JPH0685457A - セラミック多層回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 内部配線に銀系導体、表面配線に銅系導体を
用いたセラミック多層回路基板において、銅系導体の表
面配線の接着強度が高く、また半田ヌレ性に優れ、生産
性に優れたセラミック多層回路基板及びその製造方法を
提供する。 【構成】内部配線１２に銀系導体を用いたガラス−セラ
ミック多層基板１の主面に、銅系導体の表面配線２を形
成したセラミック多層回路基板１０において、前記内部
配線１２と前記表面配線２との接続部分に、白金系又は
パラジウム系導体からなるビアホール導体１４を形成し
た。また、表面配線２を、多層基板１上に印刷した後、
中性もしくは還元性雰囲気中、銀−銅の共晶点以上の温
度、例えば９００℃で焼成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子機器に用いるセラ
ミック多層回路基板及びその製造方法に関するものであ
り、内部配線に銀系導体を、表面配線に銅系導体を備え
たセラミック多層回路基板及びその製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】最近、セラミック多層回路基板として、
導体に銀や銅などの導体抵抗が低く、融点の低い金属を
用いた低温で導体と同時焼成が可能な基板が開発されて
いる。

【０００３】特開昭61ー108192 には、銀系導体を用いた
多層回路基板が開示されているが、銀系導体を用いた場
合、表層の銀がマイグレーションを起こしやすいため配
線の高密度化が制限されるという問題があった。また、
銅導体を用いた場合、基板焼成時に銅を酸化させないよ
うに非酸化性雰囲気で焼成する必要があり、脱バインダ
ーに多大な時間をかけなければならず実用的ではなかっ
た。

【０００４】そこで、上記問題を解決するために、特開
昭62-265796 では、内部配線に銀系導体、表層導体に銅
を用いたセラミック多層回路基板が提案されている。こ
れは、焼成を酸化雰囲気で短時間で行うために内部配線
を銀系導体で形成し、表層導体は耐マイグレーション性
の高い銅導体で形成したセラミック多層回路基板であ
る。上述のセラミック多層回路基板においては、銀と銅
との接続部分は銀と銅の共晶点（７８０℃）以上になる
と共晶反応が起こり、導体特性が劣化するため、上記基
板に銀と銅の共晶点以上の温度で焼成する抵抗体を形成
する場合は、抵抗の端子電極を抵抗体の焼成温度以上の
温度で焼成した後に抵抗体を形成し、その後、銀と銅の
共晶点以下の温度で銅系の表層導体の配線を焼成してい
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする問題点】上述のセラミック多
層回路基板では、表面配線である銅系導体において、内
部配線と接続する銅系導体を銀と銅の共晶点以下、例え
ば６００℃の温度で焼成しなくてはならなかった。

【０００６】さらに、この６００℃で焼成される銅系導
体は、銅系導体ペースト中にガラス成分が多く含有され
ているため、共晶点以上の温度、例えば９００℃で焼成
した銅系導体と比較して接着強度、半田ヌレ性に劣って
いた。

【０００７】この６００℃で焼成される銅系導体の接着
強度、半田ヌレ性を改善するために、表面配線に、９０
０℃焼成の銅系導体を先に形成（第１の表面配線）して
おき、さらに、この第１の表面配線と内部配線とを接続
するため、６００℃焼成の銅系導体を形成（第２表面配
線）を形成することも考えられるが、この場合には、表
面配線を形成するために、２回の異なる銅系導体の被
着、焼成が必要となる。

【０００８】また、上述したように、多層基板上に非酸
化性雰囲気で焼成される厚膜抵抗体膜を形成する場合に
も、抵抗膜の焼成による抵抗値の変化、銀と銅の共晶点
を考慮すると、厚膜抵抗体膜の端子電極を第１の表面配
線で形成し、その後、厚膜抵抗体膜を形成し、さらに、
第２表面配線形成しなくてはならない。

【０００９】従って、従来では、表層導体は抵抗体の端
子電極と表面配線の２回に分けて形成する必要があるた
め、工程数が増えてしまい、生産性が低かった。

【００１０】また、いずれにしても、表面配線を、銀と
銅の共晶点以下の温度で焼成する表層配線と、それ以上
の表面配線とで分けて形成すると、内部配線と表面配線
との接続部分で、接続のためのみの表面配線を形成する
必要があり、デッドスペースとなり高密度化を制限す
る。

