JPS59114703A - 焼付型導電性ペ−スト - Google Patents
焼付型導電性ペ−ストInfo
- Publication number
- JPS59114703A JPS59114703A JP22542982A JP22542982A JPS59114703A JP S59114703 A JPS59114703 A JP S59114703A JP 22542982 A JP22542982 A JP 22542982A JP 22542982 A JP22542982 A JP 22542982A JP S59114703 A JPS59114703 A JP S59114703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- conductive paste
- powder
- paste
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、ニッケルを主成分とする焼付型導電ペースト
に関し、更に詳細には、多層セラミック回路装置の外部
又は内部における配線、端子、電極等の導体をセラミッ
ク生シート即ちセラミックス・リーンシートと同時焼成
して形成する場合に使用するための焼付型導電ペースト
に関する。
に関し、更に詳細には、多層セラミック回路装置の外部
又は内部における配線、端子、電極等の導体をセラミッ
ク生シート即ちセラミックス・リーンシートと同時焼成
して形成する場合に使用するための焼付型導電ペースト
に関する。
従来技術
多層セラミック回路装置の集積度を増すために、多層セ
ラミック体の露出表面に厚膜コンデンサ若しくは厚膜抵
抗等が形成されるようになった。従来、このような多層
セラミック回路装置の導体は銀(70%)−パラジウム
(30%)を主成分とする焼付型導電ペーストによって
形成した。
ラミック体の露出表面に厚膜コンデンサ若しくは厚膜抵
抗等が形成されるようになった。従来、このような多層
セラミック回路装置の導体は銀(70%)−パラジウム
(30%)を主成分とする焼付型導電ペーストによって
形成した。
しかしながら、銀パラジウムペーストは、比抵抗の高い
パラジウムを3割も含むため、焼結させて導体とした時
、シート抵抗が35mΩ/口と高いものとなってしまっ
た。また、銀パラジウムペ−ストは高価であった。この
ため、ニッケル等の卑金属のペーストで電極を形成する
ことが試みられている。しかし、単にニッケル粉末のペ
ーストを作っても、所望の特性を有する導体を形成する
ことは不可能であった。即ちニッケルを主成分とする導
電ペーストにおいては、酸化雰囲気中で焼結した場合、
33.0C前後の温度から酸化が激シ<なり、また還元
又は中性雰囲気中では1300tll’附近の温度から
凝集し粒状に成長して導電性を喪失する。
パラジウムを3割も含むため、焼結させて導体とした時
、シート抵抗が35mΩ/口と高いものとなってしまっ
た。また、銀パラジウムペ−ストは高価であった。この
ため、ニッケル等の卑金属のペーストで電極を形成する
ことが試みられている。しかし、単にニッケル粉末のペ
ーストを作っても、所望の特性を有する導体を形成する
ことは不可能であった。即ちニッケルを主成分とする導
電ペーストにおいては、酸化雰囲気中で焼結した場合、
33.0C前後の温度から酸化が激シ<なり、また還元
又は中性雰囲気中では1300tll’附近の温度から
凝集し粒状に成長して導電性を喪失する。
多層セラミック回路装置の内部及び外部の導体を形成す
るだめの導電性ペーストには次の条件が要求される。
るだめの導電性ペーストには次の条件が要求される。
(11セラミック体の焼成と同時に導体を形成させるた
め、導電ペーストは約1050C〜1400Cの温度で
焼結可能なこと。
め、導電ペーストは約1050C〜1400Cの温度で
焼結可能なこと。
(2)導体が形成されたセラミック体に、更に厚膜コン
デンサや厚膜抵抗等を形成するため、導電ペーストから
形成された導体は大気雰囲気(酸化雰囲気)中で約10
00Cの熱処理を施しても抵抗率が小さいこと。
デンサや厚膜抵抗等を形成するため、導電ペーストから
形成された導体は大気雰囲気(酸化雰囲気)中で約10
00Cの熱処理を施しても抵抗率が小さいこと。
f31 111の焼結及び(2)の熱処理の後において
も導体の剥離強度はl k g 7mm”以上であるこ
と。
も導体の剥離強度はl k g 7mm”以上であるこ
と。
発明の目的
そこで本発明の目的は、上記条件を満足する焼付型導電
性ペーストを提供することにある。
性ペーストを提供することにある。
発明の構成
上記目的を達成するための本発明はニッケル(Ni)粉
末が70〜99重量%と、鉄(Fe)、アルミニウム(
AI)、及びタンタル(Ta)の内の少なくとも1種か
