JPS62139302A - 厚膜抵抗体 - Google Patents

厚膜抵抗体

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JPS62139302A
JPS62139302A JP60279182A JP27918285A JPS62139302A JP S62139302 A JPS62139302 A JP S62139302A JP 60279182 A JP60279182 A JP 60279182A JP 27918285 A JP27918285 A JP 27918285A JP S62139302 A JPS62139302 A JP S62139302A
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JP
Japan
Prior art keywords
resistor
thick film
conductor
resistance value
film resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP60279182A
Other languages
English (en)
Inventor
高橋 行人
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、トリミング範囲を広くした厚膜抵抗体に関す
る。
〔発明の背景〕
厚膜ハイブリットICは、電子機器の小型化、高集積化
の要求に対し適合した電子回路実装技術である。
この厚膜ハイブリットICは、アルミナ(AQ203)
焼結基板の上に、導体ペースト、抵抗ペースト、絶縁体
ペーストをスクリーン印刷技術により印刷して、導体部
パターン、抵抗体部パターン、コンデンサパターンの回
路を形成し、更にこれを焼成することにより、前記アル
ミナ基板に密着せしめ、この基板上に、半導体部品、コ
ンデンサ部品、インダクタンス部品などを半田接続など
により、実装したものである。
先ず厚膜ハイブリットICに使用される抵抗体について
説明する。
ここで言う厚膜とは、導体、抵抗体とガラス及びビヒク
ルの混合物からなるペーストによってパターンを形成し
、これを焼結させたものをいう。
第2図において、1及び2は導体パターンであり例えば
銀パラジウム(Ag−Pd)とガラスの焼結体で形成さ
れている。3は抵抗パターンであり。
例えば酸化ルテニウム(Ru O2)とガラスの焼結体
で形成されている。
この抵抗体3の寸法を長さし幅Wとして表わすと、この
ときの導体1と2の間の抵抗値Rは1次の式で表わされ
る。
この抵抗体3の寸法を長さり2幅Wとして表わすと、こ
のときの2個の導体1と2の間の抵抗値Rは、次の式で
表わされる。
R=Rs− 上記式中のRsはシート抵抗値である。このシート抵抗
値Rsの値は、膜の厚さおよび焼結の状態などにより変
化するため、厚膜焼成後のシート抵抗値Rsはばらつき
が大きい。
そこで、これを減少するため、たとえば1983年工業
調査会発行日本マイクロエレクトロ協会編[厚膜IC化
技術第222頁乃至第224頁に紹介され。
その一部を第3図を示すように、抵抗体3に切断溝4を
形成することによって所望の抵抗値を得るようにしたも
のが使用されている。
上記の切断溝4はいわゆるトリミングと云われているも
ので、トリミングする切断溝4は、第3図に示すような
L字形状の他に直線状のもの、2本の直線を平行に配置
したものなど種々の形状のものがある。
また、上記1〜リミングの切断溝4を加工する手段とし
ては、レーザトリミング、サンドブラストトリミングな
どが使用されている。
今、第3図に示す如く、切断溝4の一端部と一方の導体
1との距離をQI+切断溝4の長さをQ2+切断溝4の
他端部と他方の導体2との距離をQ3r切断溝4の深さ
と抵抗体3の幅方向他端面との間隔をWとすると、トリ
ミング後の抵抗体3の抵抗値Rtは次式で表わされる。
−Rt=Rs (工に+ +Qs、 + !1Kz)息 W    W  W なお、上記式中にKl + KZは形状効果パラメータ
