JPH08250623A - セラミック回路基板 - Google Patents
セラミック回路基板Info
- Publication number
- JPH08250623A JPH08250623A JP7049726A JP4972695A JPH08250623A JP H08250623 A JPH08250623 A JP H08250623A JP 7049726 A JP7049726 A JP 7049726A JP 4972695 A JP4972695 A JP 4972695A JP H08250623 A JPH08250623 A JP H08250623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- circuit board
- glass
- ceramic
- ceramic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 オーバーコートガラスで覆われた外部抵抗
体を表面に有し、レーザートリミング後にクラック発生
がなく正確な抵抗値を安定に維持する外部抵抗体を有す
るセラミック回路基板を提供する。 【構成】 表面に外部抵抗体を有し、熱膨張係数が
５．０〜７．０×１０~6／℃のセラミック回路基板にお
いて、上記外部抵抗体がＲｕＯ2とガラスからなる抵抗
体及びオーバーコートガラスからなり、抵抗体の熱膨張
係数がオーバーコートガラスの熱膨張係数以上であるこ
とを特徴とするセラミック回路基板
体を表面に有し、レーザートリミング後にクラック発生
がなく正確な抵抗値を安定に維持する外部抵抗体を有す
るセラミック回路基板を提供する。 【構成】 表面に外部抵抗体を有し、熱膨張係数が
５．０〜７．０×１０~6／℃のセラミック回路基板にお
いて、上記外部抵抗体がＲｕＯ2とガラスからなる抵抗
体及びオーバーコートガラスからなり、抵抗体の熱膨張
係数がオーバーコートガラスの熱膨張係数以上であるこ
とを特徴とするセラミック回路基板
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーコートガラスで
覆われた外部抵抗体を表面に有するセラミック回路基板
に関する。更に詳しくはトリミングによって得られた正
確な抵抗値を安定に維持する外部抵抗体を有するセラミ
ック回路基板に関する。
覆われた外部抵抗体を表面に有するセラミック回路基板
に関する。更に詳しくはトリミングによって得られた正
確な抵抗値を安定に維持する外部抵抗体を有するセラミ
ック回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路に使用されるセラミック回路基
板において、多層回路基板の層間に設けられる内蔵抵抗
体の他に、セラミック回路基板の表面に印刷された導体
パターンと外部抵抗体などからなる回路が設けられ、セ
ラミック回路基板の高機能化、低コスト化に貢献してい
る。
板において、多層回路基板の層間に設けられる内蔵抵抗
体の他に、セラミック回路基板の表面に印刷された導体
パターンと外部抵抗体などからなる回路が設けられ、セ
ラミック回路基板の高機能化、低コスト化に貢献してい
る。
【０００３】基板表面に抵抗体を形成する場合、一般的
にはガラス組成分にＲｕＯ2などの抵抗性物質を加えた
ものをペースト状にして印刷し、焼結して抵抗体とす
る。この際、抵抗体の保護や耐候性の向上を目的とし
て、抵抗体をガラス系材料で覆うように印刷し、焼成す
ることによりオーバーコートすることも行われている。
更に、レーザートリミングなどの手法を用いて抵抗値が
微調整される。
にはガラス組成分にＲｕＯ2などの抵抗性物質を加えた
ものをペースト状にして印刷し、焼結して抵抗体とす
る。この際、抵抗体の保護や耐候性の向上を目的とし
て、抵抗体をガラス系材料で覆うように印刷し、焼成す
ることによりオーバーコートすることも行われている。
更に、レーザートリミングなどの手法を用いて抵抗値が
微調整される。
【０００４】一般にセラミック回路基板に用いられる外
部抵抗体は、抵抗体を８００〜９００℃で焼成後、低融
点のオーバーコートガラスを印刷し、５００〜６００℃
で焼成する。抵抗体に用いられるＲｕＯ2の熱膨張係数
は約６．０×１０~6／℃であり、これを成分とする抵抗
体の熱膨張係数は５．５〜７．０×１０~6／℃である。
これに対して、アルミナ基板の熱膨張係数の方が７．０
〜８．０×１０~6／℃と大きいため、アルミナ基板上に
形成される抵抗体には圧縮の力が加わっている。この結
果、レーザーで抵抗体をトリミングしてもクラックが進
行しなかった。
部抵抗体は、抵抗体を８００〜９００℃で焼成後、低融
