JP2975491B2 - チップ抵抗器 - Google Patents
チップ抵抗器Info
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- JP2975491B2 JP2975491B2 JP4342988A JP34298892A JP2975491B2 JP 2975491 B2 JP2975491 B2 JP 2975491B2 JP 4342988 A JP4342988 A JP 4342988A JP 34298892 A JP34298892 A JP 34298892A JP 2975491 B2 JP2975491 B2 JP 2975491B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ抵抗器の改良に関
するものである。
するものである。
【０００２】のである。
【０００３】
【従来技術】従来、電気回路基板に実装される電子部品
としてのチップ抵抗器は一般に、酸化アルミニウム質焼
結体等の電気絶縁材料から成る絶縁基体と、該絶縁基体
の上面から側面を介し底面にかけて被着導出された銀
（Ag) 、銀ーパラジウム(Ag ーPd) 等の金属材料から成
る一対の電極と、前記絶縁基体の上面で一対の電極間に
被着された酸化ルテニウム(RuO 2 )等の抵抗材料から成
る抵抗体膜とで構造されており、絶縁基体の底面に導出
させた一対の電極を電気回路基板の所定配線導体に半田
等のロウ材を介して接続させ、抵抗体膜を配線導体に電
気的に接続させることによって電気回路に抵抗器が実装
される。
としてのチップ抵抗器は一般に、酸化アルミニウム質焼
結体等の電気絶縁材料から成る絶縁基体と、該絶縁基体
の上面から側面を介し底面にかけて被着導出された銀
（Ag) 、銀ーパラジウム(Ag ーPd) 等の金属材料から成
る一対の電極と、前記絶縁基体の上面で一対の電極間に
被着された酸化ルテニウム(RuO 2 )等の抵抗材料から成
る抵抗体膜とで構造されており、絶縁基体の底面に導出
させた一対の電極を電気回路基板の所定配線導体に半田
等のロウ材を介して接続させ、抵抗体膜を配線導体に電
気的に接続させることによって電気回路に抵抗器が実装
される。
【０００４】尚、前記一対の電極は銀粉末や銀ーパラジ
ウム粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金
属ペーストを絶縁基体の上面、側面及び底面に従来周知
のスクリーン印刷法を採用することによって所定パター
ン、所定厚みに印刷塗布し、しかる後、これを850 ℃の
温度で焼き付けることによって絶縁基体の上面から側面
を介し底面にかけて被着される。
ウム粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金
属ペーストを絶縁基体の上面、側面及び底面に従来周知
のスクリーン印刷法を採用することによって所定パター
ン、所定厚みに印刷塗布し、しかる後、これを850 ℃の
温度で焼き付けることによって絶縁基体の上面から側面
を介し底面にかけて被着される。
【０００５】また抵抗体膜も一対の電極と同様、酸化ル
テニウム(RuO 2 )粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得た抵抗体ペーストを絶縁基体の上面に従来周知
のスクリーン印刷法を採用することによって所定パター
ン、所定厚みに印刷塗布し、しかる後、これを850 ℃の
温度で焼き付けることによって絶縁基体の上面で一対の
電極間に被着形成される。
テニウム(RuO 2 )粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得た抵抗体ペーストを絶縁基体の上面に従来周知
のスクリーン印刷法を採用することによって所定パター
ン、所定厚みに印刷塗布し、しかる後、これを850 ℃の
温度で焼き付けることによって絶縁基体の上面で一対の
電極間に被着形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のチップ抵抗器に使用されている酸化ルテニウムは耐
電力が低い材料であるため近時の各種電子部品を小型と
し電気回路基板への実装密度を上げる動きに対応して全
体形状を小型とするために抵抗体膜の面積を狭くした場
合、チップ抵抗器の許容電力が0.125 ワット以下に大き
く低減し、その結果、大きな電力が印加される電気回路
には実装ができないという欠点を有していた。
来のチップ抵抗器に使用されている酸化ルテニウムは耐
電力が低い材料であるため近時の各種電子部品を小型と
し電気回路基板への実装密度を上げる動きに対応して全
体形状を小型とするために抵抗体膜の面積を狭くした場
