JP2001085816A

JP2001085816A - セラミック回路基板

Info

Publication number: JP2001085816A
Application number: JP26283099A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Araki; 英明荒木; Yuta Furukawa; 雄太古川
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 1999-09-17
Filing date: 1999-09-17
Publication date: 2001-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】短期間で所定の抵抗値が得られる抵抗体層を
備えたセラミック回路基板を提供する。【解決手段】電極部３１は形状が台形状に形成されて
おり、電極部３１の抵抗体層５１を挟んで対向する２辺
３１ａが非平行に形成されているので、抵抗体層５１の
電極部３１間の距離が抵抗体層５１の幅方向で異なって
いる。このため、印刷、乾燥、焼成および測定の一連の
作業後、抵抗体層５１の抵抗値が所定の値を外れていた
場合、抵抗体層５１を形成した印刷版を電極部３１間で
抵抗体層５１の幅方向に移動させ、抵抗体層５１と同一
シート抵抗の抵抗体ペーストを用いて印刷、焼成するこ
とにより、簡便にかつ確実に抵抗体層５１の抵抗値を変
化させることができる。したがって、短期間で所定の抵
抗値が容易に得られ、ガラスセラミック多層基板１０の
製造期間を容易に短縮することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック回路基
板に関し、特に表層または内層の一方あるいは両方に抵
抗体層を備えたセラミック回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置において、ＩＣチップやＬＳ
Ｉチップ等の半導体素子は、基板に設けられた半導体素
子搭載部に実装されて実用に供されている。アルミナ等
のセラミックスは耐熱性、耐久性、熱伝導性等に優れる
ため、この基板の材料として適しており、セラミック製
の半導体基板は現在盛んに使用されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に集積
回路に使用されるセラミック回路基板において、多層回
路基板の層間に設けられる内蔵抵抗体の他、セラミック
回路基板の表面に印刷された導体パターンと外部抵抗体
等からなる回路が設けられ、セラミック回路基板の高機
能化、低コスト化に貢献している。

【０００４】セラミック回路基板の表層に厚膜抵抗体層
を形成する場合、一般的にはガラス組成分に導電性物質
を加えたものをペースト状にして印刷し、焼結して抵抗
体層とする。このとき、抵抗体層の保護や耐候性の向上
を目的として、抵抗体層をガラス系材料で覆うように印
刷し、焼成することによりオーバーコート層を形成する
ことが行われている。さらに、レーザートリミング等の
手法を用いて抵抗体層の抵抗値が微調整される。

【０００５】また、セラミック回路基板の表層、内層に
限らず抵抗体層を形成する場合、抵抗体層の抵抗値や電
力密度、ならびに抵抗体層と電極部との相互作用（ター
ミナル係数）を見込んで印刷抵抗体の長さ（Ｌ）と幅
（Ｗ）を設計してセラミック回路基板が製造される。こ
のとき、抵抗体層の抵抗値が所定の値を満たさない場
合、印刷抵抗体のＬおよびＷの寸法を変更したり、異な
る抵抗値の抵抗体ペーストを混合して抵抗体ペーストの
抵抗値自体を変更したりして対応することが一般的であ
る。

【０００６】しかしながら、例えば先行試験の試作品を
作製するときのように、製造期間を短縮することが望ま
れる場合、上記のように印刷抵抗体の寸法を変更した
り、抵抗体ペーストの抵抗値を変更したりしていたので
は、納期に間に合わないという問題があった。

【０００７】本発明は、このような問題を解決するため
なされたものであり、短期間で所定の抵抗値が得られる
抵抗体層を備えたセラミック回路基板を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
セラミック回路基板によると、抵抗値可変手段は、抵抗
体層の抵抗値を変化させるように、抵抗体層を形成する
位置を移動させることが可能であるので、抵抗体層の形
成後、抵抗値が所定の値を外れていた場合、抵抗体層を
形成する位置を移動させることにより、抵抗体層の抵抗
値を簡便に変化させることができる。したがって、短期
間で所定の抵抗値が得られ、セラミック回路基板の製造
期間を短縮することができる。