点のオーバーコートガラスを印刷し、５００〜６００℃
で焼成する。抵抗体に用いられるＲｕＯ2の熱膨張係数
は約６．０×１０~6／℃であり、これを成分とする抵抗
体の熱膨張係数は５．５〜７．０×１０~6／℃である。
これに対して、アルミナ基板の熱膨張係数の方が７．０
〜８．０×１０~6／℃と大きいため、アルミナ基板上に
形成される抵抗体には圧縮の力が加わっている。この結
果、レーザーで抵抗体をトリミングしてもクラックが進
行しなかった。
【０００５】電子機器の小型化、高密度化に伴いセラミ
ック基板も高密度のための多層化、シリコンチップ搭載
のために低熱膨張化の傾向にある。このような回路基板
には低温焼成基板が用いられている。しかし、抵抗体よ
り小さい熱膨張係数をもつ基板に抵抗体を形成すると、
焼成後に引張りの力が抵抗体に加わり、レーザートリミ
ング後、抵抗体にクラックが発生する原因となってい
た。
ック基板も高密度のための多層化、シリコンチップ搭載
のために低熱膨張化の傾向にある。このような回路基板
には低温焼成基板が用いられている。しかし、抵抗体よ
り小さい熱膨張係数をもつ基板に抵抗体を形成すると、
焼成後に引張りの力が抵抗体に加わり、レーザートリミ
ング後、抵抗体にクラックが発生する原因となってい
た。
【０００６】これを図によって説明すると、図１はセラ
ミック回路基板上に設けられた従来の外部抵抗体の平面
図であり、図２はその断面図である。セラミック基板の
表面１に金属ペーストなどを配線材料として印刷して表
面の導体パターン２が形成され、その一部が抵抗体３へ
の電極となっている。抵抗体３はガラス成分にＲｕＯ2
などの抵抗材料を加えたものが用いられ、その上部を覆
ってガラス材料がオーバーコート４されている。そし
て、抵抗体３とオーバーコート４とで外部抵抗体７が形
成されている。このオーバーコート４は個々の抵抗体３
よりやや広くなるように覆ってもよいし、複数の抵抗体
３を導体パターン２をも含めて広い面積にわたって一様
に覆ってもよい。広い範囲をオーバーコートする場合に
は、必要な個所にビアホールを設け、更に外部との導通
を図ることもできる。
ミック回路基板上に設けられた従来の外部抵抗体の平面
図であり、図２はその断面図である。セラミック基板の
表面１に金属ペーストなどを配線材料として印刷して表
面の導体パターン２が形成され、その一部が抵抗体３へ
の電極となっている。抵抗体３はガラス成分にＲｕＯ2
などの抵抗材料を加えたものが用いられ、その上部を覆
ってガラス材料がオーバーコート４されている。そし
て、抵抗体３とオーバーコート４とで外部抵抗体７が形
成されている。このオーバーコート４は個々の抵抗体３
よりやや広くなるように覆ってもよいし、複数の抵抗体
３を導体パターン２をも含めて広い面積にわたって一様
に覆ってもよい。広い範囲をオーバーコートする場合に
は、必要な個所にビアホールを設け、更に外部との導通
を図ることもできる。
【０００７】このような外部抵抗体７をレーザートリミ
ングすると図示されるようなトリミング溝５がオーバー
コート４と抵抗体３中に形成される。
ングすると図示されるようなトリミング溝５がオーバー
コート４と抵抗体３中に形成される。
【０００８】通常、レーザートリミングは抵抗値を測定
しながら行われるが、抵抗体に対する膨張力の存在はこ
のような精密なトリミングを困難にするばかりでなく、
トリミング溝よりマイクロクラック６が生ずることにな
る。また、トリミング中にはクラックが生じていなくて
も、製品としての使用にクラックが発生することもあ
る。
しながら行われるが、抵抗体に対する膨張力の存在はこ
のような精密なトリミングを困難にするばかりでなく、
トリミング溝よりマイクロクラック６が生ずることにな
る。また、トリミング中にはクラックが生じていなくて
も、製品としての使用にクラックが発生することもあ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、抵抗
体と同時焼成されたオーバーコートを有する外部抵抗体
を有し、該抵抗体がレーザートリミング後にクラックを
発生しないセラミック回路基板を提供することにある。
体と同時焼成されたオーバーコートを有する外部抵抗体
を有し、該抵抗体がレーザートリミング後にクラックを
発生しないセラミック回路基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、抵抗体とオーバーコートガラスの熱膨張係数が特
定の関係を有する時に上記目的が達成されることを見出
し本発明に至った。
結果、抵抗体とオーバーコートガラスの熱膨張係数が特
定の関係を有する時に上記目的が達成されることを見出
し本発明に至った。
【００１１】即ち、本発明は、表面に外部抵抗体を有
