KR20110048479A - 아크릴레이트 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물, 및 포토레지스트 패턴 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 후막 형성을 위한 화학증폭형 포토레지스트 조성물에 포함되는 아크릴레이트 수지, 이를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물, 및 이로부터 제조되는 포토레지스트 패턴에 관한 것이다.
본 발명에 따른 아크릴레이트 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물은 상용성(분산 안정성), 도포성, 현상ㆍ해상성과 같은 주요한 특성을 손상시키지 않고 감도의 향상을 달성할 수 있다. 또한, 이러한 조성물로부터 후막 레지스트 패턴 형성이 가능하며, 상기 패턴은 감도, 현상성, 패턴성, 크랙 내성, 도금 내성이 우수한 효과를 가진다.

Description

아크릴레이트 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물, 및 포토레지스트 패턴{Acrylate resin, photoresist composition comprising the same, and photoresist pattern}
본 발명은 후막(厚膜) 형성을 위한 화학증폭형 포토레지스트 조성물에 포함되는 아크릴레이트 수지, 이를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물, 및 이로부터 제조되는 포토레지스트 패턴에 관한 것이다.
최근 전자 기기 크기의 축소는 다중핀(Multipin) 박막 포장, 반도체 패키지 크기 감소를 포함하는 반도체 패키지의 고밀도 포장의 추가적인 발전, 및 플립-칩 시스템(Flip-Chip System)을 사용한 2차원적 포장 기술 또는 3차원적 포장기술에 기초한 포장 밀도의 기타 개선을 야기함으로써 상기 유형의 광가공을 위한 후막용 포토레지스트의 활용도가 점차적으로 넓어지고 있다.
후막용 포토레지스트는 후막 포토레지스트층을 형성하는 것으로, 예를 들어 도금 공정에 의한 범프나 메탈 포스트의 형성 등에 이용되고 있다.
범프나 메탈 포스트는, 예를 들어 지지체 상에 막 두께 약 20㎛인 후막 포토레지스트층을 형성하고, 소정의 마스크 패턴을 통하여 노광하고 현상하여 범프나 메탈 포스트를 형성하는 부분이 선택적으로 제거(박리)된 레지스트 패턴을 형성하며, 이 제거된 부분(비(非)레지스트부)에 구리 등의 도체를 도금에 의해서 채워넣은 후, 그 주위의 레지스트 패턴을 제거함으로써 형성할 수 있다.
후막용 포토레지스트로는, 예컨대 일본 특허 공개 2008-258479호 공보에서와 같이, 펌프 형성용이나 배선 형성용으로 이용되는 퀴논디아지드기 함유 화합물을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 개시되고 있다.
한편, 종래의 퀴논디아지드기 함유 화합물을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물보다 고감도인 감광성 수지조성물로서, 산발생제를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트가 알려져 있다.
화학증폭형 포토레지스트의 특징은 방사선 조사(노광)에 의해 산 발생제로부터 산이 발생하여, 노광 후의 가열 처리에 의해 산의 확산이 촉진되고, 수지 조성물 중의 베이스 수지 등에 대해 산촉매 반응을 일으켜서 그 알칼리 용해성을 변화시키는 것이다. 예컨대 일본 특허 공개 2001-281862호 공보 및 일본 특허 공개 2001-281863호 공보 등에서 알 수 있는 바와 같이, 화학증폭형 포토레지스트 중, 알칼리 불용이었던 것이 알칼리 가용화하는 포지티브형인 것으로서, 도금용 화학증폭형 포토레지스트 조성물이 개시되고 있다.
전술한 바와 같이 전자 산업의 특정한 분야에서는 고분해능 리소그래피에 사용되는 것보다 더 두꺼운 포토레지스트 막을 필요로 하는데, 이 경우 막 두께가 일반적으로 20 마이크론을 초과할 수 있다. 후막 분야에서, 피막의 물리적 파라미터, 소성 및 현상은 박막의 것과는 상당히 다를 수 있다. 포토레지스트의 두꺼운 피막은 상 분리, 찰흔, 미세기포의 형성 등과 같은 결함을 나타낼 수 있으며, 이는 피복 후, 또한 현상 후에도 불균일한 막을 형성시킬 수 있다.
