JPH0818235A

JPH0818235A - 積層セラミック回路基板の製造方法

Info

Publication number: JPH0818235A
Application number: JP6148279A
Authority: JP
Inventors: Masafumi Hisataka; 将文久高; Hiroshi Suenaga; 弘末永
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1994-06-29
Filing date: 1994-06-29
Publication date: 1996-01-19

Abstract

(57)【要約】【目的】生産性に優れ、且つ、隣接する端面電極間の短
絡を完全に防止でき、端面電極の密着性が向上する端面
電極を有する積層セラミック回路基板の製造方法を提供
する。【構成】複数のセラミック層１ａ〜１ｇが積層した積層
体１の内部に配線パターン１１を配置するとともに、積
層体１の端面に端面電極２を形成して成る積層セラミッ
ク回路基板１０の製造方法であり、前記内部の配線パタ
ーン１１となる導体膜を有し、且つ積層体１の端面電極
２となる端面電極用貫通孔に形成した端面電極２となる
導体を有する未焼成状態の大型積層体基板を形成する工
程と、前記大型積層体基板に、前記積層体１の形状に対
応して前記端面電極２となる導体を横切るように分割溝
を形成する工程と、前記大型積層体基板を焼成処理する
工程と、前記大型積層体基板を前記分割溝に沿って分割
処理する工程と、を含む積層セラミック回路基板の製造
方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミック回路基
板の製造方法、特に積層体の端面に端面電極を有する積
層セラミック回路基板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に積層セラミック回路基板の入出力
端子の導出構造は、積層体の表裏両主面や積層体の端面
から導出していた。

【０００３】積層セラミック回路基板を、例えばマザー
基板に半田接合しようとする場合には、後者の積層体の
端面から導出する構造が、その端面部分の端面電極とマ
ザー基板との半田接合状態を目視できること、マザー基
板と積層セラミック回路基板の端面電極との間で半田フ
レットが形成されることなどから有利点である。

【０００４】また、積層セラミック回路基板は生産性を
向上するために、積層セラミック回路基板の本体を成す
積層体が複数抽出できる大型積層体基板でもって形成し
ていた。即ち、積層体となる複数の領域に所定内部の配
線パターンを有する大型積層体基板を形成し、各領域の
形状に応じて分割溝を形成し、焼成処理を行い、最終工
程で分割処理していた。従って、積層体の端面に端面電
極を形成しようとすれば、当然分割処理をおこなった後
に分割によって現れる端面に電極を形成しなければ成ら
なかった。

【０００５】これを達成するためには、例えば、図７の
（ａ）の工程として、未焼成状態の大型積層体基板を作
成する。例えば、積層セラミック回路基板のセラミック
層となるグリーンシートの各積層体の領域に、内部配線
パターン間を接続するための又は内部配線パターンと表
面配線パターンとを接続するためのビアホールとなる貫
通穴を形成して、その後、貫通穴に導電性ペーストを充
填し、同時にグリーンシート上に内部配線パターンとな
る導体膜を印刷形成し、その後、積層順序に応じて、積
層熱圧着を行う。これにより、内部配線パターンとなる
導体膜、ビアホール導体となる導体が形成された複数の
領域から成る未焼成の大型積層体基板が形成されること
になる。

【０００６】次に、図７の（ｂ）の工程として、未焼成
の大型積層体基板の両主面に分割溝を形成する。例え
ば、最終的な積層体（領域）の形状に応じて、スナップ
刃等によって縦横の分割溝を形成する。

【０００７】次に、図７の（ｃ）の工程として、この分
割溝を形成した未焼成の大型積層体基板を焼成処理を行
う。これにより、内部配線パターン、ビアホール導体を
有する焼成された大型積層体基板が達成する。

【０００８】次に、図７の（ｄ）の工程として、表面処
理を行う。具体的には、表面配線パターンを導電性ペー
ストの印刷・焼きつけにより形成し、必要に応じて、厚
膜抵抗体膜を印刷・焼きつけを行い、保護膜を印刷・焼
きつけを行い、さらに、各種電子部品を半田接合等を行
う。

【０００９】次に、図７の（ｅ）の工程として、大型積
層体基板に形成した分割溝に沿って、分割処理を行う。
これにより大型積層体基板は、個々の領域に分割されて
所定形状の積層体となる。