【０００９】本発明の請求項２記載のセラミック回路基
板によると、抵抗値可変手段は、抵抗体層の電極部間の
距離が抵抗体層の幅方向で異なっているので、抵抗体層
の形成後後、抵抗値が所定の値を外れていた場合、抵抗
体層を形成する位置を電極部間で抵抗体層の幅方向に移
動させることにより、抵抗体層の抵抗値を容易に変化さ
せることができる。したがって、短期間で所定の抵抗値
が得られ、セラミック回路基板の製造期間を容易に短縮
することができる。

【００１０】本発明の請求項３記載のセラミック回路基
板によると、電極部は、抵抗体層を挟んで対向する２辺
が非平行に形成されているので、一対の電極部の一方ま
たは両方の形状を例えば台形状に形成することにより、
抵抗体層を形成する位置を電極部間で抵抗体層の幅方向
に移動させることで、抵抗体層の抵抗値を連続的に変化
させることができる。したがって、短期間で所定の抵抗
値が確実に得られ、セラミック回路基板の製造期間を確
実に短縮することができる。

【００１１】本発明の請求項４記載のセラミック回路基
板によると、抵抗値可変手段は、抵抗体層の幅が電極部
間で異なっているので、抵抗体層の形成後、抵抗値が所
定の値を外れていた場合、抵抗体層を形成する位置を電
極部間で抵抗体層の長さ方向に移動させることにより、
抵抗体層の抵抗値を容易に変化させることができる。し
たがって、短期間で所定の抵抗値が得られ、セラミック
回路基板の製造期間を容易に短縮することができる。

【００１２】本発明の請求項５記載のセラミック回路基
板によると、抵抗体層は、電極部間を繋いで対向する２
辺が非平行に形成されているので、抵抗体層の形状を例
えば台形状に形成することにより、抵抗体層を形成する
位置を電極部間で抵抗体層の長さ方向に移動させること
で、抵抗体層の抵抗値を連続的に変化させることができ
る。したがって、短期間で所定の抵抗値が確実に得ら
れ、セラミック回路基板の製造期間を確実に短縮するこ
とができる。

【００１３】本発明においては、形成された抵抗体層の
抵抗値の安定化を図るため、抵抗体層を形成する位置を
移動させる前後において、ターミナル特性の変化を可能
な限り抑えることが望ましい。したがって、抵抗体層を
形成する位置の移動前後における抵抗体層と電極部との
重なり部の面積を可能な限り変化させないことが望まし
い。

【００１４】本発明のセラミック回路基板としては、セ
ラミックを絶縁体として使用するものであれば単層でも
多層でもよく、多層のセラミック回路基板の場合はその
製法として、グリーンシート積層法、グリーンシート印
刷法が挙げられる。また、基板の片面のみの回路基板で
も両面回路基板でもよい。

【００１５】本発明に用いられるセラミック材料として
は特に限定されず、アルミナ（Ａｌ ₂Ｏ₃）、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびこれら
を主成分とする各種セラミックが挙げる。又、アルミナ
粉末にガラス粉末を混入した低温焼成のガラスセラミッ
クも用いることができる。内層に用いられる導体材料は
基板材料によって異なり、アルミナや窒化アルミニウム
ではモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）のような
高融点金属が使われる。比較的低温で焼成できる基板材
料のときは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銀−パラジウム
合金（Ａｇ−Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）な
どの金属が用いられる。

