JP2020188197A - 導電性ペースト、および、セラミック配線基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 セラミック基板上またはセラミック基板内部に配線層を形成可能な導電性ペーストにおいて、形成した配線層の導通抵抗を低下させる技術を提供する。【解決手段】 セラミック基板上またはセラミック基板内部に配線層を形成可能な導電性ペーストは、還元によってタングステンになるタングステン化合物の粉末と、タングステン化合物の粉末と混合される感光性樹脂と、を含む。【選択図】 図1

Description

本発明は、導電性ペースト、および、セラミック配線基板の製造方法に関する。
従来から、セラミックグリーンシート上に塗布可能な流動性を有し、焼成することでセラミック配線基板の配線層となる導電性ペーストが知られている。例えば、特許文献1には、フォトリソグラフィによって、セラミックグリーンシート上の導電性ペーストから配線層パターンを形成する技術が開示されている。
特許6420088号公報
しかしながら、特許文献1に記載の導電性ペーストは、フォトリソグラフィの露光工程で用いられる光を吸収しやすい金属の粉末を含んでいるため、露光工程での光が導電性ペーストの奥まで到達しにくい。このため、導電性ペーストの奥の感光性樹脂が光硬化しにくくなり配線層にアンダーカットが形成されやすくなる。このように、特許文献1に記載の導電性ペーストでは、セラミックグリーンシート上に、導電性ペーストに厚く塗布することが難しく、配線層の導通抵抗を低下させることは容易ではない。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、セラミック基板上またはセラミック基板内部に配線層を形成可能な導電性ペーストにおいて、導電性ペーストから形成される配線層の導通抵抗を低下させる技術を提供することを目的とする。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
(1)本発明の一形態によれば、セラミック基板上または前記セラミック基板内部に配線層を形成可能な導電性ペーストが提供される。この導電性ペーストは、還元によってタングステンになるタングステン化合物の粉末と、前記タングステン化合物の粉末と混合される感光性樹脂と、を含む。
この構成によれば、導電性ペーストに含まれるタングステン化合物の粉末が光を反射しやすい性質を有していると、配線層パターンを形成するときの露光工程において導電性ペーストの内部に入射する光は、導電性ペーストの内部でタングステン化合物の粉末によって反射される。タングステン化合物の粉末によって反射された光は、導電性ペーストの内部で散乱するため、露光工程で導電性ペーストに照射された光は、導電性ペーストにおいて光が入射した側と反対側まで到達しやすくなる。これにより、導電性ペーストにおいて光が入射した側と反対側の感光性樹脂も、露光で用いられる光によって光硬化しやすくなるため、導電性ペーストを厚く塗布してもアンダーカットが形成されにくくなり、感光部分の形状が安定する。したがって、導電性ペーストから露光および現像によって形成される配線層パターンを厚くすることができるため、配線層の導通抵抗を低下させることができる。
(2)上記形態の導電性ペーストにおいて、前記タングステン化合物とは、三酸化タングステン、パラタングステンアンモニウム、および、メタタングステンアンモニウムの少なくとも1つであってもよい。この構成によれば、三酸化タングステンの粉末、パラタングステンアンモニウムの粉末、および、メタタングステンアンモニウムの粉末は、光を反射しやすいため、反射された光によって、導電性ペーストにおいて光が入射した側と反対側の感光性樹脂が光硬化しやすくなる。これにより、導電性ペーストを厚く塗布してもアンダーカットが形成されにくくなるため、導電性ペーストから形成される配線層パターンの厚みを厚くすることができる。したがって、配線層の導通抵抗をさらに低下させることができる。