である。また図中のQl、 wは印刷精度およびトリミ
ング精度などにより、ある限界寸法より小さくでないの
で、トリミング後の抵抗体3の抵抗値Rtの可能な範囲
はおのずと限界があり、特に抵抗体3の長さLと幅Wの
小さな高密度抵抗においては、トリミング調整可能な範
囲は狭くなり、これにばらつきの多いシート抵抗値Rs
が加わると1回路設計時における抵抗設定範囲が更に小
さくなるという技術的な問題がある。
たとえば、実際の数値を当てはめて計算すると。
つぎのとおりである。
今、抵抗体3の長さLをL=2W、切断溝4の一端部と
一方の導体1との距離I2tをQ1≧0.3W。
切断溝4の他端部と他方の導体2との距離Q3を23=
O,切断溝4の深さと抵抗体3の幅方向他端面との間隔
WをW≧0.3W、切断溝4による形状効果パラメータ
に1をKI=1.1とすると、トリミング後の抵抗体3
の抵抗値Rtの最大値は、つぎのとおりである。
また、トリミング後の抵抗体3の抵抗値Rtの最小値は
つぎのとおりである。
したがって、抵抗体3の抵抗値の設定可能範囲は2×1
1から6.0×勘となる。
そこで、シート抵抗値Rsの変動(ばらつき)を±30
%と仮定すると、トリミング後の抵抗体3の抵抗値Rt
の最大値(0,6x0.7X Rs)と、最小値(2x
1.31s)の比は1.6であり、非常に小さな値とな
る。
これを補うために従来は要求の抵抗値に対して、抵抗値
3の長さり、および幅Wを変えたり、ペースト材料を変
えてシート抵抗値Rsを種々変化させているのが実情で
ある。
そのため、抵抗体3の長さLを大きくすることにより実
装寸法が大きくせざる得なくなって高密度化への大きな
障害となり、又シート抵抗値Rsを変えるため、ペース
ト材料の種類が高密度化とともに増々多くなり、生産性
が大巾に低下させるという問題がある。
そこで、このような問題を解決する手段として従来たと
えば特開昭60−74501号公報に記載されたものが
提案されている。
この提案の構成は第4図に示す如く、抵抗体3′を挟む
ように配置された2個の導体1および2の中、他方の導
体2に接続し、先端部を一方の導体1と一定間隙dを有
するように上記抵抗体3′の幅方向一端面に短絡導体5
を設け、かつ上記間隙dから短絡導体5にそうて抵抗体
3′にL字形状に形成されたトリミング切断溝4を設け
たものである。
このように構成することにより、トリミングを行なわれ
ていない状態の抵抗体3′の抵抗値は一方の導体1と短
絡導体5との間隔dによって決定することができる。す
なわち、上記間隙dが小さくなればそれだけ抵抗体3′
の抵抗値は小さくなるので上記間隙dにより抵抗体3′
の抵抗値を決定することができる。
またI−リミング切断溝4を形成すると、短絡導体5の
影響が薄められて抵抗体3′の抵抗値が大きくなる。
したがって抵抗体3′を最小抵抗値から最大抵抗値まで
その範囲を広いトリミングを行なうことができる。
しかるに前記の構成では、トリミングを行なったとき、
調整範囲が広いため、抵抗体3′のトリミング感度が高
くなってしまい、その結果抵抗値の精度が悪くなること
がある。
そこで、第4図に鎖線にて示す如く、抵抗体3′に短絡
導体5の反対側端面の他方の導体2付近から直線状の切
断溝6を形成することが考えられる。
しかるにこのような構成では電流の流れが矢印Aにて示
す如く長く曲折するため、抵抗体3′の抵抗値の変化量
が大きくなって微調整することができない問題がある。
〔発明の目的〕
本発明は前記従来の問題を解決し、トリミング可能範囲
を広くしかつ微調整を可能とする厚膜抵抗体を提供する
ことにある。
〔発明の概要〕
本発明は、前記の目的を達成するため、厚膜抵抗体を挟
むように相対向して配置された複数個の導体を設け、こ
れら複数個の導体間に両端部が該複数個の導体と間隙を
有する如く対向する短絡導体を上記厚膜抵抗体の幅方向
一端面を設け、この短絡導体の両端部と上記複数個の導
体との間隙より上記厚膜抵抗体にトリミング切断溝を設
けたことを特徴とするものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を示す第1図について説明する
