JPS6229194A - 厚膜基板装置 - Google Patents
厚膜基板装置Info
- Publication number
- JPS6229194A JPS6229194A JP16723585A JP16723585A JPS6229194A JP S6229194 A JPS6229194 A JP S6229194A JP 16723585 A JP16723585 A JP 16723585A JP 16723585 A JP16723585 A JP 16723585A JP S6229194 A JPS6229194 A JP S6229194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor layer
- conductor
- layer
- firing
- thick film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
この発明は、銅系の導体ペーストを使用して導体層を形
成するようにした厚膜基板装置に係り、特に導体層のa
!’1強度を高め回路部品の搭載に効果的となるように
したものに関する。
成するようにした厚膜基板装置に係り、特に導体層のa
!’1強度を高め回路部品の搭載に効果的となるように
したものに関する。
[光明の技術向背m]
周知のように、近時では、電子礪器等の小形軽量化を図
るために、混成集積回路が多く使用されるようになって
きている。この混成集積回路は、一般に、絶縁基板に導
体材料及び抵抗材料を印刷してなる厚膜基板に、リード
線のないチップタイプの受動素子や能動素子を半田付け
して構成されるものである。
るために、混成集積回路が多く使用されるようになって
きている。この混成集積回路は、一般に、絶縁基板に導
体材料及び抵抗材料を印刷してなる厚膜基板に、リード
線のないチップタイプの受動素子や能動素子を半田付け
して構成されるものである。
このような厚膜基板は、まず、例えばアルミナ等のセラ
ミック材料で形成された絶縁基板に、例えば銀−パラジ
ウム(A(1/Pd )系の導体ベース1〜をスクリー
ン印刷法を用いて印刷し、酸化雰囲気中で約800〜9
00℃の温度で焼成させることにより、導体層を形成す
る。
ミック材料で形成された絶縁基板に、例えば銀−パラジ
ウム(A(1/Pd )系の導体ベース1〜をスクリー
ン印刷法を用いて印刷し、酸化雰囲気中で約800〜9
00℃の温度で焼成させることにより、導体層を形成す
る。
そして、この導体層に接続されるように、例えば酸化ル
テニウム(Rすo2)系の抵抗ペーストを、スクリーン
印刷法を用いて印刷し、酸化雰囲気中で約800〜90
0℃の温度で焼成させることにより、抵抗体層を形成す
る。その後、上記導体層と抵抗体層との接続部分にYA
Gレーザを照射し抵抗体を炭化させて、導体層と抵抗体
層とを電気的に接続するようにして構成されるものであ
る。
テニウム(Rすo2)系の抵抗ペーストを、スクリーン
印刷法を用いて印刷し、酸化雰囲気中で約800〜90
0℃の温度で焼成させることにより、抵抗体層を形成す
る。その後、上記導体層と抵抗体層との接続部分にYA
Gレーザを照射し抵抗体を炭化させて、導体層と抵抗体
層とを電気的に接続するようにして構成されるものであ
る。
ところで、上記のような、銀−パラジウム系の導体ベー
ス1〜は、インピーダンス(導体抵抗)が単位体積当り
20〜50 mΩと高く、吸湿による銀の移行現象(マ
イグレーション)で絶縁劣化を生じ易く、さらには貴金
属であるため経済的に不利になるという種々の問題を有
している。
ス1〜は、インピーダンス(導体抵抗)が単位体積当り
20〜50 mΩと高く、吸湿による銀の移行現象(マ
イグレーション)で絶縁劣化を生じ易く、さらには貴金
属であるため経済的に不利になるという種々の問題を有
している。
そこで、近時では、銀−パラジウム系の導体ペーストに
代えて、銅系の導体ペーストを使用することが考えられ
ている。この銅系の導体ペーストは、銅が酸化しない程
度に中性または還元雰囲気中で500〜700℃の低温
で焼成すると、単位体積当り2〜51Ωと低インピーダ
ンスの導体を形成することができるとともに、経済的に
も有利であるという利点を有している。
代えて、銅系の導体ペーストを使用することが考えられ
ている。この銅系の導体ペーストは、銅が酸化しない程
度に中性または還元雰囲気中で500〜700℃の低温
で焼成すると、単位体積当り2〜51Ωと低インピーダ
ンスの導体を形成することができるとともに、経済的に
も有利であるという利点を有している。
第4図は、このような銅系の導体ベース1−を使用した
厚膜基板を示すものである。すなわち、例えばアルミナ
等のセラミック材料で形成された絶縁基板11上に、抵
抗体層12を形成する。この抵抗体層12は、例えば酸
化ルテニウム系の抵抗ペーストをスクリーン印刷法を用
いて印刷し、酸化雰囲気中で約800〜900℃の温度
で焼成させることにより形成されるものである。
厚膜基板を示すものである。すなわち、例えばアルミナ
等のセラミック材料で形成された絶縁基板11上に、抵
抗体層12を形成する。この抵抗体層12は、例えば酸