(3)本発明の別の形態によれば、セラミック配線基板の製造方法が提供される。このセラミック配線基板の製造方法は、タングステン化合物の粉末と感光性樹脂とを含む導電性ペーストを、セラミックグリーンシート上に塗布し、塗布された導電性ペーストを露光および現像することにより配線層パターンを形成するパターン形成工程と、前記パターン形成工程の後、前記セラミックグリーンシートを焼成し、前記配線層パターンに含まれている前記タングステン化合物をタングステンに還元して、配線層を形成する焼成工程と、を備える。この構成によれば、パターン形成工程での露光工程において導電性ペーストに入射する光は、タングステン化合物の粉末によって反射されるため、導電性ペーストにおいて光が入射した側と反対側の感光性樹脂が光硬化しやすくなる。これにより、導電性ペーストを厚く塗布しても、パターン形成工程での現像においてアンダーカットが形成されにくくなるため、パターン形成工程での露光および現像によって形成される配線層パターンを厚くすることができる。また、焼成によってタングステン化合物をタングステンに還元することで、配線層パターンを、電気伝導性を有する配線層とすることができる。したがって、配線層の導通抵抗を低下させることができる。
導電性ペーストとセラミックグリーンシートを表す模式図である。 セラミック配線基板の製造方法のフローチャートである。 第1実施形態の露光工程と現像工程を説明する図である。 比較例の露光工程と現像工程を説明する図である。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態の導電性ペースト10とセラミックグリーンシート5を表す模式図である。図1には、導電性ペースト10の断面図とともに、セラミックから形成されている平板状のセラミックグリーンシート5の断面図が示されている。セラミックグリーンシート5と導電性ペースト10は、セラミック配線基板の製造工程を経て、例えば、電子部品検査用の基板やウェアテスタ用の基板となる。また、セラミックグリーンシート5と導電性ペースト10から製造されるセラミック配線基板は、例えば、静電チャック用ヒータ回路や、セラミックヒータとして用いられてもよく、積層することで、セラミック多層回路基板としても利用される。
導電性ペースト10は、図1に示すように、セラミックグリーンシート5上に配置され、タングステン化合物の粉末11と、感光性樹脂12を含む。タングステン化合物の粉末11は、還元すると金属タングステンとなる粉末であって、例えば、三酸化タングステンや、パラタングステンアンモニウムや、メタタングステンアンモニウムの粉末である。本実施形態では、光を反射しやすい白色を有するパラタングステンアンモニウムの粉末を用いている。感光性樹脂12は、紫外光が照射されると光硬化するネガ型感光材であって、本実施形態では、例えば、ビスアジド化合物を用いている。導電性ペースト10は、タングステン化合物の粉末11と感光性樹脂12とを、例えば、感光性樹脂12の重量%が20%となるように混合することで作製される。導電性ペースト10は、フォトリソグラフィによってセラミックグリーンシート5上に配線層パターン7を形成することができるため、セラミック基板上の配線層のファイン化に適している。
図2は、本実施形態のセラミック配線基板の製造方法のフローチャートである。図3は、本実施形態のセラミック配線基板の製造方法における露光工程と現像工程を説明する図である。ここでは、セラミック配線基板の製造方法を説明する。本実施形態のセラミック配線基板の製造方法は、図2に示すように、パターン形成工程(ステップS1)と、焼成工程(ステップS2)を含む。本実施形態のセラミック配線基板の製造方法は、ラミネート方式で製造されるセラミック配線基板にも適用可能である。
最初のパターン形成工程は、準備工程(ステップS11)と、塗布工程(ステップS12)と、露光工程(ステップS13)と、現像工程(ステップS14)を含む。パターン形成工程での最初に、準備工程として、セラミックグリーンシート5と、導電性ペースト10を準備する。次に、塗布工程として、セラミックグリーンシート5上に導電性ペースト10を塗布する。
次に、露光工程として、セラミックグリーンシート5上に塗布された導電性ペースト10に光を照射する。具体的には、ガラスマスク20を用いてセラミックグリーンシート5上の導電性ペースト10に光を照射し、セラミック配線基板の配線層パターン7の形状にあわせて感光性樹脂12を光硬化させる。
露光工程では、図3(a)に示すように、導電性ペースト10の上方に、ガラスマスク20が配置される。ガラスマスク20には、平板状のガラス21に、配線層パターン7の形状にあわせて遮光膜22が設けられている。露光工程では、セラミックグリーンシート5上の導電性ペースト10に対して、ガラスマスク20を介して、導電性ペースト10に含まれる感光性樹脂12が光硬化する紫外光L1が照射される。