이에 본 발명은 최근 전자기기 산업 분야에서 요구되는 후막 포토레지스트의 형성을 위한 최적의 포토레지스트층 조성물로서 회로 기판의 제조, 회로 기판에 실장(實裝)하는 CSP(칩 사이즈 패키지), 미소 전기 기계 시스템(MEMS) 소자 및 MEMS 소자를 내장한 소형 기계(마이크로 머신) 및 고밀도 실장을 행하기 위한 관통 전극 등의 전자 부품의 제조에서, 범프나 메탈 포스트 등의 접속 단자, 배선 패턴 등의 형성에 적합하게 이용되는 후막용 화학증폭형 포토레지스트 조성물에 포함되는 아크릴레이트 수지를 제공하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 아크릴레이트 수지를 포함하는 것으로, 감도, 현상성, 패턴성, 크랙 내성, 도금 내성이 우수할 뿐만 아니라 박리가 용이한 후막용 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 제공하는 데도 있다.
또한, 본 발명의 추가의 다른 목적은 상기 조성물로부터 제조된 후막의 포토레지스트 패턴을 제공하는 데도 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 아크릴레이트 수지는 다음 화학식 1로 표시될 수 있다:
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 식에서 R1과 R2는 서로 같거나 다른 것으로서, 각각 메틸기 또는 수소이고,
R3는 카르복시산, 히드록시기, 락톤기를 포함하는 치환체로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상이며;
R4는 상기 R3를 제외한 치환기, 및 방향족 그룹으로부터 선택되는 1종 이상이며, l,m,n 은 각각 상기 a-1, a-2, 및 a-3의 몰 비를 나타내는 것으로서 l은 40~60 몰%, m은 1~10 몰% 및 n은 30~59 몰%를 만족한다.
또한, 상기 아크릴레이트 수지는, 프로필렌 글리콜모노메틸에테르아세테이트, N-메틸-2-피로리돈, N,N-디메틸포름아미드 ,N,N-디메틸아세트아마이드, 디메틸술폭사이드, 디에틸아세트아마이드, γ-부티로락톤케톤, γ-발레로락톤케톤, 및 m-크레졸로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 유기 용매를 포함하는 것일 수 있다.
상기 [화학식 1]의 (a-1)은 테트라하이드로피라닐 메타크릴레이트(tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate), 테트라하이드로피라닐 아크릴레이트(tetrahydro-2H-pyran-2-yl acrylate) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 포함할 수 있으며,
상기 [화학식 1]의 (a-2)는 아크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸 아크릴산 글리시딜, α-n-프로필 아크릴산 글리시딜, α-n-부틸 아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시 부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시 부틸, 아크릴산-6,7-에폭시 헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시 헵틸, α-에틸 아크릴산-6,7-에폭시 헵틸, o-비닐 벤질글리시딜 에테르, m-비닐 벤질 글리시딜 에테르, p-비닐 벤질 글리시딜 에테르, 2-히드록시에틸에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시옥틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 및 2-히드록시 프로필 (메트)아크릴레이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 [화학식 1]의 (a-3)는, 스티렌, o-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐 톨루엔, p-메톡시 스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아크릴 아미드, 메타크릴 아미드, 초산 비닐, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 페닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐아크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로벤질메타크릴레이트, 2 또는 4-클로로페닐아크릴레이트, 및 2 또는 4-클로로페닐메타크릴레이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 올레핀계 화합물로부터 선택되는 1종 이상인 것을 포함할 수 있다.
상기 아크릴레이트 수지의 중량평균분자량은 10,000~300,000인 것이 바람직하다.
또한, 상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 포지티브형 화학증폭형 포토레지스트 조성물은 상기 아크릴레이트 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 아크릴레이트 수지는 화학증폭형 포토레지스트 조성물 총량에 대해 3 내지 60중량%로 포함됨이 바람직하다.
또한, 상기 조성물은 a) 상기 화학식 1의 아크릴레이트 수지; b) 감광성 산발생 화합물; c) 산확산 제어제; 및 d) 용매를 포함할 수 있다.
또한, 상기 조성물이 a) 상기 화학식 1의 아크릴레이트 수지 100 중량부에 대하여 b) 감광성 산발생 화합물(PAG) 0.01~30 중량부; c) 산확산 제어제 0.01~5 중량부; 및 d) 용매 40~97중량부를 포함할 수 있다.
상기 감광성 산발생 화합물이 트리아릴설포늄 염(triarylsulfonium salts), 디아릴요오드늄 염(diaryliodonium salts), 설포네이트(sulfonate) 화합물, 트리페닐설포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 트리페닐설포늄 안티모네이트(triphenylsulfonium antimonate), 디페닐요오드늄 트리플레이트(diphenyliodonium triflate), 디페닐요오드늄 안티모네이트(diphenyliodonium antimonate), 메톡시 디페닐요오드늄 트리플레이트(methoxydiphenyliodonium triflate), 디-t-부틸요오드늄 트리플레이트(di-t-butyliodonium triflate), 2,6-디니트로벤질 설포네이트(2,6-dinitobenzyl sulfonate), 피로갈롤 트리스(알킬설포네이트)(pyrogallol tris(alkylsulfonate)) 및 숙신산이미딜 트리플레이트(succinimidyl triflate)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 산확산 제어제가 트리에틸아민(triethylamine), 트리프로필아민(tripropyl amine), 트리벤질아민(tribenzyl amine), 트리히드록시에틸아민(trihydroxyethyl amine), 및 에틸렌 디아민(ethylene diamine)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
또한, 추가의 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 포토레지스트 패턴은 상기 포지티브형 화학증폭형 포토레지스트 조성물로부터 제조된 것일 수 있다.