合、チップ抵抗器の許容電力が0.125 ワット以下に大き
く低減し、その結果、大きな電力が印加される電気回路
には実装ができないという欠点を有していた。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は大きな電力が印加される電気回路に実装
が可能な許容電力が大きな小型のチップ抵抗器を提供す
ることにある。
で、その目的は大きな電力が印加される電気回路に実装
が可能な許容電力が大きな小型のチップ抵抗器を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基体の上面
から側面を介し底面にかけて導出する一対の電極と、前
記絶縁基体の上面で一対の電極間に被着された抵抗体膜
とから成るチップ抵抗器であって、前記抵抗体膜がタン
グステンレニウムで形成されていることを特徴とするも
のである。
から側面を介し底面にかけて導出する一対の電極と、前
記絶縁基体の上面で一対の電極間に被着された抵抗体膜
とから成るチップ抵抗器であって、前記抵抗体膜がタン
グステンレニウムで形成されていることを特徴とするも
のである。
【０００９】
【作用】本発明のチップ抵抗器は抵抗体膜を耐電力が高
いタングステンレニウムで形成したことからチップ抵抗
器の全体形状を小型とし、抵抗体膜の面積が狭くなった
としても許容電力を0.5 ワット以上の大きな値となすこ
とができ、その結果、大きな電力が印加される電気回路
にも実装が可能となる。
いタングステンレニウムで形成したことからチップ抵抗
器の全体形状を小型とし、抵抗体膜の面積が狭くなった
としても許容電力を0.5 ワット以上の大きな値となすこ
とができ、その結果、大きな電力が印加される電気回路
にも実装が可能となる。
【００１０】
【実施例】次ぎに本発明を添付図面に基づき詳細に説明
する。図１は本発明のチップ抵抗器の一実施例を示し、
１は絶縁基体、２は抵抗体膜、３ａ、３ｂは一対の電極
である。
する。図１は本発明のチップ抵抗器の一実施例を示し、
１は絶縁基体、２は抵抗体膜、３ａ、３ｂは一対の電極
である。
【００１１】前記絶縁基体１はその上面に抵抗体膜２が
被着形成されており、絶縁基体１は抵抗体膜２を支持す
る支持部材として作用する。
被着形成されており、絶縁基体１は抵抗体膜２を支持す
る支持部材として作用する。
【００１２】前記絶縁基体１は酸化アルミニウム質焼結
体等の電気絶縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム
質焼結体から成る場合にはアルミナ（Al2 O 3 ) 、シリ
カ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア(MgO) 等に適
当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすととも
にこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロ
ール法によりシート状に成形することによってセラミッ
クグリーンシート( セラミック生シート) を得、しかる
後、前記セラミックグリーンシートを打ち抜き加工法に
より所定形状となすとともに高温( 約1600℃) で焼成す
ることによって製作される。
体等の電気絶縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム
質焼結体から成る場合にはアルミナ（Al2 O 3 ) 、シリ
カ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア(MgO) 等に適
当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすととも
にこれを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロ
ール法によりシート状に成形することによってセラミッ
クグリーンシート( セラミック生シート) を得、しかる
後、前記セラミックグリーンシートを打ち抜き加工法に
より所定形状となすとともに高温( 約1600℃) で焼成す
ることによって製作される。
【００１３】また前記絶縁基体１の上面に被着されてい
る抵抗体膜２はタングステンレニウムで形成されてお
り、該タングステンレニウムは耐電力が高いことから抵
抗体膜２の面積が狭くなったとしてもその許容電力を0.
5 ワット以上の高い値となすことができ、その結果、大
きな電力が印加される電気回路にも実装が可能となる。
る抵抗体膜２はタングステンレニウムで形成されてお
り、該タングステンレニウムは耐電力が高いことから抵
抗体膜２の面積が狭くなったとしてもその許容電力を0.
