜１８００℃の還元性雰囲気中で５〜１８０分間焼成し
複層体を形成する。そして、複層体の表面に露出した導
体層上に、９ｆましくは１〜５μ程度のＮ＋メッキ等の
鉄属メッキ層５を施す。そしてメッキ層５と導体層との
密着強度を向上させるため、８００〜１２００℃の温度
で５〜３０分程度還元雰囲気中で熱処理する。
ブデン等の高融点金属を主成分とする導体ペースト２と
、該導体ペースト２の１部分が露出する開口３を有する
セラミックグリーンシート１と同一成分を主原料とする
絶縁ペースト４とを、スクリーン印刷により交互に印刷
積層する。なお、導体ペースト２と絶縁ペースト４との
積層数は用途に応じて適宜選択すればよい。そして、セ
ラミックグリーンシート１の表面に導体ペースト２およ
び絶縁ペースト３を交互に積層した積層体と、１４００
〜１８００℃の還元性雰囲気中で５〜１８０分間焼成し
複層体を形成する。そして、複層体の表面に露出した導
体層上に、９ｆましくは１〜５μ程度のＮ＋メッキ等の
鉄属メッキ層５を施す。そしてメッキ層５と導体層との
密着強度を向上させるため、８００〜１２００℃の温度
で５〜３０分程度還元雰囲気中で熱処理する。
次いで、三酸化タングステン及び／又は三酸化しリブア
ン５〜６０体積％とガラス粉末９５〜４０体積上にスク
リーン印刷する。なお、この場合用いるガラス粉末とし
ては、タングステン、モリブデン等よりも酸化生成エネ
ルギーの少ない金属の酸化物、例えば酸化鉛、酸化亜鉛
等の含有（６）が少なく、かつ熱膨張係数がセラミック
に近く、酸化タングステン、酸化モリブデン等が金属に
還元される温度よりも低い温度で溶融するものであるこ
とが必要である。例えば具体的なガラス成分としては５
ｉ０２５５〜７５％、八β２０３３〜１０％。
ン５〜６０体積％とガラス粉末９５〜４０体積上にスク
リーン印刷する。なお、この場合用いるガラス粉末とし
ては、タングステン、モリブデン等よりも酸化生成エネ
ルギーの少ない金属の酸化物、例えば酸化鉛、酸化亜鉛
等の含有（６）が少なく、かつ熱膨張係数がセラミック
に近く、酸化タングステン、酸化モリブデン等が金属に
還元される温度よりも低い温度で溶融するものであるこ
とが必要である。例えば具体的なガラス成分としては５
ｉ０２５５〜７５％、八β２０３３〜１０％。
８２０３１５〜２５％、ＢａＯ２２〜７％、に２０１〜
４％、ＮａｚＱ１〜４％、 Ｌｉ ０２ ０．５〜２％
のものがよく、その軟化点は６００〜１５０℃程度、熱
膨張係数は４０〜６０ｘ１０−’ ／℃程度がりＩまし
く、具体的な溶融温度としでは６５０℃〜８５０℃程度
のものが適当である。
４％、ＮａｚＱ１〜４％、 Ｌｉ ０２ ０．５〜２％
のものがよく、その軟化点は６００〜１５０℃程度、熱
膨張係数は４０〜６０ｘ１０−’ ／℃程度がりＩまし
く、具体的な溶融温度としでは６５０℃〜８５０℃程度
のものが適当である。
次いで、上記厚膜抵抗ベース１へを印刷した基板を、還
元雰囲気中好ましくは水素雰囲気中で焼成し厚膜抵抗を
形成し、本発明のセラミック電子部品を得る。このとき
三酸化タングステン及び／Ｊ、を−は＝ １１６４１ｉ
モリブデンは遭丑六れ−主に二Ｍ４ヒタングステン及び
／又は二酸化モリブデンに変質し、導電性を示すように
なる。三酸化タングステン及び／又は三酸化モリブデン
を還元して、安定な二酸化タングステン及び／又は二酸
化モリブデンにりるための焼成条件としては、ガラス溶
融温度以下の温度で上記反応が充分完了する必要がある
ため、昇温速度は７０℃／分以下が好ましく、また最高
温度は、二酸化タングステン及び／又は二酸化モリブデ
ンが金属化して比抵抗が著しく低下するのを防ぐため、
水素雰囲気中の酸素分圧にもよるが８５０℃以下が好ま
しい。
元雰囲気中好ましくは水素雰囲気中で焼成し厚膜抵抗を
形成し、本発明のセラミック電子部品を得る。このとき
三酸化タングステン及び／Ｊ、を−は＝ １１６４１ｉ
モリブデンは遭丑六れ−主に二Ｍ４ヒタングステン及び
／又は二酸化モリブデンに変質し、導電性を示すように
なる。三酸化タングステン及び／又は三酸化モリブデン
を還元して、安定な二酸化タングステン及び／又は二酸
化モリブデンにりるための焼成条件としては、ガラス溶
融温度以下の温度で上記反応が充分完了する必要がある
ため、昇温速度は７０℃／分以下が好ましく、また最高
温度は、二酸化タングステン及び／又は二酸化モリブデ
ンが金属化して比抵抗が著しく低下するのを防ぐため、
水素雰囲気中の酸素分圧にもよるが８５０℃以下が好ま
しい。
なお、上記説明では、セラミックグリーンシー１〜を用
いた例について述べたが、勿論グリーンシートに限定さ
れるものではなく、焼成されたセラミック板を用い、そ
の表面に前記導体ペーストおよび絶縁ペーストを積層し
ても勿論よいものである。
いた例について述べたが、勿論グリーンシートに限定さ
