CN106898448A - 片式电阻器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种片式电阻器及其制造方法，包括：基板，其一个表面上设置有彼此分开的第一电极和第二电极；第一电阻器，将第一电极电连接到第二电极；以及第二电阻器，将第一电极电连接到第二电极。当第一电极和第二电极的温度彼此不同时，第一电阻器产生的热电动势小于第二电阻器产生的热电动势，并且第二电阻器的电阻温度系数(TCR)小于第一电阻器的TCR。

Description

片式电阻器及其制造方法

本申请要求于2015年12月18日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0181816号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种片式电阻器及其制造方法。

背景技术

近年来，由于对于电子设备的小型化和轻型化的需求已逐步增加，片状电阻器已被广泛用于增加电路板上的布线密度。

由于电子设备的所需功率增加以及对于用于电流检测的片式电阻器的需求增加，所以需要一种具有高精度并同时具有低电阻值的片式电阻器。然而，片式电阻器通常具有因为电阻值降低而导致精度降低的特点。

发明内容

本公开的一方面提供一种具有高精度并同时具有低电阻值的片式电阻器。

根据示例性实施例，片式电阻器可包括：基板；第一电极，设置在基板上；第二电极，设置在基板的表面上以与第一电极分开；第一电阻器，将第一电极电连接到第二电极；以及第二电阻器，将第一电极电连接到第二电极。当第一电极和第二电极的温度彼此不同时，第一电阻器产生的热电动势小于第二电阻器产生的热电动势，并且第二电阻器的电阻温度系数(TCR)小于第一电阻器的TCR。

根据另一示例性实施例，片式电阻器可包括：基板；第一电极，设置在基板的表面上；第二电极，设置在基板的表面上以与第一电极分开；以及多个电阻器，分别设置在基板的表面上以将第一电极和第二电极彼此电连接并且彼此并联电连接。所述多个电阻器的第一电阻器具有槽部，并且所述多个电阻器的第二电阻器的平均电阻温度系数(TCR)小于所述多个电阻器的剩余电阻器的平均TCR。

根据另一示例性实施例，一种形成具有预定电阻值的片式电阻器的方法包括：在基板上形成彼此分开的第一电极和第二电极。第一电阻器设置在基板上以直接接触并电连接第一电极和第二电极。第二电阻器设置在基板上以将第一电极电连接到第二电极，并且当第一电极和第二电极的温度彼此不同时，第一电阻器产生的热电动势小于第二电阻器产生的热电动势。最后，修调具有较低电动势的第一电阻器以达到预定电阻值。

根据另一示例性实施例，片式电阻器包括：基板；第一电极，设置在基板的表面上；第二电极，设置在基板的表面上以与第一电极分开；以及多个电阻器，分别设置在基板的表面上以将第一电极和第二电极彼此电连接并彼此并联电连接。另外，所述多个电阻器的第一电阻器的电阻温度系数(TCR)与所述多个电阻器的第二电阻器的TCR不同。

附图说明

通过下面结合附图对本公开的实施例进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特点及优点将被更加清楚地理解，附图中：

图1是示出根据示例性实施例的片式电阻器的示图；

图2是示出根据示例性实施例的形成在片式电阻器的电阻器中的槽部的示图；

图3是示出根据示例性实施例的片式电阻器的槽部的布局的示图；

图4A是示出根据示例性实施例的片式电阻器的电阻器的布局的后视图；

图4B是示出如图4A所示的片式电阻器的立体图；

图5是示出根据示例性实施例的片式电阻器的侧表面的示图；

图6是示出根据示例性实施例的在其相对表面上设置有电阻器的片式电阻器的侧表面的示图；

图7是示出根据示例性实施例的片式电阻器的三端子形式的示图；

图8是示出根据第二电阻器中镍(Ni)的比率的电阻温度系数(TCR)和电阻的曲线图；

图9是示出第一电阻器和第二电阻器的TCR的曲线图；

图10是示出根据示例性实施例的制造片式电阻器的方法的流程图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图对本公开的实施例进行如下描述。