또한, 상기 포토레지스트 패턴은 막 두께 3~150㎛의 후막인 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 본 발명에 따른 아크릴레이트 수지를 포함하는 포토레지스트 조성물은 상용성(분산 안정성), 도포성, 현상ㆍ해상성과 같은 주요한 특성을 손상시키지 않고 감도의 향상을 달성할 수 있다.
또한, 이러한 조성물로부터 후막 레지스트 패턴 형성이 가능하며, 상기 패턴은 감도, 현상성, 패턴성, 크랙 내성, 도금 내성이 우수한 효과를 가진다.
따라서, 본 발명에 따른 후막 레지스트 패턴을 이용하여 회로 기판의 제조, 회로 기판에 실장하는 CSP(칩 사이즈 패키지), 미소 전기 기계 시스템(MEMS) 소자, MEMS 소자를 내장한 소형 기계(마이크로 머신), 고밀도 실장을 행하기 위한 관통 전극 등의 전자 부품의 제조, 범프나 메탈 포스트 등의 접속 단자, 배선 패턴 등과 같이 광범위한 용도에 적용 가능하다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따른 SEM사진이다.
이하 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 발명은 후막용 화학증폭형 포토레지스트 조성물에 포함되는 아크릴레이트 수지, 이를 포함하는 후막용 화학증폭형 포토레지스트 조성물 및 이로부터 제조된 포토레지트 패턴을 제공한다.
1. 아크릴레이트 수지
본 발명에 따른 아크릴레이트 수지는 다음 [화학식 1]로 표시되는 화합물인 것에 특징을 가진다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 식에서 R1과 R2는 서로 같거나 다른 것으로서, 각각 메틸기 또는 수소이고,
R3는 카르복시산, 히드록시기, 락톤기를 포함하는 치환체로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상이며;
R4는 상기 R3를 제외한 치환체, 및 방향족 그룹을 포함하는 그룹에서 선택되는 1종 이상이며,
(a-1), (a-2), (a-3)의 각각의 몰 비를 나타내는 l,m,n 은, l은 40~60 몰%, m은 1~10 몰% 및 n은 30~59 몰%를 만족한다.
상기 아크릴레이트 수지에서 (a-1)은 그 말단에 테트라하이드로피라닐 그룹을 포함하는 것으로서, 상기 치환기를 포함함으로써 노광 전에는 알칼리 불용성을 나타내나, 감광성 산발생 화합물로부터 생성된 산에 의해 상기 테트라하이드로피라닐기가 수지로부터 떨어지면 수지는 acidic해짐으로써 알칼리 가용성이 된다.
즉, 상기 테트라하이드로피라닐기는 노광 전, 후에서 아크릴레이트 수지의 알칼리 가용성을 조절하는 인자로 작용한다.
상기 아크릴레이트 수지에서 (a-1)은 전체 수지 중 40~60 몰%로 포함되는 것이 바람직하다. 즉, 40 몰%≤l≤60 몰% 이다. 이때, ㅣ이 40 몰% 미만인 경우 현상액에 대한 현상 속도가 너무 느린 문제가 있으며, 60 몰%를 초과하는 경우에는 현상 후 비노광 영역의 잔막율이 너무 낮은 문제가 있어 바람직하지 않다.
상기 a-1의 구체적인 예를 들면, 테트라하이드로피라닐 메타크릴레이트(tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate), 테트라하이드로피라닐 아크릴레이트(tetrahydro-2H-pyran-2-yl acrylate) 중에서 선택될 수 있다.
또한, 상기 (a-2)을 구성하는 단량체의 구체적인 예를 들면, 아크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸 아크릴산 글리시딜, α-n-프로필 아크릴산 글리시딜, α-n-부틸 아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시 부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시 부틸, 아크릴산-6,7-에폭시 헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시 헵틸, α-에틸 아크릴산-6,7-에폭시 헵틸, o-비닐 벤질글리시딜 에테르, m-비닐 벤질 글리시딜 에테르, p-비닐 벤질 글리시딜 에테르, 2-히드록시에틸에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시옥틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 및 2-히드록시 프로필 (메트)아크릴레이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 아크릴레이트 수지에서 (a-2)의 몰비는 1 몰%≤m≤10 몰% 이다. m이 1 몰% 미만인 경우 기재에 대한 접착력이 약한 문제가 있으며, 10 몰%를 초과하는 경우에는 현상 후 노광 영역에서 잔사가 잔존하는 문제가 있다.
