JPH0193192A - 厚膜多層配線基板 - Google Patents
厚膜多層配線基板Info
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- JPH0193192A JPH0193192A JP25098887A JP25098887A JPH0193192A JP H0193192 A JPH0193192 A JP H0193192A JP 25098887 A JP25098887 A JP 25098887A JP 25098887 A JP25098887 A JP 25098887A JP H0193192 A JPH0193192 A JP H0193192A
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- Japan
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- insulating layer
- layer
- thick film
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- insulating
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- Pending
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 41
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- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
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- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
厚膜を積層してなる絶縁層を形成し、その周縁段差部を
横切る導体層が形成された厚膜多層配線基板の構成に関
し、 該導体層の厚さを均一化させることを目的とし、厚膜を
重ねた積層構成の絶縁層上に、該絶縁層の周縁段差を横
切る導体層がパターン形成された配線基板において、少
なくとも該導体層の横切る該絶縁層の周縁段差部が、下
部絶縁厚膜よりも上部絶縁厚膜を該上部絶縁厚膜の厚さ
程度以上だけ該下部絶縁膜の内側に積層した構成とする
。
横切る導体層が形成された厚膜多層配線基板の構成に関
し、 該導体層の厚さを均一化させることを目的とし、厚膜を
重ねた積層構成の絶縁層上に、該絶縁層の周縁段差を横
切る導体層がパターン形成された配線基板において、少
なくとも該導体層の横切る該絶縁層の周縁段差部が、下
部絶縁厚膜よりも上部絶縁厚膜を該上部絶縁厚膜の厚さ
程度以上だけ該下部絶縁膜の内側に積層した構成とする
。
本発明は厚膜多層配線基板、特に厚膜を積層してなる絶
縁層を形成し、そのために生じた段差を横切る導体層が
形成される構成の厚膜多層配線基板に関する。
縁層を形成し、そのために生じた段差を横切る導体層が
形成される構成の厚膜多層配線基板に関する。
厚膜混成集積回路等において、絶縁基板に第１の厚膜導
体層をパターン形成し、該第１の厚膜導体層の形成面と
同一面に積層構成の絶縁層バクーンを形成したのち、該
絶縁層の上に形成し該第１の厚膜導体層と接続する第２
の厚膜導体層を配設した多層配線（クロスオーバー配線
）が広く用いられる、かかる多層配線において、厚膜に
てなる絶縁層は、一般に、ゴミが混入する等によって生
じる内部欠陥を皆無にできないため、少なくとも２層の
積層構成にしである。
体層をパターン形成し、該第１の厚膜導体層の形成面と
同一面に積層構成の絶縁層バクーンを形成したのち、該
絶縁層の上に形成し該第１の厚膜導体層と接続する第２
の厚膜導体層を配設した多層配線（クロスオーバー配線
）が広く用いられる、かかる多層配線において、厚膜に
てなる絶縁層は、一般に、ゴミが混入する等によって生
じる内部欠陥を皆無にできないため、少なくとも２層の
積層構成にしである。
第３図は従来構成になる厚膜多層配線基板の要部を示す