ガラスマスク20を介して導電性ペースト10に照射された紫外光L1の一部は、図3(a)に示すように、ガラスマスク20の遮光膜22が配置されていない部分を透過し、導電性ペースト10の一部10aに照射される。このとき、導電性ペースト10の内部に入射する紫外光は、タングステン化合物の粉末11によって反射されるため、導電性ペースト10の内部で散乱を繰り返しつつ、導電性ペースト10のセラミックグリーンシート5側に進む。導電性ペースト10の内部では、比較的多くの紫外光が導電性ペースト10のセラミックグリーンシート5側まで到達するため、導電性ペースト10の一部10aに含まれる感光性樹脂12の多くが光硬化する。これにより、光硬化した感光性樹脂12aを含む導電性ペースト10の感光部分15(図3(b)参照)の側面15a、15bには、アンダーカットが形成されにくくなる。一方、遮光膜22によって紫外光が遮られ感光しなかった導電性ペースト10の未感光部分16、17は、感光性樹脂12が光硬化することなくセラミックグリーンシート5上に残る。
露光工程の次に、現像工程として、セラミックグリーンシート5上に、配線層パターン7を形成する。具体的には、導電性ペースト10の未感光部分16、17が現像液によって除去される。これにより、図3(c)に示すように、光硬化した感光性樹脂12aを含む導電性ペースト10の感光部分15が残り、配線層パターン7が形成される。このように、パターン形成工程では、フォトリソグラフィを用いて、セラミックグリーンシート5上に、配線層パターン7を形成する。
現像工程の次に、焼成工程として、セラミックグリーンシート5を焼成する。具体的には、図3(c)に示す配線層パターン7が形成されたセラミックグリーンシート5を還元雰囲気でコファイヤ焼成することで、セラミックグリーンシート5は、セラミック配線基板のセラミック基板となる。このとき、配線層パターン7に含まれるタングステン化合物の粉末11は、還元されることで金属タングステンとなり、電気伝導性を有する配線層となる。これにより、配線層を備えるセラミック配線基板が製造される。
図4は、比較例の露光工程と現像工程を説明する図である。比較例のセラミック配線基板の製造方法では、セラミックグリーンシート5上に塗布される導電性ペースト50は、金属タングステンの粉末51と、感光性樹脂12とを備える。金属タングステンの粉末51は、紫外光を吸収しやすい性質を有する。
図4に示す比較例のセラミック配線基板の製造方法では、露光工程において、ガラスマスク20を用いてセラミックグリーンシート5上に塗布された導電性ペースト50に紫外光L1を照射し、配線層パターン7の形状にあわせて感光性樹脂12を光硬化させる。このとき、照射された紫外光L1の一部は、導電性ペースト50の内部において、金属タングステンの粉末51に吸収される。このため、導電性ペースト50の内部では、比較的多くの紫外光が導電性ペースト50のセラミックグリーンシート5側まで到達しないため、導電性ペースト50の紫外光L1が照射される一部50a(図4(b)参照)に含まれる感光性樹脂12の多くが光硬化しない。すなわち、導電性ペースト50の一部50aにおいて、セラミックグリーンシート5側の感光性樹脂12は、光硬化が阻害されるため、光硬化した感光性樹脂12aを含む導電性ペースト50の部分55は、図4(b)に示すように、紫外光L1が入射する側からセラミックグリーンシート5に向かって細くなる形状となる。したがって、露光工程後の現像工程において、未感光部分56、57が除去されると、配線層パターン7には、図4(c)に示すように、アンダーカットU1、U2が形成される。アンダーカットU1、U2は、配線層の厚みを厚くするほど大きくなるため、配線層とセラミック基板との接続が不安定となる。このため、比較例のセラミック配線基板の製造方法では、配線層の厚みを厚くすることが困難であり、厚くすることによって配線層の導通抵抗を低下させることは容易ではない。
以上説明した、本実施形態の導電性ペースト10によれば、導電性ペースト10に含まれるタングステン化合物の粉末11は、光を反射しやすい性質を有している。フォトリソグラフィでの露光工程において導電性ペースト10の内部に入射する光は、導電性ペースト10の内部でタングステン化合物の粉末11によって反射される。反射された光は、導電性ペースト10の内部で散乱するため、露光工程で導電性ペースト10に照射された光は、導電性ペースト10のセラミックグリーンシート5側まで到達しやすくなる。これにより、導電性ペースト10のセラミックグリーンシート5側の感光性樹脂12も露光工程での光によって光硬化しやすくなるため、導電性ペースト10を厚く塗布しても、図4で示すようなアンダーカットU1、U2が形成されにくく、感光部分15の形状が安定する。したがって、フォトリソグラフィでの露光および現像によって形成される配線層パターン7を厚くすることができるため、配線層の導通抵抗を低下させることができる。
