JPS5864001A - 厚膜抵抗体のオ−バ−コ−ト焼成法 - Google Patents
厚膜抵抗体のオ−バ−コ−ト焼成法Info
- Publication number
- JPS5864001A JPS5864001A JP16323581A JP16323581A JPS5864001A JP S5864001 A JPS5864001 A JP S5864001A JP 16323581 A JP16323581 A JP 16323581A JP 16323581 A JP16323581 A JP 16323581A JP S5864001 A JPS5864001 A JP S5864001A
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- Japan
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- thick film
- film resistor
- resistor
- glass
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜抵抗体のオーバーコート焼成法に関する。
一般の厚膜集積回路や抵抗ネットワークに用いられる厚
膜抵抗体は、導電性金属粒子とガラス粉末を、ガラスの
軟化点以上で焼成し、マトリックス状に導電性金属粒子
をガラスに分散させ、形成される。この厚膜抵抗体の耐
湿性向上などを目的とし、厚膜抵抗体上を覆って硼砂酸
鉛を主成分とする絶縁物ガラスペーストを印刷し、焼成
する。
膜抵抗体は、導電性金属粒子とガラス粉末を、ガラスの
軟化点以上で焼成し、マトリックス状に導電性金属粒子
をガラスに分散させ、形成される。この厚膜抵抗体の耐
湿性向上などを目的とし、厚膜抵抗体上を覆って硼砂酸
鉛を主成分とする絶縁物ガラスペーストを印刷し、焼成
する。
従来は厚膜抵抗体上に印刷された絶縁物ガラスペースト
を第１図に示すように、厚膜抵抗体中のガラス成分の転
位点温度ＴＡ以上で一挙に焼成する方法をとっている。
を第１図に示すように、厚膜抵抗体中のガラス成分の転
位点温度ＴＡ以上で一挙に焼成する方法をとっている。
しかしガラスペースト中に含まれる結合材を十分飛散さ
せずに一挙に転移点温度以上で本焼成すると、厚膜抵抗
体の導電性金ぬれ性が十分に得られず、しかも導電性金
属粒子の粒径、形状に微妙に影響される０この結果、抵
抗体に印加される高圧パルスや過員荷電圧に対し。
せずに一挙に転移点温度以上で本焼成すると、厚膜抵抗
体の導電性金ぬれ性が十分に得られず、しかも導電性金
属粒子の粒径、形状に微妙に影響される０この結果、抵
抗体に印加される高圧パルスや過員荷電圧に対し。
抵抗値のドリフトが大きくなるという欠点がある。
本発明は以上の欠点を解決するもので、絶縁物ガラスペ
ースト焼成時に、下層に形成された厚膜抵抗体に含まれ
るガラス成分の転移点温度未満で一旦保持することによ
シ、絶縁物ガラスペースト成分中に含まれる有機結合材
を十分に飛散させ。
ースト焼成時に、下層に形成された厚膜抵抗体に含まれ
るガラス成分の転移点温度未満で一旦保持することによ
シ、絶縁物ガラスペースト成分中に含まれる有機結合材
を十分に飛散させ。
その後前記転移点温度以上で再焼成することにより、厚
膜抵抗体の導電性金属粒子とガラス成分の焼結状態をよ
シ安定化し、負荷特性の優れた抵抗体を得ることができ
るものである。
膜抵抗体の導電性金属粒子とガラス成分の焼結状態をよ
シ安定化し、負荷特性の優れた抵抗体を得ることができ
るものである。
以下５本発明の実施例について説明する０第２図は本発
明方法により焼成される絶縁ガラ□ス膜付き厚膜抵抗体
の一例を示す図である。図にれ、焼成されている。表面
に露出する厚膜抵抗体３の全面は、ガラス粉末、例えば
硼砂酸鉛と有機結合剤とからなる絶縁物ガラスペースト
４で覆われている。この絶縁物ガラスペースト４は、厚
膜抵抗体３の全面を覆うように印刷し、乾燥し、次に第
３図に示すような２段焼成法により、最初は厚膜抵抗体
３に含まれるガラス成分の転移点温度ＴＡ未満の温度Ｔ
Ｂで十分なバインダーアウト（絶縁物ガラスペースト中
に含まれる有機結合材の焼散）を行った後に、転移点温
度ＴＡ以上の焼成温度Ｔｃ（５００Ｃ〜８９０１：ｌ’
）で本焼成を行う。
明方法により焼成される絶縁ガラ□ス膜付き厚膜抵抗体
の一例を示す図である。図にれ、焼成されている。表面
に露出する厚膜抵抗体３の全面は、ガラス粉末、例えば
硼砂酸鉛と有機結合剤とからなる絶縁物ガラスペースト
４で覆われている。この絶縁物ガラスペースト４は、厚
膜抵抗体３の全面を覆うように印刷し、乾燥し、次に第
３図に示すような２段焼成法により、最初は厚膜抵抗体
３に含まれるガラス成分の転移点温度ＴＡ未満の温度Ｔ
Ｂで十分なバインダーアウト（絶縁物ガラスペースト中
に含まれる有機結合材の焼散）を行った後に、転移点温
度ＴＡ以上の焼成温度Ｔｃ（５００Ｃ〜８９０１：ｌ’
）で本焼成を行う。
このように焼成済の抵抗体３を転移点温度ＴＡ以上で再
焼成することにより、抵抗体３の導電成分とガラス成分
の焼結反応が促進され、かつ導電成分のガラス中への溶
酵と析出によって結合状態が安定化し、抵抗体の負荷に
よるストレスに対する特性が良化する。
焼成することにより、抵抗体３の導電成分とガラス成分
の焼結反応が促進され、かつ導電成分のガラス中への溶
酵と析出によって結合状態が安定化し、抵抗体の負荷に
よるストレスに対する特性が良化する。
２段焼成温度として、ＴＢ＝３００Ｃ，ＴＣ＝６３０Ｃ
の温度で焼成して形成した抵抗体（焼成後の抵抗体寸法