또한, 상기 아크릴레이트 수지에서 (a-3)은 상기 (a-2) 이외의 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 및 올레핀계 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함한다.
상기 (a-3)을 구성하는 단량체의 구체적인 예를 들면, 스티렌, o-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐 톨루엔, p-메톡시 스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아크릴 아미드, 메타크릴 아미드, 초산 비닐, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 페닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐아크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로벤질메타크릴레이트, 2 또는 4-클로로페닐아크릴레이트, 및 2 또는 4-클로로페닐메타크릴레이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 올레핀계 화합물 등을 들 수 있다.
상기 (a-3)의 함량은 전체 수지 중 30~59 몰%로 포함되며 즉, 30 몰%≤n≤59 몰%로서, n이 30 몰% 미만인 경우에는 이하의 포토레지스트 조성물에 포함되는 PAG와의 혼화성(miscibility)이 낮아 용액이 혼탁하고, 59 몰%를 초과하는 경우에는 포토 특성과 현상 속도가 미흡한 문제가 있어 바람직하지 않다.
본 발명의 아크릴레이트 수지는 a-1) 테트라하이드로피라닐 그룹을 포함하는 화합물; a-2) 카르복시산, 히드록시 또는 락톤기를 포함하는 갖는 화합물; 및 a-3) 상기 a-2) 이외의 작용기를 포함하는 화합물 및 올레핀계 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 유기 용매 하에서 반응시켜 제조한다.
본 발명에서 아크릴 바인더 수지의 합성에 사용되는 유기용매는 프로필렌 글리콜모노메틸에테르아세테이트, N-메틸-2-피로리돈, N,N-디메틸포름아미드 ,N,N-디메틸아세트아마이드, 디메틸술폭사이드, 디에틸아세트아마이드, γ-부티로락톤케톤, γ-발레로락톤케톤, 및 m-크레졸로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 반응 시 각 단량체는 전체 수지 중 고형분 함량이 3 ~ 60 중량%가 되도록 포함되는 것이 본 발명에서 요구하는 막 두께의 포토레지스트층을 형성하기 위해 유리하다.
즉, 상기 고형분의 함량이 3 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 이를 포함하는 레지스트 조성물의 점도가 너무 낮아 기판과의 밀착력이 저하되어 후막 포토레지스트층의 형성을 어렵게 한다. 반대로 상기 고형분의 함량이 60중량%를 초과하는 경우에는 조성물의 점도가 필요 이상으로 높아져 균일한 두께의 코팅을 어렵게 하고 매끄러운 표면의 구현이 어려우며, 원하는 두께의 레지스트층을 형성하기에 문제가 있다. 또한, 조액 시 고른 혼합을 형성하기 어려워 미세 패턴 형성을 위한 물성 구현이 어려운 문제가 있다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명의 아크릴레이트 수지는 중량평균 분자량이 10,000~300,000의 범위를 가진다.
상기 중량평균 분자량이 10,000 미만으로 너무 낮으면 필름 특성이 불량해지는 문제가 있고, 또한, 300,000을 초과하여 너무 높으면 현상액에 용해도가 떨어지는 문제가 발생한다. 본 발명은 상기와 같은 아크릴 수지를 주쇄로 하고 이에 (a-1)과 같은 작용기를 도입함으로써 종래 발명에 비해 후막의 포토레지스트층을 형성하는데 더욱 유리한 효과를 나타낼 수 있다.
2. 후막용 화학증폭형 포토레지스트 조성물
한편, 본 발명은 상기 아크릴레이트 수지를 포함하는 후막용 포토레지스트 조성물을 제공하는 데 특징을 있다.
포토레지스트 조성물은 노광에 따라 알칼리 용액에 대한 용해도를 변화시켜 이미지를 형성한다. 따라서, 바람직한 이미지를 얻기 위하여 노광 전 및 노광 공정에 의해 알칼리 용액에 대한 용해도 변화를 관찰하고 그로부터 적절한 바인더 수지의 구조를 도출하게 된다. 따라서, 본 발명에서는 노광 과정에서 감광성 산발생 화합물(PAG)로부터 발생 된 산에 의해 깨지면서 알칼리 용해성을 띄게 되는 작용기로서 테트라하이드로피라닐 그룹을 포함하는 아크릴레이트 수지를 바인더로 포함하는 데 특징을 가진다.