し、熱膨張係数が５．０〜７．０×１０~6／℃のセラミ
ック回路基板において、上記外部抵抗体がＲｕＯ2とガ
ラスからなる抵抗体及びオーバーコートガラスからな
り、抵抗体の熱膨張係数がオーバーコートガラスの熱膨
張係数以上であることを特徴とするセラミック回路基板
である。
し、熱膨張係数が５．０〜７．０×１０~6／℃のセラミ
ック回路基板において、上記外部抵抗体がＲｕＯ2とガ
ラスからなる抵抗体及びオーバーコートガラスからな
り、抵抗体の熱膨張係数がオーバーコートガラスの熱膨
張係数以上であることを特徴とするセラミック回路基板
である。
【００１２】本発明のセラミック回路基板としては、セ
ラミックを絶縁体として使用するものであれば単層でも
多層でもよく、多層のセラミック回路基板の場合はその
製法として、グリーンシート積層法、グリーンシート印
刷法が挙げられる。又、基板の片面のみの回路基板でも
両面回路基板でもよい。
ラミックを絶縁体として使用するものであれば単層でも
多層でもよく、多層のセラミック回路基板の場合はその
製法として、グリーンシート積層法、グリーンシート印
刷法が挙げられる。又、基板の片面のみの回路基板でも
両面回路基板でもよい。
【００１３】本発明に用いられるセラミック材料として
は特に限定されず、熱膨張係数が５．０〜７．０×１０
~6／℃のものが用いられる。例えば、アルミナ粉末にガ
ラス粉末を混入した低温焼成セラミックも用いることが
できる。内層に用いられる導体材料は基板材料によって
異なり、アルミナや窒化アルミニウムではモリブデンや
タングステンのような高融点金属が使われる。比較的低
温で焼成できる基板材料のときは、金、銀、銀−パラジ
ウム、銅、ニッケルなどの金属が用いられる。
は特に限定されず、熱膨張係数が５．０〜７．０×１０
~6／℃のものが用いられる。例えば、アルミナ粉末にガ
ラス粉末を混入した低温焼成セラミックも用いることが
できる。内層に用いられる導体材料は基板材料によって
異なり、アルミナや窒化アルミニウムではモリブデンや
タングステンのような高融点金属が使われる。比較的低
温で焼成できる基板材料のときは、金、銀、銀−パラジ
ウム、銅、ニッケルなどの金属が用いられる。
【００１４】Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐ
ｄ−Ｐｔなどの導通抵抗が小さく、酸化焼成が可能なＡ
ｇ系導体を使用し、これらの導体材料の融点（９００〜
１２００℃）以下で焼成できるセラミック材料を絶縁体
として用いた低温焼成セラミック多層配線基板は、本発
明のセラミック基板として特に好ましい。一般に約１２
００℃以下で焼成されるセラミック基板を低温焼成セラ
ミック基板といい、導体として内層および表層にＡｇ系
またはＣｕ系等が用いられる。
ｄ−Ｐｔなどの導通抵抗が小さく、酸化焼成が可能なＡ
ｇ系導体を使用し、これらの導体材料の融点（９００〜
１２００℃）以下で焼成できるセラミック材料を絶縁体
として用いた低温焼成セラミック多層配線基板は、本発
明のセラミック基板として特に好ましい。一般に約１２
００℃以下で焼成されるセラミック基板を低温焼成セラ
ミック基板といい、導体として内層および表層にＡｇ系
またはＣｕ系等が用いられる。
【００１５】このように低温焼成セラミック絶縁体材料
としては、内蔵する例えばＡｇ系導体材料の融点よりも
低い温度で焼成できるものを使用するのが好ましい。Ａ
ｇ導体やＰｄおよびＰｔの含有率の低いＡｇ合金系導体
を使用する場合には、それらの多層に形成される金属の
融点が約９００〜１２００℃と低いので、８００〜１１
００℃で焼成できる材料を使用する必要があり、代表的
なものとしては、ホウケイ酸ガラスやさらに数種類の酸
化物（例えばＭｇＯ，ＣａＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｋ2
Ｏ，Ｎａ2Ｏ，ＺｎＯ，Ｌｉ2Ｏなど）を含むガラス粉末
とアルミナ、石英などのセラミック粉末の混合物を原料
とするものや、コージエライト系、αスポジュメン系の
結晶化が生じるガラス粉末を原料とするものがある。
としては、内蔵する例えばＡｇ系導体材料の融点よりも
低い温度で焼成できるものを使用するのが好ましい。Ａ
ｇ導体やＰｄおよびＰｔの含有率の低いＡｇ合金系導体
を使用する場合には、それらの多層に形成される金属の
融点が約９００〜１２００℃と低いので、８００〜１１
００℃で焼成できる材料を使用する必要があり、代表的
なものとしては、ホウケイ酸ガラスやさらに数種類の酸
化物（例えばＭｇＯ，ＣａＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｋ2
Ｏ，Ｎａ2Ｏ，ＺｎＯ，Ｌｉ2Ｏなど）を含むガラス粉末