れるものではなく、焼成されたセラミック板を用い、そ
の表面に前記導体ペーストおよび絶縁ペーストを積層し
ても勿論よいものである。
また、厚膜抵抗ペーストの原料として三酸化タングステ
ン、三酸化モリブデンを用いたが二酸化タングステン、
二酸化モリブデンあるいは焼成導体を選択することによ
り、金属タングステン、金属モリブデン等も用いること
かできる。
ン、三酸化モリブデンを用いたが二酸化タングステン、
二酸化モリブデンあるいは焼成導体を選択することによ
り、金属タングステン、金属モリブデン等も用いること
かできる。
そして、本発明の最も特長とＪるのはＪワ膜抵抗層とし
て水素を含む還元雰囲気中で焼成された二酸化タングス
テン及び／又は二酸化モリブデンどガラス質との混合物
を用いることであり、さらにその厚膜抵抗層をタングス
テン酸化物及び／又はモリブデン酸化物とガラスとの混
合物を還元焼成することにより得ることであって、そう
づることにより酸化焼成することなく厚膜抵抗層を有す
るセラミック電子部品を４ｑることができるものである
。
て水素を含む還元雰囲気中で焼成された二酸化タングス
テン及び／又は二酸化モリブデンどガラス質との混合物
を用いることであり、さらにその厚膜抵抗層をタングス
テン酸化物及び／又はモリブデン酸化物とガラスとの混
合物を還元焼成することにより得ることであって、そう
づることにより酸化焼成することなく厚膜抵抗層を有す
るセラミック電子部品を４ｑることができるものである
。
以下、実施例につき説明する。
実施例
セラミック成分どして、アルミナ９０重量バーレントの
他シリカ、マグネシア等を１０重吊パーセント含む原料
に成形助剤としてポリビニルブチラール等の有機バイン
ダーを混合し、ドクターブレード法により厚み０．８ｍ
ｎ＋のレラミックグリーンシートを作成した。
他シリカ、マグネシア等を１０重吊パーセント含む原料
に成形助剤としてポリビニルブチラール等の有機バイン
ダーを混合し、ドクターブレード法により厚み０．８ｍ
ｎ＋のレラミックグリーンシートを作成した。
次に、タングステン粉末９８重量パーセント、シリカ２
重量パーセントのメタライズ成分に印刷助剤を加えた導
体ペーストと、グリーンシートと同一組成の粉末に印刷
助剤を加えた絶縁ペーストとを、グリーンシート上に交
互に印刷しパターンを形成した積層体を得た。次いで、
その積層体を露点３５℃の水素と窒素の混合雰囲気中、
１５５０℃ ２時間保持して焼成し、セラミック基板を
形成した。
重量パーセントのメタライズ成分に印刷助剤を加えた導
体ペーストと、グリーンシートと同一組成の粉末に印刷
助剤を加えた絶縁ペーストとを、グリーンシート上に交
互に印刷しパターンを形成した積層体を得た。次いで、
その積層体を露点３５℃の水素と窒素の混合雰囲気中、
１５５０℃ ２時間保持して焼成し、セラミック基板を
形成した。
次に、焼成後の基板上に露出した露出導体上に、硼化水
系浴系無電解ニッケルメッキによりニッケルを２μ析出
させ、８００℃で熱処理した後、ニッケルメッキ上に第
１図に示すようにガラス粉末を変化させて平均粒径０．
７μの三酸化タングステン粉末とガラス粉末からなるペ
ースト、平均粒径０．５μの三酸化モリブデン粉末とガ
ラス粉末からなるペースト１および三酸化タングステン
粉末および三酸化モリブデン酸末との等量とガラス粉末
からなるペーストとを、それぞれニッケルメッキ上に各
々厚さ２０〜２５μとなるように印刷した。
系浴系無電解ニッケルメッキによりニッケルを２μ析出
させ、８００℃で熱処理した後、ニッケルメッキ上に第
１図に示すようにガラス粉末を変化させて平均粒径０．
７μの三酸化タングステン粉末とガラス粉末からなるペ
ースト、平均粒径０．５μの三酸化モリブデン粉末とガ
ラス粉末からなるペースト１および三酸化タングステン
粉末および三酸化モリブデン酸末との等量とガラス粉末
からなるペーストとを、それぞれニッケルメッキ上に各
々厚さ２０〜２５μとなるように印刷した。
次いで、露点４０℃の水蒸気を含む水素と窒素の比が１
＝３の混合ガス中において、昇温速度４０℃／分、最高
温度８００℃、５分で焼成し、厚膜抵抗層を有するセラ
ミック多層配線基板を得た。（ｑられた二酸化タングス
テンと二酸化モリブデンよりなる厚膜抵抗層の抵抗値を
第２図に示す。
＝３の混合ガス中において、昇温速度４０℃／分、最高
温度８００℃、５分で焼成し、厚膜抵抗層を有するセラ
ミック多層配線基板を得た。（ｑられた二酸化タングス
テンと二酸化モリブデンよりなる厚膜抵抗層の抵抗値を
第２図に示す。
なお、上述した実施例においては廿ラミック多層配線基
板の例を説明したが、本発明は上述した実施例に限定さ
れることはなく、例えばチップ抵抗体等のディスクリー
ト部品等、種々のセラミック電子部品に応用゛できる。
