JPS61111506A - 膜抵抗体の製造方法 - Google Patents
膜抵抗体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61111506A JPS61111506A JP59232907A JP23290784A JPS61111506A JP S61111506 A JPS61111506 A JP S61111506A JP 59232907 A JP59232907 A JP 59232907A JP 23290784 A JP23290784 A JP 23290784A JP S61111506 A JPS61111506 A JP S61111506A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- wiring conductor
- manufacturing
- conductor layer
- conductive paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、膜抵抗体の製造方法に係り、特にその抵抗
体の抵抗値を容易に調整し得るようにしたものに関する
。
体の抵抗値を容易に調整し得るようにしたものに関する
。
［発明の技術的背景とその問題点コ
周知のように、近時では、電子機器等の小形軽量化を図
るために、混成集積回路が多く使用されるようになって
きている。この混成集積回路は、一般に、絶縁基板に導
体材料及び抵抗材料を印刷してなる厚膜基板に、リード
線のないチップタイプの受動素子や能動素子を半田付け
して構成されるものである。
るために、混成集積回路が多く使用されるようになって
きている。この混成集積回路は、一般に、絶縁基板に導
体材料及び抵抗材料を印刷してなる厚膜基板に、リード
線のないチップタイプの受動素子や能動素子を半田付け
して構成されるものである。
このような厚膜基板の従来の一般的な製造方法は、まず
、絶縁基板上にカーボン粉末等の導電粒子を含む樹脂ペ
ーストをスクリーン印刷力を用いて印刷・硬化し抵抗体
層を形成する。そして、上記抵抗体層の両端部に、例え
ば銀粒子、樹脂及び溶剤等を含む導電ペーストを印刷・
硬化して配線導体層を形成し、その後上記抵抗体層にレ
ーザ光を照射し被照射部を部分的に焼成させることによ
り、抵抗体層の抵抗値を増加させるいわゆるレーザトリ
ミングを施して、抵抗値を調整するようにしているもの
である。
、絶縁基板上にカーボン粉末等の導電粒子を含む樹脂ペ
ーストをスクリーン印刷力を用いて印刷・硬化し抵抗体
層を形成する。そして、上記抵抗体層の両端部に、例え
ば銀粒子、樹脂及び溶剤等を含む導電ペーストを印刷・
硬化して配線導体層を形成し、その後上記抵抗体層にレ
ーザ光を照射し被照射部を部分的に焼成させることによ
り、抵抗体層の抵抗値を増加させるいわゆるレーザトリ
ミングを施して、抵抗値を調整するようにしているもの
である。
ところが、上記のような厚膜基板の製造方法では、抵抗
体層の抵抗値調整が、レーザトリミングによる抵抗値増
加方向にしか行なえないため、例えば抵抗値を増加させ
すぎた場合に抵抗圃を下げることができず、極めて抵抗
値調整が不便であるという問題を有している。
体層の抵抗値調整が、レーザトリミングによる抵抗値増
加方向にしか行なえないため、例えば抵抗値を増加させ
すぎた場合に抵抗圃を下げることができず、極めて抵抗
値調整が不便であるという問題を有している。
そこで、近時では、上記従来の製造方法に代わる膜抵抗
体の製造方法として、例えば特願昭５９−７６２４２号
に示されるように、特殊有機絶縁層に低出力のレーザ光
を照射して、抵抗値の減少を図るようにすることが行な
われている。すなわち、これは、第６図（ａ）に示すよ
うな絶縁基板１上に、第６図（ｂ）に示すように、一対
の配線導体層２，３を形成する。この配線導体層２．３
は、例えば銀粒子７０〜８０％、熱硬化性樹脂１０〜１
５％及び溶剤等を含む導電ペーストを、スクリーン印刷
法を用いて印刷、乾燥、硬化または焼成させることによ
り形成されるものである。
体の製造方法として、例えば特願昭５９−７６２４２号
