JPS6077491A - セラミツク多層配線基板およびその製造法 - Google Patents
セラミツク多層配線基板およびその製造法Info
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- JPS6077491A JPS6077491A JP18441983A JP18441983A JPS6077491A JP S6077491 A JPS6077491 A JP S6077491A JP 18441983 A JP18441983 A JP 18441983A JP 18441983 A JP18441983 A JP 18441983A JP S6077491 A JPS6077491 A JP S6077491A
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- conductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、混成集積回路部品に使用される、セラミック
多層配線基板およびその製造法に関するものである。
多層配線基板およびその製造法に関するものである。
従来、混成集積回路に用いられる多層配線基板J3よび
その製造法として、例えば第1図に示すように、レミツ
クグリーンシー1〜11にタングステンあるいはモリブ
デン等の高融点全屈を主成分とする高融点金属導体ペー
スト層2、および該導体ベーストFM 2の1部が露出
する聞[13を有づる絶で焼成し、次いで^11部金屈
導体ペースト層2が焼結した高融点金属心体層上に、銀
等の厚膜導体ペースト層5を印刷し酸化雰囲気C焼成し
て厚膜導体層を形成してヒラミック多層配線基板を得る
事が知られ−(いる。どころか、厚llT11導体ペー
スト層5は酸化雰囲気で焼結されるため、このとぎ高融
点金属シ9体層が酸化されて電気抵抗が高くなり、混成
集積回路としては不適なものとなる。
その製造法として、例えば第1図に示すように、レミツ
クグリーンシー1〜11にタングステンあるいはモリブ
デン等の高融点全屈を主成分とする高融点金属導体ペー
スト層2、および該導体ベーストFM 2の1部が露出
する聞[13を有づる絶で焼成し、次いで^11部金屈
導体ペースト層2が焼結した高融点金属心体層上に、銀
等の厚膜導体ペースト層5を印刷し酸化雰囲気C焼成し
て厚膜導体層を形成してヒラミック多層配線基板を得る
事が知られ−(いる。どころか、厚llT11導体ペー
スト層5は酸化雰囲気で焼結されるため、このとぎ高融
点金属シ9体層が酸化されて電気抵抗が高くなり、混成
集積回路としては不適なものとなる。
この問題点を解決りるため、高fil1点金Ii!導体
層を保護する保護膜の形成が検討され、例えば特公昭5
3−26305号公報に知られるように、タングステン
、しリブデン等からなる高融点金77!1イ木層」二に
ニツケルメッニ1.を施し、その」二1こ金ペーストを
印刷した後、還元雰囲気中で金を焼結さけて°保護層を
形成し、高融点金属導体層を保護する方法が知られてい
る。しかしながらこの方法に於て、ニッケルと金とが合
金を形成りる揚台は、そのニッケルー金合金が酸化雰囲
気ひの厚膜導体ペーストの焼イリリ時に酸化され、また
、金が単に焼付りられる揚台は、その焼f1層が比較的
ポーラスで、酸素を完全に連断づる稈にはm密にならな
いため、結局、酸化雰囲気での厚膜導体ペーストの焼付
(〕時にニラクルメッキ層が酸化され、酸化膜生成にと
もない導通11へ抗の増加は蹴りられない問題点があっ
た。
層を保護する保護膜の形成が検討され、例えば特公昭5
3−26305号公報に知られるように、タングステン
、しリブデン等からなる高融点金77!1イ木層」二に
ニツケルメッニ1.を施し、その」二1こ金ペーストを
印刷した後、還元雰囲気中で金を焼結さけて°保護層を
形成し、高融点金属導体層を保護する方法が知られてい
る。しかしながらこの方法に於て、ニッケルと金とが合
金を形成りる揚台は、そのニッケルー金合金が酸化雰囲
気ひの厚膜導体ペーストの焼イリリ時に酸化され、また
、金が単に焼付りられる揚台は、その焼f1層が比較的
ポーラスで、酸素を完全に連断づる稈にはm密にならな
いため、結局、酸化雰囲気での厚膜導体ペーストの焼付
(〕時にニラクルメッキ層が酸化され、酸化膜生成にと
もない導通11へ抗の増加は蹴りられない問題点があっ
た。
また、特開111ノ49−57366号公報に示される
ように、タングステン、モリブデン等の導体層上にNi
メツ平等の第1の化1月本層を形成し、その上に金や銅
等の第2の保護導体層を形成し、溶融して合金から成る
保護体層を形成づる方法も知られているが、ニッケルー
金合金や、ニッケルーSト1台金は、厚膜導体ペースト