。なお、従来と同一部品は前記第4図と同一符号をもっ
て示す。
第1図に示す如く、両端部を2個の導体1,2により挟
むように形成された厚膜抵抗体7の幅方向一端面に両端
部が上記2個の導体1,2と間隙d、d2を有する如く
短絡導体8を固定し、この短絡導体8の一端部と、一方
の導体1との間隙d。
から短絡導体8と平行に上記厚膜抵抗体7にL字形状の
一方のトリミング切断溝9を形成し、短絡導体8の他端
部と、他方の導体2との間隙d2から他方の導体2と平
行に上記厚膜抵抗体7に直線状の他方のトリミング切断
溝10を形成している。
なお、他方のトリミング切断溝IOは厚膜抵抗体7の抵
抗値を微調整するものであるから、その深さwOを一方
のトリミング切断溝9の深さよりも小さく形成する必要
がある。また図示の11は厚膜抵抗体7を流れる電流を
示す。
本発明による抵抗パターンは前記の如く構成されている
から、トリミングが行なわれていない状態のときには、
厚膜抵抗体7の抵抗値は短絡導体8の両端部と2個の導
体1,2との間隙d、d2により決定されるので、この
間隙d、d2を夫々トリミング切断溝9.IOを形成し
うる程度の最小間隙にし、これによって厚膜抵抗体7の
抵抗値の最小値を小さくしている。
つぎに厚膜抵抗体7に2個のトリミング切断溝9、lO
を形成すると、短絡導体8の影響が薄められて厚膜抵抗
体7の抵抗値が大きくなる。
したがって厚膜抵抗体7の抵抗値を最小値から最大値ま
でその範囲を広くすることができる。
また、厚膜抵抗体7を流れる電流の長さが従来(前記第
4図)に比較して短かくなるので、厚膜抵抗体7の抵抗
値の変化量が少なくなり、これによって微調整を行なう
ことができる。
〔発明の効果〕
以上述べたる如く1本発明によれば、厚膜抵抗体の抵抗
値を最小値から最大値までその範囲を大幅に広げること
ができ、かつ微調整を行なうことができるので、シート
抵抗値の種類を減少させることができかつ抵抗体を小形
化することができ、これによって高密度なパターンの設
定を可能にすることができるとともに生産性を向上する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による抵抗パターンの概要を示す縦断面
図、第2図は従来の抵抗パターンの一例の概要を示す縦
断面図、第3図は従来の抵抗パターンの他の一例の概要
を示す縦断面図、第4図は従来の抵抗パターンのさらに
他の一例の概要を示す縦断面図である。 1.2・・・導体、3.3’、3’、7・・・厚膜抵抗
体。 4.6,9.10・・・切断溝、5,8・・・短絡導体

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、厚膜抵抗体を挟むように相対向して配置された複数
    個の導体を設け、これら複数個の導体間に両端部が該導
    体と間隙を有する如く対向する短絡導体を設け、この短
    絡導体の両端部と上記複数個の導体との間隙より開始し
    て上記厚膜抵抗体内に切り込みを形成したトリミング切
    断溝を設けたことを特徴とする厚膜抵抗体。
JP60279182A 1985-12-13 1985-12-13 厚膜抵抗体 Pending JPS62139302A (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58105503A (ja) * 1981-12-17 1983-06-23 富士通株式会社 厚膜低抗体のトリミング方法
JPS6074501A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 株式会社日立製作所 厚膜抵抗体
JPS60186049A (ja) * 1984-03-05 1985-09-21 Hitachi Ltd 機能トリミング方法
JPS60242603A (ja) * 1984-05-16 1985-12-02 株式会社東芝 膜低抗体の製造方法

Patent Citations (4)

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