【００１１】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、銅系表面配線の接着強度が
高く、また半田ヌレ性に優れた低温焼成可能なセラミッ
ク多層回路基板を提供し、さらに、生産性が向上するそ
の製造方法を提供するものである。

【００１２】

【問題点を解決するための手段】第１の本発明は、内部
配線に銀系導体を用いたガラス−セラミック多層基板の
主面に、銅系導体の表面配線を形成したセラミック多層
回路基板において、前記内部配線と前記表面配線との接
続部分に、白金系又はパラジウム系導体を介在させたセ
ラミック多層回路基板であり、好ましくは、前記白金系
導体又はパラジウム系は、多層基板の最外層となるガラ
ス−セラミック層に、ビアホール導体として形成されて
いるセラミック多層回路基板である。

【００１３】第２の本発明は、多層基板となる複数のガ
ラス−セラミック層にビアホール導体が充填されるスル
ーホールを形成する工程と、前記ガラス−セラミック層
上に銀系導体で内部配線パターンを被着する工程と、前
記少なくとも最外層となるガラス−セラミック層のスル
ーホールに、白金系又はパラジウム系導体を充填する工
程と、前記ガラス−セラミック層を積層し、中性もしく
は酸化性雰囲気で焼成一体化して、多層基板を形成する
工程と、前記多層基板上に、最外表面に露出する白金系
又はパラジウム系導体と接続するように銅系導体で表面
配線パターンを被着する工程と、前記表面配線パターン
を被着した多層基板を、銀と銅との共晶温度以上の温度
で、中性もしくは還元性雰囲気で焼成する工程とを含む
セラミック多層回路基板の製造方法である。

【００１４】さらに、第３の発明は、多層基板のベース
となるセラミック基板上に、内部配線パターンと該内部
配線パターンを被覆するようにしてガラス−セラミック
ペーストから成る絶縁ペーストで絶縁層を繰り返し被着
するする工程と、最上層の絶縁層から露出する内部配線
パターンを白金系又はパラジウム系導体で、被覆して積
層体を形成する工程と、前記積層体を中性もしくは酸化
性雰囲気で焼成して、多層基板を形成する工程と、前記
多層基板上に、最外表面に露出する白金系又はパラジウ
ム系導体と接続するように銅系導体で表面配線パターン
を被着する工程と、前記表面配線パターンを被着した多
層基板を、銀と銅との共晶温度以上の温度で、中性もし
くは還元性雰囲気で焼成する工程とを含むセラミック多
層回路基板の製造方法である。

【００１５】

【作用】第１の本発明によれば、内部配線が銀系導体で
あり、表面配線の銅系導体との接続部分には、白金系又
はパラジウム系導体を介在させているため、ガラス−セ
ラミック層及び内部配線パターン、ビアホール導体から
なる多層基板を、中性もしくは酸化雰囲気中、８００〜
９００℃という低温で焼成でき、また、表面配線の銅導
体を銀と銅との共晶温度以上の高温で１回で形成可能で
あり工程数の削減ができる。即ち、表面配線の銅系導体
を従来、６００℃で焼成していたものを、９００℃で焼
成できるため、表面配線が強固に基板に接着させること
ができ、さらに半田ヌレ性が向上することになる。

【００１６】さらに、従来必要であった端子電極を含む
表面配線と、内部配線との接続部分用の表面配線の２回
の表面配線の形成が不要となり、表面配線の銅系導体を
銀と銅との共晶点以上の温度で焼成できるため接着強
度、半田ヌレ性が向上する。

【００１７】第２の本発明は、第１の発明を達成するた
めのガラス−セラミックからなるグリーンシート積層法
による製造方法であり、第３の発明は、ガラス−セラミ
ックからなる絶縁ペーストを用いた印刷積層法である。

【００１８】何れの発明においても、最外層に露出する
ビアホール導体を白金系又はパラジウム系導体を用いて
いるため、多層基板（絶縁層、内部配線、ビアホール導
体）を従来どおり、中性もしくは酸化性雰囲気で焼成可
能であり、さらに、表面配線として銅系導体を、銀と銅
との共晶温度（約７８０℃）以上、例えば９００℃の１
回の焼成で形成されるため、その生産性は大幅に向上す
る。