の焼イ」()時の酸化雰囲気中の焼成u4に表面が酸化
されて、酸化膜を」−成し電気抵抗が増加し、今通十J
すとなる問題点があった。
ように、タングステン、モリブデン等の導体層上にNi
メツ平等の第1の化1月本層を形成し、その上に金や銅
等の第2の保護導体層を形成し、溶融して合金から成る
保護体層を形成づる方法も知られているが、ニッケルー
金合金や、ニッケルーSト1台金は、厚膜導体ペースト
の焼イ」()時の酸化雰囲気中の焼成u4に表面が酸化
されて、酸化膜を」−成し電気抵抗が増加し、今通十J
すとなる問題点があった。
本弁明は、前記のような問題点を解決するために成され
たものであり、セラミック」二に形成されたタングステ
ンあるいはモリブデン等の高融点金属層上に、空気中で
厚膜導電ベーストを焼成して厚膜導体層を形成しCt)
、酸素の侵入を防ぐことができるため導体層の酸化がな
く充分な¥J電性を有し、かつメツ−1−処し!l!等
を必要としない比較的安価なセラミック多層配線基板及
びそのl!!造法を提供づる小を目的とηる。
たものであり、セラミック」二に形成されたタングステ
ンあるいはモリブデン等の高融点金属層上に、空気中で
厚膜導電ベーストを焼成して厚膜導体層を形成しCt)
、酸素の侵入を防ぐことができるため導体層の酸化がな
く充分な¥J電性を有し、かつメツ−1−処し!l!等
を必要としない比較的安価なセラミック多層配線基板及
びそのl!!造法を提供づる小を目的とηる。
本発明は、レラミック基板と、高融点金属導体層とを重
ね合せた複層板の高融点金属導体層の表面上に、厚膜導
体層を配向接続してなるじラミック多層配Pil基板に
おいて、即成導体層に接続するiI!i融点金属導体層
上にタングステンと白金との合金層より成る中間導体R
ηを形成するとともに、該中間導体層上に銀どパラジウ
ムとの溶融合金層を形成したことを特徴どづるセラミッ
ク多層配置!;+M板である。
ね合せた複層板の高融点金属導体層の表面上に、厚膜導
体層を配向接続してなるじラミック多層配Pil基板に
おいて、即成導体層に接続するiI!i融点金属導体層
上にタングステンと白金との合金層より成る中間導体R
ηを形成するとともに、該中間導体層上に銀どパラジウ
ムとの溶融合金層を形成したことを特徴どづるセラミッ
ク多層配置!;+M板である。
さらに本発明の製造法は、セラミックグリーンシート」
−に、タングステン、しリブデン等よりなる高融点金属
導体層を形成りる合体ペーストと、該導体ペーストの1
部を露出さUて、セラミックグリーンシー1〜と同(A
賀よりなる絶縁層を形成づるセラミックベーストとを小
ね合せ、さらに露出物よりなる中間導体層上 し、還元性雰囲気中で力2成して複層板を形成し、次い
で露出した中間導体層上に銀とパラジウムとの混合ペー
ストを印刷後、加熱溶用:して、中間導体層上に銀とパ
ラン1クムとの溶A4+1合金層を形成し、その後、銀
とパラジウムとの合金層上1=:厚膜導体ペーストを印
刷して、酸化性雰囲気中ひ焼成ジることを特徴とするセ
ラミック多層配線基板の製造法ぐある。
−に、タングステン、しリブデン等よりなる高融点金属
導体層を形成りる合体ペーストと、該導体ペーストの1
部を露出さUて、セラミックグリーンシー1〜と同(A
賀よりなる絶縁層を形成づるセラミックベーストとを小
ね合せ、さらに露出物よりなる中間導体層上 し、還元性雰囲気中で力2成して複層板を形成し、次い
で露出した中間導体層上に銀とパラジウムとの混合ペー
ストを印刷後、加熱溶用:して、中間導体層上に銀とパ
ラン1クムとの溶A4+1合金層を形成し、その後、銀
とパラジウムとの合金層上1=:厚膜導体ペーストを印
刷して、酸化性雰囲気中ひ焼成ジることを特徴とするセ
ラミック多層配線基板の製造法ぐある。
本発明の詳111を、第2図に承り構成図に・より各工
程ごとに順次説明づる。
程ごとに順次説明づる。
まf1アルミナ、ベリリア等をニド成分どりるセラミッ
クグリーンシー1へを、公知のドクターブレードd5等
により調整し、混成集積回路基板どして必要な\J法に
切断したセラミックグリーンシート6をt(ξ備する。
クグリーンシー1へを、公知のドクターブレードd5等
により調整し、混成集積回路基板どして必要な\J法に
切断したセラミックグリーンシート6をt(ξ備する。
次いで、そのグリーンシートの」二にタングステン−モ
リブデン等の^融点金属を1成分どづる導体ペースh
Jj 、J、び該導体ペーストの一部が露出づZ)li
il+−1シー16−Ll’ZN/jIJ−−ノコノー
1−6ノ□rH6リイ)tP士原料とりる絶縁ペースト
を、スクリーン印刷により交互に印刷し、第2図に示J
ように導体ペーストよりなる高融点金属心体層7と、絶
縁ペース1へJこりなる絶縁層9を形成する。なA3.