然而，本公开可按照不同的形式实施，并且不应被解释为被这里所描述的特定实施例所限制。更确切的说，提供这些实施例以使本公开将是彻底的和完整的，并将本公开的范围完全地传达给本领域的技术人员。

在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)等的元件称为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可以直接“位于”其他元件“上”、“连接到”其他元件或“结合到”其他元件，或者可存在介于两者之间的其他元件。相比之下，当元件称为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可能不存在介于两者之间的元件或层。在整个说明书中相同的附图标号指示相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的列出的术语的任意组合或所有组合。

将清楚的是，尽管可在这里使用术语第一、第二、第三等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，以下论述的第一构件、组件、区域、层或部分可以被称为第二构件、组件、区域、层或部分。

为了容易描述如图所示的一个元件相对于其他(多个)元件的关系，这里可以使用诸如“在……上方”、“上”、“在……下方”以及“下”等的空间相关术语。将理解的是，空间相对术语意图包含除了图中所示的方位以外装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置翻转，则描述为“在”其他元件“上方”或“上”的元件于是将被定位为“在”其他元件或特征“下方”或“下”。因而，术语“在……上方”可根据图中装置、元件或者图的特定方向包括上方和下方两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其他方位)且可对这里使用的空间相关描述符做出相应解释。

这里使用的术语用于描述特定示意性实施例，且本公开不受此限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还将理解的是，在说明书中所使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或组，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、构件、元件和/或组。

在下文中，将参照示出实施例的示意图描述本公开的实施例。在附图中，示出了具有理想形状的组件。然而，这些理想形状的变型(例如，由于制造技术和/或公差的可变性)也落入本公开的范围。因此，本公开的实施例不应被解释为局限于这里所示的区域的特定形状，而是应当更一般地理解为包括制造方法和工艺所造成的形状的变化。以下实施例还可由他们中的一个或其组合而构成。

本公开描述了各种构造，且仅在此示出了示意性构造。然而，本公开不限于在此提出的示意性构造，也延伸至其他相似的/类似的构造。

图1是示出根据示例性实施例的片式电阻器的示图；

参照图1，根据示例性实施例的片式电阻器包括：基板110、第一电极121、第二电极122、第一电阻器131和第二电阻器132。

基板110可提供用于安装电极和电阻器的空间。例如，基板110可以是由陶瓷材料形成的绝缘基板。所述陶瓷材料可以是氧化铝(Al₂O₃)，但只要该材料对于电阻器具有优异的绝缘性、散热性和粘结性能，对所述陶瓷材料不作特别地限定。

第一电极121可设置在基板110的一个表面上。

第二电极122可设置成在基板110的所述一个表面上与第一电极121分开。

例如，第一电极121和第二电极122可实施为具有低电阻值，并且可使用铜和/或铜合金形成。

第一电阻器131和第二电阻器132可各自电连接在基板110的所述一个表面上的第一电极121和第二电极122之间。也即，第一电阻器131和第二电阻器132可在第一电极121和第二电极122之间彼此并联连接。

例如，当烧结第一电阻器131和第二电阻器132时，可在第一电阻器131和基板110之间以及第二电阻132和基板110之间附着用于增加粘合性的粘合剂。例如，该粘合剂可以是诸如环氧树脂等的树脂材料，并且可以是包括铜(Cu)、镍(Ni)或者铜-镍(Cu-Ni)的具有优异的散热特性的材料。

这里，在烧结时，第一电阻器131和第二电阻器132可通过离子扩散键合进行熔合(alloy)，并且可结合到基板110上。

另外，第一电阻器131的热特性和第二电阻器132的热特性可彼此不同。

也即，在预定温度下第一电阻器131发生的热电动势可小于在预定温度下第二电阻器132发生的热电动势。这里，热电动势指的是当材料的两个接触点具有不同的温度值时发生的电动势。因此，预定温度状况可包括电阻器中特定点之间的温度差。这里，所述特定点可以为第一电阻器131与第一电极121或者第二电极122的接触点，但不特别地限定。