【００１０】最後に、図７の（ｆ）の工程として、分割
処理した各積層体の端面に、端面電極を導電性ペースト
の印刷・焼きつけによって形成する。これにより、積層
体の端面に端面電極が形成された積層セラミック回路基
板が完成する。

【００１１】また、積層体端面の端面電極の形状を、積
層体の端面から半円形状に窪んだ形状にすることより、
図８に示す製造方法で積層セラミック回路基板が形成さ
れる。

【００１２】まず、図８の（ａ）の工程として、上述の
ように内部配線パターンとなる導体膜、ビアホール導体
となる導体とが形成された未焼成の大型積層体基板を作
成する。この時、各端面電極となる位置に、端面電極用
貫通孔を形成する。この端面電極用貫通孔は、未焼成の
大型積層体基板をプレス成型などの打ち抜き加工、ドリ
ルなどの穿孔加工などによって、予め１枚つつのグリー
ンシートに形成した貫通孔を合わせることなどによって
形成する。

【００１３】次に、図８の（ｂ）の工程として、端面電
極用貫通孔を形成した未焼成大型積層体基板に分割溝を
形成する。最終的な積層体の形状に応じて、スナップ刃
等によって縦横に分割溝を形成する。この分割溝は、端
面電極用貫通孔を横断することになる。

【００１４】次に、図８の（ｃ）の工程として、この分
割溝を形成した大型積層体基板を焼成処理を行う。これ
により、内部配線パターン、ビアホール導体が形成され
た大型積層体基板が達成する。

【００１５】次に、図８の（ｄ）の工程として、表面処
理を行うとともに、端面電極となる導体膜を形成する。

【００１６】具体的には、表面配線パターンとなる導体
膜を導電性ペーストの印刷するとともに、端面電極用貫
通孔の一方開口から吸引しながら、端面電極となる導体
膜を導電性ペーストを印刷する。これにより、端面電極
用貫通孔の壁面には、その端面に沿って導電性ペースト
が付着され、端面電極となる導体膜が安定して付着され
ることになる。続いて、表面配線となる導体膜、端面電
極となる導体膜を焼きつけ処理を行う。

【００１７】尚、必要に応じて、その後、厚膜抵抗体膜
を印刷・焼きつけを行い、保護膜を印刷・焼きつけを行
い、さらに、各種電子部品の半田接合等を行う。

【００１８】最後に、図８の（ｅ）の工程として、端面
電極となる導体膜が形成された大型積層体基板に形成し
た分割溝に沿って分割処理を行う。これにより、積層体
の端面に端面電極が形成された積層セラミック回路基板
が完成する。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示す製
造方法において、分割処理した後に、端面電極となる導
体膜を形成するために、端面電極となる導体膜を印刷す
るにあたり、分割処理した個々の積層体を整列させて、
端面印刷しなくてはならず、製造工程が非常に煩雑とな
ってしまう。また、印刷後、焼きつけ処理するために焼
成数が増加してしまい、合計３回の焼成工程（積層体の
焼成、表面配線パターンの焼きつけ、端面電極の焼きつ
け）になってしまう。

【００２０】図８に示す製造方法では、表面配線パター
ンの焼きつけと端面電極の焼きつけ工程を同一工程でき
るため、生産性に関しては若干簡略化する。しかし、端
面電極となる導体膜は、分割溝を有する大型積層体基板
に形成された後に形成される。即ち、端面電極の導体膜
は、分割溝を一様に覆うように形成され、その後に分割
溝に沿って分割処理される。

【００２１】従って、端面電極用貫通孔の内壁面に形成
された一様の導体膜は、半円形状に分割されることにな
り、端面電極となる導体膜が、分割された何れか積層体
の端面に取られることがあり、また、実際には、端面電
極となる導体膜は、引き裂かれることとなり、分割溝に
沿って分割された積層体に分割されたとしても、端面電
極に非常に応力がかかり、その密着性は低下する。

【００２２】また、分割溝内に端面電極を形成するため
の導電性ペーストが流れ込み、隣接する端面電極となる
導体膜との間に短絡を発生させることもある。

【００２３】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、生産性に優れ、且つ、隣接す
る端面電極間の短絡が防止でき、密着性が向上した端面
電極を有する積層セラミック回路基板の製造方法を提供
するものである。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数のセラミ
ック層を積層した積層体の内部に配線パターンを配置す
るとともに、積層体の端面に端面電極を形成して成る積
層セラミック回路基板の製造方法において、前記内部配
線パターンとなる導体膜を有し、且つ積層体の端面電極
となる端面電極用貫通孔に形成した端面電極となる導体
を有する未焼成状態の大型積層体基板を形成する工程
と、前記大型積層体基板に、前記積層体の形状に対応し
て前記端面電極となる導体を横切るように分割溝を形成
する工程と、前記大型積層体基板を焼成処理する工程
と、前記大型積層体基板を前記分割溝に沿って分割処理
する工程とを含むことを特徴とする積層セラミック回路
基板の製造方法である。