【００１６】セラミックグリーンシートと配線用導体ペ
ーストを同時焼成する同時焼成セラミック回路基板の一
つに、ＷやＭｏをアルミナまたは窒化アルミ等の基板の
配線用導体として使用し、導体が酸化しないように還元
雰囲気で同時焼成するセラミック回路基板がある。とこ
ろが、酸化雰囲気で焼成する必要のある信頼性の高いＲ
ｕＯ₂系やＢｉ₂Ｒｕ₂Ｏ₇系の抵抗を形成しようとすると
導体が酸化するという問題がある。これに対して、Ａ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔなどの
導通抵抗が小さく、酸化焼成が可能なＡｇ系導体を使用
し、これらの導体材料の融点（９００〜１２００℃）以
下で焼成できるセラミック材料を絶縁体として用いた低
温焼成のガラスセラミック多層配線基板が開発されてお
り、本発明のセラミック基板として特に好ましい。

【００１７】一般に、約１２００℃以下で焼成されるセ
ラミック基板を低温焼成のガラスセラミック基板とい
い、導体として内層および表層にＡｇ系またはＣｕ系等
が用いられる。このようにガラスセラミック絶縁体材料
としては、内蔵する例えばＡｇ系導体材料の融点よりも
低い温度で焼成できるものを使用するのが好ましい。Ａ
ｇ導体やＰｄおよびＰｔの含有率の低いＡｇ合金系導体
を使用する場合には、それらの多層に形成される金属の
融点が約９００〜１２００℃と低いので、８００〜１１
００℃で焼成できる材料を使用する必要があり、代表的
なものとしては、ホウケイ酸ガラスやさらに数種類の酸
化物（例えばＭｇＯ、ＣａＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＰｂＯ、Ｋ₂
Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、ＺｎＯ、Ｌｉ₂Ｏなど）を含むガラス粉末
とアルミナ、石英などのセラミック粉末の混合物を原料
とするものや、コージエライト系、αスポジュメン系の
結晶化が生じるガラス粉末を原料とするものがある。具
体的には、ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃系また
はＭｇＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃系ガラスとアル
ミナとからなるものが挙げられる。

【００１８】上記の材料は単層として用いることもでき
るが、積層して多層基板とするためには、グリーンシー
トを使用したグリーンシート積層法が用いられる。例え
ば、セラミック絶縁体材料粉末をドクターブレード法に
より成形し、厚み０．１〜０．５ｍｍ程度のグリーンシ
ートを得る。そして必要な配線パターンをＡｇ、Ａｇ−
Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔなどの導体材料ペ
ーストを使用してスクリーン印刷する。また、他の導体
配線層が接続できるように、打ち抜き金型やパンチング
マシーンでグリーンシートに０．１〜２．０ｍｍφ程度
の貫通スルーホールを形成する。配線用ビアホールには
Ａｇ系導体材料を充填しておく。同様の方法で回路を形
成するのに必要なだけ、他のグリーンシートにも配線パ
ターンを印刷する。これらのグリーンシートを各グリー
ンシートに穴明けした位置決め穴を用いて正確に積層し
た後、８０〜１５０℃、１０〜２５０ｋｇ／ｃｍ²の条
件で熱圧着し一体化する。

【００１９】回路に内部抵抗を含む場合には、酸化雰囲
気で焼成されるＲｕＯ₂、Ｂｉ₂Ｒｕ ₂Ｏ₇系の抵抗を形成
する。その場合、抵抗体ペーストを電極部とともに内層
用グリーンシートに印刷する。以上のようにしたものを
酸化雰囲気で同時焼成し、導体内蔵セラミック多層基板
を得ることができる。

【００２０】本発明において用いられる抵抗体は、Ｒｕ
Ｏ₂系の電気抵抗成分とガラス成分からなるものであ
り、通常、ペースト状でセラミック回路基板に厚膜法に
より印刷される。印刷された抵抗体の上にオーバーコー
トガラス成分、例えばＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｂ₂
Ｏ₃系のガラスが通常、厚膜法により印刷される。本発
明においては、印刷抵抗体とオーバーコートガラスは同
時焼成される。この焼成は通常の空気中で行われる。以
上、低温焼成のガラスセラミックを例にして説明した
が、これらは本発明の好ましい態様であるが、これに限
定されるものではない。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の複数の実施例を図
面に基づいて説明する。（第１実施例）ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系ガラスを
用いたガラスセラミック多層基板に本発明を適用した第
１実施例について、図１〜図５を用いて説明する。