第一电阻器131和第二电阻器132的总电阻值可通过对第一电阻器131的修调操作进行微调。这里，修调操作指的是通过如下步骤来调整电阻器的电阻值的操作：在电阻器中形成槽部并同时测量电阻器的电阻值，并且当电阻值达到目标电阻值时停止形成槽部。因此，可提高根据示例性实施例的片式电阻器的电阻值的精度。

这里，接受修调操作的电阻器最好是由在预定热状况下具有低热电动势的材料制造而成。详细地讲，修调操作通常会在形成槽部的同时放出热量。从电阻器放出的热量可导致电阻器内产生热电动势。热电动势转而会导致在测量电阻器的电阻值的过程中发生失真。

相应地，由于第一电阻器131在预定热状况下产生的热电动势低，因此可提高根据示例性实施例的片式电阻器的精度。

例如，第一电阻器131可包括铜-锰-锡(Cu-Mn-Sn)以实现期望的热电动势特性。

然而，在具有在预定热状况下发生低热电动势的电阻器中，表示电阻值根据温度变化的变化的电阻温度系数(TCR)可以是高的。也即，第一电阻器131的TCR可以是高的。

如果第一电阻器131和第二电阻器132的总TCR高，则第一电阻器131和第二电阻器132的精度会降低。随着第一电阻器131和第二电阻器132的电阻值降低，TCR对于精度的影响会更大。因此，在第一电阻器131和第二电阻器132的电阻值为100mΩ或者小于100mΩ的情况下，会需要降低第一电阻器131和第二电阻器132的总TCR。

第二电阻器132可以不是接受修调操作的电阻器。另外，即使未对第二电阻器132进行修调操作，最终的总电阻值可稍后通过对第一电阻器131的修调操作进行调节。因此，第二电阻器132可不具有在预定热状况下产生低热电动势的性能。在电阻器中，热电动势特性和TCR特性可具有互为消长的关系。

因此，第二电阻器132的TCR可低于第一电阻器131的TCR。相应地，第一电阻器131和第二电阻器132的总TCR可低于第一电阻器131的TCR。

例如，第二电阻器132可包括铜-镍(Cu-Ni)。也即，第二电阻器132可通过包括诸如康铜、锰铜、镍铬合金等具有低TCR的材料来降低TCR。因此，第二电阻器132可包括诸如铜-镍-锰(Cu-Ni-Mn)或者镍-铬(Ni-Cr)的材料。

相应地，根据示例性实施例的片式电阻器可在具有低电阻值的同时以高精度实施。

图2是示出根据示例性实施例的形成在片式电阻器的电阻器中的槽部的示图。

参照图2，根据示例性实施例的片式电阻器可包括基板210、第一电极221、第二电极222、第一电阻器231和第二电阻器232。

第一电阻器231中可具有槽部。例如，该槽部可通过激光形成。激光可形成从第一电阻器231的边缘延伸的槽部。在这种情况下，激光可在缓慢地朝着第一电阻器231的中心移动的同时使槽的长度延长。

由于槽部的长度增加，所以第一电阻器231的电阻值增加。当第一电阻器231包括三个彼此串联连接的电阻器时，中间电阻器的横截面面积会因为槽部的形成而减小。这里，由于中间电阻器的横截面面积减小，所以中间电阻器的电阻值会增大。因此，电阻器的总电阻值会增大。

在第一电阻器231的电阻值达到目标电阻值的情况下，可改变激光的运动方向。在激光的运动方向改变后根据槽部的长度的增加的第一电阻器231的电阻值的增长率可低于在激光的运动方向改变前根据槽部的长度的增加的第一电阻器231的电阻值的增长率。因此，在激光的运动方向改变后，可更精确地调整第一电阻器231的电阻值。

这里，如图2所示，槽部可具有“L”形状。另外，为减小在形成槽部的过程中对第二电阻器232的影响，槽部可形成在第一电阻器的边缘，所述边缘与第一电阻器的最接近(和/或面对)第二电阻器的另一边缘相对。