側面図（イ）とその形成パターンの平面図（０）であり
、絶縁基板ｌに厚膜導体層２をパターン形成したのち、
２層構成の厚膜絶縁層３を形成し、次いで一端が導体層
２に積層される厚膜導体層４をパターン形成してなる。
側面図（イ）とその形成パターンの平面図（０）であり
、絶縁基板ｌに厚膜導体層２をパターン形成したのち、
２層構成の厚膜絶縁層３を形成し、次いで一端が導体層
２に積層される厚膜導体層４をパターン形成してなる。
絶縁層３ａに絶縁層３ｂを積層してなる絶縁層３は、ｖ
ｉＡ縁層３ａと３ｂが同一ステンシルまたは同一形状の
ステンシルを使用して形成される。
ｉＡ縁層３ａと３ｂが同一ステンシルまたは同一形状の
ステンシルを使用して形成される。
かかる多層配線基板において、一般に、導体層２および
４は厚さ１２μｍ程度であり、絶縁層３を構成する絶縁
層３ａと３ｂの厚さは、それぞれ２０μｍ程度である。
４は厚さ１２μｍ程度であり、絶縁層３を構成する絶縁
層３ａと３ｂの厚さは、それぞれ２０μｍ程度である。
従って、導体層２の上面と絶縁層３の上面とは３８μｍ
程度の段差が生じ、該段差を横切って形成される導体層
４は、図中の矢印Ａで示すように、段差部斜面の厚さが
他の部分より著しく薄くなる。
程度の段差が生じ、該段差を横切って形成される導体層
４は、図中の矢印Ａで示すように、段差部斜面の厚さが
他の部分より著しく薄くなる。
以上説明したように、従来の厚膜多層配線基板は絶縁層
の段差部が急峻となり、段差部を横切るように形成した
導体層がその段差部で薄くなって断面積が小さくなり、
そのことで導体層の導電性が損なわれると共に、−ｉに
銅や銀−パラジウムにてなる導体層は、該段差部に接近
せしめ外部リード端子等を半田付けすると、段差部に薄
く形成された部分が半田に取り込まれさらに薄くなると
いう問題点があった。
の段差部が急峻となり、段差部を横切るように形成した
導体層がその段差部で薄くなって断面積が小さくなり、
そのことで導体層の導電性が損なわれると共に、−ｉに
銅や銀−パラジウムにてなる導体層は、該段差部に接近
せしめ外部リード端子等を半田付けすると、段差部に薄
く形成された部分が半田に取り込まれさらに薄くなると
いう問題点があった。
上記問題点の除去を目的とした本発明は、第１図に示す
実施例によれば、厚膜１３ａ、１３ｂを重ねた積層構成
の絶縁層１３をパターン形成したのち、絶縁層１３の周
縁段差を横切る導体層１４のパターン形成された配線基
板において、少なくとも導体層１４の横切る絶縁層１３
の周縁段差部が、下部絶縁厚膜１３ａよりも上部絶縁厚
膜１３ｂを上部絶縁厚膜１３ｂの厚さ程度以上だけ下部
絶縁膜１３ａの内側に積層してなることを特徴とする厚
膜多層配線基板である。
実施例によれば、厚膜１３ａ、１３ｂを重ねた積層構成
の絶縁層１３をパターン形成したのち、絶縁層１３の周
縁段差を横切る導体層１４のパターン形成された配線基
板において、少なくとも導体層１４の横切る絶縁層１３
の周縁段差部が、下部絶縁厚膜１３ａよりも上部絶縁厚
膜１３ｂを上部絶縁厚膜１３ｂの厚さ程度以上だけ下部
絶縁膜１３ａの内側に積層してなることを特徴とする厚
膜多層配線基板である。
上記手段によれば、導体層が形成される絶縁層の段差部
は、傾斜が従来のものよりも緩やかになり、そのため段
差部を横切る導体層の厚さは、段差部に形成した部分と
他の平面（絶縁層の上面等）に形成した部分とがほぼ均
一となり、前記問題点に述べた従来の問題点が除去され
た。
は、傾斜が従来のものよりも緩やかになり、そのため段
差部を横切る導体層の厚さは、段差部に形成した部分と
他の平面（絶縁層の上面等）に形成した部分とがほぼ均
一となり、前記問題点に述べた従来の問題点が除去され
た。
以下に、図面を用いて本発明の実施例による厚膜多層配
線基板を説明する。
線基板を説明する。
第１図は本発明の一実施例による厚膜多層配線基板の要
部を示す側面図（イ）とその形成パターンの平面図（０
）であり、絶縁基板１１に厚膜導体層１２をパターン形
成したのち、厚膜の２層構成になる絶縁層１３を形成し
、次いで一端が導体層１２に積層される１７膜導体層１
４をパターン形成してなる。
部を示す側面図（イ）とその形成パターンの平面図（０