とアルミナ、石英などのセラミック粉末の混合物を原料
とするものや、コージエライト系、αスポジュメン系の
結晶化が生じるガラス粉末を原料とするものがある。
【００１６】低温焼成基板の具体例としては、ＣａＯ−
ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系やＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ａｌ
2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系のガラスとＡｌ2Ｏ3粉末の混合物を８０
０１０００℃で焼成するものが挙げられる。
ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系やＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ａｌ
2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系のガラスとＡｌ2Ｏ3粉末の混合物を８０
０１０００℃で焼成するものが挙げられる。
【００１７】かかる材料は上記のように単層としても用
いることができるが、積層して多層基板とするために
は、グリーンシートを使用したグリーンシート積層法が
用いられる。例えば、セラミック絶縁体材料粉末に溶
剤、樹脂等を加えドクターブレード法により成形し、厚
み０．１〜０．５ｍｍ程度のグリーンシートを得る。そ
して必要な配線パターンをＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐ
ｔ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔなどの導体材料ペーストを使用し
てスクリーン印刷する。また、他の導体層が接続できる
ように、打ち抜き金型やパンチングマシーンでグリーン
シートに０．１〜２．０ｍｍφ程度の貫通スルーホール
を形成する。配線用ビアホールにはＡｇ系導体材料を充
填しておく。同様の方法で回路を形成するのに必要なだ
け、他のグリーンシートにも配線パターンを印刷する。
これらのグリーンシートを各グリーンシートに穴明けし
た位置決め穴を用いて正確に積層した後、８０〜１５０
℃、１０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着し一体化
する。
いることができるが、積層して多層基板とするために
は、グリーンシートを使用したグリーンシート積層法が
用いられる。例えば、セラミック絶縁体材料粉末に溶
剤、樹脂等を加えドクターブレード法により成形し、厚
み０．１〜０．５ｍｍ程度のグリーンシートを得る。そ
して必要な配線パターンをＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐ
ｔ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔなどの導体材料ペーストを使用し
てスクリーン印刷する。また、他の導体層が接続できる
ように、打ち抜き金型やパンチングマシーンでグリーン
シートに０．１〜２．０ｍｍφ程度の貫通スルーホール
を形成する。配線用ビアホールにはＡｇ系導体材料を充
填しておく。同様の方法で回路を形成するのに必要なだ
け、他のグリーンシートにも配線パターンを印刷する。
これらのグリーンシートを各グリーンシートに穴明けし
た位置決め穴を用いて正確に積層した後、８０〜１５０
℃、１０〜２５０ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着し一体化
する。
【００１８】回路に内部抵抗を含む場合には、酸化雰囲
気で焼成されるＲｕＯ2，Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗を形成
する。その場合には抵抗用電極とともに内層用グリーン
シートに印刷しておく。
気で焼成されるＲｕＯ2，Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7系の抵抗を形成
する。その場合には抵抗用電極とともに内層用グリーン
シートに印刷しておく。
【００１９】以上のようにしたものを酸化雰囲気で同時
焼成し、導体内蔵セラミック多層基板を得る。
焼成し、導体内蔵セラミック多層基板を得る。
【００２０】以上、低温焼成セラミックを例にして説明
したが、これらは本発明の好ましい態様であるが、これ
に限定されるものではない。
したが、これらは本発明の好ましい態様であるが、これ
に限定されるものではない。
【００２１】本発明において用いられる外部抵抗体は、