图3是示出根据示例性实施例的片式电阻器的槽部的布局的示图。

参照图3，根据示例性实施例的片式电阻器可包括基板310、第一电极321、第二电极322、第一电阻器331和第二电阻器332a和332b。

因为TCR低，所以电阻器通常可具有优异的散热性。因此，第二电阻器332a和332b的散热性可高于第一电阻器331的散热性。

因此，第一电阻器331可设置在第二电阻器332a和332b之间。相应地，当电流流入第一电阻器331中时产生的热量可通过第二电阻器332a和332b有效地扩散。

图4A是示出根据示例性实施例的片式电阻器的电阻器的布局的后视图。

图4B是示出如图4A所示的片式电阻器的立体图。

参照图4A和图4B，根据示例性实施例的片式电阻器可包括基板410、第一电极421、第二电极422、第一电阻器431和第二电阻器432a和432b。

第一电阻器431和第二电阻器432a及432b可通过薄膜实施。因此，由于第一电阻器431和第二电阻器432a及432b的宽度(沿x方向测量)长或者他们的长度(沿y方向测量)短，所以可减小第一电阻器431和第二电阻器432a及432b的电阻值。

为增加第一电阻器431和第二电阻器432a及432b的宽度(沿x方向测量)，第一电阻器431和第二电阻器432a及432b可彼此接触。相应地，根据示例性实施例的片式电阻器可被容易地实施为具有100mΩ或者小于100mΩ的电阻值。

这里，为有效地扩散由流入第一电阻器431和第二电阻器432a及432b中的电流产生的热量，第一电阻器431和第二电阻器432a及432b可交替地、重复地布置。

同时，可形成第一电极421和第二电极422以覆盖基板410的侧表面。将在参照图5对底表面电极进行描述时对其进行描述。

图5是示出根据示例性实施例的片式电阻器的侧表面的示图。

参照图5，根据示例性实施例的片式电阻器可包括基板510、第一电极521、第二电极522、电阻器530、第一上表面电极541、第二上表面电极542、保护层550、第一底表面电极561、第二底表面电极562、第一金属盖571和第二金属盖572。

第一上表面电极541和第二上表面电极542可设置在第一电极521、第二电极522和电阻器530中的至少一个的上表面上。在第一上表面电极541和第二上表面电极542分别设置在第一电极521和第二电极522上的情况下，第一上表面电极541和第二上表面电极542可用作接收外部电流或者向外部提供电流的导线。在第一上表面电极541和第二上表面电极542设置在电阻器530上的情况下，第一上表面电极541和第二上表面电极542可利用作为金属的特性的高热导性有效地散发电阻器530生成的热量。

保护层550可覆盖第一电极521、第二电极522、电阻器530、第一上表面电极541和第二上表面电极542中的至少一个的上表面。例如，保护层550可由环氧树脂、酚醛树脂、玻璃材料等形成以保护片式电阻器免受外部冲击。

第一底表面电极561和第二底表面电极562可分别辅助第一电极521和第二电极522的布局。例如，具有U形形状的第一金属盖571和第二金属盖572可插入或者围绕基板510的侧表面。第一金属盖571和第二金属盖572可挤压第一电极521和第二电极522以将其固定，并且可用作提供基板510的顶表面和底表面之间的电连接的连接电极。这里，第一底表面电极561和第二底表面电极562可预先形成在基板510的另一表面上，以被第一金属盖571和第二金属盖572挤压。相应地，第一电极521和第二电极522可稳定地固定。另外，由于第一底表面电极561和第二底表面电极562以及第一电极521和第二电极522的总面积增加，第一电极和第二电极的电阻值可进一步降低。相应地，根据示例性实施例的片式电阻器的总电阻值可进一步降低。

图6是示出根据示例性实施例的在其相对表面上设置有电阻器的片式电阻器的侧表面的示图。

参照图6，根据示例性实施例的片式电阻器可包括基板510、第一电极521、第二电极522、第一电阻器531、第二电阻器532、第一上表面电极541、第二上表面电极542、第一保护层551、第二保护层552、第一底表面电极561、第二底表面电极562、第一金属盖571和第二金属盖572。

第一电阻器531可设置在基板510的一个表面上以直接连接到第一电极521和第二电极522。第一保护层551可形成在第一电阻器531的一个表面上。

第二电阻器532可设置在基板的另一表面上(即，另一表面是与其上具有第一电阻器531的表面相对的表面)以直接连接到第一底表面电极561和第二底表面电极562。第二保护层552可形成在第二电阻器532的一个表面上。

