JPH09246093A - 厚膜コンデンサ - Google Patents
厚膜コンデンサInfo
- Publication number
- JPH09246093A JPH09246093A JP5270396A JP5270396A JPH09246093A JP H09246093 A JPH09246093 A JP H09246093A JP 5270396 A JP5270396 A JP 5270396A JP 5270396 A JP5270396 A JP 5270396A JP H09246093 A JPH09246093 A JP H09246093A
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- Japan
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- thick film
- layer
- film capacitor
- dielectric layer
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- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】効率よく確実に且つ容易にコンデンサの容量調
整の可能な導体構造を有する厚膜コンデンサを提供す
る。 【解決手段】絶縁基板１上に形成された下層導体２と、
下層導体２上に形成された誘電体層４と、誘電体層４上
に形成された上層導体５と、少なくとも誘電体層４を覆
うように上層導体５上に形成された保護層６とを有する
厚膜コンデンサであって、下層導体２又は上層導体５の
いずれか一方の導体が幹部とそれに連なる複数の枝部と
からなる櫛歯状に形成され、且つ容量調整用のトリミン
グ溝７が形成されており、誘電体層４は枝部に重なるよ
うに形成され、保護層６が少なくとも導体の枝部に重な
るように形成され、且つトリミング溝７が導体の保護層
６の非形成領域に形成されている。
整の可能な導体構造を有する厚膜コンデンサを提供す
る。 【解決手段】絶縁基板１上に形成された下層導体２と、
下層導体２上に形成された誘電体層４と、誘電体層４上
に形成された上層導体５と、少なくとも誘電体層４を覆
うように上層導体５上に形成された保護層６とを有する
厚膜コンデンサであって、下層導体２又は上層導体５の
いずれか一方の導体が幹部とそれに連なる複数の枝部と
からなる櫛歯状に形成され、且つ容量調整用のトリミン
グ溝７が形成されており、誘電体層４は枝部に重なるよ
うに形成され、保護層６が少なくとも導体の枝部に重な
るように形成され、且つトリミング溝７が導体の保護層
６の非形成領域に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、厚膜コンデンサ
に関し、詳しくは厚膜コンデンサの導体の構造に関す
る。
に関し、詳しくは厚膜コンデンサの導体の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の厚膜コンデンサは一般に図４乃至
図６の平面図に示すように、絶縁基板１０上に一対の表
面電極１１、１１、と一方の表面電極に連なり、コンデ
ンサを構成する下層導体１２が形成され、この下層導体
１２に一部重なるように誘電体層１３が印刷及び焼成に
て形成され、そして、この誘電体層１３に一部重なるよ
うに帯状の上層導体１４が印刷及び焼成にて形成され、
更に誘電体層１３及び上層導体１４を覆うように保護層
１５が形成されている。
図６の平面図に示すように、絶縁基板１０上に一対の表
面電極１１、１１、と一方の表面電極に連なり、コンデ
ンサを構成する下層導体１２が形成され、この下層導体
１２に一部重なるように誘電体層１３が印刷及び焼成に
て形成され、そして、この誘電体層１３に一部重なるよ
うに帯状の上層導体１４が印刷及び焼成にて形成され、
更に誘電体層１３及び上層導体１４を覆うように保護層
１５が形成されている。
【０００３】前述のような厚膜コンデンサの容量は、一
般に上層導体と下層導体に挟まれる誘電体層の面積と誘
電体層の比誘電率に比例し、誘電体層の厚さに反比例し
て決定される。しかし、印刷及び焼成により形成される
従来の厚膜コンデンサは、下層導体と上層導体の印刷時
の形成位置の相対的な若干のズレや、印刷及び焼成にて
形成されている誘電体層の厚みに不可避的にバラツキが
生じてしまう。その結果、コンデンサの容量にバラツキ
が生じてしまうので、バラツキの誤差を予め見込んでそ
の容量が目標の容量よりも若干大きめになるように誘電
体層及び各導体が形成されている。そして、コンデンサ
の容量を目標の容量にするために、図６の平面図に示す
ようにレーザーカットにてトリミング溝１６を形成して
誘電体層と導体との接触面積を調整し、コンデンサの容
量を調整していた。
般に上層導体と下層導体に挟まれる誘電体層の面積と誘
電体層の比誘電率に比例し、誘電体層の厚さに反比例し
て決定される。しかし、印刷及び焼成により形成される
従来の厚膜コンデンサは、下層導体と上層導体の印刷時
の形成位置の相対的な若干のズレや、印刷及び焼成にて
形成されている誘電体層の厚みに不可避的にバラツキが
生じてしまう。その結果、コンデンサの容量にバラツキ
が生じてしまうので、バラツキの誤差を予め見込んでそ
の容量が目標の容量よりも若干大きめになるように誘電
体層及び各導体が形成されている。そして、コンデンサ
の容量を目標の容量にするために、図６の平面図に示す
ようにレーザーカットにてトリミング溝１６を形成して
誘電体層と導体との接触面積を調整し、コンデンサの容
量を調整していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のトリミング溝１
６は、誘電体層１３を覆うように形成された保護層１５
と上層導体１４を一緒に切除して形成されているので、
誘電体層１３も切除されてしまう。それにより、厚膜コ
ンデンサの絶縁抵抗が低下してしまい、絶縁耐圧等の特
性が劣化するという問題点があった。
６は、誘電体層１３を覆うように形成された保護層１５
と上層導体１４を一緒に切除して形成されているので、
誘電体層１３も切除されてしまう。それにより、厚膜コ
ンデンサの絶縁抵抗が低下してしまい、絶縁耐圧等の特
性が劣化するという問題点があった。
【０００５】又、前述の厚膜コンデンサの容量の調整用
のトリミング溝１６は保護層１５も一緒に切除して形成
されているために、トリミング溝１６を覆うように更に
オーバーコート層（図示せず）を形成しても、一対の表
面電極１１、１１にメッキ層（図示せず）を施す際にメ
ッキ層を形成する導電材料がトリミング溝１６に侵入し
てしまい、容量調整後の厚膜コンデンサの容量値が変化
してしまうという問題点があった。
のトリミング溝１６は保護層１５も一緒に切除して形成
されているために、トリミング溝１６を覆うように更に
オーバーコート層（図示せず）を形成しても、一対の表
面電極１１、１１にメッキ層（図示せず）を施す際にメ
ッキ層を形成する導電材料がトリミング溝１６に侵入し
てしまい、容量調整後の厚膜コンデンサの容量値が変化
してしまうという問題点があった。
【０００６】本発明は前述の課題を解決し、効率よく確
実に且つ容易にコンデンサの容量調整が可能な導体の構
造を有する厚膜コンデンサを提供することを目的とす
る。
実に且つ容易にコンデンサの容量調整が可能な導体の構
造を有する厚膜コンデンサを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ために、本願の請求項１に記載の発明は、絶縁基板上に
形成された下層導体と、該下層導体上に形成された誘電
体層と、該誘電体層上に形成された上層導体と、少なく
とも前記誘電体層を覆うように前記上層導体上に形成さ
れた保護層とを有する厚膜コンデンサであって、前記下
層導体又は前記上層導体のいずれか一方の導体が幹部と
それに連なる複数の枝部とからなる櫛歯状に形成され、
且つ容量調整用のトリミング溝が形成されており、前記
誘電体層は前記枝部に重なるように形成されていること
を特徴とする。
ために、本願の請求項１に記載の発明は、絶縁基板上に
形成された下層導体と、該下層導体上に形成された誘電
体層と、該誘電体層上に形成された上層導体と、少なく
とも前記誘電体層を覆うように前記上層導体上に形成さ
れた保護層とを有する厚膜コンデンサであって、前記下
層導体又は前記上層導体のいずれか一方の導体が幹部と
それに連なる複数の枝部とからなる櫛歯状に形成され、
且つ容量調整用のトリミング溝が形成されており、前記
誘電体層は前記枝部に重なるように形成されていること
を特徴とする。
【０００８】そして、本願の請求項２に記載した発明
は、請求項１に記載の厚膜コンデンサであって、前記保
護層が少なくとも前記導体の前記枝部に重なるように形
成され、且つ前記トリミング溝が前記導体の前記保護層
非形成領域に形成されていることを特徴とする。
は、請求項１に記載の厚膜コンデンサであって、前記保
護層が少なくとも前記導体の前記枝部に重なるように形
成され、且つ前記トリミング溝が前記導体の前記保護層
非形成領域に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
【実施の形態】以下本発明の厚膜コンデンサの実施例を
図面を用いて説明する。図１乃至図３は厚膜コンデンサ
の一実施例の製造過程を示す平面図で、厚膜コンデンサ
のチップ状態を示している。先ず図１に示すように、セ
ラミック製の絶縁基板１の表面に一対の表面電極２、
２、と一方の表面電極２に連なるように下層導体３が銀
及び白金を含む導電ペーストを印刷及び焼成することに
より形成されている。下層導体３は幹部３ａとそれに連
なる複数の枝部３ｂとからなる櫛歯状に形成されてい
る。
図面を用いて説明する。図１乃至図３は厚膜コンデンサ
の一実施例の製造過程を示す平面図で、厚膜コンデンサ
のチップ状態を示している。先ず図１に示すように、セ
ラミック製の絶縁基板１の表面に一対の表面電極２、
２、と一方の表面電極２に連なるように下層導体３が銀
及び白金を含む導電ペーストを印刷及び焼成することに
より形成されている。下層導体３は幹部３ａとそれに連
なる複数の枝部３ｂとからなる櫛歯状に形成されてい
る。
【００１０】そして図２に示すように、下層導体３の枝
部３ｂの一部に重なるように、誘電体層４が略矩形状に
チタン酸バリウムを含む誘電体ペーストを印刷及び焼成
して形成されている。この誘電体層４上には、一端が他
方の表面電極２と重なるように上層導体５が略帯状に銀
及び白金を含む導電ペーストを印刷及び焼成することに
より形成されている。
部３ｂの一部に重なるように、誘電体層４が略矩形状に
チタン酸バリウムを含む誘電体ペーストを印刷及び焼成
して形成されている。この誘電体層４上には、一端が他
方の表面電極２と重なるように上層導体５が略帯状に銀
及び白金を含む導電ペーストを印刷及び焼成することに
より形成されている。
【００１１】次に図３に示すように、前述の誘電体層４
及び上層導体５を覆うように、且つ下層導体３の幹部３
ａと複数の枝部３ｂの一部が露出するように保護層６が
ガラスペーストを印刷及び焼成することにより形成され
ている。更に櫛歯状の下層導体３の一部をレーザーの照
射により切除して、図３に示すようなトリミング溝７が
形成されている。このトリミング溝７は保護層６が形成
されずに露出している下層導体３の幹部３ａの一部とそ
れに連なるいくつかの枝部３ｂを周知のレーザーにて切
除して形成されており、下層導体３の幹部３ａが連なる
ように形成されている一方の表面電極に対向する他方の
表面電極に近い枝部３ｂから順に所望の容量になるよう
に切除して厚膜コンデンサの容量を調整する。
及び上層導体５を覆うように、且つ下層導体３の幹部３
ａと複数の枝部３ｂの一部が露出するように保護層６が
ガラスペーストを印刷及び焼成することにより形成され
ている。更に櫛歯状の下層導体３の一部をレーザーの照
射により切除して、図３に示すようなトリミング溝７が
形成されている。このトリミング溝７は保護層６が形成
されずに露出している下層導体３の幹部３ａの一部とそ
れに連なるいくつかの枝部３ｂを周知のレーザーにて切
除して形成されており、下層導体３の幹部３ａが連なる
ように形成されている一方の表面電極に対向する他方の
表面電極に近い枝部３ｂから順に所望の容量になるよう
に切除して厚膜コンデンサの容量を調整する。
【００１２】この後、トリミング溝７を覆うようにオー
バーコート層（図示せず）を形成して厚膜コンデンサは
形成されている。尚、上述の実施例で下層導体３が幹部
３ａと複数の枝部３ｂを有する櫛歯状の厚膜コンデンサ
の実施例を示したが、上層導体５に幹部と複数の枝部が
形成された厚膜コンデンサでも良く、更に、トリミング
溝７を下層導体３の幹部３ａに平行に形成したが、誘電
体層４及び保護層６を切除しなければ特にこの方向に限
定されるものではなく、下層導体３の複数の枝部３ｂの
導出方向と平行に幹部３ａを切断するようにトリミング
溝を形成した構成の厚膜コンデンサとしても同様の作用
効果を得ることが可能である。
バーコート層（図示せず）を形成して厚膜コンデンサは
形成されている。尚、上述の実施例で下層導体３が幹部
３ａと複数の枝部３ｂを有する櫛歯状の厚膜コンデンサ
の実施例を示したが、上層導体５に幹部と複数の枝部が
形成された厚膜コンデンサでも良く、更に、トリミング
溝７を下層導体３の幹部３ａに平行に形成したが、誘電
体層４及び保護層６を切除しなければ特にこの方向に限
定されるものではなく、下層導体３の複数の枝部３ｂの
導出方向と平行に幹部３ａを切断するようにトリミング
溝を形成した構成の厚膜コンデンサとしても同様の作用
効果を得ることが可能である。
【００１３】又、上述の実施例ではチップ状の厚膜コン
デンサを示したが、絶縁基板上で他の抵抗器やダイオー
ド等の電子部品に接続されてハイブリッド回路電子部品
の一部を構成する厚膜コンデンサに適用しても良い。
尚、本発明は前述の各実施例に記載された導体の形状及
び材料、誘電体層の形状及び材料等の構成に特に限定さ
れるものではない。
デンサを示したが、絶縁基板上で他の抵抗器やダイオー
ド等の電子部品に接続されてハイブリッド回路電子部品
の一部を構成する厚膜コンデンサに適用しても良い。
尚、本発明は前述の各実施例に記載された導体の形状及
び材料、誘電体層の形状及び材料等の構成に特に限定さ
れるものではない。
【００１４】
【発明の効果】厚膜コンデンサにおいて、下層導体又は
上層導体のいずれか一方の導体が幹部とそれに連なる複
数の枝部とからなる櫛歯状に形成され、且つ容量調整用
のトリミング溝が形成されており、前記誘電体層は前記
枝部に重なるように形成されていることにより、枝部を
幹部から切除することで厚膜コンデンサの容量を調整す
ることができる。
上層導体のいずれか一方の導体が幹部とそれに連なる複
数の枝部とからなる櫛歯状に形成され、且つ容量調整用
のトリミング溝が形成されており、前記誘電体層は前記
枝部に重なるように形成されていることにより、枝部を
幹部から切除することで厚膜コンデンサの容量を調整す
ることができる。
【００１５】それにより、誘電体層を切除することなく
厚膜コンデンサの容量を調整することができるので、誘
電体層を傷つけてしまうことによる絶縁抵抗の低下を防
止でき、厚膜コンデンサの絶縁特性を劣化させることな
く、容量値の調整が可能になる。そして、厚膜コンデン
サにおいて保護層が少なくとも導体の枝部に重なるよう
に形成され、且つトリミング溝が導体の保護層の非形成
領域に形成されていることにより、従来のように保護層
や誘電体層をトリミングすること無く、導体だけをレー
ザーでトリミングすることで厚膜コンデンサの容量を調
整することができる。
厚膜コンデンサの容量を調整することができるので、誘
電体層を傷つけてしまうことによる絶縁抵抗の低下を防
止でき、厚膜コンデンサの絶縁特性を劣化させることな
く、容量値の調整が可能になる。そして、厚膜コンデン
サにおいて保護層が少なくとも導体の枝部に重なるよう
に形成され、且つトリミング溝が導体の保護層の非形成
領域に形成されていることにより、従来のように保護層
や誘電体層をトリミングすること無く、導体だけをレー
ザーでトリミングすることで厚膜コンデンサの容量を調
整することができる。
【００１６】それにより、導体を直接レーザーで切除す
ることができるので、従来より少ないレーザー光線の出
力により効率よく精密に容量の調整された厚膜コンデン
サを得ることが可能になる。
ることができるので、従来より少ないレーザー光線の出
力により効率よく精密に容量の調整された厚膜コンデン
サを得ることが可能になる。
【図１】本発明の厚膜コンデンサの一実施例の表面電極
と下層導体を示す平面図
と下層導体を示す平面図
【図２】本発明の厚膜コンデンサの一実施例の誘電体層
と上層導体を示す平面図
と上層導体を示す平面図
【図３】本発明の厚膜コンデンサの一実施例の保護層と
トリミング溝を示す平面図
トリミング溝を示す平面図
【図４】従来の厚膜コンデンサの表面電極と下層導体を
示す平面図
示す平面図
【図５】従来の厚膜コンデンサの誘電体層と上層導体を
示す平面図
示す平面図
【図６】従来の厚膜コンデンサの保護層とトリミング溝
を示す平面図
を示す平面図
１・・・・絶縁基板 ２・・・・表面電極 ３・・・・下層導体 ４・・・・誘電体層 ５・・・・上層導体 ６・・・・保護層 ７・・・・トリミング溝
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁基板上に形成された下層導体と、該
下層導体上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形
成された上層導体と、少なくとも前記誘電体層を覆うよ
うに前記上層導体上に形成された保護層とを有する厚膜
コンデンサであって、 前記下層導体又は前記上層導体のいずれか一方の導体が
幹部とそれに連なる複数の枝部とからなる櫛歯状に形成
され、且つ容量調整用のトリミング溝が形成されてお
り、前記誘電体層は前記枝部に重なるように形成されて
いることを特徴とする厚膜コンデンサ。 - 【請求項２】 前記保護層が少なくとも前記導体の前記
枝部に重なるように形成され、且つ前記トリミング溝が
前記導体の前記保護層非形成領域に形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の厚膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270396A JPH09246093A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 厚膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5270396A JPH09246093A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 厚膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246093A true JPH09246093A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12922260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5270396A Pending JPH09246093A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 厚膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246093A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014069363A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | ローム株式会社 | チップコンデンサ、回路アセンブリ、および電子機器 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP5270396A patent/JPH09246093A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014069363A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | ローム株式会社 | チップコンデンサ、回路アセンブリ、および電子機器 |
| US9288908B2 (en) | 2012-11-02 | 2016-03-15 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor, circuit assembly, and electronic device |
| JPWO2014069363A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2016-09-08 | ローム株式会社 | チップコンデンサ、回路アセンブリ、および電子機器 |
| US9685273B2 (en) | 2012-11-02 | 2017-06-20 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor, circuit assembly, and electronic device |
| US10026557B2 (en) | 2012-11-02 | 2018-07-17 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor, circuit assembly, and electronic device |
| US10593480B2 (en) | 2012-11-02 | 2020-03-17 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor, circuit assembly, and electronic device |
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