상기 아크릴레이트 수지는 본 발명의 포토레지스트 조성물의 총량 대비 3 ~ 60 중량%로 포함됨이 바람직하다. 3 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 이를 포함하는 레지스트 조성물의 점도가 너무 낮아 기판과의 밀착력이 저하되어 후막 포토레지스트층의 형성을 어렵게 한다. 반대로 60중량%를 초과하는 경우에는 조성물의 점도가 필요 이상으로 높아져 균일한 두께의 코팅을 어렵게 하고 매끄러운 표면의 구현이 어려우며, 원하는 두께의 레지스트층을 형성하기에 문제가 있다. 또한, 조액 시 고른 혼합을 형성하기 어려워 미세 패턴 형성을 위한 물성 구현이 어려운 문제가 있다.
본 발명의 명세서 전반에 걸쳐 언급한 "후막"은 지지체 상에 막 두께 3~150㎛의 범위로 형성되는 것을 의미한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 상기 a)화학식 1로 표시되는 아크릴레이트 수지를 바인더 수지 100 중량부에 대하여 b) 감광성 산발생 화합물(PAG) 0.01~30 중량부; c) 산확산 제어제 0.01~5 중량부; 및 d) 용매 40~97 중량부를 포함할 수 있다.
본 발명에서 사용 가능한 감광성 산발생제는 화학증폭형 감광성 조성물에서 통상 사용되는 감광성 산발생 화합물로서 구체적으로, 트리아릴설포늄 염(triarylsulfonium salts), 디아릴요오드늄 염(diaryliodonium salts), 설포네이트(sulfonate) 화합물, 트리페닐설포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 트리페닐설포늄 안티모네이트(triphenylsulfonium antimonate), 디페닐요오드늄 트리플레이트(diphenyliodonium triflate), 디페닐요오드늄 안티모네이트(diphenyliodonium antimonate), 메톡시 디페닐요오드늄 트리플레이트(methoxydiphenyliodonium triflate), 디-t-부틸요오드늄 트리플레이트(di-t-butyliodonium triflate), 2,6-디니트로벤질 설포네이트(2,6-dinitobenzyl sulfonate), 피로갈롤 트리스(알킬설포네이트)(pyrogallol tris(alkylsulfonate)) 및 숙신산이미딜 트리플레이트(succinimidyl triflate)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 (b)감광성 산발생제는 (a) 아크릴레이트 바인더 수지 100 중량부에 대하여 0.01~30 중량부로 사용하는 것이 바람직하며, 감광성 산발생제가 0.01중량부 미만일 경우에는 현상속도가 너무 느리고, 30중량부를 초과하는 경우에는 현상 시 노광영역이 마스크 사이즈보다 커지고 패턴 프로파일의 직진성이 떨어지는 문제가 있다.
또한, (c) 산확산 제어제는 포토 레지스트 막 안에서 산의 확산을 제어하기 위해서 사용된다. 이로 인해 환경 의존도를 낮출 수 있고, 노광 후에 감도의 변화를 제어할 수 있다. 산확산 제어제로는 주로 염기성 화합물을 사용하며 그 예는 다음과 같다.
트리에틸아민(triethylamine), 트리프로필아민(tripropyl amine), 트리벤질아민(tribenzyl amine), 트리히드록시에틸아민(trihydroxyethyl amine), 및 에틸렌 디아민(ethylene diamine)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상일 수 있다.
상기 (c) 산확산 제어제는 (a)아크릴레이트 바인더 수지 100중량부에 대하여 0.01~5 중량부를 포함하는 것이 바람직하다. 산확산 제어제가 0.01 중량부 미만일 경우에는 Post exposure baking margin이 적어지고, 5 중량부를 초과하는 경우에는 포토 특성이 나빠지는 문제가 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기와 같이 제조된 아크릴 바인더 수지에 감광성 산발생제(PAG), 산확산 제어제를 첨가하고, 필요에 따라 용해속도 조절제, 증감제, 접착력 증진제 또는 계면활성제를 첨가시켜 제조된다. 상기 각 첨가제는 아크릴 바인더 수지 100중량부에 대하여 0.1~ 30 중량부 범위로 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용매로는 상기 아크릴 바인더를 용해시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
구체적인 예로서, N-메틸-2-피로리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아마이드, 디메틸술폭사이드, 디에틸아세트아마이드, γ-부티로락톤케톤, γ-발레로락톤케톤, m-크레졸, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 디에틸에테르, 프로필렌글리콜 디프로필틸에테르, 프로필렌글리콜 디부틸에테르, 젖산에틸, 젖산부틸, 시클로헥사논 및 시클로펜타논으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다
본 발명의 감광성 수지 조성물은 조성물 100중량부에 대하여 40 내지 97 중량부의 용매를 포함하는 것이 바람직하다. 용매를 40 중량부 미만으로 포함할 경우, 필요 이상으로 고점도가 되어 코팅 시 매끄러운 표면을 얻을 수 없고, 원하는 두께 구현에 문제가 생기며, 조액 시 고른 혼합을 형성하기 어려워 미세 패턴 형성을 위한 물성 구현이 어렵고, 97 중량부를 초과하여 포함할 경우 기판과의 밀착력이 저하되며, 균일한 코팅성 및 원하는 막 두께를 얻기 어렵다.