高融点金属導体層7 A3よび絶縁層9の層数は限られ
Iこものではなく、用途に応じた?7数どづれば良い。
リブデン等の^融点金属を1成分どづる導体ペースh
Jj 、J、び該導体ペーストの一部が露出づZ)li
il+−1シー16−Ll’ZN/jIJ−−ノコノー
1−6ノ□rH6リイ)tP士原料とりる絶縁ペースト
を、スクリーン印刷により交互に印刷し、第2図に示J
ように導体ペーストよりなる高融点金属心体層7と、絶
縁ペース1へJこりなる絶縁層9を形成する。なA3.
高融点金属導体層7 A3よび絶縁層9の層数は限られ
Iこものではなく、用途に応じた?7数どづれば良い。
ぞの後、露出した高融点全屈導体1i’i’i7を形成
Jる導体ペースト上に、タンゲスアンと白金を主成分と
する中間導体層8を形成4る中間導体ペーストをスクリ
ーン印刷によりr(+刷する。
Jる導体ペースト上に、タンゲスアンと白金を主成分と
する中間導体層8を形成4る中間導体ペーストをスクリ
ーン印刷によりr(+刷する。
そし−C,高融点金属心体層7と、中間導体層8と、絶
縁層9どを形成づるペーストが印刷されたセラミックグ
リーンシート6を、還元雰囲気で焼成し複層板を形成覆
る。焼成条件は、レラミックグリーンシ−1−6の組成
、導体ペースト等の成分により定められるが、1400
〜1800°C,5〜180分である。なお、焼成後中
間導体層8は、タングステンと白金の合金層どなる。こ
のタングステンと白金の合金FIJ:りなる中間導体層
は、酸化速度が遅く、さらにパラジウム−銀合金との濡
れが改善され、従来法C用いられるニッケルメッキ等の
ように厚膜導体層と反応する小が少ない特徴を持つ。
縁層9どを形成づるペーストが印刷されたセラミックグ
リーンシート6を、還元雰囲気で焼成し複層板を形成覆
る。焼成条件は、レラミックグリーンシ−1−6の組成
、導体ペースト等の成分により定められるが、1400
〜1800°C,5〜180分である。なお、焼成後中
間導体層8は、タングステンと白金の合金層どなる。こ
のタングステンと白金の合金FIJ:りなる中間導体層
は、酸化速度が遅く、さらにパラジウム−銀合金との濡
れが改善され、従来法C用いられるニッケルメッキ等の
ように厚膜導体層と反応する小が少ない特徴を持つ。
次いぐ、好ましくはパラジウム10〜40モルパーセン
トと銀60〜90モルパーセン1〜を主成分とする負金
属合金層10を形成づる混合ペーストを、複層板の中間
導体層8上にスクリーン印刷づる。パラジウムを用いる
のは、中間導体層どの濡れ性を良くづるためと、厚膜導
体層の焼成時に酸素が貴金属合金層10を通過して高融
点金属導体層7の表面が酸化づるのを防ぐためである。
トと銀60〜90モルパーセン1〜を主成分とする負金
属合金層10を形成づる混合ペーストを、複層板の中間
導体層8上にスクリーン印刷づる。パラジウムを用いる
のは、中間導体層どの濡れ性を良くづるためと、厚膜導
体層の焼成時に酸素が貴金属合金層10を通過して高融
点金属導体層7の表面が酸化づるのを防ぐためである。
銀を用いるのは、銀は最も安価でありかつ低温で溶融り
る白金属であるためである。貴金属合金Ft10の厚み
は、厚膜導体層の焼成温度にJζり異なるが、15〜4
5μが適当である。
る白金属であるためである。貴金属合金Ft10の厚み
は、厚膜導体層の焼成温度にJζり異なるが、15〜4
5μが適当である。
次いで、貴金属合金層10を形成づる混合ペーストが印
刷されたセラミック配線基板を、1000℃〜1250
℃、非酸化性雰囲気中で加熱処理して混合ペースト層を
溶融して合金化覆る。溶融合金化温度は1000℃以上
であり、パラジウムの中間i(木屑8への拡散を抑える
ためにも、1300℃以下の溶融合金化温度が好ましい
。
刷されたセラミック配線基板を、1000℃〜1250
℃、非酸化性雰囲気中で加熱処理して混合ペースト層を
溶融して合金化覆る。溶融合金化温度は1000℃以上
であり、パラジウムの中間i(木屑8への拡散を抑える