【００２５】

【作用】本発明によれば、端面電極は、未焼成の大型積
層体基板に導電性ペーストの選択的な印刷し、大型積層
体基板と一体的に焼成処理されることによって形成され
るため、端面電極の形成だけを目的とする焼成がなくな
り、焼成回数が減少し、生産性が低下することはない。

【００２６】また、分割溝は、未焼成状態の大型積層体
基板及び端面電極となる導体に形成されることになる。
即ち、端面電極となる導体の表面は、少なくとも基板に
まで達する分割溝が形成されることになる。

【００２７】従って、大型積層体基板と同時に一体的に
焼成された後に、最終の分割処理で大型積層体基板を分
割するととも、端面電極となる導体を分割した時、端面
電極となる表面側の分割溝から簡単に、且つ確実に分割
されるため、分割処理された積層体の何れか一方側に端
面電極が取られることがなく、また、導体膜を過度な応
力でもって引き裂かれた状態で分割されることがないた
め、分割処理された端面電極の密着性は安定的に維持さ
れることになる。

【００２８】さらに、端面電極となる導体を形成した後
に、分割溝を形成するため、端面電極となる導体材料
が、分割溝内を流れ、隣接する端面電極となる導体材料
との短絡が一切起こらない。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の積層セラミック回路基板の製
造方法を図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係
る積層セラミック回路基板の平面図であり、図２はその
断面である。

【００３０】積層セラミック回路基板１０は、積層体１
とその端面に形成された端面電極２、その表面に形成さ
れた表面の配線パターン３、電子部品４などから構成さ
れている。

【００３１】積層体１は、例えば７層のセラミック層１
ａ〜１ｇが積層一体化されて構成されており、この積層
体１の内部には所定回路が配置されている。具体的に
は、セラミック層１ａ〜１ｇの各層間には、所定回路網
を達成する導体、容量成分を発生するため電極、インダ
クタンス成分を発生する導体などの配線パターン１１が
配置されている。また、セラミック層１ａ〜１ｇには、
異なる層間の配線パターン１１どうしを接続するため、
配線パターン１１と表面の配線パターン３と接続するた
めにそ厚み方向に貫いたビアホール導体１２が形成され
ている。

【００３２】また、積層体１の端面には、端面電極２が
形成されている。この端面電極２は、積層体１の端面に
おいて、積層方向に一段凹んだ半円形の凹部２１の内壁
面に形成されている。

【００３３】また、積層体１の表面には、所定配線パタ
ーン３が形成され、この配線パターン３上に電子部品４
などが接合されている。

【００３４】ここで、積層体１を構成するセラミック層
１ａ〜１ｇは、窒化珪素、ジルコニア、アルミナ、石
英、窒化アルミなどの絶縁性セラミック、チタン酸バリ
ウムなどの誘電体セラミック、やこれらセラミックを無
機物フィラーとガラス成分との混合材料などが例示でき
る。

【００３５】また、内部配線パターン１１、ビアホール
導体１２、端面電極２は、積層体１の焼成温度を考慮し
て用いられ、例えば、金系、銀系、銅系などの低抵抗材
料、タングステン、モリブデンなどの高融点金属材料な
どが例示できる。尚、内部配線パターン１１には、これ
ら材料の他に積層体の焼結挙動と合致させるように、ガ
ラス成分を含んで形成される。また、端面電極２におい
ては、必要に応じて、メッキ処理を施して、半田濡れ性
を向上させても構わない。

【００３６】表面の配線パターン３は、金系、銀系、銅
系などの低抵抗材料、タングステン、モリブデン、マン
ガンなどの高融点金属材料などが例示できる。

【００３７】電子部品４は、コンデンサ、抵抗などのチ
ップ状電子部品やＩＣチップやトランジスタ、発振器な
どの表面実装可能な電子部品が例示でき、所定配線パタ
ーン３との接合は、半田接合、ワイヤボンディング接合
などである。