）であり、絶縁基板１１に厚膜導体層１２をパターン形
成したのち、厚膜の２層構成になる絶縁層１３を形成し
、次いで一端が導体層１２に積層される１７膜導体層１
４をパターン形成してなる。
例えば結晶化ガラスにてなる絶縁層１３は、第１の絶縁
層１３ａに第２の絶縁層１３ｂを積層してなり、導体層
１４が形成される絶縁Ｊｉ１３の周縁段差部で絶縁層１
３ｂは、絶縁層１３ａより絶縁層１３ｂの厚さと同じ程
度以上の距離１１、例えば絶縁層１３ｂの厚さが約２０
μｍであるときステンシルの位置合わせ誤差等を見込ん
で１００〜２００μｍだけ、絶縁層１３ａの内側に引っ
込んだ形状にパターン形成する。
層１３ａに第２の絶縁層１３ｂを積層してなり、導体層
１４が形成される絶縁Ｊｉ１３の周縁段差部で絶縁層１
３ｂは、絶縁層１３ａより絶縁層１３ｂの厚さと同じ程
度以上の距離１１、例えば絶縁層１３ｂの厚さが約２０
μｍであるときステンシルの位置合わせ誤差等を見込ん
で１００〜２００μｍだけ、絶縁層１３ａの内側に引っ
込んだ形状にパターン形成する。
その結果、導体層１４はその５段差部１４ａが他の部分
とほぼ同一厚さに形成されることになり、厚さ１２μｍ
程度に形成された導体ＩＪ１４は、段差部１４ａに溶融
半田の被着が可能になる。
とほぼ同一厚さに形成されることになり、厚さ１２μｍ
程度に形成された導体ＩＪ１４は、段差部１４ａに溶融
半田の被着が可能になる。
第２図は本発明の他の実施例による厚膜多層配線基板の
要部を示す側面図（イ）とその形成パターンの平面図（
０）であり、絶縁基板１１に厚膜導体層１２をパターン
形成したのち、厚膜の３層構成になる絶縁層１５を形成
し、次いで一端が導体層１２に積層される厚膜導体層１
６をパターン形成してなる。
要部を示す側面図（イ）とその形成パターンの平面図（
０）であり、絶縁基板１１に厚膜導体層１２をパターン
形成したのち、厚膜の３層構成になる絶縁層１５を形成
し、次いで一端が導体層１２に積層される厚膜導体層１
６をパターン形成してなる。
例えば結晶化ガラスにてなる絶縁層１５は、第１の絶縁
層１５ａに第２の絶縁層１５ｂを積層したのち、絶縁層
１５ｂに第３の絶縁層１５ｃを積層してなり、導体層１
６が形成される絶縁層１５の周縁段差部で絶縁層１５ｂ
は、絶縁層１５ａより絶縁層１５ｂの厚さと同じ程度以
上の距離１ｔだけ絶縁層１５ａの内側に引っ込んだ形状
にパターン形成し、絶縁層１５ｃは絶縁層１５ｂより絶
縁層１５ｃの厚さと同じ程度以上の距離ｌ、だけ絶縁層
１５ｂの内側に引っ込んだ形状にパターン形成してなる
。ただし、絶縁層１５ａ。
層１５ａに第２の絶縁層１５ｂを積層したのち、絶縁層
１５ｂに第３の絶縁層１５ｃを積層してなり、導体層１
６が形成される絶縁層１５の周縁段差部で絶縁層１５ｂ
は、絶縁層１５ａより絶縁層１５ｂの厚さと同じ程度以
上の距離１ｔだけ絶縁層１５ａの内側に引っ込んだ形状
にパターン形成し、絶縁層１５ｃは絶縁層１５ｂより絶
縁層１５ｃの厚さと同じ程度以上の距離ｌ、だけ絶縁層
１５ｂの内側に引っ込んだ形状にパターン形成してなる
。ただし、絶縁層１５ａ。
１５ｂ、 １５ｃの厚さを２０μｍ程度としたとき、引
っ込み量１２．！！、は、ステンシルの位置合わせ誤差
等を見込んで１００〜２００ μｍとすることが望まし
い。
っ込み量１２．！！、は、ステンシルの位置合わせ誤差
等を見込んで１００〜２００ μｍとすることが望まし
い。
その結果、導体層１６はその段差部１６ａが他の部分と
ほぼ同一厚さに形成されることになり、厚さ１２μｍ程
度に形成された導体層１６は、段差部１６ａに溶融半田
の被着が可能になる。
ほぼ同一厚さに形成されることになり、厚さ１２μｍ程
度に形成された導体層１６は、段差部１６ａに溶融半田
の被着が可能になる。
以上説明したように本発明によれば、厚膜を積層構成し
た絶縁層の周縁段差部に形成された導体層が、他の平面
上に形成された部分とほぼ同じ厚さで形成されるように
なるため、厚膜多層配線基板の信頼性が向上するととも
に、該段差部に外部リード端子等を接続する溶融半田が
被着可能となり、実装密度の改善に寄与した効果がある
。
た絶縁層の周縁段差部に形成された導体層が、他の平面
上に形成された部分とほぼ同じ厚さで形成されるように