ためにも、1300℃以下の溶融合金化温度が好ましい
。
熱処理されたレラミツク基板の貴金属合金層10、およ
び絶縁層9上に銀等を」:成分とりる厚膜導イホ層11
を形成する厚膜導体ペースi・により、所要の回路パタ
ーンを印刷づる。次いぐ、印刷物を、酸化雰囲気で焼成
してレラミツク多層配線基板を得る。焼成条件としては
、WIIWベースi〜の成分によるが、100℃〜85
0℃、 5分〜20分ひある。
び絶縁層9上に銀等を」:成分とりる厚膜導イホ層11
を形成する厚膜導体ペースi・により、所要の回路パタ
ーンを印刷づる。次いぐ、印刷物を、酸化雰囲気で焼成
してレラミツク多層配線基板を得る。焼成条件としては
、WIIWベースi〜の成分によるが、100℃〜85
0℃、 5分〜20分ひある。
その後、抵抗等の受動素子を厚膜導体層11上に形成し
たり、その他回路部品リードをソイ17ボンドあるいは
半III (」IJりることにより集積回路を形成Jる
。
たり、その他回路部品リードをソイ17ボンドあるいは
半III (」IJりることにより集積回路を形成Jる
。
なお、本発明の配線間板およびそのI!A造法において
最も特長とするとこる(よ、ij:r^11貞金属導体
層と厚膜導体層との間に、タングステンと白金の合金よ
りなる中間導体層と、該中間導体層の表面に銀とパラジ
ウムどの溶1,1↑n金属合金層とを介在づることの相
乗効果により、厚膜導体の酸化焼成114におい(も酸
素の侵入をほぼ完全に防止し、高融点金属導体層等の酸
化を防ぐことである。
最も特長とするとこる(よ、ij:r^11貞金属導体
層と厚膜導体層との間に、タングステンと白金の合金よ
りなる中間導体層と、該中間導体層の表面に銀とパラジ
ウムどの溶1,1↑n金属合金層とを介在づることの相
乗効果により、厚膜導体の酸化焼成114におい(も酸
素の侵入をほぼ完全に防止し、高融点金属導体層等の酸
化を防ぐことである。
以下、実施例につき説明りる。
実施例
レラミック成分どして、アルミナ90重量パーセン1〜
の他、シリカ、マグネシア秀の添加物とポリビニルブチ
ラール等の有機バインダーを混合し、ドクターブレード
法により厚み0.8mmのけラミックグリーンシー1〜
を作成した。
の他、シリカ、マグネシア秀の添加物とポリビニルブチ
ラール等の有機バインダーを混合し、ドクターブレード
法により厚み0.8mmのけラミックグリーンシー1〜
を作成した。
次にタングステン粉末98由船パーレント、シリツノ2
重b1パーレントのメタライズ成分に、1デルセルロー
スを印刷助剤としく゛加えた導体ペーストと、グリーン
シー1へと回−組成のV)末に]−ヂルレルI」−スを
印刷助剤として加え1.:絶縁ペーストとを、グリーン
シート上に導体ベーストを1部露出さIIC交qに印刷
して、第2図に承りようにグリーンシート0上に^融点
金属ン9イホ層7を形成ヅる導体ベーストと絶縁層9を
形成づる絶縁ペーストを積層した。
重b1パーレントのメタライズ成分に、1デルセルロー
スを印刷助剤としく゛加えた導体ペーストと、グリーン
シー1へと回−組成のV)末に]−ヂルレルI」−スを
印刷助剤として加え1.:絶縁ペーストとを、グリーン
シート上に導体ベーストを1部露出さIIC交qに印刷
して、第2図に承りようにグリーンシート0上に^融点
金属ン9イホ層7を形成ヅる導体ベーストと絶縁層9を
形成づる絶縁ペーストを積層した。
次いで、絶縁ペーストの聞1」部J、り露出しくいる導
体ペースト上に、タングスデン粉末70〜90重量パー
ヒン1〜と白金粉末30〜10重量バーレントにエチル
セルロースを印刷助剤として加えた中間導体層8を形成
する中間導体ペーストを印刷し、露点35℃の水素と窒
素の混合雰′囲気中C1B温速度300℃/時間、 1
550℃、2時間保持後、降温速度600℃/R間で焼
結し複層板を形成した。そして、その複層板の露出中間
導体層B上に第1表に示す割合のパラジウムと銀とを3
み、7グリル系バインダを印刷助剤どしてj)11え1
.:…を合ベーストを以っ−(、印刷厚みが約3()μ