5 ワット以上の高い値となすことができ、その結果、大
きな電力が印加される電気回路にも実装が可能となる。
【００１４】前記タングステンレニウムから成る抵抗体
膜２はタングステンレニウムの粉末に適当な有機溶剤、
溶媒を添加混合して得た抵抗体ペーストを絶縁基体１と
なるセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリ
ーン印刷法により所定厚み(例えば、2.0 μm)に印刷塗
布しておき、セラミックグリーンシートを1600℃の温度
で焼成し絶縁基体1 となす際に同時に絶縁基体1 の上面
に被着形成される。
膜２はタングステンレニウムの粉末に適当な有機溶剤、
溶媒を添加混合して得た抵抗体ペーストを絶縁基体１と
なるセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリ
ーン印刷法により所定厚み(例えば、2.0 μm)に印刷塗
布しておき、セラミックグリーンシートを1600℃の温度
で焼成し絶縁基体1 となす際に同時に絶縁基体1 の上面
に被着形成される。
【００１５】尚、前記タングステンレニウムから成る抵
抗体膜２はレニウムの量が４０重量％未満であると抵抗
体膜２の温度抵抗係数が高くなって環境温度変化により
電気抵抗値にバラツキが発生し易くなる。従って、前記
タングステンレニウムから成る抵抗体膜２はレニウムの
量を４０重量％以上としておくことが好ましい。
抗体膜２はレニウムの量が４０重量％未満であると抵抗
体膜２の温度抵抗係数が高くなって環境温度変化により
電気抵抗値にバラツキが発生し易くなる。従って、前記
タングステンレニウムから成る抵抗体膜２はレニウムの
量を４０重量％以上としておくことが好ましい。
【００１６】また前記抵抗体膜２はその内部に酸化アル
ミニウムもしくは絶縁基体１と同質の材料を添加してお
くと絶縁基体１に抵抗体膜２を被着形成する際、抵抗体
膜２を絶縁基体１上に強固に被着させることができる。
従って、前記抵抗体膜２はその内部に酸化アルミニウム
もしくは絶縁基体１と同質の材料を添加しておくことが
好ましい。
ミニウムもしくは絶縁基体１と同質の材料を添加してお
くと絶縁基体１に抵抗体膜２を被着形成する際、抵抗体
膜２を絶縁基体１上に強固に被着させることができる。
従って、前記抵抗体膜２はその内部に酸化アルミニウム
もしくは絶縁基体１と同質の材料を添加しておくことが
好ましい。
【００１７】更に前記抵抗体膜２に酸化アルミニウムも
しくは絶縁基体１と同質の材料を添加する場合、添加す
る酸化アルミニウム等の量が５０重量％を越えると抵抗
体膜２の導電性が失われてチップ抵抗器としての機能を
失う危険性があり、また５重量％未満では抵抗体膜２を
絶縁基体１上に強固に被着させる効果が少なくなる。
しくは絶縁基体１と同質の材料を添加する場合、添加す
る酸化アルミニウム等の量が５０重量％を越えると抵抗
体膜２の導電性が失われてチップ抵抗器としての機能を
失う危険性があり、また５重量％未満では抵抗体膜２を
絶縁基体１上に強固に被着させる効果が少なくなる。
【００１８】従って、抵抗体膜２に酸化アルミニウムも
しくは絶縁基体１と同質の材料を添加する場合、添加す
る酸化アルミニウム等の量は５乃至５０重量％の範囲と
しておくことが好ましい。
しくは絶縁基体１と同質の材料を添加する場合、添加す
る酸化アルミニウム等の量は５乃至５０重量％の範囲と
しておくことが好ましい。
【００１９】前記絶縁基体１はまた上面に被着された抵
抗体膜２の両端から側面を介し底面にかけて導出する一
対の電極３ａ、３ｂが被着形成されており、該一対の電
極３ａ、３ｂは抵抗体膜２を外部電気回路に電気的に接
続する作用を為し、一対の電極３ａ、３ｂは外部電気回
路基板の配線導体に半田等のロウ材を介して接合され
る。
抗体膜２の両端から側面を介し底面にかけて導出する一
対の電極３ａ、３ｂが被着形成されており、該一対の電
極３ａ、３ｂは抵抗体膜２を外部電気回路に電気的に接
続する作用を為し、一対の電極３ａ、３ｂは外部電気回
路基板の配線導体に半田等のロウ材を介して接合され
る。
【００２０】前記一対の電極３ａ、３ｂはタングステ
ン、タングステンーモリブデン等から成り、タングステ
ン等の粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た
金属ペーストを絶縁基体1 となるセラミックグリーンシ
ートの上面、側面及び底面に予め従来周知のスクリーン
印刷法等を採用することによって所定パターンに印刷塗
布しておき、セラミックグリーンシートを1600℃の温度
で焼成し絶縁基体1 となす際に同時に絶縁基体1 の上面
から側面を介し底面にかけて被着形成される。