化ルテニウム系の抵抗ペーストをスクリーン印刷法を用
いて印刷し、酸化雰囲気中で約800〜900℃の温度
で焼成させることにより形成されるものである。
次に、上記絶縁基板11上に導体層13を形成する。
この導体層13は、銅系の導体ペーストをスクリーン印
刷法を用いて印刷し、上記抵抗体N72の抵抗値の変動
を抑えるために、中性または還元雰囲気中で約500〜
700℃の低温で焼成させることにより形成されるもの
である。
刷法を用いて印刷し、上記抵抗体N72の抵抗値の変動
を抑えるために、中性または還元雰囲気中で約500〜
700℃の低温で焼成させることにより形成されるもの
である。
そして、上記抵抗体層12に対して、例えばレーザトリ
ミング法や勺ンドブラス1〜法等によりトリミングを施
して、その抵抗値を調整する。その後、上記絶縁基板1
1、抵抗体層12及び導体層13等をIうように、ソル
ダーレジスト14を形成する。このソルダーレジスト1
4は、例えばシリコーン(H脂をスクリーン印刷法を用
いて印刷し、100〜120 ’Cの温度で硬化させる
ことにより形成されるものである。
ミング法や勺ンドブラス1〜法等によりトリミングを施
して、その抵抗値を調整する。その後、上記絶縁基板1
1、抵抗体層12及び導体層13等をIうように、ソル
ダーレジスト14を形成する。このソルダーレジスト1
4は、例えばシリコーン(H脂をスクリーン印刷法を用
いて印刷し、100〜120 ’Cの温度で硬化させる
ことにより形成されるものである。
次に、チップタイプの回路部品15を導体層13に半田
16によって接続し、ここに銅系の導体ペーストを使用
した混成集積回路が構成されるものである。なお、第4
図では図示していないが、必要に応じて導体層13にリ
ード端子を半田付けしたり、樹脂で全体を覆い回路の保
護を行なうようにすることもある。
16によって接続し、ここに銅系の導体ペーストを使用
した混成集積回路が構成されるものである。なお、第4
図では図示していないが、必要に応じて導体層13にリ
ード端子を半田付けしたり、樹脂で全体を覆い回路の保
護を行なうようにすることもある。
[背景技術の問題点]
しかしながら、上記のような従来の銅系の導体ペースト
を使用した厚膜基板では、次のような問題が生じる。す
なわち、導体層13は、形成時に、抵抗体層12の焼成
温度よりも低い温度で焼成されるため、焼結が不十分に
なりがちで、その結果絶縁基板11への密着強度が弱く
なるものである。このため、特に、導体1l113に回
路部品15を接続すると、回路部品15自体の重みや回
路部品15に加わる外力等の影響により、導体J!11
13が絶縁基板11から剥離したりするという不都合が
生じる。
を使用した厚膜基板では、次のような問題が生じる。す
なわち、導体層13は、形成時に、抵抗体層12の焼成
温度よりも低い温度で焼成されるため、焼結が不十分に
なりがちで、その結果絶縁基板11への密着強度が弱く
なるものである。このため、特に、導体1l113に回
路部品15を接続すると、回路部品15自体の重みや回
路部品15に加わる外力等の影響により、導体J!11
13が絶縁基板11から剥離したりするという不都合が
生じる。
[発明の目的]
この発明は上記事情を考慮してなされたもので、絶縁基
板への導体層の密着強度を高めることができ、該導体層
への回路部品の接続を可能ならしめる極めて良好な厚膜
基板装置を提供することを目的とする。
板への導体層の密着強度を高めることができ、該導体層
への回路部品の接続を可能ならしめる極めて良好な厚膜
基板装置を提供することを目的とする。
[発明の概要]
すなわち、この発明に係る厚III基板装置は、導体層
を低温で複数回焼成し、この複数回焼成した導体層に回
路部品を接続するようにすることにより、絶縁基板への
導体層の密着強度を高めることができ、vA導体層への
回路部品の接続を可能ならしめるようにしたものである
。
を低温で複数回焼成し、この複数回焼成した導体層に回
路部品を接続するようにすることにより、絶縁基板への
導体層の密着強度を高めることができ、vA導体層への
回路部品の接続を可能ならしめるようにしたものである
。
[発明の実施例]
以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。第1図において、17は例えばアルミナ等
のセラミック材料で形成された絶縁基板で、抵抗体11
18が形成されている。この抵抗体層18は、例えば酸
化ルテニウム系の抵抗ペーストをスクリーン印刷法を用
いて印刷し、酸化雰囲気中で約800〜900℃の温度
で焼成することにより形成される。
に説明する。第1図において、17は例えばアルミナ等
のセラミック材料で形成された絶縁基板で、抵抗体11
18が形成されている。この抵抗体層18は、例えば酸
化ルテニウム系の抵抗ペーストをスクリーン印刷法を用
いて印刷し、酸化雰囲気中で約800〜900℃の温度
で焼成することにより形成される。
次に、上記絶縁基板17上に、抵抗体層18に接続され
ないように、第1の導体層19を形成する。この第1の
導体層19は、銅系の導体ペーストをスクリーン印刷法
を用いて印刷し、中性または還元雰囲気中で約500〜