らなる付加粉末が0.5〜29.9重量%と、ガラスフ
リットが0.1〜20重量%とで100重量%となる基
本組成物と、ペースト状にするための適当量のビヒクル
とから成る導電性ペーストに係わるものである。
末が70〜99重量%と、鉄(Fe)、アルミニウム(
AI)、及びタンタル(Ta)の内の少なくとも1種か
らなる付加粉末が0.5〜29.9重量%と、ガラスフ
リットが0.1〜20重量%とで100重量%となる基
本組成物と、ペースト状にするための適当量のビヒクル
とから成る導電性ペーストに係わるものである。
発明の効果
上記発明によれば、鉄、アルミニウム、タンタルからな
る付加粉末が凝集抑止の働きをなし、シート抵抗25m
Ω/口以下、剥離強度1 kg/82以上でかつ異常な
粒状成長を生じない導体を得ることが可能な導電ペース
トを提供することが出来る。
る付加粉末が凝集抑止の働きをなし、シート抵抗25m
Ω/口以下、剥離強度1 kg/82以上でかつ異常な
粒状成長を生じない導体を得ることが可能な導電ペース
トを提供することが出来る。
実施例
次に本発明の実施例について述べる。
実施例 1
平均粒径5μmのNi粉末、平均粒径5μmのFe(鉄
)粉末、平均粒径3μのCaO−BaO−5i02ガラ
スフリツト(融点1000C)を第1表に示す割合に秤
量して配合し、この配合物100重景部上、対してエチ
ルセルロース6重量部およびα−ターピネオール33重
量部をビヒクルとして加え、3段式ロールミルで混練し
て導電性ペーストの試料をそれぞれ作成した。
)粉末、平均粒径3μのCaO−BaO−5i02ガラ
スフリツト(融点1000C)を第1表に示す割合に秤
量して配合し、この配合物100重景部上、対してエチ
ルセルロース6重量部およびα−ターピネオール33重
量部をビヒクルとして加え、3段式ロールミルで混練し
て導電性ペーストの試料をそれぞれ作成した。
次にAl2O3粉末50重量部、S i02粉末20重
量部、SrO粉末25重量部、Li2O粉末1重量部、
及びMgO粉末4重量部から成るセラミック原料、アク
リル酸エステルポリマーの水溶性からなるノ(インダ、
グリセリン、カルポル酸塩及び水をそれぞれ添加し、ボ
ールミルにて混合してスリップを作成し、脱泡処理した
後にドク、ターブレード法により厚さ200μのセラミ
ック生シートを作製した。
量部、SrO粉末25重量部、Li2O粉末1重量部、
及びMgO粉末4重量部から成るセラミック原料、アク
リル酸エステルポリマーの水溶性からなるノ(インダ、
グリセリン、カルポル酸塩及び水をそれぞれ添加し、ボ
ールミルにて混合してスリップを作成し、脱泡処理した
後にドク、ターブレード法により厚さ200μのセラミ
ック生シートを作製した。
゛そして乾燥した後にプレスにて長方形状に打ち抜いた
。
。
次にこの生シート上に、導電性ペーストを325メツシ
ユのスクリーンを使用して第1図に示すパターンに印刷
し、125Cで10分乾燥し、4枚を積層して熱圧着さ
せた後に、空気雰囲気中での900Cの熱処理でバイン
ダをとばし、N2(98,5容積%) 十H2(1,5
容積%)の雰囲気中で1200C12時間焼成し、第1
図及び第2図に示すbkζ器(11と導体(2)とから
成る試料を作製した。次に各層の導体(2)の2a〜2
b間(幅0.2++1I11.厚さ15μ、長さ20m
m)の抵抗値を抵抗ブリッジで測定し、計算によりシー
ト抵抗S1を求め、次いで空気雰囲気中で1oooc、
30分の加熱処理を5回繰返した後、上記と同じ測定方
法でシート抵抗S2を求めたところ、第1表の結果が得
られた。尚内部の層の抵抗は予め設けたスルーホール(
図示せず)を使用して測定した。
ユのスクリーンを使用して第1図に示すパターンに印刷
し、125Cで10分乾燥し、4枚を積層して熱圧着さ
せた後に、空気雰囲気中での900Cの熱処理でバイン
ダをとばし、N2(98,5容積%) 十H2(1,5
容積%)の雰囲気中で1200C12時間焼成し、第1
図及び第2図に示すbkζ器(11と導体(2)とから
成る試料を作製した。次に各層の導体(2)の2a〜2
b間(幅0.2++1I11.厚さ15μ、長さ20m
m)の抵抗値を抵抗ブリッジで測定し、計算によりシー
ト抵抗S1を求め、次いで空気雰囲気中で1oooc、
30分の加熱処理を5回繰返した後、上記と同じ測定方
法でシート抵抗S2を求めたところ、第1表の結果が得
られた。尚内部の層の抵抗は予め設けたスルーホール(
図示せず)を使用して測定した。
、また上記と同一の生シートを四角形に打ち抜き、その
中央に上記の導電性ペーストを同様にして印刷し、上記
と同様に焼成し、第3図及び第4図に示す如く磁器(3
)と導体(4)とから成る試料を作り、焼結後寸法が2
wn角の導体(4)に第4図に示すように0・5 mm
の銅=(5Zリング状端部な3 Qmmgの半田(6)