본 발명에 따른 포토레지스트 층은 바람직하게는 포지티브형 포토레지스트 층으로 한다.
3. 후막 포토레지스트 패턴 형성
상기 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 이용하여 후막 포토레지스트 적층체를 사용하여 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
상기 후막 포토레지스트 적층체는, 지지체 상에 본 발명의 포토레지스트 조성물로 이루어지는 후막 포토레지스트층이 적층되어 이루어진다. 바람직하게는 포지티브형 후막 포토레지스트층으로 한다.
상기 지지체로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 전자 부품용 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 예시할 수 있다. 이 기판으로는, 예를 들어, 실리콘, 질화실리콘, 티탄, 탄탈, 팔라듐, 티탄텅스텐, 구리, 크롬, 철, 알루미늄, 금, 니켈 등의 금속제 기판이나 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어, 구리, 땜납, 크롬, 알루미늄, 니켈, 금 등이 사용된다.
후막 포토레지스트 적층체는 하기와 같은 방법으로 제조될 수 있다.
포토레지스트 조성물의 용액을 지지체 상에 도포하고, 가열에 의해 용매를 제거함으로써 원하는 도막을 형성한다. 피처리 지지체 상으로의 도포 방법으로는, 스핀코트법, 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 채용할 수 있다. 본 발명의 조성물의 도막 프레베이크 조건은, 조성물 중의 각 성분의 종류, 배합 비율, 도포 막 두께 등에 따라 상이하지만, 통상은 70∼150℃에서, 바람직하게는 80∼140℃ 에서 2∼60 분간 정도이다.
후막 포토레지스트층의 막 두께는 3~150㎛, 바람직하게는 20∼120㎛, 보다 바람직하게는 20∼80㎛ 의 범위인 것이 바람직하다.
상기 후막 포토레지스트 적층체를 사용하여 레지스트 패턴을 형성하려면, 얻어진 후막 포토레지스트층에, 소정의 패턴의 마스크를 통하여, I, H, G를 포함한 백색광을 조사(노광)한다. 노광 부분은 후막 포토레지스트층의 알칼리 용해성이 변화된다.
활성 광선은 산을 발생시키기 위해 산 발생제를 활성화시키는 광선으로, 자외선, 가시광선 등이며, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등 등을 사용할 수 있다. 방사선 조사량은, 조성물 중의 각 성분의 종류, 배합량, 도막의 막 두께 등에 따라 상이하지만, 예를 들어, 초고압 수은 등을 사용하는 경우, 100∼10,000mJ/㎠ 가 바람직하다.
노광 후에는 현상 처리를 하는데 이때 노광 후, 현상 처리 전에, 가열처리하여 산의 확산을 촉진시키는 것이 바람직하다. ?본 발명의 PEB 처리는 예를 들어, 70∼120℃, 1∼10 분간 정도의 가열 처리로 산의 확산을 촉진시킬 수 있다.
현상 처리에서는, 예를 들어, 소정의 알칼리성 수용액을 현상액으로서 사용하여, 불필요한 부분을 용해, 제거하여 소정의 레지스트 패턴을 얻는다. 현상액으로는, 예를 들어, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노난 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 또, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.
현상 시간은, 조성물 각 성분의 종류, 배합 비율, 조성물의 건조 막 두께에 따라 상이하지만, 통상적으로 1∼30분간이고, 또 현상의 방법은 스핀법 (spin method), 디핑법, 패들법, 스프레이 현상법 등 중 어느 것이어도 된다. 현상 후에는, 유수 세정을 30∼90 초간 실시하고, 에어컨이나, 오븐 등을 사용하여 건조시킨다.
이와 같이 하여 얻어진 레지스트 패턴의 비 레지스트부 (알칼리 현상액으로 제거된 부분) 에, 예를들어, 도금 등에 의해 금속 등의 도체를 매립함으로써, 메탈 포스트나 범프 등의 접속 단자를 형성할 수 있다.
