JPS5898902A - 厚膜バリスタの製造法 - Google Patents
厚膜バリスタの製造法Info
- Publication number
- JPS5898902A JPS5898902A JP56198093A JP19809381A JPS5898902A JP S5898902 A JPS5898902 A JP S5898902A JP 56198093 A JP56198093 A JP 56198093A JP 19809381 A JP19809381 A JP 19809381A JP S5898902 A JPS5898902 A JP S5898902A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- varistor
- film
- thick film
- baking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気絶縁性基板上にＺｎＯ焼結体粉体とこれを
結合するだめのガラスフリットからなるバリスタ膜に一
対の電極を付与した厚膜バリスタの製造法に関するもの
である。
結合するだめのガラスフリットからなるバリスタ膜に一
対の電極を付与した厚膜バリスタの製造法に関するもの
である。
その目的は、バリスタ膜上部の銀電極部分の半田付けを
可能にする厚膜バリスタを提供するととにある。
可能にする厚膜バリスタを提供するととにある。
従来からＺｎＯ焼結体粉体とガラス７リツトからなる厚
膜バリスタが開発され微少厚膜化部品として実用に供さ
れてきている。
膜バリスタが開発され微少厚膜化部品として実用に供さ
れてきている。
第１図は従来の厚膜バリスタの基本構造の一例を示すも
のである。
のである。
第１図において、１は電気絶縁性で耐熱性を有するアル
ミナ基板、２ａと２ｂは銀電極、３はバリスタ膜で酸化
亜鉛焼結体粉体とガラスからなるものである。
ミナ基板、２ａと２ｂは銀電極、３はバリスタ膜で酸化
亜鉛焼結体粉体とガラスからなるものである。
しかしながら、上記の従来厚膜バリスタの場合、次のよ
うな欠点があった。すなわち、上部銀電極２ｂをガラス
の融点以上（８６０〜９６０℃）で焼付けて形成してい
るため、バリスタ膜上部の銀電極２ｂはガラスの析出に
よシ半田付けができないという問題があシ、半田付は可
能な電極取り出し部分をバリスタ膜の上部以外の所に設
けなくてはならず、製品の小型化に対して不利な構造で
あった０ 上記の欠点を解消するために上部銀電極２ｂをガラスの
融点以下（５００〜Ｔｏｏ℃）で焼付けて形成すること
によシ、バリスタ膜上部の銀電極２ｂを半田付は可能な
ものとすることを実施したが、次のような問題があった
。その内容は、ガラスの融点以下で焼付けて形成してい
るため、上部銀電極２ｂとバリスタ膜３との密着力が弱
く、さらにバリスタ電圧に極性が生じるというものであ
った０ 本発明はかかる従来厚膜バリスタの欠点を解消するもの
であり、電気絶縁性基板の上に電極を介して、ＺｎＯ焼
結体粉体とガラスフリットに増粘剤を含む溶剤を加えた
ペーストを塗布し、ガラスの融点以上で焼付けてバリス
タ膜を形成し、さらにバリスタ膜の上部に銀電極ペース
トを塗布し、８６０〜９６０℃で焼付けて形成し、その
後銀電極上部に再度銀電極ペーストを塗布し、ＳＯＯ〜
７００℃で焼付けて電極部を形成したことを特徴とする
ものである。
うな欠点があった。すなわち、上部銀電極２ｂをガラス
の融点以上（８６０〜９６０℃）で焼付けて形成してい
るため、バリスタ膜上部の銀電極２ｂはガラスの析出に
よシ半田付けができないという問題があシ、半田付は可
能な電極取り出し部分をバリスタ膜の上部以外の所に設
けなくてはならず、製品の小型化に対して不利な構造で
あった０ 上記の欠点を解消するために上部銀電極２ｂをガラスの
融点以下（５００〜Ｔｏｏ℃）で焼付けて形成すること
によシ、バリスタ膜上部の銀電極２ｂを半田付は可能な
ものとすることを実施したが、次のような問題があった
。その内容は、ガラスの融点以下で焼付けて形成してい
るため、上部銀電極２ｂとバリスタ膜３との密着力が弱
く、さらにバリスタ電圧に極性が生じるというものであ
った０ 本発明はかかる従来厚膜バリスタの欠点を解消するもの
であり、電気絶縁性基板の上に電極を介して、ＺｎＯ焼
結体粉体とガラスフリットに増粘剤を含む溶剤を加えた
ペーストを塗布し、ガラスの融点以上で焼付けてバリス
タ膜を形成し、さらにバリスタ膜の上部に銀電極ペース
トを塗布し、８６０〜９６０℃で焼付けて形成し、その
後銀電極上部に再度銀電極ペーストを塗布し、ＳＯＯ〜
７００℃で焼付けて電極部を形成したことを特徴とする
ものである。
以下、本発明の一実施例を第２図によシ説明する。第２
図において、４は電気絶縁性で耐熱性を−スト等の印刷
焼付により電極６ａが設けられている。次に、この電極
Ｓａ上にＺｎＯ焼結体粉体とガラスフリットに増粘剤を
含む軸溶剤を加えたペーストを塗布し、ガラスの融点以
上で焼付けてなるバリスタ膜６を形成し、さらにバリス
タ膜６の上部に銀ペーストの印刷焼付（８６０〜９５０
’Ｃ）により電極５ｂを設け、しかる後電極５ｂの上に
銀ペーストの印刷焼付（６００〜７００℃）により電極
５Ｃを設けて一体構造としたものである。
図において、４は電気絶縁性で耐熱性を−スト等の印刷
焼付により電極６ａが設けられている。次に、この電極
Ｓａ上にＺｎＯ焼結体粉体とガラスフリットに増粘剤を
含む軸溶剤を加えたペーストを塗布し、ガラスの融点以
上で焼付けてなるバリスタ膜６を形成し、さらにバリス
タ膜６の上部に銀ペーストの印刷焼付（８６０〜９５０
’Ｃ）により電極５ｂを設け、しかる後電極５ｂの上に
銀ペーストの印刷焼付（６００〜７００℃）により電極
５Ｃを設けて一体構造としたものである。
上記において、電極６Ｃは銀の粉末をペースト状にして
電極６ｂの上に印刷し、乾燥後、６００〜７００℃の最
高温度を有するトンネル炉の空気雰囲気中で焼付けて形
成したものである。
