JPS5936922Y2 - 混成集積回路装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は厚膜混成集積回路装置に関する。

一般に厚膜混成集積回路に使用する厚膜印刷基板は、セ
ラミック基板上に各種のペーストを印刷焼成して形成さ
れた導電体、抵抗体、保護絶縁膜により構成され、又多
層になると下部導電体、中間絶縁層、上部導電体、抵抗
体、保護絶縁膜等により構成される。

厚膜印刷基板内での配線パターンは、要求された回路構
成及びセラミック基板の大きさにより簡単な場合から複
雑さをきわめる場合まであるが、複雑な場合には次の問
題がある。

すなわち、第１図ａ、 ｌ）に示すように、大きさの
限定されたセラミック基板１内により多くの素子（図示
せず）を搭載するために、配線としての導電体同志の間
隔をできる限り狭くするとともに、リード取付部の導電
体１３′にきわめて接近して配線導電体１３を形成する
ことになる。

このようなパターン設計を行った場合、組立工程におい
て第１図ａ、 ｌ）に示すように、外部リード線１１
がリード取付部の導電体１３′に半田１５により接続さ
れると、リード線１１の先端部が配線導電体１３と交差
することがある。

この配線導電体１３上には、半田ブリッジ防止のために
、保護絶縁膜１４が印刷されている。

しかしながら、この保護絶縁膜１４は、他の抵抗体など
の表面保護膜の形成と同時に形成されるものであり、通
常は硼硅酸鉛ガラスを主成分とする絶縁体ペーストなど
が用いられるか゛、比較的ポーラスで細い穴がおいてい
る。

したがって、この状態で長時間の電圧印加を行うと、導
電体中の銀などの導電物質が大気中の湿気でもって保護
絶縁膜内の細い穴を通して拡散し、ついにはリードに達
し、ショート状態となり、電気回路が動作不良となる。

本考案は上記問題点を解決するためになされたものであ
る。

本考案は、半田ブリッジ防止用保護絶縁膜と配線導電体
の間にもう一層該保護絶縁膜よりも絶縁度が高く、ポー
ラスでない材料を印刷し、銀などの導電物質の拡散によ
るショートを防止するものである。

以下に図面を参照して本考案の実施例を説明する。

第２図ａ、 ｌ）に示すように、セラミック基板２２に
配線導電体２３（及びリード取付部導電体２３′）、シ
ョート防止用の中間絶縁層２６並びに半田ブリッジ防止
用の保護絶縁膜２４を、この順序で印刷、焼成工程を経
て形成する。

その後、この印刷基板にリード線２１を半田２５を用い
て取り付けると、ノード線２１の先端が配線導電体２３
と交差するようになる。

前記配線導電体２３及びリード取付部導電体２３′はＡ
ｇ、 Ａｇ−Ｐｄ、 Ａｕ、 Ａｕ−Ｐｄなどを主成分
とする導電体ペーストを印刷・焼成して同時に形成され
る。

前記ショート防止用の中間絶縁層２６は、例えばセラミ
ックとガラスとの混合物を主成分とする絶縁体ペースト
で焼成後にクラック、ピンポール等の欠陥が生じにくく
絶縁性の高いものを用い、それを印刷・焼成することに
よって形成される。

前記絶縁体ペーストとして例えば住友金属鉱山■製のｌ
−９００３（品種名）を用いることがで゛き、その場合
は７６０〜９００Ｃ’で８〜１０分間空気中で焼成する
ことにより、膜厚５０μｍ、絶縁抵抗１０１０オーム以
上（１０Ｖで測定）の中間絶縁層を形成することができ
る。

また、米国テ゛ユポン社製の誘電体ペースｌ−９４２９
〜９１０１ （いずれも製品番号）を用いてもほは゛同
様の中間絶縁層を得ることができる。

前記半田ブリッジ防止用の保護絶縁膜２４は、従来技術
の場合と同様に、例えば硼硅酸鉛ガラスを主成分とする
絶縁体ペーストを用いることができ、他の抵抗体などの
表面保護膜の形成と同時に、印刷・焼成工程により形成
される。

前記絶縁ペーストとしては例えば住友金属鉱山■製の１
９４０１ （品種名）を用いることかで゛き、その場合
は５００〜５２０°Ｃ１５分間、空気中の焼成で半田ブ
リッジ防止用の保護絶縁膜が形成される。

」１記のように、配線導電体２３とリード線２１の交差
部に半田ブリッジ防止用の保護絶縁膜よりも緻密な中間
絶縁層２６を設けることにより、前記交差部におけるシ
ョート不良を防止して製品の品質ないし信頼性並びに製
品歩留りを向上させることができる。

なお、上記第２図の実施例では中間絶縁層２６を比較的
広い範囲にわたって形成した場合を示したが、中間絶縁
層は前記交差部を十分被覆できる程度に形成するだけで
もよいことはもちろんである。

第３図ａ、 ｌ）は他の実施例を示すもので、セラミ
ック基板３１上の配線導電体同志が交差するのを避ける
ために、配線導電体３３が印刷基板の右端部に配置され
、そのために該配線導電体３３とり−ド３１が完全に交
差するようになっている。

この場合も前記第２図の実施例の場合と同様に、配線導
電体３３の交差部ないし交差部を含む領域に中間絶縁層
３６を形成し、その上に半田ブリッジ防止用の保護絶縁
膜３４を形成する。

このような構造の印刷基板にしておけば、リード線３１
をリード取付部の導電体３３′に半田３５により接続し
た場合に、前記第２図の実施例の場合と同様、交差部に
おけるショートを十分に防止することができるとともに
、半田ブリッジの発生も防止することができる。

なお、以上の説明では本考案のごく一部について触れた
だけであるが、本考案は印刷基板の配線導電体とリード
線が交差する場合だけでなく、前記配線導電体と例えば
チップタンタルコンデ゛ンサなどの電子部品と交差する
場合にも十分適用することか゛できる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ及びｂはそれぞれ従来の混成集積回路を示す平
面図及びＡ−Ａ′断面図、第２図ａ及びｂはそれぞれ本
発明の一実施例を示す平面図及びＢ−Ｂ’断面図、第３
図ａ及びｂはそれぞれ本発明の他の実施例を示す平面図
及びＣ−Ｃ’断面図である。 １１、２１．３１・・・・・・リード線、１２．２２．
３２・・・・・・セラミック基板、１３．２３．３３・
・・・・・配線導電体、１３’、 ２３’。 ３３′・・・・・・リード取付部の導電体、１４．２４
．３４・・・・・・保護絶縁膜、１５．２５．３５・・
・・・・半田、２６．３６・・・・・・中間絶縁層。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 厚膜印刷回路基板の配線導電体と外部リード線または電
   子部品の一部とが半田ブリッジ防止用の保護絶縁膜を介
   して交差する混成厚膜集積回路装置において、前記交差
   部における前記配線導電体と前記保護絶縁膜との間に該
   保護絶縁膜よりも緻密な中間絶縁層を介在せしめたこと
   を特徴とする混成厚膜集積回路装置。