ン、タングステンーモリブデン等から成り、タングステ
ン等の粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た
金属ペーストを絶縁基体1 となるセラミックグリーンシ
ートの上面、側面及び底面に予め従来周知のスクリーン
印刷法等を採用することによって所定パターンに印刷塗
布しておき、セラミックグリーンシートを1600℃の温度
で焼成し絶縁基体1 となす際に同時に絶縁基体1 の上面
から側面を介し底面にかけて被着形成される。
【００２１】尚、前記タングステン、タングステンーモ
リブデン等から成る一対の電極３ａ、３ｂはその表面に
ニッケル、錫、銀等のロウ材に対して濡れ性の良い金属
が被着されており、該ニッケル、錫、銀等の金属によっ
て一対の電極３ａ、３ｂを外部電気回路基板の配線導体
に半田等のロウ材を介して接合させる際、その接合が極
めて強固になるようになっている。
リブデン等から成る一対の電極３ａ、３ｂはその表面に
ニッケル、錫、銀等のロウ材に対して濡れ性の良い金属
が被着されており、該ニッケル、錫、銀等の金属によっ
て一対の電極３ａ、３ｂを外部電気回路基板の配線導体
に半田等のロウ材を介して接合させる際、その接合が極
めて強固になるようになっている。
【００２２】また前記ニッケル、錫、銀等の金属は従来
周知の電解メッキ法や無電解メッキ法等を採用すること
によってタングステン、タングステンーモリブデン等か
ら成る一対の電極３ａ、３ｂの表面に1.0 乃至20.0μm
の厚みに層着される。
周知の電解メッキ法や無電解メッキ法等を採用すること
によってタングステン、タングステンーモリブデン等か
ら成る一対の電極３ａ、３ｂの表面に1.0 乃至20.0μm
の厚みに層着される。
【００２３】かくして本発明のチップ抵抗器によれば、
絶縁基体１の底面に導出させた一対の電極３ａ、３ｂを
電気回路基板の所定配線導体に半田等のロウ材を介して
接続させ、抵抗体膜２を配線導体に電気的に接続させる
ことによって電気回路に実装される。
絶縁基体１の底面に導出させた一対の電極３ａ、３ｂを
電気回路基板の所定配線導体に半田等のロウ材を介して
接続させ、抵抗体膜２を配線導体に電気的に接続させる
ことによって電気回路に実装される。
【００２４】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば抵抗体膜２を図2 に示す
如く絶縁基体1 と同質の酸化アルミニウム等のセラミッ
クスやガラス、エポキシ樹脂等から成るオーバーコート
材4 で被覆しておけば抵抗体膜2 に大気中に含まれる水
分等が接触し、抵抗体膜２に腐食が発生して抵抗体膜２
の電気抵抗値にバラツキが発生するのを有効に防止する
ことができる。従って、前記抵抗体膜2 はその表面をガ
ラスやエポキシ樹脂等から成るオーバーコート材4 で被
覆しておくことが好ましい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば抵抗体膜２を図2 に示す
如く絶縁基体1 と同質の酸化アルミニウム等のセラミッ
クスやガラス、エポキシ樹脂等から成るオーバーコート
材4 で被覆しておけば抵抗体膜2 に大気中に含まれる水
分等が接触し、抵抗体膜２に腐食が発生して抵抗体膜２
の電気抵抗値にバラツキが発生するのを有効に防止する
ことができる。従って、前記抵抗体膜2 はその表面をガ
ラスやエポキシ樹脂等から成るオーバーコート材4 で被
覆しておくことが好ましい。
【００２５】また抵抗体膜2 の表面をオーバーコート材
4 で被覆しておけば一対の電極３ａ、３ｂの表面にニッ
ケル、錫、銀等の金属を電解メッキ法や無電解メッキ法
等により被着させる際、ニッケル、錫、銀等の金属を抵
抗体膜2 の表面に被着させることなく一対の電極３ａ、
３ｂの表面に選択的に被着させることもできる。
4 で被覆しておけば一対の電極３ａ、３ｂの表面にニッ
ケル、錫、銀等の金属を電解メッキ法や無電解メッキ法
等により被着させる際、ニッケル、錫、銀等の金属を抵
抗体膜2 の表面に被着させることなく一対の電極３ａ、
３ｂの表面に選択的に被着させることもできる。
【００２６】更にオーバーコート材4 を絶縁基体1 と同
質のセラミックス材で形成しておけば、絶縁基体1 と成
るセラミックグリーンシートに、抵抗体膜2 と成る抵抗
体ペーストと一対の電極３ａ、３ｂとなる金属ペースト
とオーバーコート材4 となるセラミックスペーストと順
次印刷塗布し、しかる後、これを1600℃の高温で焼成す
れば絶縁基体1 に抵抗体膜2 、一対の電極３ａ、３ｂ及
びオーバーコート材4を同時に形成することができるた
めオーバーコート材4 は絶縁基体1 と同質の材料で形成