【００３８】このような積層セラミック回路基板１０
は、図示していないが、所定配線パターンが形成された
マザー基板上に載置され、積層セラミック回路基板１０
の端面電極２とマザー基板の所定配線パターンとの間で
半田接合される。具体的には、マザー基板の所定配線パ
ターン上にクリーム半田などを塗布し、そのクリーム半
田を塗布した配線パターン上に積層セラミック回路基板
１０の端面電極２の底面が接触するようにマザー基板上
に積層セラミック回路基板１０を載置し、約２００℃前
後のリフロー炉に投入して、クリーム半田を溶融し、徐
冷して半田を硬化させる。この時、溶融したクリーン半
田は、表面張力によって積層セラミック回路基板１０の
端面電極２上にせり上がり、半田フレットが形成され、
強固な機械的な接合と確実な電気的な接続が達成され
る。

【００３９】尚、図２において、５は製造工程で分割処
理するための分割溝の跡である。

【００４０】次に、図３の積層セラミック基板の製造方
法の工程図を用いて、製造方法を説明する。その製造方
法は、グリーンシート多層方法を用いた製造方法であ
る。

【００４１】まず、図３の（ａ）の工程として、大型グ
リーンシートの作成する。この大型グリーンシートは最
終的に焼成されて一体化したセラミック層１ａ〜１ｇと
なる。

【００４２】具体的には、上述のセラミック材料粉末と
必要に応じてガラスフリットと、有機ビヒクルとを均質
混合して、スリップ材を作成し、ドクターブレード法な
どでテープ化を行い、さらに、最終的に複数の積層体１
が抽出できる寸法に裁断して、大型グリーンシートを作
成する。例えば、８５０〜１０５０℃前後の比較的低い
温度で焼成可能にするため、セラミック材料としてアル
ミナ粉末が、ガラスフリットとしてコージェライト、ム
ライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナ
イト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置
換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出する、Ｂ₂Ｏ
₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、アルカリ土類酸化
物を含むガラスフリットが用いられ、セラミック材料と
ガラス材料との構成比率は、セラミック材料が１０〜６
０ｗｔ％、好ましくは３０〜５０ｗｔ％であり、残部が
ガラス成分となる。

【００４３】尚、大型グリーンシート中の１の積層体１
に対応する部分を領域といい、各領域に対して同時に以
下の処理を行う。

【００４４】次に、図３の（ｂ）の工程として、ビアホ
ール導体１２となる貫通穴の形成する。具体的には、大
型グリーンシートの各領域にビアホール導体１２となる
位置にパンチ加工などによって貫通穴を形成する。この
貫通穴の開口径は例えば１００〜２００μｍである。

【００４５】次に、図３の（ｃ）の工程として、内部配
線パターン１１となる導体膜、ビアホール導体１２とな
る導体を形成する。具体的には、上述の金属導体材料粉
末と、必要に応じて低融点ガラスフリット、有機ビヒク
ルとを均質混合した導電性ペーストが用いられ、スクリ
ーン印刷法などによって貫通穴に導電性ペーストを充填
するとともに、さらに、大型グリーンシートの各領域に
所定形状の内部配線パターン１１となる導体膜を印刷形
成する。

【００４６】導電性ペーストは、例えば、比較的に低温
で焼成するために、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐｄなど
のＡｇ合金）、Ｃｕ系（Ｃｕ単体、Ｃｕ合金）など金属
導体材料粉末が用いられる。低融点ガラス成分はグリー
ンシートとの焼結挙動を近似するために用いられるもの
であり、導体膜の抵抗値が上がることから、ガラス成分
の添加は極力避けることが望ましい。

【００４７】次に、図３の（ｄ）の工程として、大型グ
リーンシートの積層する。これにより、未焼成状態の大
型積層体基板となる。具体的には、上述のまでの工程で
形成されたグリーンシートを積層順序を考慮して、積層
を行い、熱圧着を行う。

【００４８】次に、図３の（ｅ）の工程として、端面電
極２となる位置に端面電極用貫通孔の形成する。この端
面電極用貫通孔は分割処理することによって、図１〜図
２の凹部２１となる。具体的には、内部配線パターン１
１、表面配線パターン３等から成る所定回路網に応じ
て、各領域の境界部分に跨がるようにパンチ加工等によ
って形成する。この端面電極用貫通孔の開口径は、積層
セラミック回路基板１０の形状、端面電極数などによっ
ても異なるが、マザー基板と強固な接合を達成するため
には、０．３〜２ｍｍ程度が好ましい。