板の例を説明したが、本発明は上述した実施例に限定さ
れることはなく、例えばチップ抵抗体等のディスクリー
ト部品等、種々のセラミック電子部品に応用゛できる。
以上、実施例から明らかなように、本発明によるセラミ
ック電子部品は、セラミック基板と高融点金属導体層と
を重ね合わせた複層板の高融点金属導体層上に、二酸化
タングステン及び／又は二酸化モリブデンとガラス質と
よりなる厚膜抵抗層を接続したものであり、従来の酸化
雰囲気中で焼成された厚膜抵抗層を接続したものと較べ
て以下の特徴を有する。
ック電子部品は、セラミック基板と高融点金属導体層と
を重ね合わせた複層板の高融点金属導体層上に、二酸化
タングステン及び／又は二酸化モリブデンとガラス質と
よりなる厚膜抵抗層を接続したものであり、従来の酸化
雰囲気中で焼成された厚膜抵抗層を接続したものと較べ
て以下の特徴を有する。
１、厚膜抵抗層を還元雰囲気で焼成するため、従来のよ
うに耐酸化性の保護膜を形成しなくても、内部の卑金属
導体を酸化することがないので導通抵抗値の安定したセ
ラミック電子部品を作成できる。
うに耐酸化性の保護膜を形成しなくても、内部の卑金属
導体を酸化することがないので導通抵抗値の安定したセ
ラミック電子部品を作成できる。
２、表面Ｎ極に鉄屑等の卑金属メッキ層を用いても酸化
膜が形成されないため、貴金属を使用しなくても安定し
た半田漏れ性を有する電極が得られる。
膜が形成されないため、貴金属を使用しなくても安定し
た半田漏れ性を有する電極が得られる。
３、高価な貴金属による耐酸化性膜を必要とせず、さら
に厚膜抵抗材料を貴金属を使用しないのでセラミック電
子部品を安価に作成できる。
に厚膜抵抗材料を貴金属を使用しないのでセラミック電
子部品を安価に作成できる。
４、従来達成するのが難しかった、厚膜抵抗に必要な広
い抵抗範囲１０′〜１０６Ω／口の要求を、はぼ満たす
ことができる。
い抵抗範囲１０′〜１０６Ω／口の要求を、はぼ満たす
ことができる。
本発明は以上述べたとおり、厚膜抵抗層として二酸化タ
ングステン、二酸化モリブデンとガラスとからなり水素
を含む還元雰囲気中で焼成された厚膜抵抗層を有するセ
ラミツ多電子部品であり、酸化焼成を全く必要としない
ので導体層が酸化されることがなく、導通抵抗値の安定
した安価なセラミック電子部品を形成できる事となり、
電子工業界の発展に大きく寄与りるものである。
ングステン、二酸化モリブデンとガラスとからなり水素
を含む還元雰囲気中で焼成された厚膜抵抗層を有するセ
ラミツ多電子部品であり、酸化焼成を全く必要としない
ので導体層が酸化されることがなく、導通抵抗値の安定
した安価なセラミック電子部品を形成できる事となり、
電子工業界の発展に大きく寄与りるものである。
第１図は本発明によるセラミック電子部品の要部断面を
示す図、 第２図は、本発明による二酸化タングステンと二酸化モ
リブデンよりなる厚膜抵抗層の抵抗値を示すグラフであ
る。 １・・・セラミックグリーンシート ２・・・導体ペースト ３・・・開口部４・・・絶縁ペ
ースト ５・・・鉄属メッキ層６・・・厚膜抵抗ペース
ト 第１図 第２図 ５ｏ６０ ７０ ｌ３ｏｑ０１００
示す図、 第２図は、本発明による二酸化タングステンと二酸化モ
リブデンよりなる厚膜抵抗層の抵抗値を示すグラフであ
る。 １・・・セラミックグリーンシート ２・・・導体ペースト ３・・・開口部４・・・絶縁ペ
ースト ５・・・鉄属メッキ層６・・・厚膜抵抗ペース
ト 第１図 第２図 ５ｏ６０ ７０ ｌ３ｏｑ０１００
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミック基板と高融点金属導体層とを重ね°合わ
せた複層板の高融点金属導体層表面上に、二酸化タング
ステン及び／又は二酸化モリブデンとガラス質とより成
る厚膜抵抗層を接続配置したことを特徴とするセラミッ
ク電子部品。 ２、セラミックグリーンシートまたはセラミック焼成基
板上に、タングステン、モリブデンの高融点金属より成
る導体ペーストを印刷形成し、還元性雰囲気中で焼成し
てセラミック基板と高融産金ｉ導体層とより成る複層板
を形成し、次いで該複層板の露出した導体層上にタング
ステン酸化物及び／又はモリブデン酸化物粉末とガラス
粉末とを主成分とする厚膜抵抗ペーストを印刷し、水素
を含む還元性とを特徴とするセラミック電子部品の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184421A JPS6077187A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | セラミツク電子部品及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58184421A JPS6077187A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | セラミツク電子部品及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077187A true JPS6077187A (ja) | 1985-05-01 |
| JPH0362033B2 JPH0362033B2 (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=16152864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58184421A Granted JPS6077187A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | セラミツク電子部品及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077187A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274035A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ用導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP2020188197A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 導電性ペースト、および、セラミック配線基板の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639074A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-14 | Banyu Pharmaceut Co Ltd | Pyrimidine derivative |
| JPS56146201A (en) * | 1980-04-14 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Alumina circuit board with glazed resistor |
| JPS588767A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-18 | ア−ルシ−エ−・コ−ポレ−シヨン | 抵抗器用インク |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP58184421A patent/JPS6077187A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639074A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-14 | Banyu Pharmaceut Co Ltd | Pyrimidine derivative |
| JPS56146201A (en) * | 1980-04-14 | 1981-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Alumina circuit board with glazed resistor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274035A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ用導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP4576660B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2010-11-10 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ用導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP2020188197A (ja) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | 日本特殊陶業株式会社 | 導電性ペースト、および、セラミック配線基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362033B2 (ja) | 1991-09-24 |
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