JPS6187397A - セラミツクス回路基板の作製方法 - Google Patents

セラミツクス回路基板の作製方法

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JPS6187397A
JPS6187397A JP20800084A JP20800084A JPS6187397A JP S6187397 A JPS6187397 A JP S6187397A JP 20800084 A JP20800084 A JP 20800084A JP 20800084 A JP20800084 A JP 20800084A JP S6187397 A JPS6187397 A JP S6187397A
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circuit
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福田 順三
昌志 深谷
進 西垣
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Narumi China Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、生産性、経済性に浸れたセラミックス回路
基板の作製方法に関し、テレビ、ビデオテレビカメラ、
パーソナルコンピュータ等の電子礪器の回路基板を提供
するものである。
従来の技術 600〜1200℃で焼成可能なセラミックスグリーン
シートと、銀、パラジウム、白金、金等の貴金属ペース
トを用いて導体回路を印刷し、セラミックスと貴金属導
体とを同時に焼成して作製するセラミックス回路基板は
貴金属導体が回路の電極となり、チップコンデンサー等
の部品の搭ill!およびリード線を取付【プるため、
半田にぬれることが必要である。
しかしながら、負金属をペースト化して導体層として用
いると、セラミックス中のガラス成分が、焼成中に貴金
属導体膜表面に析出し、半田ぬれ性を悪くしていた。ガ
ラス成分は負金属導体をセラミックス基板と接着させる
作用をし、必要なものであるが、上記同時焼成法では、
セラミックス中のガラス成分が多量に導体股上へ析出す
る傾向がある。
そこで、かかる現象の対策として、通常の、  スクリ
ーン印刷を2回以上行ない、焼成後の導体膜厚を30μ
m以上とし、半田ぬれ性を良くして実用に供していた。
発明が解決しようとづ−る問題点 上記従来の方法では、高価なn金属が5巾に必要となり
、不経済であった。
そのため、スクリーン印刷は1回で、導体膜厚は15μ
m以下で、半田ぬれ性の良い導体膜をセラミックスとの
同時焼成で形成することが望まれていた。
問題点を解決するための手段 この発明は、600〜1200℃で焼成可能なセラミッ
クグリンシート上に、銀、パラジウム、白金、金よりな
る群から選ばれた一種以上の貴金属粉末100重量部と
、クロム、酸化クロムまたは焼成時クロムまたは酸化ク
ロムとなる化合物を金属換算で0.01〜8重量部、ガ
ラス粉末10重量部以下からなる導電性ペーストをもっ
て回路パターンを形成し、600〜1200℃で焼成す
ることを特徴とするセラミックス回路基板の作製方法で
ある。
この発明の回路基板に用いるセラミックスとしては、6
00〜1200℃の比較的低温に適正焼結温度を有する
セラミックスが用いられる。
その例として、例えばアルミナに Pb OSi 02−AI 203−8203(アルミ
ノホウケイ酸鉛ガラス) 8203−3i 02  (ホウケイ酸ガラス)Al 
203−8203−8i 02  (アルミノボウケイ
酸ガラス) Li 20−AI 203−3i 02−8203(リ
シアアルミノホウケイ酸ガラス) tvlo○−Al 203−3i 02−B2O3〈マ
グネシアアルミノホウケイ酸ガラス)CaO−Δ!20
3−8i 02−B203(カルシアアルミノホウケイ
酸ガラス)等のガラス粉末を加えたものが挙げられる。
上記セラミックスのグリーンシートは、所望のセラミッ
ク粉末と有機バインダーとを混練し、ドクターブレード
法等により成形して得られる。
通常有機バインダーとしては、ポリビニルブチラール、
メタクリル酸エステルの重合物等が用いられる。また有
機バインダーにジブチルフタレート、ジオクチルフタレ
ート等の可塑剤を添加することもできる。
この発明において、導体材料として、銀、パラジウム、
白金、金に限定した理由は、これら金属が大気中におい
て安定性が1)れているからである。これらは粒度が0
.01〜104z m程度のものが好適である。
クロム、酸化クロムまたは600〜1200″Cに加熱
することによってクロムまたは酸化クロムとなるクロム
化合物は半田ぬれ性を改善するもので、その量が金属ク
ロム換算で0.01重量部より少ないか、8重量部より
多い場合には半田ぬれ性が改善されない。
上記600〜1200°Cの加熱によりクロムまたは酸
化クロムとなる化合物としては、硫酸クロム、硝酸クロ
ム等の無機クロム化合物、クロムアルコキシド、クロム
レジネート等の有機クロム化合物が挙げられる。
ガラス粉末は、金属と基板との接着の目的で添加される
が、その吊はn金属に対して10重量部以下である。そ
の理由は、あまりにも多くなると電気抵抗を増大させ、
かつ、半田ぬれ性を悪くするからである。
ガラス粉末を添加しなくても基板よりガラス質成分が移
行してくるため、導体の接着に対し、実用上さしつかえ
のない範囲で少ない程好結果が1qられる。
また、ガラス成分と金属または金属とセラミックス基板
との接着性を良くする目的で酸化銅、酸化ヒスマス、酸
化カドミウムを加えることもできる。
かかる導電性材料は有機ビヒクルを添加してペーストと
して用いる。
有機ビヒクルとしては、エチルセルローズ、メタクリル
酸エステルの重合物等をテルピネオール、ブチルカルピ
トールアセテート、ブチルカルピトール等の溶剤で溶解
させた溶液が用いられる。
こうして18られる導電性ペーストはセラミックグリー
ンシートの表面にスクリーン印刷法によって塗布され、
必要によって積層され、ついで600〜1200℃に焼
成されて導電層が形成される。
この場合、必要に応じてRu 02などのように抵抗ペ
ーストによる抵抗回路、 3a Ti O3などよりなる誘電体ペーストによるコ
ンデンサー回路を同時に形成してもよい。
また、外部電極としては、銀、パラジウム、白金、金よ
りなる群から選ばれた貴金属100重量部に対し、クロ
ム金属換算で0.01〜8重吊部回部ロムまたはクロム
酸化物が添加された金属を用いるとよい。
作   用 この発明の方法によれば、導電性ペースト中に、クロム
、クロム酸化物が添加された結果、セラミックスからの
ガラス成分が導電体表面に析出せず、後記の表2に示す
ように、半田ボールを加熱した導体上におき、その拡が
り状況を半田高さで評価するとき、著しく半田拡がりが
向上した。その理由は、白金属粉末がCr成分の添加に
より、緻密な焼結体となり、ガラス成分の導体表面への
析出を防ぐためと考えられる。
実施例 ◎グリーンシートの作製 Si 02−Ca 0−AI 203−8203系ガラ
ス粉末〈平均粒度3μ) 60重量部に対し、平均粒度
1.θμのアルミナ粒子を40重間部混合し、ポリメタ
クリル酸エステルをバインダーとして10重回部、可塑
剤としてジブチルフタレート5重量部、溶剤としてトル
エン30重量部、イソプロピルアルコール10重量部を
加え、常法によってスラリーとし、ドクターブレード法
によって厚さ0.5mmのグリーンシートN001を得
ICQまた組成を変えたグリーンシートNo、2 、N
o、3も作製した。これらをまとめて表1に示す。
表1 セラミックス組成 実施例1 銀粉(平均粒径1,5μm)100重量部金属クロム粉
(平均粒径2.0μm) 1重量部 10%エチルセルローステルピネオール溶液40重昂部 を3本ロールを用い、混合し導電ペーストとした。これ
をグリーンテープN0.1上に導体膜厚12μmとなる
ようスクリーン印刷し、最高温度820℃で30分間焼
成し厚膜回路基板を得た。かくして得られた厚膜回路基
板について半田濡れ性シート抵抗を測定し表2の結果を
得た。
半田濡れ性は半田ボール(Sn60wt%pb40wt
%直径3φ)を230℃に加熱した導体上に30秒間買
きその拡がりを半田高さくl−!:mm)を基準として
評価した。
シート抵抗は焼成後の導体膜厚12μで測定した。
半田濡れ性は溶解した半田ボールの高さが1.5+1)
m以下であれば充分であるが本発明の厚膜回路基板の半
田濡れ性は1.20であり、づぐれたものであった。
実施例2〜16 実施例1と同様に操作して各秤厚膜回銘塁板を作製した
。その結果を表2に示す。金属クロム、酸化クロム、硫
酸クロムの添加により半田濡れ性が改良されていること
がみ2められる。
また参考例として1〜7を表2にイ)1記した。
表2 発明の効宋 この発明では、セラミックスの焼成時に導電回路も同時
に形成することができ、さらに場合によっては抵抗回路
コンデンサー回路も同時に形成することができ、また、
得られた導電層は薄くともすぐれた半円濡れ性を有する
ため、チップコンデンサ等の部品の搭載やリード線の取
付けが容易でかつ確実となる。
したがって、テレビ、ビデオテレビカメラ、パーソナル
コンピューター等の電子機器の回路基板として有用なも
のである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)600〜1200℃で焼成可能なセラミックグリ
    ンシート上に、銀、パラジウム、白金、金よりなる群か
    ら選ばれた一種以上の貴金属粉末100重量部と、クロ
    ム、酸化クロムまたは焼成時クロムまたは酸化クロムと
    なる化合物を金属換算で0.01〜8重量部、ガラス粉
    末10重量部以下からなる導電性ペーストをもつて回路
    パターンを形成し、600〜1200℃で焼成すること
    を特徴とするセラミックス回路基板の作製方法。
  2. (2)RuO_2などによりなる抵抗ペーストによる抵
    抗回路、BaTiO_3などによりなる誘電体ペースト
    によるコンデンサー回路を同時に形成する特許請求の範
    囲(1)記載のセラミックス回路基板の作製方法。
JP59208000A 1984-06-01 1984-10-05 セラミックス回路基板の作製方法 Expired - Lifetime JPH0644670B2 (ja)