【００２２】まず、ガラスセラミックスのグリーンシー
ト積層体の作製方法について述べる。ここで、ガラスセ
ラミックスの原料粉末は、ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂
−Ｂ₂Ｏ₃系のガラス粉末６０ｗｔ％とＡｌ₂Ｏ₃粉末４０
ｗｔ％とを混合した粉体状のセラミックスであり、平均
粒径は約３．５μｍである。

【００２３】(1) ガラスセラミック粉体にジオキシルフ
タレートの可塑剤と、アクリル樹脂のバインダと、例え
ばトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤とを加
え、十分に混練して粘度２０００〜４００００ｃｐｓの
スラリーを作製し、ドクターブレード法によって０．３
ｍｍ厚の３枚のガラスセラミックグリーンシートを形成
する。

【００２４】(2) 打ち抜き型やパンチングマシーン等を
用いて、ガラスセラミックグリーンシートを所望の形状
に加工し、また、複数の所定位置に例えば０．３ｍｍφ
のビアホールを打ち抜き形成し、各ビアホールにＡｇ系
導体材料を充填する。また、ガラスセラミックグリーン
シートの表面あるいは裏面に内部配線用のＡｇ、Ａｇ−
Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｐｔ、Ｃｕ等の導体ペ
ーストをスクリーン印刷する。

【００２５】(3) それぞれのガラスセラミックグリーン
シートを積層して得られたガラスセラミックスのグリー
ンシート積層体を１１０℃、１００ｋｇ／ｃｍ²の条件
で熱圧着して一体化する。

【００２６】上記の(1)〜(3)の工程により、図２に示す
ガラスセラミックスのグリーンシート積層体１が得られ
る。図２において、グリーンシート積層体１はガラスセ
ラミックスグリーンシート１ａ、１ｂおよび１ｃの積層
体であり、配線層３とスルーホール部４とを有してい
る。

【００２７】(4) 上記のグリーンシート積層体１を、電
気式連続ベルト炉を使用して空気中で９００℃、２０分
の保持条件で焼成する。なお、導体ペーストがＣｕの場
合は還元または中性雰囲気で焼成する。図３に示すよう
に、上記のようにして製造されたガラスセラミック多層
基板１０は、導体配線層３０およびスルーホール部４０
を備えている。

【００２８】(5) 焼成後、図４に示すように、ガラスセ
ラミック多層基板１０の上面にＲｕＯ₂系抵抗体ペース
トを用いて抵抗体層５０をスクリーン印刷し、その抵抗
体層５０上に、オーバーコートペーストを用いてオーバ
ーコート層６０をスクリーン印刷する。ここで使用する
ＲｕＯ₂系抵抗体ペーストは、ＲｕＯ₂粉末に有機バイン
ダと溶剤を加えて混練したものであり、オーバーコート
ペーストは、ガラス粉末に有機バインダと溶剤を加えて
混練したものである。

【００２９】(6) 上記のガラスセラミック多層基板１０
を(4)の工程における基板焼成温度よりも僅かに低い温
度（例えば８９０℃）で１０分の保持条件で、抵抗体層
５０とオーバーコート層６０を焼成する。

【００３０】このようにして製造されたガラスセラミッ
ク多層基板１０は、図４に示す導体配線層３０の一部が
電極部を構成しており、図１（Ａ）および図５に示すよ
うに、抵抗体層５１、５３、５５および５７の両端部に
一対の電極部３１、３３、３５および３７が設けられて
いる。ここで、抵抗体層５１および５３は、シート抵抗
が１ｋΩ／□の抵抗体ペーストを用いて形成されてお
り、抵抗体層５５および５７は、シート抵抗が１０ｋΩ
／□の抵抗体ペーストを用いて形成されている。なお、
図１（Ａ）および図５においては、説明を簡単にするた
め、導体配線層およびオーバーコート層が省略されてい
る。