に示されるように、特殊有機絶縁層に低出力のレーザ光
を照射して、抵抗値の減少を図るようにすることが行な
われている。すなわち、これは、第６図（ａ）に示すよ
うな絶縁基板１上に、第６図（ｂ）に示すように、一対
の配線導体層２，３を形成する。この配線導体層２．３
は、例えば銀粒子７０〜８０％、熱硬化性樹脂１０〜１
５％及び溶剤等を含む導電ペーストを、スクリーン印刷
法を用いて印刷、乾燥、硬化または焼成させることによ
り形成されるものである。
そして、第６図（Ｃ）に示すように、上記一対の配線導
体層２．３間に、例えば変性ニトリルゴム等を含む特殊
有機絶縁材料（抵抗ペースト）をスクリーン印刷法を用
いて印刷、乾燥、硬化させることにより、抵抗体４を形
成する。その後、第６図（ｄ）に示すように、上記配線
導体層２，３と抵抗体４との重なり合う部分及び抵抗体
４上に低出力のＹＡＧレーザを所定速度で走査させなが
ら照射することにより、配線導体層２．３と抵抗体４と
の電気的導通をとるとともに、抵抗体４自体の抵抗値減
少を図る。これは、上記抵抗ペースト中の導体成分と絶
縁成分とを飛散させない程度の低出力のＹＡＧレーザを
抵抗体４に照射することにより、該導体成分と絶縁成分
とが分離され導体成分同志が集結して低抗体４の導体化
が促進されるからである。
体層２．３間に、例えば変性ニトリルゴム等を含む特殊
有機絶縁材料（抵抗ペースト）をスクリーン印刷法を用
いて印刷、乾燥、硬化させることにより、抵抗体４を形
成する。その後、第６図（ｄ）に示すように、上記配線
導体層２，３と抵抗体４との重なり合う部分及び抵抗体
４上に低出力のＹＡＧレーザを所定速度で走査させなが
ら照射することにより、配線導体層２．３と抵抗体４と
の電気的導通をとるとともに、抵抗体４自体の抵抗値減
少を図る。これは、上記抵抗ペースト中の導体成分と絶
縁成分とを飛散させない程度の低出力のＹＡＧレーザを
抵抗体４に照射することにより、該導体成分と絶縁成分
とが分離され導体成分同志が集結して低抗体４の導体化
が促進されるからである。
その後、第６図（ｅ）に示すように、上記抵抗体４上に
熱硬化性エポキシ樹脂等をスクリーン印刷法で印刷、硬
化させることにより、保護膜５を形成するようにしてい
るものである。
熱硬化性エポキシ樹脂等をスクリーン印刷法で印刷、硬
化させることにより、保護膜５を形成するようにしてい
るものである。
しかしながら、このような従来の膜抵抗体の製造方法で
は、上記配線導体層２，３と抵抗体４との電気的接触抵
抗が、第７図に示すように、ＹＡＧレーザの照射速度に
影響されてしまい、接触抵抗を低くして良好な電気的接
触を図るためには。
は、上記配線導体層２，３と抵抗体４との電気的接触抵
抗が、第７図に示すように、ＹＡＧレーザの照射速度に
影響されてしまい、接触抵抗を低くして良好な電気的接
触を図るためには。
ＹＡＧレーザの照射速度を遅くしなければならないもの
である。これは、ＹＡＧレーザの照射速度が速くなると
、レーザ照射により炭化した抵抗体４中のカーボン粒子
と、配線導体Ｍ２，３中の銀導体粒子との接触が十分に
とられなくなるからである。そして、このように接触抵
抗が増加することにより、上記抵抗体４の諸特性のなか
でも特に、常温ドリフト、ノイズ、ＴＣＰ （抵抗体４
の温度係数）等の各特性が悪化するものである。
である。これは、ＹＡＧレーザの照射速度が速くなると
、レーザ照射により炭化した抵抗体４中のカーボン粒子
と、配線導体Ｍ２，３中の銀導体粒子との接触が十分に
とられなくなるからである。そして、このように接触抵
抗が増加することにより、上記抵抗体４の諸特性のなか
でも特に、常温ドリフト、ノイズ、ＴＣＰ （抵抗体４
の温度係数）等の各特性が悪化するものである。
すなわち、第８図に示すように、１００にΩの高抵抗の
場合、常温で７２時間放置したとき、２０％の抵抗値ド
リフトΔＲが生じる。また、第９図に示すように、抵抗
値Ｒの変化に応じてノイズ成分が０〜２０ｄＢ変化する
。さらに、第１０図に示すように、温度が一５５〜２５
℃及び２５〜１２５℃の範囲でＴＣＰが共に１２００
ｐｐｍ程度になり、実用特性としては不十分なものであ
る。
場合、常温で７２時間放置したとき、２０％の抵抗値ド