【００１９】尚、従来に比較して、多層基板から露出す
るビアホール導体が白金系又はパラジウム系導体に変え
ることにより、製造工程中の工程が煩雑になるようにも
考えれるが、実際には、従来よりグリーンシートに形成
したスルーホールに充填する銀系ビアホール導体と内部
配線パターンを被着する銀系導体は、基板との熱膨張係
数の差や、スルーホールに完全に充填されるようにする
ために、異なる銀系導体ペーストを使い分けて、それぞ
れ異なる工程で充填、被着をおこなっているため、単に
最外層のビアホール導体を変えるだけでよいため、格段
の工程の煩雑にはならない。

【００２０】また、白金系又はパラジウム系導体を使用
することにより、コストが高くなることが考えられる
が、白金、パラジウムの使用は、ビアホール導体であ
り、さらに好ましくは最外層のビアホール導体で充分で
あるため、その使用量は極めて少なく、また、この白金
系又はパラジウム系導体を内部配線と表面配線との間に
介在させることにより、上述のように還元性雰囲気で２
回焼成によって表面配線の形成したいたことが、１回で
済むことによるコスト低減を考慮すれば、トータルコス
トとしては低コスト化となる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて詳説する。

【００２２】図１は、本発明のセラミック多層基板の断
面構造を示す図であり、セラミック多層回路基板１０
は、多層基板１と、表面配線２と、必要に応じて半導体
ＩＣやチップ抵抗器やチップコンデンサや厚膜抵抗体膜
３１などの電子部品３、保護膜４とから構成されてい
る。

【００２３】多層基板１は、ガラス−セラミックから成
る複数の絶縁層１１・・・と、該絶縁層１１間に配置さ
れた銀系導体から成る内部配線１２・・・と、該絶縁層
１１を貫いて異なる層間に配置された内部配線１２・・
・どうしを接続する第１のビアホール導体１３と内部配
線１２・・・と表面配線２とを接続する第２のビアホー
ル導体１４とから構成されている。

【００２４】絶縁層１１は、銀系導体の内部配線１２・
・・と積層されて同時に焼成されるため、銀系導体の融
点（９６０℃）以下で焼成されなければならない。この
ため、絶縁層１１はＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＭｇＯ−Ｚ
ｎＯ−Ｂ₂ Ｏ₃ などから成るガラス成分とアルミナ粉末
などの無機物フィラーからなり、積層後に例えば９００
℃の大気雰囲気で焼成される。

【００２５】内部配線１２は、銀を主体とする銀系導体
（Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ）ペーストを絶縁層１１上に印刷手
法により被着され、複数の絶縁層１１・・・を積層した
後に絶縁層１１と一体的に焼成される。

【００２６】第１のビアホール導体１３は、内部配線１
２間を接続するビアホール導体であり、多層基板１の最
外層の表面には露出しない。この第１のビアホール導体
１３は、絶縁層１１に形成されたスールホールに、銀を
主体とする銀系導体（Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ）ペーストを印
刷手法により充填され、複数の絶縁層１１・・・を積層
した後に絶縁層１１と一体的に焼成される。

【００２７】第２のビアホール導体１４は、内部配線１
２と表面配線２とを接続するビアホール導体であり、多
層基板１の最外層の表面には露出する。この第２のビア
ホール導体１４は、絶縁層１１に形成されたスールホー
ルに、白金を主体とする白金系（Ｐｔ、Ｐｔ−Ｐｄ、Ｐ
ｔ−Ｒｈ）導体又はパラジウム系（Ｐｄ、Ｐｄ−Ｐｔ）
導体ペーストを印刷手法により充填され、複数の絶縁層
１１・・・を積層した後に絶縁層１１と一体的に焼成さ
れる。

【００２８】表面配線２は、大気雰囲気中で焼成され、
内部に内部配線１２・・、第１のビアホール導体１３、
第２のビアホール導体１４が形成された多層基板１上
に、銅系導体のペーストを用いて印刷により被着され、
還元性雰囲気で焼成される。

【００２９】表面配線２は、多層基板１の表面に露出す
る第２のビアホール導体１４に接続するように形成さ
れ、第２のビアホール導体１４を介して内部配線１２・
・に電気的に接続されている。

