JPS6074501A - 厚膜抵抗体 - Google Patents

厚膜抵抗体

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JPS6074501A
JPS6074501A JP58180682A JP18068283A JPS6074501A JP S6074501 A JPS6074501 A JP S6074501A JP 58180682 A JP58180682 A JP 58180682A JP 18068283 A JP18068283 A JP 18068283A JP S6074501 A JPS6074501 A JP S6074501A
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JP
Japan
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trimming
conductor
resistor
thick film
gap
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JP58180682A
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日比 進
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、トリミング範囲を広くした厚膜抵抗体に関す
る。
〔発明の背景〕
厚膜ハイブリッドICは、電子機器の小型化、高集積化
の要求に対し適合した電子回路実装技術である。
この厚膜ハイブリッドICは、アルミナ(AtzOs)
焼結基板の上に、導体ペースト、抵抗ペースト。
2頁 絶縁体ペーストをスクリーン印刷技術により印刷して、
導体m”ターン、抵抗体部パターン、コンデンサパター
ンの回路を形成し、更にこれを焼成することにより、前
記アルミナ基板に密着せしめ、この基板上に、半導体部
品、コンデンサ部品、インダクタンス部品などを半田接
続などにより、実装したものである。
先づ厚膜ハイブリッドICに使用される抵抗体について
説明する。
ここで言う厚膜とは、導体、抵抗体とガラス及びビヒク
ルの混合物から成るペーストによってパターンを形成し
、これを焼結させたものをいう。
第1図において、l及び2は導体ノ4ターンであり例え
ば銀パラジウム(Ag−Pd) とガラスの焼結体で形
成されている。3は抵抗パターンであり、例えば酸化ル
チニウム(Ru02)とガラスの焼結体で形成されてい
る。
この抵抗体3の寸法を長さL幅Wとして表わすと、この
ときの導体lと2の間の抵抗値Rは、次の式で表わされ
る。
3 百 R= Rs− 式中のRsは、シート抵抗値である。このRa値は、膜
の厚さf焼結の状態などで変化し、厚膜焼成後のRB値
のばらつきは大きい。
そこで、第2図に示すように、抵抗体3を切断溝4によ
って切断することにまり5、所望の抵抗値を得るように
している。これをトリミングと称する。トリミングする
切断溝4は、第2図に示すようなL字の他に、直線だけ
のもの、2本の直線を運行させるものなど、いろいろな
形状のものがある。
父、このトリミングの切断溝4を加工する手段としては
、レーデトリミング、サンドブラストトリミングなどが
ある。
トリミングの寸法を第2図に示す如くにw、tl。
t2 tZ3 とするとき、トリミング後の抵抗値Rt
は次式で表わされる。
式中のkI+に2は、形状効果パラメータである。
図中寸法t1及びWは、印刷精度−? トリミング精度
等により、ある限界寸法より小さくできないので、Rt
の可能な範囲はおのずと限界があり、特に寸法り、Wの
小さな高密度抵抗においては、トリミング調整可能な範
囲は狭くなり、これにばらつきの大きなシート抵抗値R
sが加わると、回路設計時における抵抗設定範囲が更に
小さくなるという技術的な問題がある。
例えば、実際の数値を当てはめて計算すると次の通りで
ある。
ここでL=2W、t、≧0.3W 、 t3 =O、w
≧0.3W。
kl=1.1とするとき、Rtの最大値は、次の通りで
ある。
ると2×R8となる。
従って抵抗値の設定可能範囲は、2×6から5 −E7 である。今Rsの変動(ばらつき)を±30%と仮定す
ると、Rtの最大値(0,6X0.7XRs)とRtの
最小値(2X1.3Rs)の比は、1.6であり、非常
に小さな値となる。
これを補うために要求抵抗値に対して、寸法りを変えた
り、ペースト材料を変えて、Ra値をいろいろと変化さ
せているのが実装である。
そのため、寸法りを大きくすることによって実装寸法を
大きくせざるを得なく、高密度化への大きな障壁となり
、又Ra値を変えるためペースト材料の種類が高密度化
と共に増々多くなり、生産性を大幅に低下させるという
問題がある。
〔発明の目的〕
本発明は、抵抗体の寸法を大きくすることなく、又ペー
スト材料を変えることなく、トリミング可能範囲を広く
した抵抗体を提供せんとするものである。
〔発明の概要〕
即ち本発明は、従来の相対向して設けた導体とは別々に
もう一つの導体を設け、この導体と相対6 (r 向して設けた導体の一方との間の間隙によって抵抗体の
抵抗値を最少にし、この最小抵抗値を有する抵抗体にト
リミングを行い最大抵抗値まで調整可能にしたものであ
って、厚膜抵抗体を挾むように相対向して二つの導体を
設け、この導体の一方に接続し他方の導体との間に一定
間隙を有する工うに相対向する導体の間にトリミング用
導体を設け、このトリミング用導体と、上記相対向して
設けた導体との間の間隙部より切込みを開始したトリミ
ング切断溝により、トリミングしたことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例について詳細に説明する。
第3図において、1及び2は、抵抗体3を挾むように設
けた導体である。この相対向して設けた導体1.2の一
方に接続(本実施例では導体2)し、他方の導体1とは
一定間隙dを有するように、導体1.2間にトリミング
用導体5が設けられている。4はトリミング用切断溝で
あり、上記間隙dから切り込まれ、トリミング用導体5
に沿ってL7 fi 字状に切断されている。
以上のように構成した本実施例の作用について説明する