第一电极521和第一底表面电极561可通过第一金属盖571彼此电连接，第二电极522和第二底表面电极562可通过第二金属盖572彼此电连接。相应地，设置在基板510的一个表面上的第一电阻器531和设置在基板510的另一表面上的第二电阻器532可彼此并联地电耦合。

由于第一电阻器531和第二电阻器532设置在不同表面上，可减小基板510的宽度。另外，当形成包括不同组件的第一电阻器531和第二电阻器532时，可减小每个电阻器的运行特性对片式电阻器的净影响。

图7是示出根据示例性实施例的片式电阻器的三端子形式的示图。

参照图7，根据示例性实施例的片式电阻器可包括基板610、第一电极621、第二电极622、第三电极623、第一电阻器631、第二电阻器632和第三电阻633。

第三电极623可设置成与在基板610的一个表面上的第一电极621和第二电极622分开。例如，第三电极623可由与第一电极621和第二电极622相同的材料、形式或者形状形成。

第三电阻器633可电连接在第三电极623和第二电极622之间。

第三电极623可从外侧电连接到第一电极621以作为第一电极621的备用电极。在由于在制造片式电阻器过程中发生缺陷或者在使用片式电阻器的过程中发生冲击而导致第一电极621从外侧断开的情况下，第三电极623可代替执行第一电极621的作用。

因此，第三电阻器633也可通过具有不同热特性的多个电阻器实施，以具有与第一电阻器631和第二电阻器632相同的特性。

图8是示出根据第二电阻器中镍(Ni)的比率的电阻温度系数(TCR)和电阻的曲线图。

参照图8，水平轴的CN后面的数字表示通过将铜-镍(Cu-Ni)中镍(Ni)的比率乘以100获得的数字。另外，垂直轴的TCR表示使用ppm/温度为单位的电阻温度系数。

TCR范围为数千ppm/温度的电阻器可具有如下特性：当其温度增加1℃时，其电阻值可增加数mΩ。这里，在电阻器的电阻值为数十mΩ的情况下，电阻器可具有如下特性：即使温度仅改变1℃，电阻值也会变化10％。因此，为使得具有100mΩ或者小于100mΩ的电阻值的片式电阻器具有精确的电阻值，可能需降低总TCR的绝对值。

根据示例性实施例的片式电阻器可具有能够执行修调操作的电阻器以及包括铜-镍(Cu-Ni)的电阻器彼此并联连接的结构。这里，可能难以调节能够执行修调操作的电阻器的TCR。因此，通过调节包括铜-镍(Cu-Ni)的电阻器的TCR，可减小片式电阻器的总TCR。

可以从图8的曲线图中看出，当铜-镍(Cu-Ni)中镍(Ni)的比率大于等于40％且小于等于50％(即，在40％至50％的范围内)时，包括铜-镍(Cu-Ni)的片式电阻器具有最低TCR。因此，根据示例性实施例的片式电阻器包括在包括铜-镍(Cu-Ni)的同时具有镍(Ni)的比率为大于等于40％且小于等于50％的电阻器，从而可明显降低总TCR。

同时，负TCR值表示当温度增加时，电阻值减小。也即，包括铜-镍(Cu-Ni)的电阻器可具有如下特性：当铜-镍(Cu-Ni)中镍的比率在40％到50％的范围内并且温度增加时，电阻值降低。相应地，通过组合具有正TCR特性的电阻器以及具有负TCR特性的电阻器，TCR特性可彼此抵消以提供总体为零(或者接近零)的TCR特性。注意对于电阻器是具有正TCR还是具有负TCR的评价是在室温(即，在10-35℃的温度范围内)下进行的。

根据示例性实施例的片式电阻器可具有如下结构：片式电阻器中的第一电阻器具有良好的热电动势但具有差的TCR特性并且与第二电阻器并联连接，其中，第二电阻包括其中镍(Ni)的比率为45％的镍-铜(Ni-Cu)并且具有良好的TCR特性。根据第一电阻器的电阻值和第二电阻器的电阻值确定片式电阻器的总电阻值和总TCR，并且总电阻值可在下表1中列出。