で固着させ、銅線(5)にバネ計りを結合させて引張強
度T(kg/mm)を測定したところ、第1衣料と引張
強度Tの測定試料とは別の試料であるが、磁器及び導体
が同一であるので、同一試料番号が付され同一欄に示さ
れている。また、各実施例の各人に於けるシート抵抗S
1及びS2の単位はmΩ/口であり、引張強度Tの単位
はkg/m+nである。
中央に上記の導電性ペーストを同様にして印刷し、上記
と同様に焼成し、第3図及び第4図に示す如く磁器(3
)と導体(4)とから成る試料を作り、焼結後寸法が2
wn角の導体(4)に第4図に示すように0・5 mm
の銅=(5Zリング状端部な3 Qmmgの半田(6)
で固着させ、銅線(5)にバネ計りを結合させて引張強
度T(kg/mm)を測定したところ、第1衣料と引張
強度Tの測定試料とは別の試料であるが、磁器及び導体
が同一であるので、同一試料番号が付され同一欄に示さ
れている。また、各実施例の各人に於けるシート抵抗S
1及びS2の単位はmΩ/口であり、引張強度Tの単位
はkg/m+nである。
第 1 表
第1表から明らかなように、Feを0.5〜29.9重
量%の範囲で添加することにより、熱処理前シート−1
抵抗S1及び熱酵後シート抵抗S2が25mΩ/口以下
、Tが1 kg 7mm2以上の電極導体を磁器に形成
することが出来た。即ち従来の銀パラジウム電極のシー
ト抵抗(35mΩ/口)より大幅にシート抵抗81及び
S2の小さい導体を得ることが出来た。
量%の範囲で添加することにより、熱処理前シート−1
抵抗S1及び熱酵後シート抵抗S2が25mΩ/口以下
、Tが1 kg 7mm2以上の電極導体を磁器に形成
することが出来た。即ち従来の銀パラジウム電極のシー
ト抵抗(35mΩ/口)より大幅にシート抵抗81及び
S2の小さい導体を得ることが出来た。
尚、Feが0.5 重量%未満ではpe、Ni固溶体
ができにくく粒子の異常成長及び酸化が防止できず、引
張強度Tがl lcg 7mm”未満となる。またFe
が29.9 重量%を越えると、シート抵抗が25mΩ
/口を越える。従って、Feを0.5〜29.9 重量
%の範囲にすることが望ましい。また、ガラスフリット
が0.1重量%未満であると、酸化防止のための添加効
果がなく、Tが1 kg /rrtm2未満となり、2
0重に%を越えると81及びS2が25mΩ/口を越え
る。従って、ガラスフリットを0.1〜207g量%の
範囲にすることが望ましい。このため試料番号1.11
.12.15は本発明の範囲外のものである。
ができにくく粒子の異常成長及び酸化が防止できず、引
張強度Tがl lcg 7mm”未満となる。またFe
が29.9 重量%を越えると、シート抵抗が25mΩ
/口を越える。従って、Feを0.5〜29.9 重量
%の範囲にすることが望ましい。また、ガラスフリット
が0.1重量%未満であると、酸化防止のための添加効
果がなく、Tが1 kg /rrtm2未満となり、2
0重に%を越えると81及びS2が25mΩ/口を越え
る。従って、ガラスフリットを0.1〜207g量%の
範囲にすることが望ましい。このため試料番号1.11
.12.15は本発明の範囲外のものである。
実施例 2
実施1のFe粉末をAI粉末に変更した他は実施例1と
全く同一として第2表に示す組成のペーストを作り、実
施例1と同一の測定をしたところ、第2表の結果が得ら
れた。尚第2表〜第4表に於けるNi%AI、Fe、T
a、ガラスの量は鏡1表と同様に重量%で示され、Sl
、S2、Tの単位も第1表と同一である。
全く同一として第2表に示す組成のペーストを作り、実
施例1と同一の測定をしたところ、第2表の結果が得ら
れた。尚第2表〜第4表に於けるNi%AI、Fe、T
a、ガラスの量は鏡1表と同様に重量%で示され、Sl
、S2、Tの単位も第1表と同一である。
第 2 表
第2表から明らかなように、AI粉末を使用してもFe
粉末と同様な作用効果が得られる。尚Alの好ましい範
囲は帆5〜29.9重量%である。第2表に於いて試料
番号16.20.25.29は本発明の範囲外のもので
ある。
粉末と同様な作用効果が得られる。尚Alの好ましい範
囲は帆5〜29.9重量%である。第2表に於いて試料
番号16.20.25.29は本発明の範囲外のもので
ある。
実施例 3
実施例1に於ける5μのNi粉末の代りに平均粒径1μ
のNi粉末を使用し、ガラスフリットとしてSrO−A
l2O3、5i02 系ガラス粉末(融点1000t
Z’)を使用した他は、実施例1と全く同一として第3
表に示す組成のペーストを作り、同様な測定を行ったと
ころ、第3表の結果が得られた。
のNi粉末を使用し、ガラスフリットとしてSrO−A
l2O3、5i02 系ガラス粉末(融点1000t
Z’)を使用した他は、実施例1と全く同一として第3
表に示す組成のペーストを作り、同様な測定を行ったと
