JP6369875B2 - チップ抵抗器 - Google Patents
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Description
121 第1の電極
122 第2の電極
623 第3の電極
530 抵抗体
131 第1の抵抗体
232 第2の抵抗体
633 第3の抵抗体
541 第1の上面電極
542 第2の上面電極
550 保護層
551 第1の保護層
552 第2の保護層
561 第1の下面電極
562 第2の下面電極
571 第1の金属カバー
572 第2の金属カバー
Claims (18)
- 基板と、
前記基板の一面上に配置された第1の電極と、
前記基板の一面上に前記第1の電極と分離されるように配置された第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極を電気的に連結する第1の抵抗体と、
前記第1の電極と前記第2の電極を電気的に連結する第2の抵抗体と、
を含み、
前記第1の抵抗体は銅−マンガン−スズ(Cu−Mn−Sn)を含み、
前記第2の抵抗体は銅−ニッケル(Cu−Ni)を含み、
前記第1の電極と前記第2の電極の温度が異なるとき、前記第1の抵抗体で発生する熱起電力(thermo electromotive force)は前記第2の抵抗体で発生する熱起電力より小さく、
前記第2の抵抗体の抵抗温度係数(Temperature Coefficient of Resistivity、TCR)は前記第1の抵抗体の抵抗温度係数より低く、
前記第1の抵抗体及び前記第2の抵抗体のうち前記第1の抵抗体だけは溝(groove)を有する、
チップ抵抗器。 - 前記銅−ニッケル(Cu−Ni)のうちニッケル(Ni)の比率は40%以上50%以下である、請求項1に記載のチップ抵抗器。
- 前記第1の抵抗体の抵抗値は3mΩ以上100mΩ未満であり、
前記第2の抵抗体の抵抗値は1mΩ超34mΩ以下であり、
前記第1の抵抗体の抵抗値は前記第2の抵抗体の抵抗値の3倍以上7倍以下である、請求項2に記載のチップ抵抗器。 - 前記溝は、前記第2の抵抗体から前記第1の抵抗体に向かう方向の端に形成され、L形状を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
- 前記第2の抵抗体の抵抗値は、所定の温度区間で温度が上昇するとき、低くなる、請求項1〜4のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
- 前記基板の一面上に前記第1の電極及び前記第2の電極と分離されるように配置された第3の電極と、
前記基板の一面上に配置され、前記第3の電極と前記第2の電極を電気的に連結する第3の抵抗体と、
をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。 - 前記第1の電極、第2の電極、第1の抵抗体及び第2の抵抗体のうち少なくとも一つの上面に配置される上面電極と、
前記第1の電極、第2の電極、第1の抵抗体、第2の抵抗体及び上面電極のうち少なくとも一つの上面をカバーする保護層と、
をさらに含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。 - 前記第1の抵抗体は前記基板の一面上に配置され、
前記第2の抵抗体は前記基板の他面上に配置される、請求項1〜7のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。 - 基板と、
前記基板の一面上に配置された第1の電極と、
前記基板の一面上に前記第1の電極と分離されるように配置された第2の電極と、
それぞれ前記基板の一面上に配置され、前記第1の電極と前記第2の電極を電気的に連結し、互いに並列である複数の抵抗体と、
を含み、
前記複数の抵抗体のうちの少なくとも一つは、銅−マンガン−スズ(Cu−Mn−Sn)を含み、
前記複数の抵抗体のうちの残りの抵抗体は、銅−ニッケル(Cu−Ni)を含み、
前記複数の抵抗体のうちの前記少なくとも一つは、溝(groove)を有し、前記残りの抵抗体の平均抵抗温度係数(Temperature Coefficient of Resistivity、TCR)より高い平均抵抗温度係数を有し、
前記残りの抵抗体は、溝を有さない、
チップ抵抗器。 - 前記銅−ニッケル(Cu−Ni)のうちニッケル(Ni)の比率は40%以上50%以下である、請求項9に記載のチップ抵抗器。
- 前記複数の抵抗体の総抵抗値は1mΩ以上10mΩ以下であり、
前記複数の抵抗体のうち前記溝を有する抵抗体の抵抗値は前記残りの抵抗体のそれぞれの抵抗値より大きい、請求項10に記載のチップ抵抗器。 - 前記複数の抵抗体は、銅−マンガン−スズ(Cu−Mn−Sn)を含む抵抗体と、銅−ニッケル(Cu−Ni)を含む抵抗体が繰り返し配列される構造を有する、請求項9〜11のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
- 前記複数の抵抗体は互いに接する、請求項12に記載のチップ抵抗器。
- 前記複数の抵抗体のうち前記溝を有する抵抗体は、前記残りの抵抗体のうち二つの抵抗体の間に配置される、請求項9〜13のいずれか一項に記載のチップ抵抗器。
- 基板、第1の電極及び前記第1の電極と分離されるように配置された第2の電極を形成する段階と、
前記第1の電極と前記第2の電極を電気的に連結する第1の抵抗体を形成する段階と、
前記第1の電極と前記第2の電極を電気的に連結する第2の抵抗体を形成する段階と、
前記第1の抵抗体および前記第2の抵抗体のうち前記第1の抵抗体だけに、前記第1の抵抗体が所定の抵抗値を持つようにトリミングする段階と、を含み、
前記第1の抵抗体は銅−マンガン−スズ(Cu−Mn−Sn)を含み、
前記第2の抵抗体は銅−ニッケル(Cu−Ni)を含み、
前記第1の電極と前記第2の電極の温度が異なるとき、前記第1の抵抗体で発生する熱起電力(thermo electromotive force)は前記第2の抵抗体で発生する熱起電力より小さく、
前記第1の抵抗体及び前記第2の抵抗体は、互いに異なる抵抗温度係数(Temperature Coefficient of Resistivity、TCR)を有する、チップ抵抗器の製造方法。 - 前記第1の電極と前記第2の電極を電気的に連結する第3の抵抗体を形成する段階と、をさらに含み、
前記第1の抵抗体、前記第2の抵抗体及び前記第3の抵抗体は前記基板の同一面に形成され、
前記第1の抵抗体は、前記第2の抵抗体及び前記第3の抵抗体の間に配置される、請求項15に記載のチップ抵抗器の製造方法。 - 前記第1の抵抗体を形成する段階は、前記第1の抵抗体を前記基板の第1面上に形成し、
前記第2の抵抗体を形成する段階は、前記第2の抵抗体を前記基板の第2面上に形成する、請求項15又は16に記載のチップ抵抗器の製造方法。 - 前記第1の電極及び前記第2の電極と分離されるように配置された第3の電極を形成する段階と、
前記第2の電極と前記第3の電極を電気的に連結する第3の抵抗体を形成する段階と、
をさらに含む、請求項15〜17のいずれか一項に記載のチップ抵抗器の製造方法。
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