【表1】

在表1中，R代表用mΩ作为单位的电阻值，TCR代表用ppm/温度(即，ppm/℃)为单位的电阻温度系数。

图9是示出第一电阻器和第二电阻器的TCR的曲线图。

图9以曲线图的形式示出了表1中TCR的结果。参照图9，可以看出，案例3中片式电阻器具有最佳TCR特性(即，最低TCR值)。

根据表1，当第二电阻器的电阻值低于第一电阻器的电阻值时，片式电阻器的TCR特性可更好。

通过将第一电阻器的电阻值的倒数加上第二电阻器的电阻值的倒数可计算出片式电阻的总电阻值的倒数。相应地，由于第二电阻器的电阻值低于第一电阻器的电阻值，所以第二电阻器的电阻值的改变对总电阻值的影响可大于第一电阻器的电阻值的改变对总电阻值的影响。因此，当第二电阻器的电阻值小于第一电阻器的电阻值时，片式电阻器的总TCR可接近第二电阻器的TCR而不是第一电阻器的TCR。

例如，案例1中的片式电阻器，第一电阻器的电阻值可约等于(即，一倍于)第二电阻器的电阻值。这里，第二电阻器的TCR与片式电阻器的总TCR的比率可约为50％。

案例2中的片式电阻器，第一电阻器的电阻值可约为第二电阻器的电阻值的两倍。这里，第二电阻器的TCR与片式电阻器的总TCR的比率可为约67％。

进一步地，案例3中的片式电阻器，第一电阻器的电阻值可约为第二电阻器的电阻值的三倍。这里，第二电阻器的TCR与片式电阻器的总TCR的比率可约为75％。

参照第二电阻器的TCR与片式电阻器的总TCR的比率的演变，在第二电阻器的电阻值约为第一电阻器的电阻值的五倍时，可以推断片式电阻器的总TCR将达到零(0)。

因此，在根据示例性实施例的片式电阻器中，第二电阻器的电阻值可设计为大于等于第一电阻器的电阻值的三倍且小于等于第一电阻器的电阻值七倍(即，在三倍到七倍的范围内)。相应地，依据片式电阻器的温度变化的电阻值的变化可显著减小。

图10是示出根据示例性实施例的制造片式电阻器的方法的流程图。

参照图10，根据示例性实施例的片式电阻器可按下列操作制造：形成一个或者更多个电极(例如，电极221和222)的操作S10，形成第一电阻器(例如，231)的操作S20，形成第二电阻器(例如，232)的操作S30，以及修调第一电阻器的操作S40。

形成电极的操作S10指的是在基板上涂、喷或者印刷处于油墨状态的料膏。可通过丝网法执行印刷。相应地，可精确地控制一个或者多个电极的厚度。

形成第一电阻器的操作S20指的是在基板上印刷具有良好热电动势特性的电阻器的操作。

形成第二电阻器的操作S30指的是在基板上印刷具有良好TCR特性的电阻器。从形成电极的操作S10到形成第二电阻器的操作S30的过程可通过厚膜工艺来执行。相应地，可在800℃到1400℃的温度之间在还原气氛中执行对电极和电阻器的烧结。这里，可执行电阻器和电极的重结晶，并且可能发生晶粒生长。在这种情况下，可提高电阻器和电极之间的导电性。相应地，可将根据示例性实施例的片式电阻器实施为具有100mΩ或者小于100mΩ的低电阻值。

可重复料膏的印刷和烧结。相应地，电极和电阻器的初始电阻值可得到优化。

进一步地，片式电阻器的电阻值可在形成电极后通过诸如激光切割、激光蚀刻、喷砂等方法来调节。

在修调第一电阻器的操作S40中，可使用激光从第一电阻器的边缘形成槽部。在这种情况下，片式电阻器的总电阻值的测量可在执行修调的同时进行。可延长槽部的长度，直到片式电阻器的总电阻值达到目标电阻值时为止。