【００４９】次に、図３の（ｆ）の工程として、端面電
極２となる導体膜を形成する。具体的には、端面電極２
となる導体膜は、大型積層体基板に形成した端面電極用
貫通孔の、例えば底面側の開口から減圧処理して、空気
を表面側開口から底面側開口に流入させながら、開口周
囲及び端面電極用貫通孔の内壁面に導電性ペーストの選
択的な印刷処理を行う。この減圧処理によって、導電性
ペーストが端面電極用貫通孔の内壁面に沿って効率よ
く、且つ全面に塗布することができ、確実に導体膜を形
成できる。尚、大型積層体基板を裏返して、両方主面側
から同一処理をしても構わない。

【００５０】次に、図３の（ｇ）の工程として、大型積
層体基板に分割溝を形成する。具体的には、大型積層体
基板の各領域の境界部分に、スナップ刃等によって分割
溝を形成する。即ち、端面電極２となる導体膜は、境界
部分に跨がるように形成されているため、この分割溝に
よって、少なくとも導体膜の表面側は分断されることに
なる。

【００５１】分割溝は、分割処理時の分割性を大きく左
右するものであり、分割性を向上するために、大型積層
体基板の両主面に夫々形成することが望ましく、その分
割溝の深さの合計は、大型積層体基板の厚みの２５〜５
０％の範囲で形成する。例えば、分割溝の深さの合計
を、大型積層体基板の厚みの５０％に設定すれば、同時
に、端面電極用貫通孔の内壁面に形成した端子電極２と
なる導体膜の高さ方向でも実質的に５０％の分割溝が形
成されることになる。

【００５２】次に、図３の（ｈ）の工程として、大型積
層体基板を焼成処理を行う。具体的には、大気雰囲気中
で、ピーク温度８５０〜１０００℃で焼成処理する。こ
の温度上昇の過程の５００〜６００℃は、大型積層体基
板内の有機ビヒクル（グリーンシート、導体膜、導体に
含まれる有機ビヒクル）が除去される脱バイダー過程で
ある。また、脱バイ過程からピーク温度までの間は、グ
リーンシートのガラス成分が結晶化し、導体膜、導体の
金属導体材料粉末が焼結凝集する焼結過程である。

【００５３】これにより、各グリーンシートは焼結一体
化し、グリーンシート上に形成した導体膜は内部配線パ
ターン１１となり、貫通穴に充填した導体はビアホール
導体１２となり、端面電極用貫通孔の内壁面に形成した
導体膜は焼成処理されることになる。尚、焼成処理され
た導体膜は、最終工程の分割処理によって端面電極２と
なる。

【００５４】次に、図３の（ｉ）の工程として、必要に
応じて、メッキ処理を行う。このメッキ処理は、端面電
極２となる焼成された導体膜の半田接合時に半田食われ
を防止し、半田濡れ性を向上させるためのものであり、
端面電極２となる導体膜の材料によっては、このメッキ
処理を省略することができる。

【００５５】次に、図３の（ｊ）の工程として、表面処
理を行う。具体的には、焼成した大型積層体基板の表面
に、銀系、銅系、金系の導電性ペーストのスクリーン印
刷して、表面の配線パターン３となる導体膜を形成した
後、焼きつけ処理する。ここで、導体材料は、マイグレ
ーション性を考慮した場合にはＣｕ系が好ましい。但
し、Ｃｕ系の場合の焼きつけ条件は難しく、例えば窒素
雰囲気、中性雰囲気で焼成する必要がある。また内部配
線パターン１１の材料との共晶反応を防止しなければな
らない。例えば、上述のメッキ処理を施した場合には、
共晶反応は防止できるが、メッキ処理を省略した場合、
内部のＡｇ系配線パターン１１（実質的にビアホール導
体１２が表面に露出部分）との共晶反応を防止するため
に例えば７８０℃以下で焼成できるＣｕ系ペーストを用
いる必要がある。

【００５６】さらに必要に応じて、表面の配線パターン
３上に、厚膜抵抗体膜、保護膜を形成し、また、電子部
品４を搭載する。

【００５７】次に、図３の（ｋ）の工程として分割処理
を行う。上述の図３の（ｇ）の工程で形成した分割溝に
沿って分割処理を行うが、これにより、表面処理した大
型積層体基板は、個々の領域に分割され、積層セラミッ
ク回路基板１０となり、同時に、端面電極用貫通孔に形
成した焼成処理された導体膜は、隣接する領域に分断さ
れ、概略半円形状の凹部２１の内壁に形成された端面電
極２となる。