抵抗体とオーバーコートガラスからなる。これらはペー
スト状でセラミック回路基板に厚膜法で、通常は印刷さ
れる。抵抗体の具体例としては、ＲｕＯ2系やＢｉ2Ｒｕ
2Ｏ7系の電気抵抗成分とＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2−
Ｂ2Ｏ3系のガラス成分からなり、所望により添加物が添
加される。オーバーコートガラスの具体例としては、Ｃ
ａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラス
からなるガラス粉末６０〜８０％とアルミナ粉末１０〜
４０％のものが挙げられる。そして、本発明においては
これら抵抗体とオーバーコートガラスは同時焼成され
る。この焼成は通常の空気中で行われる。
抵抗体とオーバーコートガラスからなる。これらはペー
スト状でセラミック回路基板に厚膜法で、通常は印刷さ
れる。抵抗体の具体例としては、ＲｕＯ2系やＢｉ2Ｒｕ
2Ｏ7系の電気抵抗成分とＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2−
Ｂ2Ｏ3系のガラス成分からなり、所望により添加物が添
加される。オーバーコートガラスの具体例としては、Ｃ
ａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラス
からなるガラス粉末６０〜８０％とアルミナ粉末１０〜
４０％のものが挙げられる。そして、本発明においては
これら抵抗体とオーバーコートガラスは同時焼成され
る。この焼成は通常の空気中で行われる。
【００２２】
【実施例】本発明を実施例及び比較例によって更に詳し
く説明する。
く説明する。
【００２３】セラミック回路基板は以下の方法によって
作成された熱膨張係数が５．０、５．５、６．０、６．
９×１０~6／℃の低温焼成セラミックを用いた。各基板
の重量組成は表１に示す。ここでガラス粉末は平均粒径
１．０μｍであり、のＡｌ2Ｏ3粉末と混合して粉末成分
とした。
作成された熱膨張係数が５．０、５．５、６．０、６．
９×１０~6／℃の低温焼成セラミックを用いた。各基板
の重量組成は表１に示す。ここでガラス粉末は平均粒径
１．０μｍであり、のＡｌ2Ｏ3粉末と混合して粉末成分
とした。
【００２４】
【表１】
【００２５】セラミックグリーンシートは上記粉末成分
と重量比でアクリル樹脂１０％、トルエン３０％、イソ
プロピルアルコール１０％及びジブチルフタレート５％
をボールミルで混合し、ドクターブレード法にて膜厚
０．４ｍｍのグリーンシートを作成した。次いでこのグ
リーンシートに金型で所定の位置に穴をあけ、Ａｇペー
ストを穴にスクリーン印刷法で充填した。乾燥後Ａｇペ
ーストで配線パターンをスクリーン印刷法で形成した。
同様の方法で他の配線パターンの印刷されたグリーンシ
ートを作成し、所定の層に重ね合せ熱圧着した。この積
層体を９００℃２０分ホールドで焼成し、セラミック回
路基板を得た。
と重量比でアクリル樹脂１０％、トルエン３０％、イソ
プロピルアルコール１０％及びジブチルフタレート５％
をボールミルで混合し、ドクターブレード法にて膜厚
０．４ｍｍのグリーンシートを作成した。次いでこのグ
リーンシートに金型で所定の位置に穴をあけ、Ａｇペー
ストを穴にスクリーン印刷法で充填した。乾燥後Ａｇペ
ーストで配線パターンをスクリーン印刷法で形成した。
同様の方法で他の配線パターンの印刷されたグリーンシ
ートを作成し、所定の層に重ね合せ熱圧着した。この積
層体を９００℃２０分ホールドで焼成し、セラミック回
路基板を得た。
【００２６】このセラミック基板に表１に示される組成
の熱膨張率が６．０、６．５×１０~6／℃である抵抗体
を抵抗体部が巾１ｍｍ、長さ２ｍｍになるように印刷し
た。オーバーコート材料としては、表２に示される重量
組成のものを上記抵抗体上に印刷した。
の熱膨張率が６．０、６．５×１０~6／℃である抵抗体
を抵抗体部が巾１ｍｍ、長さ２ｍｍになるように印刷し
た。オーバーコート材料としては、表２に示される重量
組成のものを上記抵抗体上に印刷した。
【００２７】これらの抵抗体とオーバーコートガラスを
８９０℃で１０分間、空気中で同時焼成した。
８９０℃で１０分間、空気中で同時焼成した。
【００２８】結果を同じく表２に示す。又、抵抗変化率
とは、トリミング後、−５５℃から１５０℃の熱サイク
ルを１００回与えたときの抵抗値の変化率の最大のもの
である。ここで、実験番号１４〜１６は比較例を示して
いる。
とは、トリミング後、−５５℃から１５０℃の熱サイク
ルを１００回与えたときの抵抗値の変化率の最大のもの
である。ここで、実験番号１４〜１６は比較例を示して
いる。
【００２９】