如上所述，根据示例性实施例，片式电阻器可在具有低电阻值的同时具有高精度。

虽然上文示出和描述了示例性实施例，但是对本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以进行修改和变型。

Claims (35)

1.一种片式电阻器，包括：

基板；

第一电极，设置在所述基板的表面上；

第二电极，设置在所述基板的表面上以与第一电极分开；

第一电阻器，将第一电极电连接到第二电极；以及

第二电阻器，将第一电极电连接到第二电极，

其中，当第一电极和第二电极的温度彼此不同时，第一电阻器产生的热电动势小于第二电阻器产生的热电动势，并且

第二电阻器的电阻温度系数小于第一电阻器的电阻温度系数。

2.根据权利要求1所述的片式电阻器，其中，第一电阻器包括铜-锰-锡，并且第二电阻器包括铜-镍。

3.根据权利要求2所述的片式电阻器，其中，铜-镍中镍的比率在40％到50％之间。

4.根据权利要求3所述的片式电阻器，其中，第一电阻器的电阻值在3mΩ至100mΩ之间，

第二电阻器的电阻值在1mΩ至34mΩ之间，并且

第一电阻器的电阻值在第二电阻器的电阻值的三倍到七倍之间。

5.根据权利要求1所述的片式电阻器，其中，在第一电阻器和第二电阻器中仅第一电阻器具有槽部。

6.根据权利要求5所述的片式电阻器，其中，所述槽部形成在第一电阻器的边缘，所述边缘与第一电阻器的最接近第二电阻器的另一边缘相对地设置，并且所述槽部具有“L”形状。

7.根据权利要求1所述的片式电阻器，其中，当第二电阻器的温度自室温升高时第二电阻器的电阻值减小。

8.根据权利要求1所述的片式电阻器，所述片式电阻器还包括：

第三电极，设置在所述基板的表面上以与第一电极和第二电极分开；以及，

第三电阻器，设置在所述基板的表面上并且将第三电极电连接到第二电极。

9.根据权利要求1所述的片式电阻器，所述片式电阻器还包括：

上表面电极，设置在第一电极、第二电极、第一电阻器和第二电阻器中的至少一个的上表面上；以及

保护层，覆盖第一电极、第二电极、第一电阻器、第二电阻器和上表面电极中的至少一个的上表面。

10.根据权利要求1所述的片式电阻器，其中，所述基板具有第一表面和第二表面，

第一电阻器设置在第一表面上，并且

第二电阻器设置在第二表面上。

11.一种片式电阻器，包括：

基板；

第一电极，设置在所述基板的表面上；

第二电极，设置在所述基板的表面上以与第一电极分开；以及

多个电阻器，分别设置在所述基板的表面上以将第一电极和第二电极彼此电连接，并且彼此并联电连接，

其中，所述多个电阻器的第一电阻器具有槽部，并且所述多个电阻器的第二电阻器具有低于所述多个电阻器的剩余电阻器的平均电阻温度系数的平均电阻温度系数。

12.根据权利要求11所述的片式电阻器，其中，第一电阻器包括铜-锰-锡，

第二电阻器包括铜-镍，并且

第二电阻器的铜-镍中镍的比率在40％至50％之间。

13.根据权利要求12所述的片式电阻器，其中，所述多个电阻器的总电阻值在1mΩ至10mΩ之间，并且

第一电阻器的电阻值大于所述多个电阻器的各个剩余电阻器的电阻值。

14.根据权利要求11所述的片式电阻器，其中，所述多个电阻器设置在所述基板的所述表面上，以使包括铜-锰-锡的电阻器和包括铜-镍的电阻器重复地、交替地布置在所述表面上。