リフトΔＲが生じる。また、第９図に示すように、抵抗
値Ｒの変化に応じてノイズ成分が０〜２０ｄＢ変化する
。さらに、第１０図に示すように、温度が一５５〜２５
℃及び２５〜１２５℃の範囲でＴＣＰが共に１２００
ｐｐｍ程度になり、実用特性としては不十分なものであ
る。
［発明の目的コ
この発明は上記事情を考慮してなされたもので、抵抗体
に照射するレーザ光の照射速度を速くしても、抵抗体の
特性を劣化させることのない極めて良好な膜抵抗体の製
造方法を提供することを目的とする。
に照射するレーザ光の照射速度を速くしても、抵抗体の
特性を劣化させることのない極めて良好な膜抵抗体の製
造方法を提供することを目的とする。
［発明の概要１
すなわち、この発明に係る膜抵抗体の製造方法は、絶縁
基板上に導電粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電ペースト
を印刷、焼成して配線導体層を形成する第１の工程と、
この第１の工程の後前記配線導体層に接続される抵抗体
を形成する第２の工程と、この第２の工程の後前記抵抗
体にレーザ光を照射して抵抗値を調整する第３の工程と
を備えた膜抵抗体の製造方法において、前記導電ペース
トにカーボン粉末を添加させるようにすることにより、
抵抗体に照射するレーザ光の照射速度を速くしても、抵
抗体の特性を劣化させることのないようにしたものであ
る。
基板上に導電粒子及び熱硬化性樹脂を含む導電ペースト
を印刷、焼成して配線導体層を形成する第１の工程と、
この第１の工程の後前記配線導体層に接続される抵抗体
を形成する第２の工程と、この第２の工程の後前記抵抗
体にレーザ光を照射して抵抗値を調整する第３の工程と
を備えた膜抵抗体の製造方法において、前記導電ペース
トにカーボン粉末を添加させるようにすることにより、
抵抗体に照射するレーザ光の照射速度を速くしても、抵
抗体の特性を劣化させることのないようにしたものであ
る。
［発明の実施例］
以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。すなわち、第１図（ａ）に示すような例え
ばセラミック材料で形成された絶縁基板１１に、第１図
（ｂ）に示すように、一対の配ａ導体層１２．１３を形
成する。この配線導体層１２゜１３は、例えば銀粒子１
５％、導電性カーボン粉末５％、熱硬化性樹脂及び溶剤
を含む導電性樹脂ペーストを、スクリーン印刷法を用い
て印刷し、１６０℃で３０分間乾燥、硬化させることに
より、形成されるものである。
に説明する。すなわち、第１図（ａ）に示すような例え
ばセラミック材料で形成された絶縁基板１１に、第１図
（ｂ）に示すように、一対の配ａ導体層１２．１３を形
成する。この配線導体層１２゜１３は、例えば銀粒子１
５％、導電性カーボン粉末５％、熱硬化性樹脂及び溶剤
を含む導電性樹脂ペーストを、スクリーン印刷法を用い
て印刷し、１６０℃で３０分間乾燥、硬化させることに
より、形成されるものである。
この場合、上記配線導体層１２．１３の比抵抗値は、３
．０×１０′４Ωｃｍであり、この値は従来の銀粒子の
みを含む導電ペーストと略同等の値であることが確認さ
れている。
．０×１０′４Ωｃｍであり、この値は従来の銀粒子の
みを含む導電ペーストと略同等の値であることが確認さ
れている。
そして、第１図（Ｃ）に示すように、上記一対の配線導
体層１２．１３間に、例えば変性ニトリルゴム等を含む
絶縁樹脂を、スクリーン印刷法を用いて印刷し、１６０
℃で１時間加熱硬化を行ない、抵抗体１４を形成する。
体層１２．１３間に、例えば変性ニトリルゴム等を含む
絶縁樹脂を、スクリーン印刷法を用いて印刷し、１６０
℃で１時間加熱硬化を行ない、抵抗体１４を形成する。
その後、第１図（ｄ）に示すように、上記配線導体１！
１２．１３と抵抗体１４との重なり合う、′部分及び抵
抗体１４上に出力３ＷのＹＡＧレーザ光を所定速度で走
査させながら照射して、配線導体層１２．１３と抵抗体
１４との電気的導通をとるとともに、抵抗体１４自体の
抵抗値減少つまり抵抗値の調整を行なう。
１２．１３と抵抗体１４との重なり合う、′部分及び抵