700℃の温度で焼成することにより形成されるもので
ある。
ないように、第1の導体層19を形成する。この第1の
導体層19は、銅系の導体ペーストをスクリーン印刷法
を用いて印刷し、中性または還元雰囲気中で約500〜
700℃の温度で焼成することにより形成されるもので
ある。
その後、上記抵抗体層18と第1の導体@19とを接続
するように、第2の導体層20を形成する。この第2の
導体層20は、上記第1の導体層19と同様に、銅系の
導体ペーストをスクリーン印刷法を用いて印刷し、中性
または還元雰囲気中で約500〜700’Cの温度で焼
成することにより形成されるものである。そして、この
第2の導体層20によって、抵抗体層18と第?の導体
層19との電気的導通のためのコンタクトがとられるも
のである。
するように、第2の導体層20を形成する。この第2の
導体層20は、上記第1の導体層19と同様に、銅系の
導体ペーストをスクリーン印刷法を用いて印刷し、中性
または還元雰囲気中で約500〜700’Cの温度で焼
成することにより形成されるものである。そして、この
第2の導体層20によって、抵抗体層18と第?の導体
層19との電気的導通のためのコンタクトがとられるも
のである。
次に、上記抵抗体層18に対して、例えばレーザトリミ
ング法やサンドブラスト法等によりトリミングを施して
、その抵抗値を調整する。その後。
ング法やサンドブラスト法等によりトリミングを施して
、その抵抗値を調整する。その後。
上記絶縁基板17、抵抗体層18及び第14=及び第2
の導体[19,20等を覆うように、ソルダーレジスト
21を形成する。このソルダーレジスト21は、例えば
シリコーン樹脂をスクリーン印刷法を用いて印刷し、1
00〜120℃の温度で硬化させることにより形成され
るものである。
の導体[19,20等を覆うように、ソルダーレジスト
21を形成する。このソルダーレジスト21は、例えば
シリコーン樹脂をスクリーン印刷法を用いて印刷し、1
00〜120℃の温度で硬化させることにより形成され
るものである。
次に、チップタイプの回路部品22を第1の導体層19
に半田23によって接続し、ここに銅系の導体ペースト
を使用した混成集積回路が構成されるものである。
に半田23によって接続し、ここに銅系の導体ペースト
を使用した混成集積回路が構成されるものである。
したがって、−F記実施例のような構成によれば、第1
の導体層19は、該第1の導体層19自体の焼成時と、
第2の導体層20の焼成時とで、合計2回焼成されるこ
とになるので、銅系の導体ペーストの焼結が良好に進行
され、絶縁基板17への密着強度が高くなるものである
。このため、回路部品22は、第1の導体1119を介
して、絶縁Jl#217に強固に取着されるようになる
ものである。
の導体層19は、該第1の導体層19自体の焼成時と、
第2の導体層20の焼成時とで、合計2回焼成されるこ
とになるので、銅系の導体ペーストの焼結が良好に進行
され、絶縁基板17への密着強度が高くなるものである
。このため、回路部品22は、第1の導体1119を介
して、絶縁Jl#217に強固に取着されるようになる
ものである。
第2図及び第3図は、それぞれこの発明の第2及び第3
の実施例を示すもので、多層の厚膜基板を構成した例を
示すものである。まず、第2図に示すものは、第1の導
体I!!(下層導体層)19を形成した後、第1の導体
層(下層導体層)19上に絶縁層24を形成し、この絶
縁層24上に第2の導体層(上層導体層)20を形成す
るようにしたものである。この場合、上記絶縁I!12
4は、例えばガラス系の絶縁ペーストをスクリーン印刷
法を用いて印刷し、中性または還元雰囲気中で約500
〜700℃の低温で焼成することにより形成される。
の実施例を示すもので、多層の厚膜基板を構成した例を
示すものである。まず、第2図に示すものは、第1の導
体I!!(下層導体層)19を形成した後、第1の導体
層(下層導体層)19上に絶縁層24を形成し、この絶
縁層24上に第2の導体層(上層導体層)20を形成す
るようにしたものである。この場合、上記絶縁I!12
4は、例えばガラス系の絶縁ペーストをスクリーン印刷
法を用いて印刷し、中性または還元雰囲気中で約500
〜700℃の低温で焼成することにより形成される。
このような構成によれば、回路部品22が半田23付け
される第1の導体層(下層導体層)1つは、該第1の導
体層(下層導体層)19自体の焼成時と、絶縁層24の
焼成時と、M2の導体層(上層導体層)20の焼成時と
で、合計3回低温焼成されることになるので、上記実施
例と同(叢な効果を得ることができる。
される第1の導体層(下層導体層)1つは、該第1の導
体層(下層導体層)19自体の焼成時と、絶縁層24の
焼成時と、M2の導体層(上層導体層)20の焼成時と
で、合計3回低温焼成されることになるので、上記実施
例と同(叢な効果を得ることができる。
また、第3図に示すものは、第1の導体層19上に絶縁
IW24を形成し、この絶縁層24上に導体1a25を
形成し、この導体層25上に絶縁層2Gを形成し、この
絶縁層26上に第2の導体層20を形成し、この導体層
25に回路部品22を半田23付けするようにしたもの
