JPH10189308A - 厚膜サーミスタの抵抗値調整方法及び厚膜サーミスタ - Google Patents
厚膜サーミスタの抵抗値調整方法及び厚膜サーミスタInfo
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- JPH10189308A JPH10189308A JP8343638A JP34363896A JPH10189308A JP H10189308 A JPH10189308 A JP H10189308A JP 8343638 A JP8343638 A JP 8343638A JP 34363896 A JP34363896 A JP 34363896A JP H10189308 A JPH10189308 A JP H10189308A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚膜サーミスタの抵抗値を目標値に調整す
る。 【解決手段】 演算処理と、切断処理とを行う。演算処
理は、厚膜サーミスタの被測定抵抗値を基準抵抗値と比
較し、被測定抵抗値の目標値からのずれの量から厚膜サ
ーミスタのトリム量を決定し、そのトリム量を厚膜サー
ミスタの面積に換算して切断処理に切断指令出力する。
切断処理は演算処理からの切断指令を受け、目標値から
のずれを補償する大きさの面積（ｓ＝ｘ×ｙ）を厚膜サ
ーミスタ（面積Ｓ＝Ｘ×Ｙ）からレーザトリミングす
る。
る。 【解決手段】 演算処理と、切断処理とを行う。演算処
理は、厚膜サーミスタの被測定抵抗値を基準抵抗値と比
較し、被測定抵抗値の目標値からのずれの量から厚膜サ
ーミスタのトリム量を決定し、そのトリム量を厚膜サー
ミスタの面積に換算して切断処理に切断指令出力する。
切断処理は演算処理からの切断指令を受け、目標値から
のずれを補償する大きさの面積（ｓ＝ｘ×ｙ）を厚膜サ
ーミスタ（面積Ｓ＝Ｘ×Ｙ）からレーザトリミングす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、厚膜状に形成され
たサーミスタの抵抗値調整方法及び厚膜サーミスタに関
する。
たサーミスタの抵抗値調整方法及び厚膜サーミスタに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より厚膜サーミスタにおいては、そ
の一部をトリミングして抵抗値を調整する方法が知られ
ている。また、トリミングには主としてレーザ光が用い
られる。
の一部をトリミングして抵抗値を調整する方法が知られ
ている。また、トリミングには主としてレーザ光が用い
られる。
【０００３】ところで、サーミスタのトリミングにレー
ザ光を用いたときには、レーザ光の照射により温度が上
昇し、サーミスタの抵抗値が変動するために、トリミン
グと同時又はトリミングの直後にサーミスタの抵抗値を
測定してもその値はトリミング時の蓄熱によって低下し
た抵抗値であって、その抵抗値をもって調整後の抵抗値
とすることができない。
ザ光を用いたときには、レーザ光の照射により温度が上
昇し、サーミスタの抵抗値が変動するために、トリミン
グと同時又はトリミングの直後にサーミスタの抵抗値を
測定してもその値はトリミング時の蓄熱によって低下し
た抵抗値であって、その抵抗値をもって調整後の抵抗値
とすることができない。
【０００４】この問題を解決するため、各トリミングを
断続的に行うことによって、各トリミング間に冷却時間
を設け、冷却時に抵抗値を測定しながら、目標抵抗値に
近づくまでトリミングを何回も繰り返す方法がある。ま
た、トリミング処理を施す前にサーミスタ部分をカット
してトリミングすべき電極を露出させ、トリミングに際
してサーミスタに熱が蓄積されることによる影響を防止
する方法が特開平５−２０５９０５号公報に紹介されて
いる。もっとも、この方法では、サーミスタをカットす
る工程にレーザ光が用いられ、レーザ光の照射によって
蓄積される熱は、風力等を利用して強制的に冷却するこ
ととしている。
断続的に行うことによって、各トリミング間に冷却時間
を設け、冷却時に抵抗値を測定しながら、目標抵抗値に
近づくまでトリミングを何回も繰り返す方法がある。ま
た、トリミング処理を施す前にサーミスタ部分をカット
してトリミングすべき電極を露出させ、トリミングに際