ころ、第3表の結果が得られた。
第 3 表
第3表から明らかなように、Ni粉末の粒径を変更して
も、またガラスフリットの組成を変えても実施例1と同
様な作用効果を得ることができる。
も、またガラスフリットの組成を変えても実施例1と同
様な作用効果を得ることができる。
尚第3表で試料番号30.35.39.42は本発明の
範囲外のものである。
範囲外のものである。
実施例 4
実施例3のFe粉末の代りにTa (タンタル)粉末を
使用した他は、実施例3と同一にして、ペーストを作り
、Sl、S2、Tを測定したところ第4表の結果が得ら
れた。
使用した他は、実施例3と同一にして、ペーストを作り
、Sl、S2、Tを測定したところ第4表の結果が得ら
れた。
第 4 表
この第4表から明らかなように、Taを使用しても実施
例1〜3と同様な作用効果を得ることができ、ろ。尚第
4表で試料番号43.48.53は本発明の範囲外のも
のである。
例1〜3と同様な作用効果を得ることができ、ろ。尚第
4表で試料番号43.48.53は本発明の範囲外のも
のである。
実施例 5
CaTiOa 粉末にクレイを1重量%添加した材料
で、実施例1と同様方法でセラミック生シートを作製し
、本発明に係わる導電性ペース)(Ni粉末85v量%
、Fe粉末7.5重f%、BaO−5i02−A120
3ガラスフリツト、7.5i#、%及びバインダ)を用
意し、第5図及び第6図に示す様に生シート(7)の上
にペースト(8)をスクリーン印刷し、それぞれが互い
違いになるように4層に積層し、更にこの上に生シート
のみを積層し、熱圧着して1280C14時間N2(9
8,5%) +H2(1,5%)の中性雰囲気で一体焼
成した。その後1000t:’、1時間空気雰囲気中で
熱処理し、銹電体が還元された部分を補償した後In
−Ga電極を焼結体の側面に形成した。そして容量及び
−δを横筒製作所モデルYHP4270−Aで測定し、
この測定容量から比誘電率(ε、)を求めた。また、絶
縁抵抗(IR)をDClooV、60秒印加後に測定し
た。これにより、第5表の結果が得られた。尚、比較す
るため、本実施例の導電性ペーストを銀パラジウムの導
電ペーストに変更し、焼成は1280C,4時間を空気
雰囲気中で行なって比較試料を作り、この比較試料を本
実施例と全く同様の方法で比誘電率(εS)、−δ、絶
縁抵抗(IR)を測定したところ次の第5表の結果が得
られた。
で、実施例1と同様方法でセラミック生シートを作製し
、本発明に係わる導電性ペース)(Ni粉末85v量%
、Fe粉末7.5重f%、BaO−5i02−A120
3ガラスフリツト、7.5i#、%及びバインダ)を用
意し、第5図及び第6図に示す様に生シート(7)の上
にペースト(8)をスクリーン印刷し、それぞれが互い
違いになるように4層に積層し、更にこの上に生シート
のみを積層し、熱圧着して1280C14時間N2(9
8,5%) +H2(1,5%)の中性雰囲気で一体焼
成した。その後1000t:’、1時間空気雰囲気中で
熱処理し、銹電体が還元された部分を補償した後In
−Ga電極を焼結体の側面に形成した。そして容量及び
−δを横筒製作所モデルYHP4270−Aで測定し、
この測定容量から比誘電率(ε、)を求めた。また、絶
縁抵抗(IR)をDClooV、60秒印加後に測定し
た。これにより、第5表の結果が得られた。尚、比較す
るため、本実施例の導電性ペーストを銀パラジウムの導
電ペーストに変更し、焼成は1280C,4時間を空気
雰囲気中で行なって比較試料を作り、この比較試料を本
実施例と全く同様の方法で比誘電率(εS)、−δ、絶
縁抵抗(IR)を測定したところ次の第5表の結果が得
られた。
第 5 表
この結果から、本発明の導電性ペーストは、銀パラジウ
ムペーストとほぼ同一の作用効果を有し、積層コンデン
サの内部電極としても使用することが確認された。
ムペーストとほぼ同一の作用効果を有し、積層コンデン
サの内部電極としても使用することが確認された。
第1図は本発明の実施例1に係わる磁器及び電極を示す
平面図、第2図は第1図の正面図、第3図は実施例1で
Tを測定するための試料の平面図、第4図はTの測定状
態を示す断面図、第5図は実施例5の生シートとペース
トとを示す平面図、第6図は第5図の正面図である。 (1)・・・磁器、(2)・・・梼体。 代理人 高野則次
平面図、第2図は第1図の正面図、第3図は実施例1で
Tを測定するための試料の平面図、第4図はTの測定状
態を示す断面図、第5図は実施例5の生シートとペース
トとを示す平面図、第6図は第5図の正面図である。 (1)・・・磁器、(2)・・・梼体。 代理人 高野則次
Claims (1)
- (1) ニッケル粉末70〜99重量%と、鉄、アル
ミニウム、及びタンタルの内の少なくとも1種からなる
付加粉末0.5〜29.9 ”I量%と、ガラスフリッ