【００５８】以上の製造方法において、図３の（ｅ）の
工程で形成した端面電極２となる導体膜が、図３の
（ｈ）の工程の大型積層体基板の焼成工程で、大型積層
体基板と一括的に焼成されるため、全体の焼成回数を減
らすことができ、生産性に優れた端子電極を有する積層
セラミック回路基板１０の製造方法となる。

【００５９】また、最終の（ｋ）の工程である分割工程
で、焼成処理された端面電極２となる導体膜は、分割溝
によって積層体１の厚み方向の２５〜５０％の長さに渡
って楔状に分断されているため、分割のための応力が印
加されても、この楔状の分断部分の先端から簡単に導体
膜を分割することができ、分割溝で分割される積層体１
の何れか一方側に取られることがなく、安定した密着性
が安定した端面電極を形成することができる。

【００６０】また、図４に示す工程で製造することがで
きる。

【００６１】即ち、本製造方法では、端面電極２が形成
される端面電極用貫通孔を大型グリーンシートの状態で
形成し、また、端面電極２となる導体膜が、内部の配線
パターン１１となる導体膜を形成する際に同時に形成す
るものである。

【００６２】まず、図４の（ａ）の工程として、大型グ
リーンシートを形成する。

【００６３】次に、図４の（ｂ）の工程として、ビアホ
ール導体１２となる貫通穴を形成するとともに、同時に
各領域の境界部分の端面電極２が形成される端面電極用
貫通孔を形成する。

【００６４】次に、図４の（ｃ）の工程として、ビアホ
ール導体１２となる貫通穴に導電性ペーストを充填して
ビアホール導体１２となる導体を形成すると同時に、端
子電極用貫通孔の内壁面に導電性ペーストを塗布して、
端面電極となる導体膜を形成する。さらにグリーンシー
ト上に内部配線パターン１１となる所定パターンの導体
膜を導電性ペーストの印刷により形成する。

【００６５】次に、図４の（ｄ）の工程として、上述の
図４の（ａ）〜（ｃ）までの工程で形成したグリーンシ
ートを積層順序に応じて位置決め積層し、積層一体化し
て、未焼成状態の大型積層体基板を形成する。

【００６６】次に、図４の（ｅ）の工程として、大型積
層体基板の各領域の境界部分に分割溝を形成する。この
分割溝は、図４の（ｂ）の工程で形成した端面電極用貫
通孔を横切るように、好ましくは大型積層体基板の両主
面に形成する。この状態を図５に示す。図５において、
５０は大型積層体基板、５１ａ、５１ｂは積層体１とな
る領域、５２は分割されて端面電極２となる導体膜、５
３は分割溝、５４は端面電極用貫通孔である。

【００６７】即ち、分割溝５３の形成によって、大型積
層体基板５０を、所定領域５１ａ、５１ｂに区画され、
端面電極用貫通孔５４の内壁面に形成した導体膜５２が
基板の主面側から所定深さにまで楔状のＶ溝が形成され
ることになる。

【００６８】次に、図４の（ｆ）の工程として、分割溝
５３を形成した大型積層体基板５０を焼成処理を行う。
これにより、各グリーンシートは焼結一体化し、グリー
ンシート上に形成した導体膜は内部配線パターン１１と
なり、導体はビアホール導体１２となり、また、端面電
極用貫通孔５４の内壁面に形成した導体膜５２は、焼成
処理された導体膜となる。

【００６９】次に、図４の（ｇ）の工程として、必要に
応じてメッキ処理を施して、さらに図４の（ｈ）に示す
ように表面処理を行う。具体的には、焼成処理された大
型積層体基板の各領域の主面に、所定形状の導体膜を導
電性ペーストで印刷を行い、焼きつけることによって表
面の配線パターン３を形成する。この時、表面の配線パ
ターン３は内部配線パターン１１とビアホール導体１２
を介して、また、端子電極２となる導体膜に電気的に接
続する。続いて、必要に応じて、厚膜抵抗体膜、保護膜
を形成し、さらに電子部品４を搭載する。