してサーミスタに熱が蓄積されることによる影響を防止
する方法が特開平５−２０５９０５号公報に紹介されて
いる。もっとも、この方法では、サーミスタをカットす
る工程にレーザ光が用いられ、レーザ光の照射によって
蓄積される熱は、風力等を利用して強制的に冷却するこ
ととしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うに、トリミングを繰り返す方法や、トリミングのほか
にサーミスタ部分をカットする方法によるときには作業
性に劣る欠点があり、前者の方法の欠点を解消する方法
として普通の厚膜抵抗体を冷却時間にトリミングするこ
とによって作業時間の無駄を省く試みがある。しかし、
この方法によっても、時間が過度に掛かるだけでなく、
トリミングの正確性が得られない、として特開平５−１
３５９１１号においては、サーミスタのレーザ光線によ
るトリミング量を設定する前提として、統計的手法によ
る回帰分析のためのデータの採取について、同一のサン
プルを用い、回帰分析については、サンプルの初期抵抗
値に対する抵抗変化率をトリミング量または率との相関
に置き換え、次にトリミング量または率をその対数値と
の相関において捉えた回帰式を求め、その回帰式に基づ
いて検出されたトリミング量または率により一度にトリ
ミングを完了することを特徴とするサーミスタのトリミ
ング方法を提案している。
うに、トリミングを繰り返す方法や、トリミングのほか
にサーミスタ部分をカットする方法によるときには作業
性に劣る欠点があり、前者の方法の欠点を解消する方法
として普通の厚膜抵抗体を冷却時間にトリミングするこ
とによって作業時間の無駄を省く試みがある。しかし、
この方法によっても、時間が過度に掛かるだけでなく、
トリミングの正確性が得られない、として特開平５−１
３５９１１号においては、サーミスタのレーザ光線によ
るトリミング量を設定する前提として、統計的手法によ
る回帰分析のためのデータの採取について、同一のサン
プルを用い、回帰分析については、サンプルの初期抵抗
値に対する抵抗変化率をトリミング量または率との相関
に置き換え、次にトリミング量または率をその対数値と
の相関において捉えた回帰式を求め、その回帰式に基づ
いて検出されたトリミング量または率により一度にトリ
ミングを完了することを特徴とするサーミスタのトリミ
ング方法を提案している。
【０００６】この方法によれば、回帰式の精度が高けれ
ば高いほどアナログ的に正確に目標抵抗値に設定できる
という効果が強調されているが、この方法において、デ
ータ解析により得られる回帰式はＹ＝トリミング量，Ｘ
＝抵抗変化率の対数値として、例えばＹ＝２．２８１Ｘ
−０．０６９のような一次方程式であり、トリミング量
は、線の長さで決定されるため、微調整の範囲で有効な
方法であろうと思われる。調整代が大きいときには、サ
ーミスタの表面を大きく傷付けることになる。
ば高いほどアナログ的に正確に目標抵抗値に設定できる
という効果が強調されているが、この方法において、デ
ータ解析により得られる回帰式はＹ＝トリミング量，Ｘ
＝抵抗変化率の対数値として、例えばＹ＝２．２８１Ｘ
−０．０６９のような一次方程式であり、トリミング量
は、線の長さで決定されるため、微調整の範囲で有効な
方法であろうと思われる。調整代が大きいときには、サ
ーミスタの表面を大きく傷付けることになる。
【０００７】本発明の目的は、厚膜サーミスタから指定
された面積を除去して厚膜サーミスタの抵抗値を調整す
る方法及び厚膜サーミスタを提供することにある。
された面積を除去して厚膜サーミスタの抵抗値を調整す
る方法及び厚膜サーミスタを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による厚膜サーミスタの抵抗値調整方法にお
いては、演算処理と、切断処理とを有する厚膜サーミス
タの抵抗値調整方法であって、演算処理は、厚膜サーミ
スタの被測定抵抗値を基準抵抗値と比較し、被測定抵抗
値の目標値からのずれの割合いを算出して厚膜サーミス
タのトリム量を決定し、そのトリム量を厚膜サーミスタ
の面積に換算して切断処理に切断指令を出力する処理で
あり、切断処理は、演算処理から出力された指令に基づ
いて、目標値からのずれを補償する大きさの面積を厚膜
サーミスタから切断して分離する処理である。
め、本発明による厚膜サーミスタの抵抗値調整方法にお
いては、演算処理と、切断処理とを有する厚膜サーミス
タの抵抗値調整方法であって、演算処理は、厚膜サーミ
スタの被測定抵抗値を基準抵抗値と比較し、被測定抵抗
値の目標値からのずれの割合いを算出して厚膜サーミス
タのトリム量を決定し、そのトリム量を厚膜サーミスタ
の面積に換算して切断処理に切断指令を出力する処理で
あり、切断処理は、演算処理から出力された指令に基づ
いて、目標値からのずれを補償する大きさの面積を厚膜
サーミスタから切断して分離する処理である。
【０００９】また切断処理は、厚膜サーミスタに座標の
位置を指定し、厚膜サーミスタを縦，横又は縦横方向に
レーザカットして演算処理から指令された面積を切り離
す処理である。
位置を指定し、厚膜サーミスタを縦，横又は縦横方向に
レーザカットして演算処理から指令された面積を切り離
す処理である。
【００１０】また本発明による厚膜サーミスタにおいて
は、有効領域と無効領域とを有する厚膜サーミスタであ
って、有効領域は、厚膜サーミスタに予め定められた抵
抗値を与える領域であり、無効領域は、目標とする抵抗
値の調整代として電気的に有効領域から切り離された厚
膜サーミスタの部分である。
は、有効領域と無効領域とを有する厚膜サーミスタであ
って、有効領域は、厚膜サーミスタに予め定められた抵
抗値を与える領域であり、無効領域は、目標とする抵抗
値の調整代として電気的に有効領域から切り離された厚
膜サーミスタの部分である。
【００１１】また厚膜サーミスタは、絶縁基板上に順に
積層された一次電極，サーミスタ及び二次電極の積層で
あり、積層は、少なくとも二次電極がレーザカットによ
って有効領域と無効領域とに隔離されているものであ
る。
積層された一次電極，サーミスタ及び二次電極の積層で
あり、積層は、少なくとも二次電極がレーザカットによ
って有効領域と無効領域とに隔離されているものであ
る。
【００１２】また積層はガラスコートを有し、ガラスコ
ートは、二次電極を覆うものであり、有効領域と無効領
域とに隔離する溝は、ガラスコートを通して二次電極を
切り離しているものである。
ートは、二次電極を覆うものであり、有効領域と無効領
域とに隔離する溝は、ガラスコートを通して二次電極を
切り離しているものである。
【００１３】また積層はさらにレジンコートを有し、レ
ジンコートは、ガラスコートを被覆するとともにレーザ
カット後の溝間を隔絶するものである。
ジンコートは、ガラスコートを被覆するとともにレーザ
カット後の溝間を隔絶するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明による実施の形態を
図によって説明する。
図によって説明する。
【００１５】図１は、チップ型の厚膜サーミスタの一例
を示す図である。厚膜サーミスタは、図に示すように絶
縁基板１と、一次電極２ａ，２ｂと、サーミスタ３と、
二次電極４との積層からなるものであり、積層には、オ
ーバーコートの一次コート，二次コートとしてガラスコ
ート５及びレジンコート６が順に施される。絶縁基板１
は、アルミナ基板であり、アルミナ９６％の焼結体など
が用いられる。一次電極２ａ，２ｂは、一定の間隔７を
おいて絶縁基板１上に付された厚さ約１０μｍの下部電
極パターンであり、２ａは、絶縁基板１の一方の端部よ
り他方の端部方向に向けて形成された相対的に長い電極
パターンであり、２ｂは、他方の端部から、前記パター
ン２ａに向けて形成された相対的に短い電極パターンで
ある。
を示す図である。厚膜サーミスタは、図に示すように絶
縁基板１と、一次電極２ａ，２ｂと、サーミスタ３と、
二次電極４との積層からなるものであり、積層には、オ
ーバーコートの一次コート，二次コートとしてガラスコ
ート５及びレジンコート６が順に施される。絶縁基板１
は、アルミナ基板であり、アルミナ９６％の焼結体など
が用いられる。一次電極２ａ，２ｂは、一定の間隔７を
おいて絶縁基板１上に付された厚さ約１０μｍの下部電
極パターンであり、２ａは、絶縁基板１の一方の端部よ
り他方の端部方向に向けて形成された相対的に長い電極
パターンであり、２ｂは、他方の端部から、前記パター
ン２ａに向けて形成された相対的に短い電極パターンで
ある。
【００１６】サーミスタ３の膜は、間隔７内から一次電
極のパターン２ａ上に渡って約２０μｍの厚みに形成さ
れ、さらに二次電極４は、間隔７内の隙間を埋めてサー
ミスタ３の一部と、一次電極のパターン２ｂの一部間に
跨って１０μｍの厚みに形成された上部電極パターンで
ある。ガラスコート５及びレジンコート６は、二次電極
４と、サーミスタ３の露出部分を含めて積層の表面を覆
うものである。一次電極の各パターン２ａ，２ｂは、端
面電極８を介して絶縁基板１の裏面の両端部に付された
裏面電極９に接続されている。
極のパターン２ａ上に渡って約２０μｍの厚みに形成さ
れ、さらに二次電極４は、間隔７内の隙間を埋めてサー
ミスタ３の一部と、一次電極のパターン２ｂの一部間に
跨って１０μｍの厚みに形成された上部電極パターンで
ある。ガラスコート５及びレジンコート６は、二次電極
４と、サーミスタ３の露出部分を含めて積層の表面を覆
うものである。一次電極の各パターン２ａ，２ｂは、端
面電極８を介して絶縁基板１の裏面の両端部に付された
裏面電極９に接続されている。
【００１７】本発明においては、二次コートとしてレジ
ンコート６を付す前に、一次コートであるガラスコート
５を通し、溝１０によって積層の一部を切離し、サーミ
スタの抵抗値を調整するものであり、厚膜サーミスタの
積層の切り離しは、レーザトリミングによって行われ
る。
ンコート６を付す前に、一次コートであるガラスコート
５を通し、溝１０によって積層の一部を切離し、サーミ
スタの抵抗値を調整するものであり、厚膜サーミスタの
積層の切り離しは、レーザトリミングによって行われ
る。
【００１８】レーザカットの寸法は、なるべく二次電極
パターン４のみをカットするのが望ましい。しかし、二
次電極パターン４の端縁のぎりぎりの個所からレーザ光
をスタートさせ、また、逆に二次電極パターン４の端縁
でレーザ光をストップしたときには、印刷精度やレーザ
ー加工用テーブルの精度上の誤差が原因となって、レー
ザカットミスを生ずる。したがって、二次電極パターン
４の外側のサーミスタ部分が若干カットされても格別の
問題はない。また、レーザーカット深さに関しては、二
次電極パターン４までをカットするのが理想であるが、
カット深さはサーミスタ又は一次電極パターン２ａに達
しても構わない。
パターン４のみをカットするのが望ましい。しかし、二
次電極パターン４の端縁のぎりぎりの個所からレーザ光
をスタートさせ、また、逆に二次電極パターン４の端縁
でレーザ光をストップしたときには、印刷精度やレーザ
ー加工用テーブルの精度上の誤差が原因となって、レー
ザカットミスを生ずる。したがって、二次電極パターン
４の外側のサーミスタ部分が若干カットされても格別の
問題はない。また、レーザーカット深さに関しては、二
次電極パターン４までをカットするのが理想であるが、
カット深さはサーミスタ又は一次電極パターン２ａに達
しても構わない。
【００１９】図２（ａ）において、レーザカットのカッ
トラインａ，ｂは２軸方向から交叉させて二次電極４の
一隅を分離している。残された部分が有効領域ＥＺであ
り、分離された部分は無効領域ＶＺである。
トラインａ，ｂは２軸方向から交叉させて二次電極４の
一隅を分離している。残された部分が有効領域ＥＺであ
り、分離された部分は無効領域ＶＺである。
【００２０】本発明の厚膜サーミスタは以下の手順で製
造される。すなわち、絶縁基板１上に一次電極２ａ，２
ｂ及び裏面電極９及び端面電極８を塗布印刷し、８５０
℃で焼成する。次いで、サーミスタ３を印刷して８５０
℃で焼成し、二次電極パターン４を印刷して６００〜６
５０℃で焼成し、さらにガラスコート５を印刷して６０
０℃で焼成した後にレーザーカットが施される。レジン
コート６は、レーザーカットされたガラスコート５の表
面に塗布して焼付け、最後に製品使用時の半田付性を補
償するためにＮｉ或いははんだメッキを施す。もっと
も、絶縁基板上に一次電極，裏面電極，端面電極及びサ
ーミスタを順次印刷した後これらを同時に焼成し、次い
で上部電極及びガラスコートを施してこれらを同時に焼
成し、以下上記と同じ手順で製造することもできる。
造される。すなわち、絶縁基板１上に一次電極２ａ，２
ｂ及び裏面電極９及び端面電極８を塗布印刷し、８５０
℃で焼成する。次いで、サーミスタ３を印刷して８５０
℃で焼成し、二次電極パターン４を印刷して６００〜６
５０℃で焼成し、さらにガラスコート５を印刷して６０
０℃で焼成した後にレーザーカットが施される。レジン
コート６は、レーザーカットされたガラスコート５の表
面に塗布して焼付け、最後に製品使用時の半田付性を補
償するためにＮｉ或いははんだメッキを施す。もっと
も、絶縁基板上に一次電極，裏面電極，端面電極及びサ
ーミスタを順次印刷した後これらを同時に焼成し、次い
で上部電極及びガラスコートを施してこれらを同時に焼
成し、以下上記と同じ手順で製造することもできる。
【００２１】ガラスコート後にレーザカットを施すの
は、次の２つの理由による。すなわち、第１の理由は、
レーザー照射による表面温度は、瞬間的とはいえ、１５
００℃に達する。したがって、この高温を、直接サーミ
スタや熱伝導性の高い電極で直接受けるよりも一旦ガラ
スコートに受熱してできるだけサーミスタへの影響を阻
止することにある。また、第２の理由は、レーザーカッ
ト時にガラスコートがサーミスタ又は２次電極の表面に
施されていないと、カット時に電極やサーミスタの切断
粉が飛散し、これが製品の表面に付着して汚染し、ま
た、飛散粉が不測の不良発生原因となることを避けるた
めである。ガラスコートが施されていると、レーザーカ
ットの切り口はシャープであり、仕上りはきれいであ
る。
は、次の２つの理由による。すなわち、第１の理由は、
レーザー照射による表面温度は、瞬間的とはいえ、１５
００℃に達する。したがって、この高温を、直接サーミ
スタや熱伝導性の高い電極で直接受けるよりも一旦ガラ
スコートに受熱してできるだけサーミスタへの影響を阻
止することにある。また、第２の理由は、レーザーカッ
ト時にガラスコートがサーミスタ又は２次電極の表面に
施されていないと、カット時に電極やサーミスタの切断
粉が飛散し、これが製品の表面に付着して汚染し、ま
た、飛散粉が不測の不良発生原因となることを避けるた
めである。ガラスコートが施されていると、レーザーカ
ットの切り口はシャープであり、仕上りはきれいであ
る。
【００２２】なお、二次コートは、ガラスコートであっ
てもよいが、一次コートにガラスコート、二次コートに
レジンコートを用いることにより、レーザーカット後の
溝間を隔絶し、さらに全表面を覆ってサーミスタを保護
し、その信頼性を高めることができる。さらに、レジン
コートによれば、万一溝内にレーザーカットによる電極
粉が残存してもその電極粉はレジンコートに埋め込まれ
て電気的な障害を防止でき、また、後処理として表面に
施されたはんだ又はメッキの金属と溝内に臨む電極との
短絡を防ぐことができる。勿論、オーバーコートとして
の一次コート，二次コートにはガラスコート，レジンコ
ートの組合せを任意に選定使用できる。
てもよいが、一次コートにガラスコート、二次コートに
レジンコートを用いることにより、レーザーカット後の
溝間を隔絶し、さらに全表面を覆ってサーミスタを保護
し、その信頼性を高めることができる。さらに、レジン
コートによれば、万一溝内にレーザーカットによる電極
粉が残存してもその電極粉はレジンコートに埋め込まれ
て電気的な障害を防止でき、また、後処理として表面に
施されたはんだ又はメッキの金属と溝内に臨む電極との
短絡を防ぐことができる。勿論、オーバーコートとして
の一次コート，二次コートにはガラスコート，レジンコ
ートの組合せを任意に選定使用できる。
【００２３】サーミスタの抵抗値は、厚みが一定の場合
には無効領域ＶＺの面積に比例する。したがって、被測
定抵抗値と基準抵抗値との差に対応する面積が無効領域
ＶＺとして切り離されれば、サーミスタの抵抗値を目標
値に調整できる。図２（ａ）は、有効領域の面積Ｓ＝Ｘ
×Ｙの内から無効領域の面積ｓ＝ｘ×ｙを切り離す例を
模式的に示すものである。表１に２５℃（基準温度）に
おいて、被測定抵抗値と基準抵抗値との差から、無効領
域を決定する要領の一例を示す。
には無効領域ＶＺの面積に比例する。したがって、被測
定抵抗値と基準抵抗値との差に対応する面積が無効領域
ＶＺとして切り離されれば、サーミスタの抵抗値を目標
値に調整できる。図２（ａ）は、有効領域の面積Ｓ＝Ｘ
×Ｙの内から無効領域の面積ｓ＝ｘ×ｙを切り離す例を
模式的に示すものである。表１に２５℃（基準温度）に
おいて、被測定抵抗値と基準抵抗値との差から、無効領
域を決定する要領の一例を示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】サーミスタの抵抗値は、無効領域ＶＺとし
て切り離される面積ｓに比例するため、目標値までの抵
抗上昇率（トリム量）が分かれば、無効領域として切り
離すべき面積は必然的に決定される。したがって、厚膜
サーミスタと同一条件にマスターサンプルを併置して基
準抵抗値を設定し、演算処理として、厚膜サーミスタの
被測定抵抗値と、マスターサンプルの基準抵抗値とを比
較し、被測定抵抗値の目標値からのずれの割合を算出
し、厚膜サーミスタのトリム量を決定し、そのトリム量
を与える切断量を切断面積に換算して切断処理に指令を
出力すれば、切断処理においては、厚膜サーミスタから
無効領域に相当する面積がレーザトリミングされる。切
断処理は、厚膜サーミスタの積層に対し、電極印刷時に
基板の一点に位置決めを行い、カット量を設定できるよ
うにするために座標の位置（ｘ，ｙ）を指定し、厚膜サ
ーミスタの積層を縦，横方向（Ｘ，Ｙ方向）にレーザカ
ットして演算処理から指定された面積を無効領域ＶＺと
して切り離す処理である。これによって目標値からのず
れが補償されて厚膜サーミスタの抵抗値は、目標値に調
整される。以上の演算処理並びに切断処理は、コンピュ
ータ処理によって行われ、コンピュータに目標値を指定
しておけば、厚膜サーミスタの被測定抵抗値を自動的に
読み取って入力するのみで抵抗値を規定の値に調整でき
る。切り離すべき無効領域ＶＺの設定は、以上の実施形
態に限られるものではない。
て切り離される面積ｓに比例するため、目標値までの抵
抗上昇率（トリム量）が分かれば、無効領域として切り
離すべき面積は必然的に決定される。したがって、厚膜
サーミスタと同一条件にマスターサンプルを併置して基
準抵抗値を設定し、演算処理として、厚膜サーミスタの
被測定抵抗値と、マスターサンプルの基準抵抗値とを比
較し、被測定抵抗値の目標値からのずれの割合を算出
し、厚膜サーミスタのトリム量を決定し、そのトリム量
を与える切断量を切断面積に換算して切断処理に指令を
出力すれば、切断処理においては、厚膜サーミスタから
無効領域に相当する面積がレーザトリミングされる。切
断処理は、厚膜サーミスタの積層に対し、電極印刷時に
基板の一点に位置決めを行い、カット量を設定できるよ
うにするために座標の位置（ｘ，ｙ）を指定し、厚膜サ
ーミスタの積層を縦，横方向（Ｘ，Ｙ方向）にレーザカ
ットして演算処理から指定された面積を無効領域ＶＺと
して切り離す処理である。これによって目標値からのず
れが補償されて厚膜サーミスタの抵抗値は、目標値に調
整される。以上の演算処理並びに切断処理は、コンピュ
ータ処理によって行われ、コンピュータに目標値を指定
しておけば、厚膜サーミスタの被測定抵抗値を自動的に
読み取って入力するのみで抵抗値を規定の値に調整でき
る。切り離すべき無効領域ＶＺの設定は、以上の実施形
態に限られるものではない。
【００２６】例えば、図２（ｂ）に示すように厚膜サー
ミスタの積層の全幅Ｂを含んで直線状にｓ＝ｘ×Ｙの面
積を切り離すことができ、また、櫛歯電極の場合にも櫛
歯の幅Ｙ1を横切って図２（ｃ）に示すようにｓ＝ｘ1×
Ｙ1，ｘ2×Ｙ1，ｘ3×Ｙ1の面積で切り離すことがで
き、櫛歯電極の場合には、レーザカットのカット量が小
さいのでレーザの熱による悪影響を軽減できる。さらに
サーミスタの領域から外れた櫛歯電極の部分をレーザカ
ットするときには、レーザによる熱影響を無視できる。
なお、抵抗値を微調整するときには、積層をＣの長さで
直線状にレーザカットする手法を併用してもよい。
ミスタの積層の全幅Ｂを含んで直線状にｓ＝ｘ×Ｙの面
積を切り離すことができ、また、櫛歯電極の場合にも櫛
歯の幅Ｙ1を横切って図２（ｃ）に示すようにｓ＝ｘ1×
Ｙ1，ｘ2×Ｙ1，ｘ3×Ｙ1の面積で切り離すことがで
き、櫛歯電極の場合には、レーザカットのカット量が小
さいのでレーザの熱による悪影響を軽減できる。さらに
サーミスタの領域から外れた櫛歯電極の部分をレーザカ
ットするときには、レーザによる熱影響を無視できる。
なお、抵抗値を微調整するときには、積層をＣの長さで
直線状にレーザカットする手法を併用してもよい。
【００２７】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。図１におい
て、試料ＲA1，ＲA2，…ＲAnのサーミスタを目標値１０
ＫΩに調整した。調整要領を表２に示す。
て、試料ＲA1，ＲA2，…ＲAnのサーミスタを目標値１０
ＫΩに調整した。調整要領を表２に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】トリミングでは、ｓ＝ｘ×ｙの面積を無効
領域として切り離す。表２において、抵抗値の測定は、
基準抵抗値に対する偏差％で測定する。基準抵抗体は、
目標値に対し、誤差があるので、この分の補正が必要と
なる。
領域として切り離す。表２において、抵抗値の測定は、
基準抵抗値に対する偏差％で測定する。基準抵抗体は、
目標値に対し、誤差があるので、この分の補正が必要と
なる。
【００３０】以上、ＲA1〜ＲAnを含む試料１０，０００
個の調整後の抵抗値を検査したところ、およそ８割のも
のが１０ＫΩ±５％の範囲内に納まっていることが判っ
た。
個の調整後の抵抗値を検査したところ、およそ８割のも
のが１０ＫΩ±５％の範囲内に納まっていることが判っ
た。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によるときには、厚
膜サーミスタの単位面積当りの抵抗増大率、ひいては目
標値までの抵抗増大率を知ることにより、目標値と実測
値との差から無効領域として切り離すべき面積を算出
し、その面積分を厚膜サーミスタからレーザトリミング
することにより、厚膜サーミスタの抵抗値を目標値に調
整することができ。また、本発明によれば、切り離すべ
き面積を厚膜サーミスタの縦，横方向の座標上の位置を
特定してレーザカットにより容易に切り離すことがで
き、厚膜サーミスタの隅の一部を切り離すのみで抵抗値
を目標値に調整できる効果を有する。
膜サーミスタの単位面積当りの抵抗増大率、ひいては目
標値までの抵抗増大率を知ることにより、目標値と実測
値との差から無効領域として切り離すべき面積を算出
し、その面積分を厚膜サーミスタからレーザトリミング
することにより、厚膜サーミスタの抵抗値を目標値に調
整することができ。また、本発明によれば、切り離すべ
き面積を厚膜サーミスタの縦，横方向の座標上の位置を
特定してレーザカットにより容易に切り離すことがで
き、厚膜サーミスタの隅の一部を切り離すのみで抵抗値
を目標値に調整できる効果を有する。
【図１】（ａ）はチップ型の厚膜サーミスタの一例を示
す平面図、（ｂ）は（ａ）のイ−イ線縦断面図である。
す平面図、（ｂ）は（ａ）のイ−イ線縦断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、切り離しのパターンを示す
図である。
図である。
１ 絶縁基板 ２ａ，２ｂ 一次電極 ３ サーミスタ ４ 二次電極 ５ ガラスコート ６ レジンコート ７ 間隔 ８ 端面電極 ９ 裏面電極 １０ 溝
Claims (6)
- 【請求項１】 演算処理と、切断処理とを有する厚膜サ
ーミスタの抵抗値調整方法であって、 演算処理は、厚膜サーミスタの被測定抵抗値を基準抵抗
値と比較し、被測定抵抗値の目標値からのずれの割合い
を算出して厚膜サーミスタのトリム量を決定し、そのト
リム量を厚膜サーミスタの面積に換算して切断処理に切
断指令を出力する処理であり、 切断処理は、演算処理から出力された指令に基づいて、
目標値からのずれを補償する大きさの面積を厚膜サーミ
スタから切断して分離する処理であることを特徴とする
厚膜サーミスタの抵抗値調整方法。 - 【請求項２】 切断処理は、厚膜サーミスタに座標の位
置を指定し、厚膜サーミスタを縦，横又は縦横方向にレ
ーザカットして演算処理から指令された面積を切り離す
処理であることを特徴とする請求項１に記載の厚膜サー
ミスタの抵抗値調整方法。 - 【請求項３】 有効領域と無効領域とを有する厚膜サー
ミスタであって、 有効領域は、厚膜サーミスタに予め定められた抵抗値を
与える領域であり、 無効領域は、目標とする抵抗値の調整代として電気的に
有効領域から切り離された厚膜サーミスタの部分である
ことを特徴とする厚膜サーミスタ。 - 【請求項４】 厚膜サーミスタは、絶縁基板上に順に積
層された一次電極，サーミスタ及び二次電極の積層であ
り、積層は、少なくとも二次電極がレーザカットによっ
て有効領域と無効領域とに隔離されていることを特徴と
する請求項３に記載の厚膜サーミスタ。 - 【請求項５】 積層はガラスコートを有し、 ガラスコートは、二次電極を覆うものであり、 有効領域と無効領域とに隔離する溝は、ガラスコートを
通して二次電極を切り離しているものであることを特徴
とする請求項３又は４に記載の厚膜サーミスタ。 - 【請求項６】 積層はさらにレジンコートを有し、 レジンコートは、ガラスコートを被覆するとともにレー
ザカット後の溝間を隔絶するものであることを特徴とす
る請求項５に記載の厚膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8343638A JPH10189308A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 厚膜サーミスタの抵抗値調整方法及び厚膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8343638A JPH10189308A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 厚膜サーミスタの抵抗値調整方法及び厚膜サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189308A true JPH10189308A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18363081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8343638A Pending JPH10189308A (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 厚膜サーミスタの抵抗値調整方法及び厚膜サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189308A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016018984A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 晶越科技股▲ふん▼有限公司 | サーミスタを有する水晶振動子基板の製造方法 |
| CN106298129A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-04 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 热敏电阻芯片高精度激光调阻方法及装置 |
| JP2017092934A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 水晶素子パッケージ及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-12-24 JP JP8343638A patent/JPH10189308A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016018984A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | 晶越科技股▲ふん▼有限公司 | サーミスタを有する水晶振動子基板の製造方法 |
| JP2017092934A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 水晶素子パッケージ及びその製造方法 |
| CN106298129A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-04 | 广东爱晟电子科技有限公司 | 热敏电阻芯片高精度激光调阻方法及装置 |
| CN106298129B (zh) * | 2016-08-30 | 2018-07-24 | 珠海爱晟医疗科技有限公司 | 热敏电阻芯片高精度激光调阻方法及装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050621 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050719 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051111 |