。トリミングが行なわれない状態の抵抗体3の抵抗値は
、間隙dによって決る。即ち間隙dが小感い程抵抗体3
の抵抗値が小さくなり、この間隙dによって、抵抗体3
の最小抵抗値が決る。
従ってトリミング切断溝4が切れる最小間隙にする。こ
の間隙dから切断を開始し、トリミング用導体5に沿っ
て5字状にトリミング切断溝4を切ることにより、トリ
ミング用導体5の影響が薄められ、抵抗体3の抵抗値が
大きくなる。
このように間隙dによる抵抗体3の最小抵抗値からトリ
ミング切断溝4によって切り進められる最大抵抗値まで
、広い範囲のトリミングが可能となる。
第2図を用いて試算したのと同一寸法諸元をもとにトリ
ミング範囲をめると次の通りである。
抵抗体の寸法として、L = 2W 、 L1=0.3
W 、 ts=01w≧0.3W 、 kl=1.1と
するとRtの最大値は6.0XRsである。一方トリミ
ング前の最小抵抗値は、間隙dによって決る。ここでd
=0.4W、形状パラメータに3を1.2と仮定すると
、トリミング前の抵抗値Roは次の通りである。
従って抵抗設定範囲は、0.48Rs〜6.ORs で
あり、Rsの変動値を±30%とすると、最大値6.O
Xo、7Rsの最小値0.48X1.3Rsに対する比
は、6.7となり、トリミング範囲は、第2図でめたも
のに比べ約4倍となる。
なお、抵抗・9ターンについて、本実施例は、長方形に
ついて説明したがこれに限定されるものではない。当然
正方形、多角形2円弧を含む形状などでも同様の作用を
有する。
〔発明の効果〕
以上詳述した通り、本発明によれば、抵抗体を挾むよう
に相対向して導体を設け、この導体の一方に接続すると
共に他方の導体との間に間隙dを有するようにトリミン
グ用導体を設けたので、抵抗体の最小抵抗値を間隙dに
よって調整し、可能9頁 な限り、その抵抗値を最小にすることができた。
父上記間隙dから切込みを開始し、トリミング切断溝を
切り込むことにより、抵抗体の抵抗値を大きくすること
ができ、トリミング可能な抵抗値範囲を大幅に広げるこ
とができた。
その結果、シート抵抗値Rsの種類を減することができ
、又抵抗体の寸法を小さくすることができ、高密度なパ
ターンの設定が可能となると共に生産性をも向上する等
優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、抵抗ノリーンの概要を示す縦断面図である。 第2図は従来の抵抗・ぐターンの縦断面図である。第3
図は本発明の一実施例の縦断面図である。 1.2・・・導体、2・・・厚膜抵抗体、4・・・トリ
ミング切溝、5・・・トリミング用導体。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 厚膜抵抗体を挾むように相対向して設けた導体と、該相
    対向して設けた導体の一方に接続し他方の導体との間に
    一定間隙を有するように相対向する導体間に設けたトリ
    ミング用導体と、該トリミング用導体と上記相対向して
    設けた導体との間の間隙部より切込みを開始したトリミ
    ング切断溝とから成る厚膜抵抗体。
JP58180682A 1983-09-30 1983-09-30 厚膜抵抗体 Granted JPS6074501A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58180682A JPS6074501A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 厚膜抵抗体

Applications Claiming Priority (1)

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JP58180682A JPS6074501A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 厚膜抵抗体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6074501A true JPS6074501A (ja) 1985-04-26
JPH0219601B2 JPH0219601B2 (ja) 1990-05-02

Family

ID=16087457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58180682A Granted JPS6074501A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 厚膜抵抗体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6074501A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6071102U (ja) * 1983-10-20 1985-05-20 三洋電機株式会社 厚膜抵抗体
JPS62139302A (ja) * 1985-12-13 1987-06-23 株式会社日立製作所 厚膜抵抗体
KR20220080870A (ko) * 2020-12-08 2022-06-15 김상진 가열식 가습기 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133503A (en) * 1979-04-04 1980-10-17 Hitachi Ltd Thick film resistor

Patent Citations (1)

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KR20220080870A (ko) * 2020-12-08 2022-06-15 김상진 가열식 가습기 장치

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Publication number Publication date
JPH0219601B2 (ja) 1990-05-02

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