なるため、厚膜多層配線基板の信頼性が向上するととも
に、該段差部に外部リード端子等を接続する溶融半田が
被着可能となり、実装密度の改善に寄与した効果がある
。
第１図は本発明の一実施例による厚膜多層配線基板の要
部を示す図、 第２図は本発明の他の実施例による厚膜多層配線基板の
要部を示す図、 第３図は従来構成になる厚膜多層配線基板の要部を示す
図、 である。 図中において、 １１は絶縁基板、 １２、１４．１６は導体層、 １４ａ、 １６ａは絶縁層の段差部に形成した導体層の
一部、１３．１５は絶縁層、 １３ａ、 １３ｂ、 １５ａ、 １５ｂ、 １５ｃは絶
縁厚膜、を示す。
部を示す図、 第２図は本発明の他の実施例による厚膜多層配線基板の
要部を示す図、 第３図は従来構成になる厚膜多層配線基板の要部を示す
図、 である。 図中において、 １１は絶縁基板、 １２、１４．１６は導体層、 １４ａ、 １６ａは絶縁層の段差部に形成した導体層の
一部、１３．１５は絶縁層、 １３ａ、 １３ｂ、 １５ａ、 １５ｂ、 １５ｃは絶
縁厚膜、を示す。
Claims (1)
- 厚膜を重ねた積層構成の絶縁層（１３，１５）上に、
該絶縁層（１３，１５）の周縁段差を横切る導体層（１
４，１６）がパターン形成された配線基板において、少
なくとも該導体層（１４，１６）の横切る該絶縁層（１
３，１５）の周縁段差部が、下部絶縁厚膜よりも上部絶
縁厚膜を該上部絶縁厚膜の厚さ程度以上だけ該下部絶縁
膜の内側に積層してなることを特徴とする厚膜多層配線
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25098887A JPH0193192A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 厚膜多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25098887A JPH0193192A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 厚膜多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193192A true JPH0193192A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17215996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25098887A Pending JPH0193192A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 厚膜多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193192A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034096A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | 大倉電気株式会社 | 厚膜回路及びその製造方法 |
| JPS6025173B2 (ja) * | 1975-08-22 | 1985-06-17 | ビルヨ・ユハナ・エルベンパー | 固形及びガス状成分の除去装置 |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP25098887A patent/JPH0193192A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6025173B2 (ja) * | 1975-08-22 | 1985-06-17 | ビルヨ・ユハナ・エルベンパー | 固形及びガス状成分の除去装置 |
| JPS6034096A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | 大倉電気株式会社 | 厚膜回路及びその製造方法 |
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