しておくことが好ましい。
質のセラミックス材で形成しておけば、絶縁基体1 と成
るセラミックグリーンシートに、抵抗体膜2 と成る抵抗
体ペーストと一対の電極３ａ、３ｂとなる金属ペースト
とオーバーコート材4 となるセラミックスペーストと順
次印刷塗布し、しかる後、これを1600℃の高温で焼成す
れば絶縁基体1 に抵抗体膜2 、一対の電極３ａ、３ｂ及
びオーバーコート材4を同時に形成することができるた
めオーバーコート材4 は絶縁基体1 と同質の材料で形成
しておくことが好ましい。
【００２７】
【発明の効果】本発明のチップ抵抗器によれば抵抗体膜
を耐電力が高いタングステンレニウムで形成したことか
らチップ抵抗器の全体形状を小型とし、抵抗体膜の面積
が狭くなったとしても許容電力を0.5 ワット以上の大き
な値となすことができ、その結果、大きな電力が印加さ
れる電気回路にも実装が可能となる。
を耐電力が高いタングステンレニウムで形成したことか
らチップ抵抗器の全体形状を小型とし、抵抗体膜の面積
が狭くなったとしても許容電力を0.5 ワット以上の大き
な値となすことができ、その結果、大きな電力が印加さ
れる電気回路にも実装が可能となる。
【図１】本発明のチップ抵抗器の一実施例を示す斜視図
である。
である。
【図２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
１・・・・・・・絶縁基体 ２・・・・・・・抵抗体膜 ３ａ、３ｂ・・・電極
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基体の上面から側面を介し底面にかけ
て導出する一対の電極と、前記絶縁基体の上面で一対の
電極間に被着された抵抗体膜とから成るチップ抵抗器で
あって、前記抵抗体膜は、レニウムが４０重量％以上
で、かつ許容電力が０．５ワット以上であるタングステ
ンレニウムで形成されていることを特徴とするチップ抵
抗器。 - 【請求項２】前記抵抗体膜はさらに酸化アルミニウムも
しくは絶縁基体と同質の組成物が、タングステンレニウ
ムを１００重量％としたとき５〜５０重量％含有されて
いることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342988A JP2975491B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342988A JP2975491B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | チップ抵抗器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196302A JPH06196302A (ja) | 1994-07-15 |
| JP2975491B2 true JP2975491B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=18358071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4342988A Expired - Fee Related JP2975491B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | チップ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2975491B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6112202U (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-24 | 関西日本電気株式会社 | 電子部品の電極 |
| JP2678512B2 (ja) * | 1989-12-26 | 1997-11-17 | 京セラ株式会社 | メタライズ用組成物 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP4342988A patent/JP2975491B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06196302A (ja) | 1994-07-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070903 Year of fee payment: 8 |
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