ト0.1〜20重量%と、で100重量%となる基本組
成物と、 ペースト状態にするための適当量のビヒクルと、から成
る焼付型導電性ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22542982A JPS59114703A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 焼付型導電性ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22542982A JPS59114703A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 焼付型導電性ペ−スト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59114703A true JPS59114703A (ja) | 1984-07-02 |
JPS628882B2 JPS628882B2 (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16829227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22542982A Granted JPS59114703A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 焼付型導電性ペ−スト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59114703A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61121205A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | 太陽誘電株式会社 | 導電ペ−スト |
US5374829A (en) * | 1990-05-07 | 1994-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum chuck |
US7817402B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-10-19 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic electronic device and method of production of the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5262695A (en) * | 1975-11-19 | 1977-05-24 | Trw Inc | Terminal for electric resistor and method of manufacture thereof |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP22542982A patent/JPS59114703A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5262695A (en) * | 1975-11-19 | 1977-05-24 | Trw Inc | Terminal for electric resistor and method of manufacture thereof |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61121205A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | 太陽誘電株式会社 | 導電ペ−スト |
US5374829A (en) * | 1990-05-07 | 1994-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum chuck |
US7817402B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-10-19 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic electronic device and method of production of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS628882B2 (ja) | 1987-02-25 |
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