抗体１４上に出力３ＷのＹＡＧレーザ光を所定速度で走
査させながら照射して、配線導体層１２．１３と抵抗体
１４との電気的導通をとるとともに、抵抗体１４自体の
抵抗値減少つまり抵抗値の調整を行なう。
このとき、上記配線導体層１２．１３と抵抗体１４との
電気的接触抵抗は、第２図に示すように、従来と同じＹ
ＡＧレーザの照射速度に対して、約１／１０に減少させ
ることができた。
電気的接触抵抗は、第２図に示すように、従来と同じＹ
ＡＧレーザの照射速度に対して、約１／１０に減少させ
ることができた。
その後、第１図（ｅ）に示すように、上記抵抗体１４上
に例えば熱硬化性エポキシ樹脂等をスクリーン印刷法で
印刷、乾燥、硬化させることにより、保護膜１５を形成
するようにしているものである。
に例えば熱硬化性エポキシ樹脂等をスクリーン印刷法で
印刷、乾燥、硬化させることにより、保護膜１５を形成
するようにしているものである。
ここで、第３図乃至第５図は、それぞれ上記実施例のよ
うにして形成された抵抗体１４に対する、常温ドリフト
、ノイズ、ＴＣＰ等の各特性を示すものである。すなわ
ち、常温ドリフトは、１００にΩの轟抵抗の場合、７２
時間放置したとき約１０％であり、従来の約半分に減少
させることができた。また、ノイズ特性は、５〜１０ｄ
Ｂのノイズ低減がみら゛れた。さらに、ＴＣＲも、約−
６００ｐｐｍとなり、従来のＴＣＰ値に対し半減する効
果が得られた。
うにして形成された抵抗体１４に対する、常温ドリフト
、ノイズ、ＴＣＰ等の各特性を示すものである。すなわ
ち、常温ドリフトは、１００にΩの轟抵抗の場合、７２
時間放置したとき約１０％であり、従来の約半分に減少
させることができた。また、ノイズ特性は、５〜１０ｄ
Ｂのノイズ低減がみら゛れた。さらに、ＴＣＲも、約−
６００ｐｐｍとなり、従来のＴＣＰ値に対し半減する効
果が得られた。
そして、上記のような抵抗体１４の緒特性の改善が得ら
れたのは、従来の銀粒子のみで構成された導体ペースト
に数％のカーボン粉末を添加することにより、レーザ光
照射後における配線導体層１２゜１３と抵抗体１４との
電気的接触抵抗が大幅に低下したからである。
れたのは、従来の銀粒子のみで構成された導体ペースト
に数％のカーボン粉末を添加することにより、レーザ光
照射後における配線導体層１２゜１３と抵抗体１４との
電気的接触抵抗が大幅に低下したからである。
また、上記カーボン粉末添加の導電ペースト用の樹脂と
し・では、膜抵抗体形成用の絶縁樹脂成分である変性ニ
トリルゴムと芳香環有機高分子を含む、熱または光硬化
性樹脂を１０〜１５％含む導電性ペーストを用いるよう
にしてもよいものである。
し・では、膜抵抗体形成用の絶縁樹脂成分である変性ニ
トリルゴムと芳香環有機高分子を含む、熱または光硬化
性樹脂を１０〜１５％含む導電性ペーストを用いるよう
にしてもよいものである。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
［発明の効果］
したがって、以上詳述したようにこの発明によれば、抵
抗体に照射するレーザ光の照射速度を速くしでも、抵抗
体の特性を劣化させることのない極めて良好な膜抵抗体
の製造方法を提供することができる。
抗体に照射するレーザ光の照射速度を速くしでも、抵抗
体の特性を劣化させることのない極めて良好な膜抵抗体
の製造方法を提供することができる。
第１図はこの発明に係る膜抵抗体の製造方法の一実施例
を示す側面図、第２図乃至第５図はそれぞれ同実施例の
抵抗体の緒特性を示す特性図、第６図は従来の膜抵抗体
の製造方法を示す側面図、第７図乃至第１０図はそれぞ
れ同従来の抵抗体の緒特性を示す特性図である。 １・・・絶縁基板、２．３・・・配線導体層、４・・・
抵抗体、５・・・保護膜、１１・・・絶縁基板、１２．
１３・・・配線導体層、１４・・・抵抗体、１５・・・
保護膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 坐 １ 目 （ａ） （ｄ） １２日 第３図 掌易孜置時間 第４図 第５図 ＋０９ＲＡｙＬ 第 ６ 図 （ａ） （ｄ） （ｅ） 第７図 第８図 常温枚置峙藺 第９図 第１０図 １０９Ｒ渥展