に4にるJ、うにスクリーン印刷し、水素雰囲気中、
1000〜1300”CでそれぞれのIJ成ペーストの
融点にあわUて)12合ペーストを溶融するとともに合
金化し、パラジウム−銀の合金W!110を形成した。
体ペースト上に、タングスデン粉末70〜90重量パー
ヒン1〜と白金粉末30〜10重量バーレントにエチル
セルロースを印刷助剤として加えた中間導体層8を形成
する中間導体ペーストを印刷し、露点35℃の水素と窒
素の混合雰′囲気中C1B温速度300℃/時間、 1
550℃、2時間保持後、降温速度600℃/R間で焼
結し複層板を形成した。そして、その複層板の露出中間
導体層B上に第1表に示す割合のパラジウムと銀とを3
み、7グリル系バインダを印刷助剤どしてj)11え1
.:…を合ベーストを以っ−(、印刷厚みが約3()μ
に4にるJ、うにスクリーン印刷し、水素雰囲気中、
1000〜1300”CでそれぞれのIJ成ペーストの
融点にあわUて)12合ペーストを溶融するとともに合
金化し、パラジウム−銀の合金W!110を形成した。
さらに、合金層10及び絶縁1M9上に厚膜導体層11
を形成Jる銀、パラジウム系導体ペースト(D−434
4)をスクリーン印刷した後、空気中850℃。
を形成Jる銀、パラジウム系導体ペースト(D−434
4)をスクリーン印刷した後、空気中850℃。
10分(゛焼成し、第2図に承りように高融点金属導体
層7と厚膜導体層11との間にタングステン−白金より
なる中間導体層8およびパラジウム−銀よりなる溶融台
金層10が介在された本発明のじラミック多層配&il
基板を冑だ。
層7と厚膜導体層11との間にタングステン−白金より
なる中間導体層8およびパラジウム−銀よりなる溶融台
金層10が介在された本発明のじラミック多層配&il
基板を冑だ。
なお、本発明以外のものも参考例および従来例どして用
意し、またこのj、うにして得られts tラミック多
層配線基板について、酸化焼成時のS電性劣化の程度を
比較り−るためJ99膜導層11間の電気抵抗の測定を
行った。結果を第1表に示づ。
意し、またこのj、うにして得られts tラミック多
層配線基板について、酸化焼成時のS電性劣化の程度を
比較り−るためJ99膜導層11間の電気抵抗の測定を
行った。結果を第1表に示づ。
11表にJ3いC1判定のOは電気抵抗等の諸特性が変
化ゼず良好であることを示し、×はそれらが不良である
ことを示している。
化ゼず良好であることを示し、×はそれらが不良である
ことを示している。
また、中間導体層のタングステンと白金の割合は、W:
95〜50wt%、pt:’5へ・50W[%がグYま
しく、さらに好ましくはW;90〜80W(%、11:
10〜2(hvt%である。さらに、負金属合金層のパ
ラジウムと銀の割合は、第1表j二り、pd:40〜1
0モル%、Ag:60〜90モル%が好j、シフ、さら
に好ましくはl)d:30〜20モル%、Δg:10〜
80モル%である。ここで、P(1が10モル%より少
ないと貴金B層の酸素遮断性が471化し、また[〕(
1が40モル%より多いと溶融温度が上がり4ぎ、l)
d自身がWと反応して合金化してしまうので好ましくな
い。
95〜50wt%、pt:’5へ・50W[%がグYま
しく、さらに好ましくはW;90〜80W(%、11:
10〜2(hvt%である。さらに、負金属合金層のパ
ラジウムと銀の割合は、第1表j二り、pd:40〜1
0モル%、Ag:60〜90モル%が好j、シフ、さら
に好ましくはl)d:30〜20モル%、Δg:10〜
80モル%である。ここで、P(1が10モル%より少
ないと貴金B層の酸素遮断性が471化し、また[〕(
1が40モル%より多いと溶融温度が上がり4ぎ、l)
d自身がWと反応して合金化してしまうので好ましくな
い。
上述したところから明らかlJJこうに、本発明による
セラミック多層配線基板は、^融点金属導体層の露出部
分にタンゲス)−ンと台金Jζす4Iる中間導体層を形
成し、その上にパラジウム、銀の溶融合金層を形成し、