【００３１】図１（Ａ）および図５に示すように、ガラ
スセラミック多層基板１０は、電極部３１、３３、３５
および３７の形状が台形状に形成されており、電極部３
１、３３、３５および３７の抵抗体層５１、５３、５５
および５７を挟んで対向する２辺３１ａ、３３ａ、３５
ａおよび３７ａが非平行に形成されている。したがっ
て、抵抗体層５１、５３、５５および５７の電極部３
１、３３、３５および３７間の距離が抵抗体層５１、５
３、５５および５７の幅方向で異なっている。また、そ
れぞれ同一シート抵抗の抵抗体ペーストを用いて形成さ
れた抵抗体層５１および５３と、抵抗体層５５および５
７とは、電極部３１および３３間、電極部３５および３
７間の距離がそれぞれ同一方向に異なっている。ここ
で、電極部３１、３３、３５および３７と、抵抗体層５
１および５３と、抵抗体層５５および５７とはそれぞれ
同一印刷版を用いて形成されている。

【００３２】次に、図１（Ａ）に示す抵抗体層５１を形
成する位置を電極部３１間で抵抗体層５１の幅方向に移
動させて抵抗値を変化させた実験例を図１（Ａ）および
（Ｂ）を用いて説明する。なお、図１（Ａ）は抵抗体層
の印刷位置の移動前を示し、図１（Ｂ）は抵抗体層の印
刷位置の移動後を示している。また電極部３１は、Ａｇ
−Ｐｄの導体ペーストを用いて形成されており、移動後
の抵抗体層５２は、抵抗体層５１を形成した印刷版を電
極部３１間で抵抗体層５１の幅方向に移動させ、抵抗体
層５１と同一シート抵抗の抵抗体ペーストを用いて印
刷、焼成することにより形成されている。

【００３３】図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、抵
抗体層５１の幅Ｗ₁および移動後の抵抗体層５２の幅Ｗ₂
を０．５ｍｍとし、抵抗体層５１の電極部３１間の距離
Ｌ₁およびＬ₂をそれぞれ０．８ｍｍおよび１．２ｍｍと
し、移動後の抵抗体層５２の電極部３１間の距離Ｌ₃お
よびＬ₄をそれぞれ１．２ｍｍおよび１．６ｍｍとする
と、抵抗体層５１および移動後の抵抗体層５２の抵抗値
は、ｎ＝２０の平均値でそれぞれ１．９３ｋΩおよび
２．８１ｋΩであった。すなわち、印刷位置の移動前後
における抵抗値の変化は４６％であった。

【００３４】以上説明した第１実施例においては、電極
部３１、３３、３５および３７の抵抗体層５１、５３、
５５および５７を挟んで対向する２辺３１ａ、３３ａ、
３５ａおよび３７ａが非平行に形成されているので、印
刷、乾燥、焼成、測定の一連の作業後、抵抗値が所定の
値を外れていた場合、抵抗体層５１、５３、５５および
５７を形成する位置を電極部３１、３３、３５および３
７間で抵抗体層５１、５３、５５および５７の幅方向に
移動させることにより、簡便にかつ確実に抵抗体層の抵
抗値を変化させることができる。したがって、短期間で
所定の抵抗値が容易に得られ、ガラスセラミック多層基
板１０の製造期間を容易に短縮することができる。

【００３５】さらに第１実施例においては、それぞれ同
一シート抵抗の抵抗体ペーストを用いて形成された抵抗
体層５１および５３と、抵抗体層５５および５７とは、
電極部３１および３３間、電極部３５および３７間の距
離がそれぞれ同一方向に異なっており、同一シート抵抗
の抵抗体ペーストは同一方向に抵抗値がシフトする傾向
にあるので、抵抗体層５１、５３、５５および５７を形
成する印刷版を電極部３１、３３、３５および３７間で
抵抗体層５１、５３、５５および５７の幅方向に移動さ
せ、抵抗体層５１、５３、５５および５７と同一シート
抵抗の抵抗体ペーストを用いて印刷、焼成することによ
り、所定の抵抗値に変化させた移動後の抵抗体層を備え
たガラスセラミック多層基板を容易に得ることができ
る。