또한, 도금 처리 방법은 특별히 제한되지 않고, 종래부터 공지된 각종 방법을 채용할 수 있다. 도금액으로는, 특히 땜납 도금, 구리 도금, 금 도금, 니켈 도금액이 바람직하게 사용된다. 남아 있는 레지스트 패턴은, 마지막으로, 정법(定法)에 따라, 박리액 등을 사용하여 제거한다.
이하에서 본 발명을 실시예에 의거하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
[합성예1]
테트라하이드로피라닐 메타크릴레이트 50 mol%, 메타아크릴산 10 mol%, 스티렌 40 mol%에 대하여 1 중량부의 AIBN를 이용하고 총 고형분 농도가 50 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 첨가하여 60℃에서 15시간 중합하여 분자량 150,000의 수지 A-1을 얻었다.
[합성예2]
테트라하이드로피라닐 메타크릴레이트 40 mol%, 히드록시에틸메타크릴레이트 10 mol%, 스티렌 50 mol%에 대하여 1 중량부의 AIBN를 이용하고 총 고형분 농도가 50 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 첨가하여 60℃에서 15시간 중합하여 분자량 170,000의 수지 A-2를 얻었다.
[합성예3]
테트라하이드로피라닐 메타크릴레이트 56 mol%, 메타크릴산 글리시딜 3 mol%, 스티렌 41 mol%에 대하여 1 중량부의 AIBN를 이용하고 총 고형분 농도가 50 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 첨가하여 60℃에서 15시간 중합하여 분자량 250,000의 수지 A-3을 얻었다.
[실시예]
이하의 각 성분을 표 1에 표기한 함량대로 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르아세테이트에 혼합하여 균일하게 섞은 후 1미크론의 시린지 필터로 여과하여 총 고형분 농도가 40 중량%가 되도록 제조하였다.
함량 : 중량부 실시예 1 실시예 2 실시예 3
아크릴레이트 바인더 A-1 100 - -
A-2 - 100 -
A-3 - - 100
PAG B-1 2 - -
B-2 - 2 2
산확산 억제제 C 0.1 0.1 0.1
㈜
A-1, A-2, A-3는 각각 합성예 1~3에 따라 제조된 것임.
B-1) 트리아릴설포늄 염(triarylsulfonium salts).
B-2) 디아릴요오드늄 염(diaryliodonium salts).
C) 트리에틸아민.
[실험예]
상기 제조된 실시예 1~3의 조성물을 스핀 코팅하고 120℃에서 3분간 건조하여 50㎛ 두께의 포토레지스트 층을 얻었다.
이 후막 포토레지스트 층을 100㎛ 홀 패턴의 마스크를 이용하여 백색광으로 노광하고 100℃에서 2분간 가열하였다. 그리고 2.38%의 테트라메틸암모늄히드록시 수용액에서 현상하고 증류수로 세척한 후 질소 블로우하여 패턴을 얻었다. 얻어진 패턴을 주사전자현미경으로 관찰하고, 그 결과를 다음 도 1~3에 나타내었다.
다음 도 1~3의 SEM 사진에서와 같이, 패턴의 프로파일 및 잔사 여부를 살펴본 결과 모두 우수한 특성을 나타내었다. 따라서, 본 발명에 따른 아크릴레이트 수지를 포함하는 조성물로부터 후막의 레지스트 패턴 형성이 가능하고, 또한 형성된 레지스트 패턴은 감도 및 현상성 등의 물성이 우수함을 확인할 수 있다.

Claims (15)

  1. 다음 화학식 1로 표시되는 아크릴레이트 수지:
    [화학식 1]
    Figure pat00003

    상기 식에서 R1과 R2는 서로 같거나 다른 것으로서, 각각 메틸기 또는 수소이고,
    R3는 카르복시산, 히드록시기, 락톤기를 포함하는 치환체로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상이며;
    R4는 상기 R3를 제외한 치환기, 및 방향족 그룹으로부터 선택되는 1종 이상이며,l은 40 ~ 60 몰%, m은 1 ~ 10 몰% 및 n은 30 ~ 59 몰%
  2. 제1항에 있어서, 상기 아크릴레이트 수지는, 프로필렌 글리콜모노메틸에테르아세테이트, N-메틸-2-피로리돈, N,N-디메틸포름아미드 ,N,N-디메틸아세트아마이드, 디메틸술폭사이드, 디에틸아세트아마이드, γ-부티로락톤케톤, γ-발레로락톤케톤, 및 m-크레졸로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 아크릴레이트 수지.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 [화학식 1]의 (a-1)은 테트라하이드로피라닐 메타크릴레이트(tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate), 테트라하이드로피라닐 아크릴레이트(tetrahydro-2H-pyran-2-yl acrylate) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 아크릴레이트 수지.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 [화학식 1]의 (a-2)는 아크릴산, 크로톤산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸 아크릴산 글리시딜, α-n-프로필 아크릴산 글리시딜, α-n-부틸 아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시 부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시 부틸, 아크릴산-6,7-에폭시 헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시 헵틸, α-에틸 아크릴산-6,7-에폭시 헵틸, o-비닐 벤질글리시딜 에테르, m-비닐 벤질 글리시딜 에테르, p-비닐 벤질 글리시딜 에테르, 2-히드록시에틸에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시옥틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 및 2-히드록시 프로필 (메트)아크릴레이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 아크릴레이트 수지.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 [화학식 1]의 (a-3)는, 스티렌, o-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐 톨루엔, p-메톡시 스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아크릴 아미드, 메타크릴 아미드, 초산 비닐, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 페닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐아크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로벤질메타크릴레이트, 2 또는 4-클로로페닐아크릴레이트, 및 2 또는 4-클로로페닐메타크릴레이트로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 올레핀계 화합물로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 아크릴레이트 수지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 아크릴레이트 수지의 중량평균분자량은 10,000 ~ 300,000인 것을 특징으로 하는 아크릴레이트 수지.