さらにイの上に17膜導体層を酸化雰囲気中で焼成した
ちのであり、以下のような1重々の特徴をイjづる。
セラミック多層配線基板は、^融点金属導体層の露出部
分にタンゲス)−ンと台金Jζす4Iる中間導体層を形
成し、その上にパラジウム、銀の溶融合金層を形成し、
さらにイの上に17膜導体層を酸化雰囲気中で焼成した
ちのであり、以下のような1重々の特徴をイjづる。
1、 従来法と較べて、パラジウム−銀合金層を溶融し
て形成するため合金層は緻密であり、かつパラジウムを
10モルパーレント以上含むので合金層への酸素の固溶
も少ないため厚膜導体層の酸化雰囲気焼成に際しても酸
素の内部への侵入を有効に防止できる。
て形成するため合金層は緻密であり、かつパラジウムを
10モルパーレント以上含むので合金層への酸素の固溶
も少ないため厚膜導体層の酸化雰囲気焼成に際しても酸
素の内部への侵入を有効に防止できる。
2、 パラジウム−銀合金層と中間導体層との合金化が
起きず、(1)の効果と相俟って酸化性雰囲気中で焼成
しても中間導体層はほとんど酸化されない。
起きず、(1)の効果と相俟って酸化性雰囲気中で焼成
しても中間導体層はほとんど酸化されない。
3、 仮りに中間導体層がわずかに酸化されても酸化膜
が導電性を右づるので安定した導電性が得られる。
が導電性を右づるので安定した導電性が得られる。
4、 パラジウム−銀合金層が緻密なため、合金層上の
厚膜導体層上にシミ等が生ぜず、半田の翻れが良く、良
好な電極特性が得られる。
厚膜導体層上にシミ等が生ぜず、半田の翻れが良く、良
好な電極特性が得られる。
5、 タングステン−白金の中間導体層は、タンゲスア
ンあるいは七り1デン単味よりも酸化され難く、かつパ
ラジウム、銀の合金は酸素の遮[11i性があるので、
ll711!、!導体層を酸化雰囲気中で焼成しU ’
b高fal1点金属導体層が酸化される事がなく、高8
11点金属導体層とJ’7股導体層間で安定し!、:導
電1’J /Jt 4!7られる。
ンあるいは七り1デン単味よりも酸化され難く、かつパ
ラジウム、銀の合金は酸素の遮[11i性があるので、
ll711!、!導体層を酸化雰囲気中で焼成しU ’
b高fal1点金属導体層が酸化される事がなく、高8
11点金属導体層とJ’7股導体層間で安定し!、:導
電1’J /Jt 4!7られる。
6、 パラジウム−銀合金は、肖金属において(ま安価
、低i、l(貞であり、かつタングステン−白金合金上
にはNiメツギ処理等が不要であるのr″製造二1スト
を安価1こできる。
、低i、l(貞であり、かつタングステン−白金合金上
にはNiメツギ処理等が不要であるのr″製造二1スト
を安価1こできる。
1、 パラジウム、銀の混合ベースト印刷時に印刷ずれ
が(1じても、該ペーストを溶融づるので、流動性を生
じ中間導体層を完全に被■づることが0きる。
が(1じても、該ペーストを溶融づるので、流動性を生
じ中間導体層を完全に被■づることが0きる。
本発明は以上)d(べたようにタングステン−モリブデ
ン等の高融点金属をタンゲスアン−白金の合金F4J3
よびパラジウム−銀合金層の2F!の合金層で被覆保護
Jることとなり、厚膜導体層を酸化雰囲気で形成づるに
際しても酸素の侵入を有効に防ぎ、導電性の劣化の少な
いレラミツク多層配線基板が得られるものである。従っ
て、厚膜抵抗電極1、−性の優れた厚膜電極と、抵抗等
の厚膜素子をセラミック配線基板上に比較的安価に形成
できる事と’Jす、ri ti度で多機能な回路Jス板
形成が可能となり、電子工業界の発展に大きく奇F5づ
るものである、。
ン等の高融点金属をタンゲスアン−白金の合金F4J3
よびパラジウム−銀合金層の2F!の合金層で被覆保護
Jることとなり、厚膜導体層を酸化雰囲気で形成づるに
際しても酸素の侵入を有効に防ぎ、導電性の劣化の少な
いレラミツク多層配線基板が得られるものである。従っ
て、厚膜抵抗電極1、−性の優れた厚膜電極と、抵抗等
の厚膜素子をセラミック配線基板上に比較的安価に形成