【００３６】（第２実施例）図１（Ａ）および（Ｂ）に
示す第１実施例の電極部３１の形状を階段形状にした第
２実施例について、図６（Ａ）および（Ｂ）を用いて説
明する。なお、図６（Ａ）は抵抗体層の印刷位置の移動
前を示し、図６（Ｂ）は抵抗体層の印刷位置の移動後を
示している。図６（Ａ）および（Ｂ）においては、説明
を簡単にするため、導体配線層およびオーバーコート層
が省略されている。

【００３７】図６（Ａ）に示すように、電極部１３１は
形状が階段形状に形成されており、抵抗体層１５１の電
極部１３１間の距離が抵抗体層１５１の幅方向に階段状
に異なっている。また、図６（Ｂ）に示すように、移動
後の抵抗体層１５２は、図６（Ａ）に示す抵抗体層１５
１を形成した印刷版を電極部１３１間で抵抗体層１５１
の幅方向に移動させ、抵抗体層１５１と同一シート抵抗
の抵抗体ペーストを用いて印刷、焼成することにより形
成されている。

【００３８】第２実施例においては、印刷、乾燥、焼
成、測定の一連の作業後、抵抗値が所定の値を外れてい
た場合、抵抗体層１５１を形成する位置を電極部１３１
間で抵抗体層１５１の幅方向に移動させることにより、
簡便にかつ確実に抵抗体層の抵抗値を変化させることが
できる。したがって、短期間で所定の抵抗値が容易に得
られ、ガラスセラミック多層基板の製造期間を容易に短
縮することができる。

【００３９】（第３実施例）図１（Ａ）および（Ｂ）に
示す第１実施例の電極部３１の形状を方形状にし、抵抗
体層５１の形状を台形状にした第３実施例について、図
７（Ａ）および（Ｂ）を用いて説明する。なお、図７
（Ａ）は抵抗体層の印刷位置の移動前を示し、図７
（Ｂ）は抵抗体層の印刷位置の移動後を示している。図
７（Ａ）および（Ｂ）においては、説明を簡単にするた
め、導体配線層およびオーバーコート層が省略されてい
る。

【００４０】図７（Ａ）に示すように、電極部２３１は
形状が方形状に形成されており、抵抗体層２５１は形状
が台形状に形成されている。したがって、抵抗体層２５
１の電極部２３１間を繋いで対向する２辺２５１ａおよ
び２５１ｂが非平行に形成されているので、抵抗体層２
５１の幅が電極部２３１間で異なっている。また、図７
（Ｂ）に示すように、移動後の抵抗体層２５２は、図７
（Ａ）に示す抵抗体層２５１を形成した印刷版を電極部
２３１間で抵抗体層２５１の長さ方向に移動させること
により形成されている。したがって、抵抗体層２５２の
電極部２３１間を繋いで対向する２辺２５２ａおよび２
５２ｂが非平行に形成されている。

【００４１】第３実施例においては、印刷、乾燥、焼
成、測定の一連の作業後、抵抗値が所定の値を外れてい
た場合、抵抗体層２５１を形成する位置を電極部２３１
間で抵抗体層２５１の長さ方向に移動させることによ
り、簡便にかつ確実に抵抗体層の抵抗値を変化させるこ
とができる。したがって、短期間で所定の抵抗値が容易
に得られ、ガラスセラミック多層基板の製造期間を容易
に短縮することができる。

