JPH0445263Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0445263Y2 JPH0445263Y2 JP1986171573U JP17157386U JPH0445263Y2 JP H0445263 Y2 JPH0445263 Y2 JP H0445263Y2 JP 1986171573 U JP1986171573 U JP 1986171573U JP 17157386 U JP17157386 U JP 17157386U JP H0445263 Y2 JPH0445263 Y2 JP H0445263Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower electrode
- thin film
- electrode
- ferromagnetic thin
- glass layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案はリード線のないチツプ状強磁性薄膜抵
抗素子に関する。
抗素子に関する。
従来の技術
従来、この種の抵抗素子は第２図に示すように
ガラス基板７の上に真空蒸着によりNiCo又は
NiFe等の強磁性薄膜を形成し、フオトリソグラ
フイーにより磁界によつて抵抗値の変化する抵抗
パターン８及び電極部９を同時に形成し、さらに
第３図の断面図に示すように抵抗パターン部８の
上に保護膜１０を形成し、電極部９上にはんだ１
２でリード線１１をはんだ付けした後、端子を補
強するため樹脂１３を塗布する構造となつてい
た。
ガラス基板７の上に真空蒸着によりNiCo又は
NiFe等の強磁性薄膜を形成し、フオトリソグラ
フイーにより磁界によつて抵抗値の変化する抵抗
パターン８及び電極部９を同時に形成し、さらに
第３図の断面図に示すように抵抗パターン部８の
上に保護膜１０を形成し、電極部９上にはんだ１
２でリード線１１をはんだ付けした後、端子を補
強するため樹脂１３を塗布する構造となつてい
た。
考案が解決しようとする問題点
従来の構造のままで単にリード線のみを除いて
チツプ状としても電極部９は500〓〜2000〓と薄
いため、長時間のはんだ付けを行なうとはんだ中
に薄膜状の電極部９が拡散して電極部９がなくな
り、断線する恐れがある。
チツプ状としても電極部９は500〓〜2000〓と薄
いため、長時間のはんだ付けを行なうとはんだ中
に薄膜状の電極部９が拡散して電極部９がなくな
り、断線する恐れがある。
本考案はこのような問題点を解決するもので、
断線の恐れのないリードレスのチツプ状強磁性薄
膜抵抗素子を得ることを目的とするものである。
断線の恐れのないリードレスのチツプ状強磁性薄
膜抵抗素子を得ることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
耐熱性絶縁基板の表面に下電極を構成すると共
に、その下電極に一部が重なるようにガラス印刷
焼成したガラス層を形成し、かつ前記下電極に一
部が重なるようにガラス層上に強磁性薄膜抵抗部
を形成すると共に、強磁性薄膜抵抗部と前記下電
極の一部を保護膜で覆い、前記下電極の保護膜で
覆われていない部分にメツキ膜を形成することに
より外部と接続される電極を形成したものであ
る。
に、その下電極に一部が重なるようにガラス印刷
焼成したガラス層を形成し、かつ前記下電極に一
部が重なるようにガラス層上に強磁性薄膜抵抗部
を形成すると共に、強磁性薄膜抵抗部と前記下電
極の一部を保護膜で覆い、前記下電極の保護膜で
覆われていない部分にメツキ膜を形成することに
より外部と接続される電極を形成したものであ
る。
作 用
この構成により、電極部には基板との密着力の
強い銀ガラス系の電極材料を用い、さらにその上
に電気メツキにより電極を厚く形成することによ
り、はんだくわれのない電極部が形成されること
となる。
強い銀ガラス系の電極材料を用い、さらにその上
に電気メツキにより電極を厚く形成することによ
り、はんだくわれのない電極部が形成されること
となる。
実施例
第１図に本考案の一実施例を示しており、第１
図に示すように、アルミナ磁器などによる耐熱性
絶縁基板１の上に銀ガラス系の電極材料を印刷焼
成して下電極２を形成する。下電極２に一部が重
なるようにガラスを印刷焼成してガラス層３を形
成する。ガラス層３及び下電極２に一部が重なる
ように強磁性薄膜抵抗部４を真空蒸着及びフオト
リソグラフイーにより形成する。さらに絶縁性の
保護膜５により強磁性薄膜抵抗部４を保護する。
そして下電極２の上に電気メツキによりはんだく
われのないニツケルメツキを行ない、さらにはん
だ付性をよくするためはんだメツキを行なつて電
極６を形成する。
図に示すように、アルミナ磁器などによる耐熱性
絶縁基板１の上に銀ガラス系の電極材料を印刷焼
成して下電極２を形成する。下電極２に一部が重
なるようにガラスを印刷焼成してガラス層３を形
成する。ガラス層３及び下電極２に一部が重なる
ように強磁性薄膜抵抗部４を真空蒸着及びフオト
リソグラフイーにより形成する。さらに絶縁性の
保護膜５により強磁性薄膜抵抗部４を保護する。
そして下電極２の上に電気メツキによりはんだく
われのないニツケルメツキを行ない、さらにはん
だ付性をよくするためはんだメツキを行なつて電
極６を形成する。
考案の効果
従来の構造のままで単にリード線のみを除いた
方法でチツプ状とした場合250℃のはんだ中に３
秒間浸漬すると電極がなくなり断線していたが、
本考案によれば、ニツケルメツキ2μとした場合
には250℃で20秒以上浸漬してもはんだくわれが
なく実用上充分に使用可能な電極とすることがで
きる。
方法でチツプ状とした場合250℃のはんだ中に３
秒間浸漬すると電極がなくなり断線していたが、
本考案によれば、ニツケルメツキ2μとした場合