電極６ｂの上に印刷し、乾燥後、６００〜７００℃の最
高温度を有するトンネル炉の空気雰囲気中で焼付けて形
成したものである。
このように構成した電極６Ｃは電極６ｂとの密着性が良
好で、且つ半田付けが可能なものであり、バリスタ膜６
上部の電極以外の所に半田付は可能な電極取り出し部分
を設ける必要がなく、製品の小型化に対して有効な手段
を提供するものである。
好で、且つ半田付けが可能なものであり、バリスタ膜６
上部の電極以外の所に半田付は可能な電極取り出し部分
を設ける必要がなく、製品の小型化に対して有効な手段
を提供するものである。
また、バリスタ電圧に極性が生じるという問題も発生し
なくなった。次に、電極５ｃの焼付温度範囲の設定理由
について述べる。すなわち、５００℃未満の場合は電極
６Ｃと電極５ｂの接着強度が弱いという欠点があり、７
００℃を超えた場合は電極６Ｃにガラスが析出し始めて
半田付は性が悪くなるという欠点があった。以上の点か
ら電極６Ｃの焼付温度範囲を６００℃〜７００℃に設定
した。
なくなった。次に、電極５ｃの焼付温度範囲の設定理由
について述べる。すなわち、５００℃未満の場合は電極
６Ｃと電極５ｂの接着強度が弱いという欠点があり、７
００℃を超えた場合は電極６Ｃにガラスが析出し始めて
半田付は性が悪くなるという欠点があった。以上の点か
ら電極６Ｃの焼付温度範囲を６００℃〜７００℃に設定
した。
このように本発明の製造法によれば、バリスタ膜上部の
銀電極部分の半田付けを可能にする厚膜バリスタを提供
することができるものであシ、その産業性は大なるもの
である。
銀電極部分の半田付けを可能にする厚膜バリスタを提供
することができるものであシ、その産業性は大なるもの
である。
第１図は従来厚膜バリスタの基本構造の一例を示す断面
図、第２図は本発明製造法により得られた厚膜バリスタ
の一例を示す断面図である。 ４・・・・・・電気絶縁性基板、５ａ、５ｂ、５ａ・・
・・・・・電極、６・・・・・・バリスタ膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
図、第２図は本発明製造法により得られた厚膜バリスタ
の一例を示す断面図である。 ４・・・・・・電気絶縁性基板、５ａ、５ｂ、５ａ・・
・・・・・電極、６・・・・・・バリスタ膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 電気絶縁性基板の上に電極を介して、ＺｎＯ焼結体粉体
とガラスフリットに増粘剤を含む溶剤を加えたペースト
を塗布し、ガラスの融点以上で焼付けてバリスタ膜を形
成し、さらにバリスタ膜の上部に銀電極ペーストを塗布
し、８５０〜９６０℃で焼付けて電極を形成し、その後
この電極上部に再度銀電極ペーストを塗布し、５００〜
７００℃で焼付けて電極部を崩成したことを特徴とする
厚膜バリスタの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198093A JPS5898902A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 厚膜バリスタの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198093A JPS5898902A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 厚膜バリスタの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898902A true JPS5898902A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16385377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198093A Pending JPS5898902A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | 厚膜バリスタの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007507246A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-03-29 | ローマ リンダ ユニヴァーシティ メディカル センター | モジュール式患者支持システム |
| US7753587B2 (en) | 2004-09-22 | 2010-07-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Patient table for a radiation therapy system or a radiation diagnosis system |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP56198093A patent/JPS5898902A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007507246A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-03-29 | ローマ リンダ ユニヴァーシティ メディカル センター | モジュール式患者支持システム |
| US7753587B2 (en) | 2004-09-22 | 2010-07-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Patient table for a radiation therapy system or a radiation diagnosis system |
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