１ 、７Ｍ×１ 、２Ｍ×１０μｍ）について。
の温度で焼成して形成した抵抗体（焼成後の抵抗体寸法
１ 、７Ｍ×１ 、２Ｍ×１０μｍ）について。
短時間過負荷試験を行った結果（特性Ａ）を従来の焼成
法による結果（特性Ｂ）とともに第４図に示す。図に示
されるように本実施例の抵抗体は、抵抗値ドリフトに大
きな効果が得られている。
法による結果（特性Ｂ）とともに第４図に示す。図に示
されるように本実施例の抵抗体は、抵抗値ドリフトに大
きな効果が得られている。
なお抵抗体を覆って印刷されたガラスペーストは、抵抗
体ガラス成分の転移点温度未満で熱処理されるため、バ
インダーアウトが十分に行われ、ガラス焼成膜としてピ
ンホールが少なく、緻密な保護膜が形成される。
体ガラス成分の転移点温度未満で熱処理されるため、バ
インダーアウトが十分に行われ、ガラス焼成膜としてピ
ンホールが少なく、緻密な保護膜が形成される。
以上のように本発明のオーバーコート焼成法においては
厚膜抵抗体に含まれるガラス成分の転移点温度未満で一
旦低温焼成し、次に転移点温度以上で再焼成するように
したので、ガラスペースト中に含まれる結合材を十分に
焼散し、ガラス焼成膜としてピンホールの少ない緻密な
保護膜を得ることができ、また厚膜抵抗体の導電性金属
粒子とガラス成分の焼結状態をより安定化し、負荷特性
の優れた抵抗体を得ることができる。
厚膜抵抗体に含まれるガラス成分の転移点温度未満で一
旦低温焼成し、次に転移点温度以上で再焼成するように
したので、ガラスペースト中に含まれる結合材を十分に
焼散し、ガラス焼成膜としてピンホールの少ない緻密な
保護膜を得ることができ、また厚膜抵抗体の導電性金属
粒子とガラス成分の焼結状態をより安定化し、負荷特性
の優れた抵抗体を得ることができる。
第１図は従来の厚膜抵抗体のオーバーコート焼成法の説
明１図、第２図は本発明方法によシ焼成される絶縁ガラ
ス膜付き厚膜抵抗体の一例全示す断面図、第３図は本発
明の厚膜抵抗体のオーバーコート焼成法の説明図、第４
図は同方法によシ焼成された厚膜抵抗体の過負荷試験特
性図である。 １・・・・・セラミック基板、２・・・・・厚膜１転、
俤 ３・・・・・厚膜抵５４・・・・・絶縁物ガラスペース
ト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 一１５Ｅ＾誇閘（今）
明１図、第２図は本発明方法によシ焼成される絶縁ガラ
ス膜付き厚膜抵抗体の一例全示す断面図、第３図は本発
明の厚膜抵抗体のオーバーコート焼成法の説明図、第４
図は同方法によシ焼成された厚膜抵抗体の過負荷試験特
性図である。 １・・・・・セラミック基板、２・・・・・厚膜１転、
俤 ３・・・・・厚膜抵５４・・・・・絶縁物ガラスペース
ト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 一１５Ｅ＾誇閘（今）
Claims (1)
- セラミック基板上の焼成された厚膜抵抗体上にガラス粉
末および有機結合材からなる絶縁物ガラスペーストを印
刷し、前記厚膜抵抗体に含まれるガラス成分の転移点温
度未満で一旦低温焼成し、次に前記転移点温度以上で再
焼成する厚膜抵抗体のオーバーコート焼成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323581A JPS5864001A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 厚膜抵抗体のオ−バ−コ−ト焼成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323581A JPS5864001A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 厚膜抵抗体のオ−バ−コ−ト焼成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864001A true JPS5864001A (ja) | 1983-04-16 |
| JPS639728B2 JPS639728B2 (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=15769896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16323581A Granted JPS5864001A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 厚膜抵抗体のオ−バ−コ−ト焼成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864001A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02260606A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗体の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-13 JP JP16323581A patent/JPS5864001A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02260606A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639728B2 (ja) | 1988-03-01 |
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