【表２】
【００３０】表２より、実験番号１〜１３のように抵抗
体の熱膨張係数がオーバーコートガラスの熱膨張係数以
上である時は、抵抗変化率が非常に少なく、したがっ
て、レーザートリミング後のクラックの発生が少ないこ
とがわかる。又、実験番号１４〜１６のように、両者の
熱膨張係数の大小関係が逆の場合には、抵抗変化率が比
較的大きくなって、レーザートリミング後のクラックの
発生が多くなる。
体の熱膨張係数がオーバーコートガラスの熱膨張係数以
上である時は、抵抗変化率が非常に少なく、したがっ
て、レーザートリミング後のクラックの発生が少ないこ
とがわかる。又、実験番号１４〜１６のように、両者の
熱膨張係数の大小関係が逆の場合には、抵抗変化率が比
較的大きくなって、レーザートリミング後のクラックの
発生が多くなる。
【００３１】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば外部抵抗体
とそれと同時焼成されたオーバーコートを有するセラミ
ック回路基板が得られ、トリミング後の抵抗体にクラッ
クが発生するのを防止し、耐候性、安定性に優れた低抗
性能を発揮するものである。
とそれと同時焼成されたオーバーコートを有するセラミ
ック回路基板が得られ、トリミング後の抵抗体にクラッ
クが発生するのを防止し、耐候性、安定性に優れた低抗
性能を発揮するものである。
【図１】従来の外部抵抗体を説明する図、
【図２】図１の断面図。
１ セラミック基板 ２ 表面導体 ３ 抵抗体 ４ オーバーコートガラス ５ トリミング溝 ６ クラック ７ 外部抵抗体
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に外部抵抗体を有し、熱膨張係数が
５．０〜７．０×１０~6／℃のセラミック回路基板にお
いて、上記外部抵抗体がＲｕＯ2とガラスからなる抵抗
体及びオーバーコートガラスからなり、抵抗体の熱膨張
係数がオーバーコートガラスの熱膨張係数以上であるこ
とを特徴とするセラミック回路基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07049726A JP3093602B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | セラミック回路基板の製造方法 |
| US08/980,172 US5955938A (en) | 1995-03-09 | 1997-11-26 | RuO2 resistor paste, substrate and overcoat system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07049726A JP3093602B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | セラミック回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250623A true JPH08250623A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3093602B2 JP3093602B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=12839198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07049726A Expired - Lifetime JP3093602B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | セラミック回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3093602B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112010000732T5 (de) | 2009-01-20 | 2012-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminattyp-keramik-elektronikkomponente und verfahren zum fertigen derselben |
-
1995
- 1995-03-09 JP JP07049726A patent/JP3093602B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112010000732T5 (de) | 2009-01-20 | 2012-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminattyp-keramik-elektronikkomponente und verfahren zum fertigen derselben |