また、本実施形態の導電性ペースト10によれば、外部の光を反射しやすい白色を有しているタングステン化合物の粉末11が、導電性ペースト10に含まれている。これにより、露光工程において導電性ペースト10の内部に入射する紫外光がさらに反射されやすくなるため、反射された光が導電性ペースト10の内部でさらに広がることによって、導電性ペースト10のセラミックグリーンシート5側の感光性樹脂12も、紫外光L1の照射によって光硬化しやすくなる。したがって、導電性ペースト10を厚く塗布してもアンダーカットはさらに形成されにくくなるため、配線層パターン7の厚みをさらに厚くすることができる。すなわち、配線層の導通抵抗をさらに低下させることができる。
また、本実施形態のセラミック配線基板の製造方法によれば、露光工程において、導電性ペースト10に入射する紫外光L1は、タングステン化合物の粉末11によって反射されるため、導電性ペースト10のセラミックグリーンシート5側の感光性樹脂12が光硬化しやすくなる。これにより、導電性ペースト10を厚く塗布しても、現像工程においてアンダーカットが形成されにくくなるため、露光工程と現像工程で形成される配線層パターン7を厚くすることができる。また、焼成工程で、パラタングステンアンモニウムをタングステンに還元することで、配線層パターン7を、電気伝導性を有する配線層とすることができる。したがって、導通抵抗を低下させた配線層を備えるセラミック配線基板を製造することができる。
<本実施形態の変形例>
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
[変形例1]
上述の実施形態では、セラミックグリーンシート5上の導電性ペースト10は、露光工程で照射される光によって、感光性樹脂12が光硬化するとした。しかしながら、感光性樹脂12の光に対する反応性は、これに限定されない。感光によって現像液に対する溶解度が異なるように、感光部分15と、未感光部分16、17とが変質すれば、現像工程において、感光部分15と、未感光部分16、17との一方を選択的に除去することができるため、配線層パターン7を形成することができる。
[変形例2]
上述の実施形態では、セラミック配線基板の配線層は、セラミック基板上に形成されるとした。しかしながら、配線層は、セラミック基板の内部に配置されてもよい。
以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。
5…セラミックグリーンシート
7…配線層パターン
10…導電性ペースト
10a…導電性ペーストの一部
11…タングステン化合物の粉末
12…感光性樹脂
12a…光硬化した感光性樹脂
15…感光部分
15a、15b…側面
16、17…未感光部分
20…ガラスマスク
21…ガラス
22…遮光膜
L1…紫外光
U1、U2…アンダーカット

Claims (3)

  1. セラミック基板上または前記セラミック基板内部に配線層を形成可能な導電性ペーストであって、
    還元によってタングステンになるタングステン化合物の粉末と、
    前記タングステン化合物の粉末と混合される感光性樹脂と、を含む、
    導電性ペースト。
  2. 請求項1に記載の導電性ペーストであって、
    前記タングステン化合物とは、三酸化タングステン、パラタングステンアンモニウム、および、メタタングステンアンモニウムの少なくとも1つである、
    導電性ペースト。
  3. セラミック配線基板の製造方法であって、
    タングステン化合物の粉末と感光性樹脂とを含む導電性ペーストを、セラミックグリーンシート上に塗布し、塗布された導電性ペーストを露光および現像することにより配線層パターンを形成するパターン形成工程と、
    前記パターン形成工程の後、前記セラミックグリーンシートを焼成し、前記配線層パターンに含まれている前記タングステン化合物をタングステンに還元して、配線層を形成する焼成工程と、を備える、
    セラミック配線基板の製造方法。
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