【００４２】上記第３実施例では、抵抗体層２５１の形
状を台形状に形成したが、本発明では、抵抗体層の形状
を階段形状に形成してもよい。抵抗体層の形状を階段形
状に形成した場合、抵抗体層の幅は電極部間で階段状に
異なっている。

【００４３】以上説明した本発明の複数の実施例におい
ては、抵抗体層の印刷位置の移動前後において、抵抗体
層と電極部との重なり部の面積の変化が最小限となって
いるので、抵抗体層の印刷位置の移動前後におけるター
ミナル特性の変化を最小限に抑えることができる。

【００４４】上記複数の実施例では、ガラスセラミック
多層基板の表層に抵抗体層を形成したが、本発明では、
ガラスセラミック多層基板の層間に設けられる内蔵抵抗
体に適用してもよい。

【００４５】また上記複数の実施例では、複数層のガラ
スセラミック層からなるガラスセラミック多層基板に本
発明を適用したが、一層のガラスセラミック基板に適用
することは可能であるし、低温焼成のガラスセラミック
ス以外の各種セラミック材料を用いることが可能である
ことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】ガラスセラミック多層基板に本発明を適用した
第１実施例を示す模式的平面図であって、（Ａ）は抵抗
体層の印刷位置の移動前を示し、（Ｂ）は抵抗体層の印
刷位置の移動後を示している。

【図２】ガラスセラミック多層基板に本発明を適用した
第１実施例を示すものであって、グリーンシート積層体
を示す模式的断面図である。

【図３】ガラスセラミック多層基板に本発明を適用した
第１実施例を示すものであって、焼成後のガラスセラミ
ック多層基板を示す模式的断面図である。

【図４】ガラスセラミック多層基板に本発明を適用した
第１実施例を示す模式的断面図である。

【図５】ガラスセラミック多層基板に本発明を適用した
第１実施例を示す模式的平面図である。

【図６】ガラスセラミック多層基板に本発明を適用した
第２実施例を示す模式的平面図であって、（Ａ）は抵抗
体層の印刷位置の移動前を示し、（Ｂ）は抵抗体層の印
刷位置の移動後を示している。

【図７】ガラスセラミック多層基板に本発明を適用した
第３実施例を示す模式的平面図であって、（Ａ）は抵抗
体層の印刷位置の移動前を示し、（Ｂ）は抵抗体層の印
刷位置の移動後を示している。

【符号の説明】

１グリーンシート積層体１ａ、１ｂ、１ｃグリーンシート３配線層４スルーホール部１０ガラスセラミック多層基板３０導体配線層３１、３３、３５、３７電極部３１ａ、３３ａ、３５ａ、３７ａ対向する２辺５１、５３、５５、５７抵抗体層５２移動後の抵抗体層１３１、２３１電極部１５１、２５１抵抗体層１５２、２５２移動後の抵抗体層２５１ａ、２５１ｂ対向する２辺

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表層または内層の一方あるいは両方に導
体配線層および抵抗体層を備えたセラミック回路基板で
あって、前記抵抗体層の両端部に設けられ、前記導体配線層およ
び前記抵抗体層を電気的に接続する一対の電極部と、前記抵抗体層の抵抗値を変化させるように、前記抵抗体
層を形成する位置を移動させることが可能な抵抗値可変
手段と、を備えることを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項２】前記抵抗値可変手段は、前記抵抗体層の
前記電極部間の距離が前記抵抗体層の幅方向で異なって
いることを特徴とする請求項１記載のセラミック回路基
板。
【請求項３】前記電極部は、前記抵抗体層を挟んで対
向する２辺が非平行に形成されていることを特徴とする
請求項２記載のセラミック回路基板。
【請求項４】前記抵抗値可変手段は、前記抵抗体層の
幅が前記電極部間で異なっていることを特徴とする請求
項１記載のセラミック回路基板。
【請求項５】前記抵抗体層は、前記電極部間を繋いで
対向する２辺が非平行に形成されていることを特徴とす
る請求項４記載のセラミック回路基板。