| US8491834B2 (en) | 2009-01-20 | 2013-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminate type ceramic electronic component and method for manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3093602B2 (ja) | 2000-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4795670A (en) | Multilayer ceramic substrate with circuit patterns | |
| JP3331083B2 (ja) | 低温焼成セラミック回路基板 | |
| JP3019136B2 (ja) | 厚膜ペースト及びそれを用いたセラミック回路基板 | |
| JP3093601B2 (ja) | セラミック回路基板 | |
| US5955938A (en) | RuO2 resistor paste, substrate and overcoat system | |
| JP3093602B2 (ja) | セラミック回路基板の製造方法 | |
| JPH08125339A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH09298368A (ja) | セラミック配線基板 | |
| JP3258231B2 (ja) | セラミック回路基板およびその製造方法 | |
| JP3130914B2 (ja) | 多層回路基板 | |
| JP2004119547A (ja) | セラミック配線基板およびその製造方法 | |
| JPH0787226B2 (ja) | 低誘電率絶縁体基板 | |
| JP2615970B2 (ja) | 内部に導体、抵抗体を配線したＡ▲ｌ▼Ｎ多層基板の製造方法 | |
| JPH0432297A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
| JPH06232528A (ja) | 混成集積回路基板及びその製法 | |
| JPH0677665A (ja) | 多層回路基板及びその製法 | |
| JPH088505A (ja) | 低温焼成セラミック回路基板およびその製造法 | |
| JP2001102695A (ja) | セラミック回路基板およびその製造方法 | |
| JP2002141625A (ja) | 回路基板 | |
| JP2505107B2 (ja) | セラミック多層配線基板およびその製造法 | |
| JP2001085816A (ja) | セラミック回路基板 | |
| JPH0685457A (ja) | セラミック多層回路基板及びその製造方法 | |
| JPH05267815A (ja) | セラミックス配線基板及びその製造方法 | |
| JP2001068813A (ja) | セラミック配線基板およびその製造方法 | |
| JPH0653354A (ja) | 回路基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080728 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090728 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090728 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100728 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100728 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110728 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120728 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130728 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |