JPH03268301A - トリミング用多重抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、各種電子機器に使用されているトリミング用
抵抗器の改良に関するものである。

（従来の技術） 第３図は従来のトリミング用抵抗器の一例であり、ここ
ではトリミング用厚膜式チップ型抵抗器の構成を示して
いる。第３図において、（Ａ）は上面図、（Ｂ）はａ−
ａ’断面図を示しており、２１は絶縁基板、２２．２３
は外部電極、２４は厚膜抵抗体。

２５は保護膜、２６は厚膜抵抗体２４の切断部分である
。

一般に、絶縁基板２１にはアルミナ基板が用いられ、パ
ラジウム−銀系材料より成る外部電極２２．２３が２箇
所に形成されており、これに接続するように酸化ルテニ
ウム系材料より成る厚膜抵抗体２４が１個数けられ、さ
らに低融点ガラス等より成る保護膜２５によって表面が
被覆されている。特に図示しないが、別に用意された配
線基板上の半田づけランドに外部電極２２．２３を半田
づけ接続して回路を構成し、レーザー、サンドブラスト
等の一般的な方法によって厚膜抵抗体２４をその辺から
逐次切断して切断部分２６の切断長を調節することによ
って外部電極２２．２３間の抵抗値を調節する。

このように従来のトリミング用抵抗器においても抵抗値
のトリミング調整を行うことができる。

（発明が解決しようとする課題） 上記従来のトリミング用抵抗器においては次のような問
題があった。

第３図に示したようないわゆるシングルカット法と呼ば
れる切断形状においては、切断にともなう外部電極２２
．２３間の抵抗値変化は一般に第４図に示すような傾向
を示し、抵抗値変化率は実用上２倍程度が限界であり、
大幅な抵抗値変化を必要とする場合、特に機能トリミン
グに適用した場合に不満足な場合が多かった。抵抗値変
化率を拡大する方法として、第５図に示したいわゆるサ
ーペンタインカット法や、第６図に示したいわゆるトッ
プハツト形状に厚膜抵抗体を形成してシングルカットに
切断する方法が考えられるが、これとても実用的な抵抗
器の寸法、形状においては１００倍程が限界であり、こ
れ以上抵抗値変化率を拡大しようとすると抵抗器の寸法
が著しく大きくなってしまう、また、第５図に示したサ
ーペンタインカット法においては、切断作業に高い位置
精度と長時間を必要とする上に、抵抗値の経時変化や電
流雑音が増大するという問題があった。

本発明はこのような従来の問題を解決するものであり、
切断作業が簡単で作業能率もよく、切断後の経時変化や
電流雑音の少ないシングルカット法による切断ですみ、
さらに抵抗器の寸法を大型化することなく、１０倍以上
の抵抗値変化率の得られるトリミング用抵抗器を提供す
ることを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明のトリミング用多重抵抗器は、絶縁基板上に複数
個の面抵抗の異なる方形状の膜状抵抗体を面抵抗の順に
その辺が一部分相互に重なり合うように設け、これら複
数個の膜状抵抗体の重ねなかった直角方向の辺すべてに
接続させた外部電極を２個形成し、この外部電極を抵抗
端子とするトリミング用多重抵抗器を用意し、そして２
個の外部電極間の面抵抗の最も小さい側の膜状抵抗体の
辺から逐次膜状抵抗体を切断するようにしたものである
。

（作　用） 本発明は、上記のような構成により、複数個の膜状抵抗
体はすべて外部電極によって並列接続されているので、
切断前の初期抵抗値は主として最も面抵抗の小さい膜状
抵抗体の抵抗値によって律せられるところの最も小さい
抵抗値を示す。そして、この最も面抵抗の小さい膜状抵
抗体から、より面抵抗の大きい膜状抵抗体に向かって順
次切断が進むと、切断による膜状抵抗体の形状効果の他
に、切断につれて段階的により面抵抗の大きい膜状抵抗
体の抵抗値を律するようになるので、単一の面抵抗をも
つ膜状抵抗体を切断する場合よりも外部電極間の抵抗値
が著しく増大することとなる。

さらに面抵抗の異なる膜状抵抗体を相互に一部分重ねで
あるので１段階状の抵抗値増加は滑らかになされ、抵抗
値の調節に不具合をもたらすことはない、加えて１本抵
抗器は従来のトリミング用抵抗器と同程度の大きさで構
成することができるとともに、切断も簡単で特性のすぐ
れたシングルカット法が適用できる。

（実施例） 第１図は本発明の一実施例におけるトリミング用多重抵
抗器であり、厚膜方式によるチップ型の構成を示してい
る。同図において、（Ａ）は上面図、（Ｂ）はｂ−ｂ’
断面図、（Ｃ）はＱ−Ｑ’断面図である。１は主として
アルミナ等より成る絶縁基板。

２．３．４は酸化ルテニウム系材料より成る厚膜抵抗体
であり、面抵抗がそれぞれ１：１０：１００の比率のも
の３個を相互に一部分重ねて形成している。５は厚膜抵
抗体２，３．４の切断部分であり、レーザー、サンドブ
ラスト等の一般的な方法によってシングルカット形状に
切断する。６，７はパラジウム−銀系材料より成る外部
電極であり厚膜抵抗体２，３．４のすべてに接続されて
おり、特に図示しないが、別に用意された配線基板上の
半田づけランドに半田づけ接続されて所定の回路を構成
する。第３図において示した保護膜２５は第１図におい
ては省略したが、必要に応じて施されるものとする。

本実施例における切断にともなう外部電極６゜７間の抵
抗値変化特性を第２図に示す、切断前の初期抵抗値は主
として最も面抵抗の小さい厚膜抵抗体２によって律せら
れる抵抗値を示し、厚膜抵抗体２の右側の辺から切断を
進めると、まず一般的な切断の傾向に従って抵抗値が増
加するが、厚膜抵抗体の重なり部分を切断すると１次の
より面抵抗の高い厚膜抵抗体３が主として全体の抵抗値
を律する領域に入る。この際の移り変りは厚膜抵抗体２
と３が相互に重なり合っているので滑らがであり、この
部分で切断を停止しても抵抗値は安定している。上記と
同様の動作をさらにもう１ステツプ進めることによって
本実施例に示した構成においては最大１００倍の抵抗値
変化率を得ることが容易である。

本実施例に示した以外に、厚膜抵抗体の寸法および、そ
の重なり部分の中、厚膜抵抗体の数とその面抵抗比率の
組み合せ等の変更によって、抵抗値変化特性や、最大の
抵抗値変化率は種々変化するものである。また絶縁基板
のコーナ一部に切断開始側表示用の切り欠きを設けるこ
とにより、さらに便利になる。

なお、上記実施例においては、厚膜方式によるチップ型
のトリミング用多重抵抗器について示したが、薄膜方式
やポリマ一方式、樹脂基板等によって構成されたもので
あっても全く同様の効果が得られ、さらにチップ型以外
の、たとえば、リードつき型等においても同様の効果が
得られるものである。

（発明の効果） 本発明によれば、面抵抗の異なる複数の膜状抵抗体を面
抵抗の順に相互に重なり合うように配列し、面抵抗の最
も小さい厚膜抵抗体から切断するようにしたので、切断
作業が簡単で、切断後の特性のすぐれたシングルカット
法による切断で１０倍以上の大幅な抵抗値変化率が得ら
れ、切断にともなう抵抗値変化も滑らかで、特に機能ト
リミングに適用した場合に有効であり、しかも抵抗器は
従来のトリミング用抵抗器と同程度の寸法で構成するこ
とができ、機器の小型化、ＩＪＫ価引き下げに有効であ
り、その実用上の効果は極めて大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるトリミング用多重抵
抗器の構成図、第２図は同抵抗値変化特性を示す図、第
３図は従来のトリミング用抵抗器の構成図、第４図は同
抵抗値の変化特性を示す図、第５図はサーペンタインカ
ット法の一例を示す図。 第６図はトップハツト法の一例を示す図である。 １・・・絶縁基板、　　２，３，４・・・厚膜抵抗体、
　５・・・厚膜抵抗体の切断部分、　６゜７・・外部電
極。 第１図 （Ａ） （Ｃ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁基板を基台となし、上記基台の一主面に複数個の面
   抵抗の異なる膜状抵抗体を部分的に相互に重なるように
   設け、上記複数個の膜状抵抗体のすべてに接続した外部
   電極を２個形成し、上記膜状抵抗体を部分的に切断する
   ことによって、上記外部電極間の抵抗値を変化させるよ
   うにしたことを特徴とするトリミング用多重抵抗器。