を示す側面図、第２図乃至第５図はそれぞれ同実施例の
抵抗体の緒特性を示す特性図、第６図は従来の膜抵抗体
の製造方法を示す側面図、第７図乃至第１０図はそれぞ
れ同従来の抵抗体の緒特性を示す特性図である。 １・・・絶縁基板、２．３・・・配線導体層、４・・・
抵抗体、５・・・保護膜、１１・・・絶縁基板、１２．
１３・・・配線導体層、１４・・・抵抗体、１５・・・
保護膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 坐 １ 目 （ａ） （ｄ） １２日 第３図 掌易孜置時間 第４図 第５図 ＋０９ＲＡｙＬ 第 ６ 図 （ａ） （ｄ） （ｅ） 第７図 第８図 常温枚置峙藺 第９図 第１０図 １０９Ｒ渥展
Claims (2)
- （１）絶縁基板上に導電粒子及び熱硬化性樹脂を含む導
電ペーストを印刷、焼成して配線導体層を形成する第１
の工程と、この第１の工程の後前記配線導体層に接続さ
れる抵抗体を形成する第２の工程と、この第２の工程の
後前記抵抗体にレーザ光を照射して抵抗値を調整する第
３の工程とを備えた膜抵抗体の製造方法において、前記
導電ペーストにカーボン粉末を添加させるようにしてな
ることを特徴とする膜抵抗体の製造方法。 - （２）上記導電ペーストの熱硬化性樹脂は、変性ニトリ
ルゴム及び芳香環化合物を含む特殊有機樹脂であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜抵抗体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232907A JPS61111506A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 膜抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232907A JPS61111506A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 膜抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111506A true JPS61111506A (ja) | 1986-05-29 |
Family
ID=16946706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59232907A Pending JPS61111506A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 膜抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61111506A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305502A (ja) * | 1987-06-06 | 1988-12-13 | Asahi Chem Res Lab Ltd | 基板に抵抗回路を形成する方法 |
| JPH01184942A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Toshiba Corp | トリミング素子とその電気短絡方法 |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP59232907A patent/JPS61111506A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305502A (ja) * | 1987-06-06 | 1988-12-13 | Asahi Chem Res Lab Ltd | 基板に抵抗回路を形成する方法 |
| JPH01184942A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Toshiba Corp | トリミング素子とその電気短絡方法 |
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