【００３０】ここで、重要なことは、表面配線２が、銅
系導体で被着され、焼成温度が銀−銅の共晶温度（約７
８０℃）以上、例えば９００℃以上で焼成されることで
ある。従来の構造では、表面配線を共晶温度以下で焼成
しなくてはならなかったが、本発明の構造では、銀−銅
の共晶温度以上で銅系導体の表面配線が焼成されるた
め、ガラス成分の含有量が少ない銅系導体ペーストを用
いることができ、これにより多層基板１との接着強度が
向上し、さらに半田ヌレ性も向上する。

【００３１】このため、表面配線２を用いて、回路網を
形成する配線は勿論のこと、抵抗体の端子電極を形成し
ても、チップ抵抗器の電子部品３と良好な半田接続が達
成されることになる。

【００３２】また、多層基板１の表面に、厚膜抵抗体膜
３１を形成する場合に、まず、表面配線２を印刷・被着
する際に、同時に厚膜抵抗体膜３１の端子電極の所定形
状を印刷・被着する。その後、上述のように還元性雰囲
気で、たとえば９００℃で焼成した後、この１対の銅系
導体の端子電極に跨がるように厚膜抵抗体膜３１を形成
する。具体的には、珪化物系導体粉末（ＭｏＳｉ、Ｔａ
Ｓｉ）、硼化物系導体粉末（ＬａＢ₆ ）、ＳｎＯ₂ 系導
体粉末を含む抵抗ペーストを用いて印刷・被着して、還
元性雰囲気で、たとえば９００℃で焼成する。尚、先に
厚膜抵抗体膜を形成した後に、端子電極を含む表面配線
２を形成してもよいし、両者の焼結挙動を一致させて、
同時焼成しても構わない。

【００３３】上述のように、銀−銅の共晶点以上の温度
で焼成される表面配線２の一部として、厚膜抵抗体膜３
１の端子電極を形成することができるため、厚膜抵抗体
膜３１の端子電極と内部配線１２との接続部分が共有さ
れる、即ち、第２のビアホール導体１４上に厚膜抵抗体
膜３１の端子電極を配置することができるため、多層基
板１上の回路配線の高密度化が達成される。

【００３４】以上のセラミック多層回路基板１０によれ
ば、内部配線１２・・・及びビアホール導体１３、１４
に低抵抗材料の金属が使用でき、絶縁層１１・・・との
一体焼結にあたって中性もしくは酸化性雰囲気で、短時
間のうちに脱バイ工程が終了でき、また表面配線で耐マ
イグレーション性に優れた銅系導体を配置することがで
き、従来と同様の特性が維持でき、さらに、表面配線２
と内部配線１２との接続部分に白金系又はパラジウム系
導体からなる第２のビアホール導体１４を介在させたた
め、表面配線２の形成条件の制約が緩和され、表面配線
２の接着強度、半田ヌレ性の向上ができる。

【００３５】また、厚膜抵抗体膜３１や電子部品３など
の端子電極を、第２のビアホール１４上に配置できるた
め、表面配線２の配置における制約が解消され、配線の
高密度化が達成される。

【００３６】次に、本発明のセラミック多層基板の製造
方法をグリーンシートを用いた圧着積層方法で説明す
る。

【００３７】まず、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｂ₂ Ｏ₃ を主成分とするガラス粉末７０重量％
と、無機物フィラーのＡｌ₂ Ｏ₃ 粉末３０重量％とを、
バインダー、可塑剤、溶剤とともに混練してスラリーを
作製し、ドクターブレード法により絶縁層１１・・・と
なるグリーンシートを作成する。

【００３８】この夫々のグリーンシートに第１及び第２
のビアホール導体１３、１４となるスルーホールをパン
チング加工により形成する。

【００３９】次に、多層基板１の最外層となるグリーン
シートに形成したスルーホールに白金系又はパラジウム
系導体ペーストをスクリーン印刷方法により充填する。
ここで、例えば白金系導体ペーストは、粒径０．５〜５
μｍの白金粉末、β−石英固溶体、バインダーとしてエ
チルセルロース、溶剤として２．２．４−トリメチル−
１．３−ペンタジオールモノイソブチレートを均質混練
して得られる。

【００４０】次に、最外層以外のグリーンシートに形成
したスルーホールに銀系導体ペーストをスクリーン印刷
方法により充填する。銀系導体ペーストは、粒径０．５
〜５μｍの銀粉末、β−石英固溶体、バインダーとして
エチルセルロース、溶剤として２．２．４−トリメチル
−１．３−ペンタジオールモノイソブチレートを均質混
練して得られる。

【００４１】さらに、これらのグリーンシートの表面の
内部配線２となる内部配線パターンを銀系導体ペースト
を用いてスクリーン印刷により被着する。この銀系導体
ペーストは銀粉末の焼結開始温度とガラス−セラミック
の絶縁層１１・・の焼結開始温度とをできるだけ合わせ
るために、ビアホール導体１３用の銀系導体ペーストの
β−石英固溶体の変わりに屈伏点が７００℃〜８５０℃
のガラスフリットが用られる。

【００４２】以上のように内部配線１２・・・となる配
線パターン及び第１及び第２のビアホール導体１３、１
４となる導体が形成された複数のグリーンシートを積層
し、熱圧着で一体化する。

【００４３】次に、積層体を大気雰囲気中９００℃、３
０分ピークで焼成し、多層基板１を形成する。

【００４４】次に、この多層基板１上に、銅系導体ペー
ストを用いて、スクリーン印刷方法で被着し、還元性雰
囲気である窒素雰囲気中で、銀−銅の共晶点以上の温
度、例えば９００℃、１０分ピークで焼成し、多層基板
１の表面に銅系導体からなる表面配線２を形成する。こ
の時、表面配線２は、内部配線１２・・・との接続が、
白金系又はパラジウム系導体から成る第２のビアホール
１４を介して接続される。

【００４５】最後に必要に応じて、多層基板１上に樹脂
や酸化性雰囲気で焼成されるガラス成分からなる保護膜
４が形成され、電子部品３を形成又は搭載され、セラミ
ック多層回路基板１０が達成される。

【００４６】上述のセラミック層回路基板１０の製造方
法によれば、表面配線２が銅系導体で形成され、それ
が、内部配線１２・・と接続される表面配線、抵抗体の
端子電極となる表面配線が夫々９００℃で焼成される１
種類の銅系導体で形成されるため、表面配線２を形成す
るにあたり、１回の焼成工程の処理で済み、セラミック
多層回路基板１０の生産性が従来に比較して大幅に向上
する。

【００４７】上述の製造方法は、ガラス−セラミックか
らなるグリーンシートを用いて、圧着積層方法である
が、印刷積層方法によってもセラミック多層回路基板１
０を形成できる。

【００４８】先ず、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯ、Ｂ₂ Ｏ₃ を主成分とするガラス粉末７０重量％
と、無機物フィラーのＡｌ₂ Ｏ₃ 粉末３０重量％とを、
バインダー、可塑剤、溶剤とともに混練してスラリーを
作製する。

【００４９】次に、一方の最外層の絶縁層１１となるベ
ース基板を、ドクターブレード法によりグリーンシート
を作成する。尚、このベース基板であるグリーンシート
に第２のビアホール導体１３、１４となるスルーホール
をパンチング加工により形成しても構わない。

【００５０】次に、ベース基板となるグリーンシート上
に、内部配線１２となる所定形状の第１層目の配線パタ
ーンを銀系導体ペーストを用いてスクリーン印刷方法に
より被着する。

【００５１】次に、上述のスラリーを絶縁ペーストとし
て、内部配線１２となる配線パターンを被覆するよう
に、ベース基板上にスクリーン印刷方法により図１中の
絶縁層１１となる第１層目の印刷絶縁層を被着する。
尚、この絶縁層は、多層基板１の内部配線１２間が互い
に接続される図１中の第１のビアホール導体１３に相当
する部分が内部配線１２の配線パターンの一部が露出す
るように被着される。

【００５２】次に、第１層目の印刷絶縁層から内部配線
２の配線パターンが露出する部分にビアホール用の銀系
導体ペーストを充填し、さらにこの印刷絶縁層上に内部
配線１２となる所定形状の第２層目の配線パターンをス
クリーン印刷方法により被着する。

【００５３】次に、絶縁ペーストで、内部配線１２とな
る第２層目の配線パターン上にスクリーン印刷方法によ
り第２層目の印刷絶縁層を被着する。

【００５４】このようにして、内部配線１２となる配線
パターンの被着、配線パターン上の印刷絶縁層の被着、
第１のビアホール導体１３に相当する導体の充填を繰り
返して、印刷方法で積層体を形成する。

【００５５】そして、最外層となる印刷絶縁層を被着し
た後、この印刷絶縁層から露出する内部配線１２となる
配線パターンの露出部分に、表面配線２と接続する図１
中の第２のビアホール導体１４に相当する白金系又はパ
ラジウム系導体ペーストを充填する。具体的には、上述
したように、白金系導体ペーストは、粒径０．５〜５μ
ｍの白金粉末、β−石英固溶体、バインダーとしてエチ
ルセルロース、溶剤として２．２．４−トリメチル−
１．３−ペンタジオールモノイソブチレートを混練して
形成されている。

【００５６】これにより、未焼成状態の多層基板１であ
る積層体が達成される。

【００５７】次に、積層体を、大気雰囲気中９００℃、
３０分ピークで焼成し、多層基板１を形成する。

【００５８】この多層基板１上に、銅系導体ペーストを
用いて、スクリーン印刷方法で表面配線２となる所定形
状の配線パターンを被着し、還元性雰囲気である窒素雰
囲気中、銀−銅の共晶点以上の温度、例えば９００℃で
１０分ピークで焼成して、多層基板１の表面に銅性導体
からなる表面配線２を形成する。この時、表面配線２
は、内部配線１２・・・との接続が、白金系又はパラジ
ウム系導体から成る第２のビアホール１４を介して接続
される。

【００５９】最後に必要に応じて、多層基板１上に、厚
膜抵抗体膜３１を被着形成し、さらに、樹脂の塗布及び
硬化、非酸化性雰囲気で焼成されるガラス成分から成る
絶縁ペーストの印刷・焼成により保護膜４を形成し、こ
の保護膜４から露出する表面配線２に、電子部品３を搭
載する。これにより、セラミック多層回路基板１０が達
成される。

【００６０】尚、上述の製造方法で、ベース基板上に印
刷積層をおこなったが、焼成前に剥離されるフィルムを
ベースに用いて、全ての絶縁層１１となる層を印刷によ
って形成しても構わない。

【００６１】上述のように、図１に示す多層回路基板１
０は、グリーンシートを用いて圧着積層方法と、印刷工
程を繰り返す印刷積層方法の何れによって達成すること
ができ、何れの方法においても、表面配線２が銀−銅の
共晶点以上の温度でで焼成される１種類の銅導体で形成
されるため、１回の焼成工程の処理で済み、セラミック
多層回路基板１０の生産性が従来に比較して大幅に向上
する。

【００６２】本発明者らは、銅系導体の表面配線２の焼
成温度は、６５０、７００、７５０、８００、８５０、
９００℃の違いによる基板との接着強度と半田ヌレ性の
試験を行った。その結果が表１である。

【００６３】

【表１】

【００６４】接着強度試験は、銅導体の表面配線２を２
ｍｍ角のパターンで形成し、初期と１５０℃、２４０時
間のエージング後の値で評価した。判定基準は、表中の
二重丸印は初期値３．０ｋｇｆ以上、エージング後２．
０ｋｇｆ以上であり、丸印は初期値２．５ｋｇｆ以上、
エージング後１．５ｋｇｆ以上であり、ばつ印は、初期
値２．５ｋｇｆ未満、エージング後１．５ｋｇｆ未満で
ある。

【００６５】また、半田濡れ性試験の判定基準は、表中
丸印は、９９％以上の半田ヌレを示し、ばつ印は、９９
％未満の半田ヌレを示す。

【００６６】その結果、銀−銅の共晶点（約７８０℃）
以上の８００℃以上で焼成した銅系導体の表面配線２
は、接着強度が初期値３．０ｋｇｆ以上、エージング後
２．０ｋｇｆ以上と極めて良好であり、また半田ヌレ性
も９９％以上が達成される。

【００６７】尚、上述の実施例では、多層基板１から露
出し、表面配線２と接続する第２のビアホール導体１４
のみを白金系又はパラジウム系導体で形成したが、内部
配線１２間を接続するため第１のビアホール導体１３を
も白金系又はパラジウム系導体で形成しても構わない。

【００６８】

【発明の効果】以上のように、第１の本発明では、内部
配線に銀系導体を用いて、内部配線と表面配線とを接続
するビアホール導体に白金系又はパラジウム系導体を用
いて、この白金系又はパラジウム系導体を介して、内部
配線と表面配線とを接続したため、表面配線を形成する
にあたり、銀と同との共晶温度以下で焼成する必要な
く、それ以上の温度で焼成できる銅系導体を表面配線に
用いることができる。

【００６９】これにより、従来のように、共晶温度以下
で焼成する内部配線と表面配線とを接続するための低温
焼成の銅系導体を用いる必要がなたく、表面配線の強固
な基板接着性と、良好な半田濡ヌレ性のセラミック多層
回路基板が達成できる。

【００７０】また、表面配線の一部として端子電極を形
成するにあたり、内部配線との接続部分を考慮せずに、
多層基板上に自由に配置できるため、表面の高密度配線
が可能なセラミック多層回路基板が達成できる。

【００７１】第２、第３の本発明によれば、圧着積層方
法もしくは印刷積層方法で形成して、中性もしくは酸化
性雰囲気で焼成した多層基板上に、銅系導体の表面配線
を１回の中性もしくは還元性雰囲気の焼成処理により形
成できるため、その生産性が大幅に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】セラミック多層回路基板の断面図である。

【符号の説明】

１・・・・多層基板 １１・・・絶縁層 １２・・・内部配線 １３・・・第１のビアホール導体 １４・・・第２のビアホール導体 ２・・・・表面配線 ３・・・・電子部品

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部配線に銀系導体を用いたガラス−セ
   ラミック多層基板の主面に、銅系表面配線を形成したセ
   ラミック多層回路基板において、 前記内部配線と前記表面配線との接続部分に、白金系又
   はパラジウム系導体を介在させたことを特徴とするセラ
   ミック多層回路基板。
2. 【請求項２】 前記白金系導体は、多層基板の最外層と
   なるガラス−セラミック層に、ビアホール導体として形
   成されていることを特徴とする請求項１記載の特徴とし
   たセラミック多層回路基板。
3. 【請求項３】 多層基板となる複数のガラス−セラミッ
   ク層にビアホール導体が充填されるスルーホールを形成
   する工程と前記ガラス−セラミック層上に銀系導体で内
   部配線パターンを被着する工程と、 前記少なくとも最外層となるガラス−セラミック層のス
   ルーホールに、白金系又はパラジウム系導体を充填する
   工程と、 前記ガラス−セラミック層を積層し、中性もしくは酸化
   性雰囲気で焼成一体化して、多層基板を形成する工程
   と、 前記多層基板上に、最外表面に露出する白金系又はパラ
   ジウム系導体と接続するように銅系導体で表面配線パタ
   ーンを被着する工程と、 前記表面配線パターンを被着した多層基板を、銀と銅と
   の共晶温度以上の温度で、中性もしくは還元性雰囲気で
   焼成する工程と、 を含むことを特徴とするセラミック多層回路基板の製造
   方法。
4. 【請求項４】前記内部配線パターンを被着する工程で、
   最外層となるガラス−セラミック層以外のスルーホール
   に、銀系導体を充填することを特徴とする請求項３記載
   のセラミック多層回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】多層基板のベースとなるセラミック基板上
   に、内部配線パターンと該内部配線パターンを被覆する
   ようにしてガラス−セラミックペーストから成る絶縁ペ
   ーストで絶縁層を繰り返し被着するする工程と、 最上層の絶縁層から露出する内部配線パターンを白金系
   又はパラジウム系導体で、被覆して積層体を形成する工
   程と、 前記積層体を中性もしくは酸化性雰囲気で焼成して、多
   層基板を形成する工程と、 前記多層基板上に、最外表面に露出する白金系又はパラ
   ジウム系導体と接続するように銅系導体で表面配線パタ
   ーンを被着する工程と、 前記表面配線パターンを被着した多層基板を、銀と銅と
   の共晶温度以上の温度で、中性もしくは還元性雰囲気で
   焼成する工程と、 を含むことを特徴とするセラミック多層回路基板の製造
   方法。