には250℃で20秒以上浸漬してもはんだくわれが
なく実用上充分に使用可能な電極とすることがで
きる。
第１図は本考案の一実施例によるチツプ状強磁
性薄膜抵抗素子を示す断面図、第２図は従来の強
磁性薄膜抵抗素子を示す斜視図、第３図は同断面
図である。 １……耐熱性絶縁基板、２……下電極、３……
ガラス層、４……強磁性薄膜抵抗部、５……保護
膜、６……電極。
性薄膜抵抗素子を示す断面図、第２図は従来の強
磁性薄膜抵抗素子を示す斜視図、第３図は同断面
図である。 １……耐熱性絶縁基板、２……下電極、３……
ガラス層、４……強磁性薄膜抵抗部、５……保護
膜、６……電極。
Claims (1)
- 耐熱性絶縁基板の表面に下電極を構成すると共
に、その下電極に一部が重なるようにガラス印刷
焼成したガラス層を形成し、かつ前記下電極に一
部が重なるようにガラス層上に強磁性薄膜抵抗部
を形成すると共に、強磁性薄膜抵抗部と前記下電
極の一部を保護膜で覆い、前記下電極の保護膜層
で覆われていない部分にメツキ膜を形成すること
により外部と接続される電極を形成したチツプ状
強磁性薄膜抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986171573U JPH0445263Y2 (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986171573U JPH0445263Y2 (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377370U JPS6377370U (ja) | 1988-05-23 |
| JPH0445263Y2 true JPH0445263Y2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=31107324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986171573U Expired JPH0445263Y2 (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445263Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123183A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Nec Corp | Magnetic detector |
| JPS5946079A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP1986171573U patent/JPH0445263Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123183A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Nec Corp | Magnetic detector |
| JPS5946079A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気抵抗効果素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6377370U (ja) | 1988-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4722318B2 (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPH01302803A (ja) | チップ抵抗およびその製造方法 | |
| JPH01233701A (ja) | チップ抵抗およびその製造方法 | |
| KR100296848B1 (ko) | 칩형써미스터및이의조정방법 | |
| JPH0445263Y2 (ja) | ||
| JP2641530B2 (ja) | チップ状電子部品の製造方法 | |
| JPS63253659A (ja) | 厚膜混成集積回路装置 | |
| JPH04372101A (ja) | 角形チップ抵抗器及びその製造方法 | |
| JP3199264B2 (ja) | 負特性サーミスタ | |
| JP2003297670A (ja) | チップ型複合部品 | |
| JPS6145464Y2 (ja) | ||
| JPS61148859A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPS6032725Y2 (ja) | 可変抵抗器 | |
| JPS5678148A (en) | Resistance temperature compensation circuit | |
| JPH03250701A (ja) | チップ抵抗体の製造方法 | |
| JPH0720942Y2 (ja) | 抵抗素子を含む複合セラミック多層基板 | |
| JPS6242521Y2 (ja) | ||
| JP3561635B2 (ja) | ネットワーク抵抗器とその製造方法 | |
| JPS6322665Y2 (ja) | ||
| JPH05205903A (ja) | 厚膜チップ抵抗器 | |
| JPS5936922Y2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH03214601A (ja) | 可変抵抗器 | |
| JPH10172806A (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
| JPH01293675A (ja) | 磁気センサ | |
| JPS6144453A (ja) | 混成集積回路の製造方法 |