【００７０】最後に、図４の（ｉ）の工程として分割処
理を行う。具体的には、上述の図４の（ｅ）の工程で形
成した分割溝５３に沿って分割処理を行う。これによ
り、表面処理した大型積層体基板は、個々の領域に分割
れ、積層セラミック回路基板１０となる。この時、端面
電極用貫通孔５４の内壁面に形成された焼成処理済みの
導体膜は、隣接する領域５１ａ、５１ｂに分断され、概
略半円形状の凹部２１に付着した端面電極２となる。

【００７１】上述の２つの工程から理解できるように、
本発明において、重要なことは、端面電極２となる導体
膜を分割処理する前の大型積層体基板に形成すること、
端面電極２となる導体膜を含めて大型積層体基板に分割
溝を形成すること、端面電極２となる導体膜と大型積層
体基板を一体的に焼成処理することである。

【００７２】従って、この限りにおいては、メッキ処理
を省略することもできるし、表面処理の一部である表面
配線パターンを焼成前の大型積層体基板上に形成しても
構わない。また、表面処理の一部である電子部品の搭載
を、分割処理した個々の積層体１に対して個々におこな
っても構わない。

【００７３】図１〜図２に示す構造及び図３、図４に示
す製造工程では、端面電極２は、積層体２の端面の凹部
２１の内壁面に形成されている。しかし、図６に示すよ
うに端面電極６２を、この凹部２１に充填するようにし
ても構わない。尚、図において、６１は積層体、６２は
凹部２１に導体を充填した状態の端面電極、６３は分割
溝の跡である。

【００７４】この構造の端面電極６２を達成するために
は、端面電極６２となる位置に形成した端面電極用貫通
孔（分割処理されて凹部２１となる）に導電性ペースト
を完全に充填することによって形成することができる。

【００７５】この場合においても、端面電極用貫通孔に
充填された端面電極６２となる導体には、大型積層体基
板の分割溝の形成によって、大型積層体基板の厚み方向
の２５〜５０％の分割溝が形成される。このため、焼成
処理された端子電極２とな導体の分割性が優れ、分割処
理により分割された何れか一方の積層体１に導体が取ら
れることがない。

【００７６】また、この積層体６１の端面の凹部２１に
導体が充填された端面電極２を有する積層セラミック回
路基板１０を達成するためには、上述のグリーンシート
多層方法より以外に、印刷多層方法や光硬化モノマーを
含有してスリップ材を用いた選択的露光・現像による塗
布多層方法であっても構わない。

【００７７】これは、特に、端子電極２となる端面電極
用貫通孔の開口径は、内部配線パターン１１間を接続す
るビアホール導体１２となる貫通穴の開口径に比較して
遙かに大きくすることが必要である。従って、開口径が
大きい端面電極用貫通孔内に、グリーンシートの厚み全
体に導電性ペーストを充填することは、製造工程上難し
く、グリーンシートの下面に敷いた敷紙などに導電性ペ
ーストが奪われ、ペースト抜けが発生する可能性が高い
からである。

【００７８】また、未焼成状態の大型積層体基板に形成
した端面電極用貫通孔に導電性ペーストを充填しようと
しても、比較的厚みのある積層体基板に対して、充填し
た導体中に空隙なく充填することは困難である。

【００７９】また、上述の実施例では、セラミックグリ
ーンシートの積層によって形成する方法（グリーンシー
ト多層方法）で説明したか、グリーンシート多層方法に
代えて、印刷多層方法、光硬化可能なモノマーを含有し
てスリップ材を用いた選択的露光・現像による塗布多層
方法であっても構わない。

【００８０】ここで、印刷多層方法は、セラミック層と
なる塗布膜をセラミックペーストの選択的な印刷によっ
て形成し、また内部配線パターン１１となる導体膜を導
電性ペーストの選択的な印刷によって形成するものであ
る。尚、ビアホール導体１２となる導体は、セラミック
ペーストの印刷時に、塗布膜に露出開口部を形成し、導
電性ペーストの印刷時に、この露出開口部に導電性ペー
ストを充填するように導体膜を形成することによって達
成される。即ち、セラミックペーストの選択的な印刷と
導電性ペーストの選択的な印刷とを交互に行うものであ
る。

【００８１】尚、端面電極となる導体膜は、上述の印刷
多層による未焼成状態の積層体に分割溝の形成前に、端
面電極用貫通孔を形成して、導電性ペーストの印刷塗布
や充填によって形成してもよいし、また、各塗布膜の形
成時に、選択的に端面電極用貫通孔を形成し、内部配線
パターン１１なる導体膜を形成する際に、端面電極用貫
通孔の内壁に導体膜を塗布したり、また充填しても構わ
ない。