15.根据权利要求14所述的片式电阻器，其中，所述多个电阻器彼此直接接触。

16.根据权利要求11所述的片式电阻器，其中，第一电阻器设置在所述多个电阻器的两个电阻器之间。

17.一种形成具有预定电阻值的片式电阻器的方法，包括：

在所述基板上形成第一电极和第二电极，第一电极和第二电极被设置成彼此分开；

在所述基板上设置第一电阻器以直接接触并电连接第一电极和第二电极；

在所述基板上设置第二电阻器以将第一电极电连接到第二电极，其中，当第一电极和第二电极的温度彼此不同时，第一电阻器产生的热电动势小于第二电阻器产生的热电动势；以及

修调具有较低电动势的第一电阻器以达到所述预定电阻值。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，修调第一电阻器的步骤包括在第一电阻器中形成L形槽部以达到所述预定电阻值。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，修调第一电阻器的步骤包括在第一电阻器和第二电阻器中仅修调具有较低电动势的第一电阻器。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，第一电阻器被修调为具有第二电阻器的电阻值的三倍至七倍之间的电阻值。

21.根据权利要求17所述的方法，其中，第一电阻器和第二电阻器被设置在所述基板的同一表面上，并且修调第一电阻器的步骤包括修调第一电阻器的边缘，所述边缘不是第一电阻器的最接近第二电阻器设置的边缘。

22.根据权利要求17所述的方法，所述方法包括：

在所述基板上设置第三电阻器以将第一电极电连接到第二电极，

其中，第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器被设置在所述基板的同一表面上，第一电阻器具有的散热能力比第二电阻器和第三电阻器的任意一个要低，并且具有较低散热能力的第一电阻器被设置在所述基板的所述同一表面上的第二电阻器和第三电阻器之间。

23.根据权利要求22所述的方法，其中，第一电阻器直接接触第二电阻器和第三电阻器的每一个。

24.根据权利要求17所述的方法，其中，形成第一电极和第二电极的步骤包括形成第一电极和第二电极以覆盖所述基板的各个侧表面，所述侧表面邻近其上设置有第一电阻器的上表面。

25.根据权利要求17所述的方法，其中，设置第二电阻器的步骤包括将第二电阻器设置在所述基板的第一表面上，所述第一表面与其上设置有第一电阻器的第二表面相对。

26.根据权利要求25所述的方法，其中，形成第一电极和第二电极的步骤包括形成第一电极和第二电极，以分别从所述基板的第一表面向第二表面延伸，并且覆盖所述基板的各个侧表面，所述侧表面与其上分别设置有第二电阻器和第一电阻器的第一表面和第二表面邻近。

27.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括：

在所述基板的具有第一电极和第二电极的同一表面上形成第三电极，第三电极被设置成与第一电极和第二电极的每一个分开；以及

在所述基板上设置第三电阻器以直接接触并电连接第二电极和第三电极。

28.一种片式电阻器，包括：

基板；

第一电极，设置在所述基板的表面上；

第二电极，设置在所述基板的表面上以与第一电极分开；以及

多个电阻器，分别设置在所述基板的表面上以使第一电极和第二电极彼此电连接并且彼此并联电连接，

其中，所述多个电阻器的第一电阻器具有的电阻温度系数与所述多个电阻器的第二电阻器的电阻温度系数不同。

29.根据权利要求28所述的片式电阻器，其中，当第一电极和第二电极的温度彼此不同时，所述多个电阻器的第一电阻器的热电动势与所述多个电阻器的第二电阻器的热电动势不同。

30.根据权利要求28所述的片式电阻器，其中，所述多个电阻器的第一电阻器和第二电阻器分别具有不同正负极性的电阻温度系数。

31.根据权利要求28所述的片式电阻器，其中，所述多个电阻器的第一电阻器的电阻温度系数大于所有其他与其并联电连接的电阻器的电阻温度系数。

32.根据权利要求31所述的片式电阻器，其中，具有较大电阻温度系数的第一电阻器是在所述多个电阻器中唯一其中形成有槽部的电阻器。

33.根据权利要求31所述的片式电阻器，其中，具有较大电阻温度系数的第一电阻器被设置在所述基板的表面上的所述多个电阻器的第二电阻器和第三电阻器之间。

34.根据权利要求33所述的片式电阻器，其中，具有较大电阻温度系数的第一电阻器在其相对的侧部接触第二电阻器和第三电阻器。

35.根据权利要求33所述的片式电阻器，其中，设置在第二电阻器和第三电阻器之间的第一电阻器是在第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器中唯一其中形成有槽部的电阻器。