  7. 상기 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 아크릴레이트 수지를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 상기 아크릴레이트 수지는 화학증폭형 포토레지스트 조성물 총량 중 3 내지 60 중량%로 포함되는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
  9. 제7항에 있어서, 상기 화학증폭형 포토레지스트 조성물은
    a) 상기 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 아크릴레이트 수지;
    b) 감광성 산발생 화합물;
    c) 산확산 제어제; 및
    d) 용매
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기 화학증폭형 포토레지스트 조성물은
    a) 상기 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 아크릴레이트 수지 100중량부에 대하여
    b) 감광성 산발생 화합물(PAG) 0.01~30 중량부;
    c) 산확산 제어제 0.01~5 중량부; 및
    d) 용매 40~97 중량부를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 감광성 산발생 화합물이 트리아릴설포늄 염(triarylsulfonium salts), 디아릴요오드늄 염(diaryliodonium salts), 설포네이트(sulfonate) 화합물, 트리페닐설포늄 트리플레이트(triphenylsulfonium triflate), 트리페닐설포늄 안티모네이트(triphenylsulfonium antimonate), 디페닐요오드늄 트리플레이트(diphenyliodonium triflate), 디페닐요오드늄 안티모네이트(diphenyliodonium antimonate), 메톡시 디페닐요오드늄 트리플레이트(methoxydiphenyliodonium triflate), 디-t-부틸요오드늄 트리플레이트(di-t-butyliodonium triflate), 2,6-디니트로벤질 설포네이트(2,6-dinitobenzyl sulfonate), 피로갈롤 트리스(알킬설포네이트)(pyrogallol tris(alkylsulfonate)) 및 숙신산이미딜 트리플레이트(succinimidyl triflate)으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상인 포지티브형 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
  12. 제 9항에 있어서, 상기 산확산 제어제가 트리에틸아민(triethylamine), 트리프로필아민(tripropyl amine), 트리벤질아민(tribenzyl amine), 트리히드록시에틸아민(trihydroxyethyl amine), 및 에틸렌 디아민(ethylene diamine)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상인 포지티브형 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
  13. 제 7항에 따른 화학증폭형 포토레지스트 조성물로부터 제조된 포토레지스트 패턴.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 패턴은 포지티브형인 포토레지스트 패턴.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 패턴은 막 두께가 3~150㎛의 후막인 포토레지스트 패턴.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101476498B1 (ko) * 2012-03-09 2014-12-24 주식회사 엘지화학 아크릴레이트 수지 및 이를 포함하는 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물
WO2019009499A1 (ko) * 2017-07-04 2019-01-10 주식회사 엘지화학 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101476498B1 (ko) * 2012-03-09 2014-12-24 주식회사 엘지화학 아크릴레이트 수지 및 이를 포함하는 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물
WO2019009499A1 (ko) * 2017-07-04 2019-01-10 주식회사 엘지화학 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법
KR20190004583A (ko) * 2017-07-04 2019-01-14 주식회사 엘지화학 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법
CN109429511A (zh) * 2017-07-04 2019-03-05 株式会社Lg化学 正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和光致抗蚀剂图案的制造方法
US11003077B2 (en) 2017-07-04 2021-05-11 Lg Chem, Ltd. Positive photoresist composition, photoresist pattern using the same, and manufacturing method of the photoresist pattern
CN109429511B (zh) * 2017-07-04 2022-01-28 株式会社Lg化学 正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和光致抗蚀剂图案的制造方法

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