【００８２】また、光硬化可能なモノマーを含有してス
リップ材を用いた選択的露光・現像による塗布多層方法
は、セラミック層となる塗布膜を光硬化可能なモノマー
を含有したスリップ材を塗布・乾燥して塗布膜を形成
し、次にこの塗布膜に、ビアホール導体１２となる貫通
穴を形成するために、選択的に露光光を照射して塗布膜
を選択的に露光硬化させ、その後、現像液によってビア
ホール導体１２となる部分のみを除去する。その後、こ
の貫通穴が形成された塗布膜上に導電性ペーストの印刷
により、貫通穴に導電性ペーストを充填するとともに、
塗膜上に内部配線パターン１１となる導体膜を形成し、
上述の工程を繰り返して、セラミック層となる塗布膜を
前記スリップ材で、先の導体膜を覆うように全面的に塗
布膜を形成し、続いて、この塗布膜に、選択的な露光処
理と現像処理により、ビアホール導体１２となる貫通穴
を形成し、ビアホール導体１２となる導体、内部配線パ
ターン１１となる導体膜を形成するものである。

【００８３】尚、端面電極となる導体膜は、上述の塗布
多層による未焼成状態の積層体に分割溝の形成前に、端
面電極用貫通孔を形成して、導電性ペーストの印刷塗布
や充填によって形成してもよいし、また、各塗布膜にビ
アホール導体１２となる貫通穴を形成する際に、端面電
極用貫通孔を形成し、ビアホール導体１２となる導体を
形成する際に、端面電極用貫通孔の内壁に導体膜を塗布
したり、また充填しても構わない。

【００８４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、端面電極
となる導体は、未焼成状態の大型積層体基板に形成さ
れ、大型積層体基板と一括的に焼成処理されるため、従
来のように端面電極となる導体の専有の焼成・焼きつけ
工程が不要となるため、生産性に優れ、積層体の強固な
密着性を示すことになる。

【００８５】また、端面電極となる導体を形成した後
に、未焼成状態の大型積層体基板の分割溝の形成を行う
ため、分割溝に導電性ペーストを伝って隣接する端面電
極との間に導通が一切発生しないため、端面電極の電気
的な信頼性（短絡現象を防止）が向上する。

【００８６】また、端面電極となる導体は、分割溝によ
って積層体の厚みの２０〜５０％に相当する深さで分割
されるため、分割処理時において、導体膜の剥離や導体
の不要なクラックなどを低減でき、密着性が向上した端
面電極を有する積層セラミック回路基板を製造方法する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層セラミック回路基板の部分平
面図である。

【図２】本発明に係る積層セラミック回路基板の断面図
である。

【図３】本発明に係る積層セラミック回路基板の製造方
法を説明するための工程図である。

【図４】本発明に係る積層セラミック回路基板の他の製
造方法を説明するための工程図である。

【図５】本発明に係る積層セラミック回路基板の製造工
程における部分斜視図である。

【図６】本発明に係る他の積層セラミック回路基板の部
分斜視図である。

【図７】従来の積層セラミック回路基板の製造方法を説
明するための工程図である。

【図８】従来の積層セラミック回路基板の別の製造方法
を説明するための工程図である。

【符号の説明】

１０・・・・・・積層セラミック回路基板１・・・・・・・積層体１ａ〜１ｇ・・・セラミック層１１・・・・・・内部配線パターン１２・・・・・・ビアホール導体２・・・・・・・端面電極２１・・・・・・凹部３・・・・・・・表面配線パターン４・・・・・・・電子部品

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のセラミック層を積層した積層体の
内部に配線パターンを配置するとともに、積層体の端面
に端面電極を形成して成る積層セラミック回路基板の製
造方法において、前記内部配線パターンとなる導体膜を有し、且つ積層体
端面となる位置に形成した貫通孔に端面電極となる導体
を有する未焼成状態の大型積層体基板を形成する工程
と、前記大型積層体基板に、前記積層体の形状に対応して前
記端面電極となる導体を横切るように分割溝を形成する
工程と、前記大型積層体基板を焼成処理する工程と、前記大型積層体基板を前記分割溝に沿って分割処理する
工程と、を含む積層セラミック回路基板の製造方法。