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US06/740,184 US4650923A (en) 1984-06-01 1985-05-31 Ceramic article having a high moisture proof

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63168904A (ja) * 1986-12-29 1988-07-12 富士通株式会社 内層用銅ペ−スト組成物
JPH01161887A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Hitachi Ltd 非酸化物系セラミックス用導体ペースト組成物
JPH05102631A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 銅ペースト及び低温焼成セラミツク回路基板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5265256B2 (ja) * 2008-06-26 2013-08-14 日本特殊陶業株式会社 セラミック配線基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821804A (ja) * 1981-08-03 1983-02-08 Hitachi Ltd 負荷時タツプ切換変圧器
JPS58213070A (ja) * 1982-05-17 1983-12-10 ユ−オ−・ピ−・インコ−ポレ−テツド 伝導性顔料で被覆した表面の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821804A (ja) * 1981-08-03 1983-02-08 Hitachi Ltd 負荷時タツプ切換変圧器
JPS58213070A (ja) * 1982-05-17 1983-12-10 ユ−オ−・ピ−・インコ−ポレ−テツド 伝導性顔料で被覆した表面の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63168904A (ja) * 1986-12-29 1988-07-12 富士通株式会社 内層用銅ペ−スト組成物
JPH01161887A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Hitachi Ltd 非酸化物系セラミックス用導体ペースト組成物
JPH05102631A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 銅ペースト及び低温焼成セラミツク回路基板

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