である。この場合、上記導体層25は、第1及び第2の
導体1119.20と同様に、銅系の導体ベースl〜を
スクリーン印刷法を用いて印制し、中11または還元雰
囲気中で約500〜700°Cの低温で焼成することに
より形成される。また、上記絶縁層26は、例えばガラ
ス系の絶縁ペーストをスクリーン印刷法を用いて印刷し
、中性または還元雰囲気中で約500〜700℃の低温
で焼成することにより形成される。
IW24を形成し、この絶縁層24上に導体1a25を
形成し、この導体層25上に絶縁層2Gを形成し、この
絶縁層26上に第2の導体層20を形成し、この導体層
25に回路部品22を半田23付けするようにしたもの
である。この場合、上記導体層25は、第1及び第2の
導体1119.20と同様に、銅系の導体ベースl〜を
スクリーン印刷法を用いて印制し、中11または還元雰
囲気中で約500〜700°Cの低温で焼成することに
より形成される。また、上記絶縁層26は、例えばガラ
ス系の絶縁ペーストをスクリーン印刷法を用いて印刷し
、中性または還元雰囲気中で約500〜700℃の低温
で焼成することにより形成される。
このような構成によれば、回路部品22が半田23付け
される導体層25は、該導体!l125自体の焼成時と
、絶縁FIJ26の焼成時と、第2の導体層2oの焼成
時とで、合計3回低温焼成されることになるので、やは
り上記実施例と同様な効果を得ることができる。
される導体層25は、該導体!l125自体の焼成時と
、絶縁FIJ26の焼成時と、第2の導体層2oの焼成
時とで、合計3回低温焼成されることになるので、やは
り上記実施例と同様な効果を得ることができる。
なお、この発明は上記各実施例に限定されるらのではな
く、この外その要旨な逸脱しない範囲で種々変形して実
施することができる。
く、この外その要旨な逸脱しない範囲で種々変形して実
施することができる。
[発明の効果]
したがって、以上詳述したようにこの光明によれば、絶
縁基板への導体層の密着強度を高めろことができ、該導
体層への回路部品の接続を可能ならしめる極めて良好な
厚膜基板装置を提供することができる。
縁基板への導体層の密着強度を高めろことができ、該導
体層への回路部品の接続を可能ならしめる極めて良好な
厚膜基板装置を提供することができる。
第1図はこの発明に係る厚1京基板装置の一実施例を示
す側断面図、第2図及び第3図はそれぞれこの発明の第
2及び第3の実施例を示す側断面図、第4図は従来の厚
摸基板を示づ側断面図である。 11・・・絶縁基板、12・・・抵抗体層、13・・・
導体層、14・・・ソルダーレジスト、15・・・回路
部品、1G・・・半田、17・・・絶縁基板、18・・
・抵抗体層、19・・・第1の導体層、20・・・第2
の導体層、21・・・ソルダーレジスト、22・・・回
路部品、23・・・半田、24・・・絶縁層、25・・
・導体層、26・・・絶縁層。
す側断面図、第2図及び第3図はそれぞれこの発明の第
2及び第3の実施例を示す側断面図、第4図は従来の厚
摸基板を示づ側断面図である。 11・・・絶縁基板、12・・・抵抗体層、13・・・
導体層、14・・・ソルダーレジスト、15・・・回路
部品、1G・・・半田、17・・・絶縁基板、18・・
・抵抗体層、19・・・第1の導体層、20・・・第2
の導体層、21・・・ソルダーレジスト、22・・・回
路部品、23・・・半田、24・・・絶縁層、25・・
・導体層、26・・・絶縁層。
Claims (1)
- 絶縁基板に銅系の導体ペーストを印刷し低温で焼成し
て導体層を形成してなる厚膜基板装置において、前記導
体層を低温で複数回焼成し、この複数回焼成した導体層
に回路部品を接続するようにしてなることを特徴とする
厚膜基板装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16723585A JPS6229194A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 厚膜基板装置 |
DE19863621667 DE3621667A1 (de) | 1985-06-29 | 1986-06-27 | Mit einer mehrzahl von dickfilmen beschichtetes substrat, verfahren zu seiner herstellung und dieses enthaltende vorrichtung |
US07/071,669 US4830878A (en) | 1985-06-29 | 1987-07-09 | Method of manufacturing a substrate coated with multiple thick films |
US07/153,432 US4835038A (en) | 1985-06-29 | 1988-02-08 | Substrate coated with multiple thick films |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16723585A JPS6229194A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | 厚膜基板装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6229194A true JPS6229194A (ja) | 1987-02-07 |