できる事と’Jす、ri ti度で多機能な回路Jス板
形成が可能となり、電子工業界の発展に大きく奇F5づ
るものである、。
第1図は従来のレラミック多層配線Iit板の要部断面
図、 第2図は本発明によるレラミック多層配線基板の要部断
面を承り図である。 1.6・・・レラミックグリーンシ−1へ2・・・^融
点金属導体ペース1一層 3・・・絶縁層間に1部 4.9・・・絶縁層5・・・
厚膜S体ベースト層 7・・・高融点金属層 8・・・中間導体層 10・・・パラジウム−銀wJ融合金層11・・・厚膜
導体層。
図、 第2図は本発明によるレラミック多層配線基板の要部断
面を承り図である。 1.6・・・レラミックグリーンシ−1へ2・・・^融
点金属導体ペース1一層 3・・・絶縁層間に1部 4.9・・・絶縁層5・・・
厚膜S体ベースト層 7・・・高融点金属層 8・・・中間導体層 10・・・パラジウム−銀wJ融合金層11・・・厚膜
導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、セラミック基板と高融点金属導体層とを重ね合わせ
た複層板の高融点金属導体層の表面上に、厚膜導1本層
を配置接続してなるヒラミック多層配線基板において、
〃膜導体層に接続゛する高融点金属導体層上に、タング
ステンと白金との合金層より成る中間導体層を形成する
とどもに、該中間導体層上に銀とパラジウムとの溶融合
金層を形成したことを特徴とづるヒラミック多層配線基
板。 2、L?ラミックグリーンシー1〜上に、タングスデン
、モリブデン等よりなる高ハ1;点金属導体層を形成づ
る導体ペーストど、該導体ペーストの1部を露出さけ−
(、レラミックグリーンシートと同材質よりなる絶縁層
を形成するセラミックベース1へとを重ね合u1さらに
露出混合物−こりなる中間導体層を形成づるペーストを
印刷し、還元性雰囲気中で焼成して複層板を形成し、次
いで露出した中間導体層上に銀とパラジウムとの混合ベ
ーストを印刷後、加熱溶融し゛C1中間導体層上に銀と
パラジウムとの溶融合金層を形成し、その後、銀とパラ
ジウムとの合金層上に厚IIφ導体ペーストを印刷して
、酸化性雰囲気中で焼成することを特徴どづるセラミッ
ク多層配線基板の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18441983A JPS6077491A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | セラミツク多層配線基板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18441983A JPS6077491A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | セラミツク多層配線基板およびその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6077491A true JPS6077491A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16152830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18441983A Pending JPS6077491A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | セラミツク多層配線基板およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6077491A (ja) |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18441983A patent/JPS6077491A/ja active Pending
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