JPH0431198B2 JPH0431198B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=15845957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16723585A Granted JPS6229194A (ja) | 1985-06-29 | 1985-07-29 | 厚膜基板装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6229194A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5873185A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | 株式会社東芝 | 厚膜回路基板の製造方法 |
JPS60250686A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-11 | 日本碍子株式会社 | セラミツク配線基板の製造方法 |
JPS61121277A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | 布製採暖具 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP16723585A patent/JPS6229194A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5873185A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | 株式会社東芝 | 厚膜回路基板の製造方法 |
JPS60250686A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-11 | 日本碍子株式会社 | セラミツク配線基板の製造方法 |
JPS61121277A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | 松下電器産業株式会社 | 布製採暖具 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0431198B2 (ja) | 1992-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20040212085A1 (en) | Thick film circuit board, method of producing the same and integrated circuit device | |
JPH0595071U (ja) | 厚膜回路基板 | |
JPS6229194A (ja) | 厚膜基板装置 | |
JPS5950596A (ja) | チツプ状電子部品およびその製造方法 | |
JP4540223B2 (ja) | 電子部品搭載基板 | |
JP2839262B2 (ja) | チップ抵抗器とその製造方法 | |
JP3890850B2 (ja) | 電子回路装置 | |
WO2006032836A1 (en) | Thick-film hybrid production process | |
JPH1098244A (ja) | 厚膜回路基板及びその製造方法 | |
JP2001326301A (ja) | セラミック電子部品および電子装置 | |
JP2572626Y2 (ja) | 多層回路基板 | |
JP3165517B2 (ja) | 回路装置 | |
JPH02270301A (ja) | チップ抵抗器 | |
JPH0544200B2 (ja) | ||
JP2975491B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
JPS62219692A (ja) | 厚膜多層回路基板 | |
JPS60176296A (ja) | グレ−ズ抵抗素子一体型多層基板の製造方法 | |
JPS6025290A (ja) | 混成集積回路基板の製造方法 | |
JPS6148993A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
JPH0728116B2 (ja) | 厚膜混成集積回路 | |
JPS60143621A (ja) | 複合部品 | |
JPS62213194A (ja) | 厚膜回路基板とその製造方法 | |
JPS59119794A (ja) | 混成厚膜集積回路 | |
JPH03237795A (ja) | 厚膜印刷配線基板 | |
JPH0571177B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |