JPS61121205A - 導電ペ−スト - Google Patents
導電ペ−ストInfo
- Publication number
- JPS61121205A JPS61121205A JP24202984A JP24202984A JPS61121205A JP S61121205 A JPS61121205 A JP S61121205A JP 24202984 A JP24202984 A JP 24202984A JP 24202984 A JP24202984 A JP 24202984A JP S61121205 A JPS61121205 A JP S61121205A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- conductive paste
- powder
- multilayer ceramic
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｎｉを主成分とし、非酸化雰囲気中で焼成
される導電ペーストに関する。
される導電ペーストに関する。
非酸化雰囲気中で焼成して製造される積層セラミックコ
ンデンサは、従来において、その内部電極と外部電極が
同一の導電ペーストを用いて作られていた。そしてこの
導電ペースト中の導電粉末は、Ｎｔ粉末のみからなって
いた。
ンデンサは、従来において、その内部電極と外部電極が
同一の導電ペーストを用いて作られていた。そしてこの
導電ペースト中の導電粉末は、Ｎｔ粉末のみからなって
いた。
この種の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明す
る。まずセラミック材料を用いて未焼結磁器シートを作
り、これに内部電極用の導電ペーストを印刷する。これ
を数枚積層して切断する。次いでこれを非酸化雰囲気中
で１１００〜１３００℃の温度で焼成する。得られた積
層体の側面に外部電極用の導電ペーストを塗布し、これ
を非酸化雰囲気中で１１００〜１１５０°Ｃの温度で焼
成することにより、積層セラミックコンデンサチップと
なる。
る。まずセラミック材料を用いて未焼結磁器シートを作
り、これに内部電極用の導電ペーストを印刷する。これ
を数枚積層して切断する。次いでこれを非酸化雰囲気中
で１１００〜１３００℃の温度で焼成する。得られた積
層体の側面に外部電極用の導電ペーストを塗布し、これ
を非酸化雰囲気中で１１００〜１１５０°Ｃの温度で焼
成することにより、積層セラミックコンデンサチップと
なる。
しかしながら、こうして作られた積層セラミックコンデ
ンサチップの場合、内部電極がセラミックの焼結工程と
同時に行われるそれ自身の焼付工程と、外部電極の焼付
工程との２度に亙って高温に晒されるため、この間に内
部電極の導電成分が異常に粒子成長しやすい。この結果
。
ンサチップの場合、内部電極がセラミックの焼結工程と
同時に行われるそれ自身の焼付工程と、外部電極の焼付
工程との２度に亙って高温に晒されるため、この間に内
部電極の導電成分が異常に粒子成長しやすい。この結果
。
従来の導電ペーストを使用して生産されたものは、静電
容量Ｃ２誘電体損失ｔａｎδ１等価直列抵抗ＥＳＲ等の
平均値が所定の規格ずれすれで。
容量Ｃ２誘電体損失ｔａｎδ１等価直列抵抗ＥＳＲ等の
平均値が所定の規格ずれすれで。
中には所定の規格範囲に入らないものがあった。
この発明の目的は、従来のＮｉ導電ペーストに於ける上
記の問題を解決することにある。即ち、外部電極用の導
電ペーストの焼付温度を。
記の問題を解決することにある。即ち、外部電極用の導
電ペーストの焼付温度を。
従来より２０〜２３０℃程低くすることにより、内部電
極中の導電成分の異常な粒子成長を抑え。
極中の導電成分の異常な粒子成長を抑え。
もって積層セラミックコンデンサチップの特性の平均値
をより高いレベルとし、その全てが所定の規格範囲を満
足できるようにすることを目的とする。
をより高いレベルとし、その全てが所定の規格範囲を満
足できるようにすることを目的とする。
この発明による導電ペーストは、導電粉末とバインダと
からなるもので、導電粒子は、Ｎｉ粉末を８０〜９９重
量％と、Ｚｎ、ＡＩ粉末の何れか１種以上１〜２０重量
％とからなるものである。
からなるもので、導電粒子は、Ｎｉ粉末を８０〜９９重
量％と、Ｚｎ、ＡＩ粉末の何れか１種以上１〜２０重量
％とからなるものである。
なお、バインダは従来公知の１例えばエチルセルローズ
とブチルカルピトール等からなる。
とブチルカルピトール等からなる。
Ｚｎ、Ａ１等はＮｉに比べて融点の低い金属であり、焼
き付は温度を下げるという点で何れも同じ作用を示す。
き付は温度を下げるという点で何れも同じ作用を示す。
このため、これらの金属成分を含む導電ペーストは、従
来のＮｉのみの導電粉末からなるものに比べて２０〜２
３０°Ｃ低い温度で焼き付けることができる。従ってこ
れを積層セラミックコンデンサの外部電極用の導電ペー
ストとして使用し、従来より低い温度で焼き付けること
により、高温による内部電極の導電粒子の異常な成長を
防ぐことができる。よって上記コンデンサの静電容量Ｃ
２誘電体損失ｔａｎδ２等価直列抵抗ＥＳＲ等の特性の
平均値を。
来のＮｉのみの導電粉末からなるものに比べて２０〜２
３０°Ｃ低い温度で焼き付けることができる。従ってこ
れを積層セラミックコンデンサの外部電極用の導電ペー
ストとして使用し、従来より低い温度で焼き付けること
により、高温による内部電極の導電粒子の異常な成長を
防ぐことができる。よって上記コンデンサの静電容量Ｃ
２誘電体損失ｔａｎδ２等価直列抵抗ＥＳＲ等の特性の
平均値を。
従来に比べて高いレベルにすることができる。
なお、導電粉末中の組成比の下限を、上記のように限定
したのは１次ぎの理由による。即ち。
したのは１次ぎの理由による。即ち。
導電ペーストの焼付温度を従来に比べて２０℃以上低く
することができるのは、導電粉末中にＺｎ、Ａ１等の金
属粉末を１重量％以上含ませたときであることによる。
することができるのは、導電粉末中にＺｎ、Ａ１等の金
属粉末を１重量％以上含ませたときであることによる。
例えば、導電粉末としてＮｉ粉末のみを含む従来の導電
ペーストでは、その焼付温度が１１００℃程度である。
ペーストでは、その焼付温度が１１００℃程度である。
これに対して、導電粉末中に１重量％のＺｎ粉末を含む
導電ペーストの焼付温度は１０６０℃であり、４０℃低
い温度で焼き付けることができる。
導電ペーストの焼付温度は１０６０℃であり、４０℃低
い温度で焼き付けることができる。
また、導電粉末中の組成比の上限を、上記の範囲に限定
した理由は、導電ペーストの焼付温度や、これに伴う積
層セラミックコンデンサの特性面によるものではなく、
他の実用上の理由による。即ち＋ Ｚ ｎ 、Ａ Ｉ
等の金属を多く含む電極は、溶融した半田を弾き、半田
付けが困難になるからである。
した理由は、導電ペーストの焼付温度や、これに伴う積
層セラミックコンデンサの特性面によるものではなく、
他の実用上の理由による。即ち＋ Ｚ ｎ 、Ａ Ｉ
等の金属を多く含む電極は、溶融した半田を弾き、半田
付けが困難になるからである。
半田付けに支障が無いか否かについては、溶融した２３
０±５℃の半田中に、積層セラミックコンデンサチップ
を３±０．５秒間浸漬した後。
０±５℃の半田中に、積層セラミックコンデンサチップ
を３±０．５秒間浸漬した後。
電極面積の９０％以上が半田で覆われているか否かで判
定した。上記Ｚｎ、Ａ１等の粉末が導電粉末中に含まれ
る量が、２０重量％まではこの条件で半田付けに支障が
ないものと判定された。
定した。上記Ｚｎ、Ａ１等の粉末が導電粉末中に含まれ
る量が、２０重量％まではこの条件で半田付けに支障が
ないものと判定された。
次ぎにこの発明の実施例と比較例について説明する。
導電粉末として純度９９．９％のＮｉ粉末８５ｇ。
Ｚｎ粉末１５ｇ及びバインダーとしてエチルセルローズ
１６ｇとブチルカルピトール６４ｇを播潰機で５時間粗
混合した。その後、ロールミルで１時間混練し、別表の
磁６の欄に示した組成の導電粉末を含む導電ペーストを
作った。
１６ｇとブチルカルピトール６４ｇを播潰機で５時間粗
混合した。その後、ロールミルで１時間混練し、別表の
磁６の欄に示した組成の導電粉末を含む導電ペーストを
作った。
次いでこの導電ペーストを次ぎの方法で積層セラミック
コンデンサの外部電極として使用した。まずＢａＴｉＯ
３系のセラミック材料と内部電極用のＮｉ導電ペースト
を使用して未焼成の積層チップを作製した。そしてこれ
を２％のＨ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中において１２
５０℃の温度で焼成した。次いで積層チップの側面に露
出した内部電極に接して同積層チップの両側面に上記外
部電極用の導電ペーストを約５０μｍの厚さではり均一
に塗布し、これを乾燥固化させた。さらにこれを２％の
Ｈ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中において８７０°Ｃで
約１時間保持して焼き付けた。この温度を別表に示す。
コンデンサの外部電極として使用した。まずＢａＴｉＯ
３系のセラミック材料と内部電極用のＮｉ導電ペースト
を使用して未焼成の積層チップを作製した。そしてこれ
を２％のＨ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中において１２
５０℃の温度で焼成した。次いで積層チップの側面に露
出した内部電極に接して同積層チップの両側面に上記外
部電極用の導電ペーストを約５０μｍの厚さではり均一
に塗布し、これを乾燥固化させた。さらにこれを２％の
Ｈ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中において８７０°Ｃで
約１時間保持して焼き付けた。この温度を別表に示す。
こうして作られた５００個の積層セラミックコンデンサ
を１昼夜常温で放置した。その後、市販のＬＣＲメータ
（ＹＨＰ４２７４Ａ）でＩＫＨｚにおける静電容量Ｃと
誘電体損失ｔａｎδを測定し、インピーダンスアナライ
ザ（ＹＨＰ４１９１Ａ）を使用して等個直列抵抗ＥＳＲ
を測定した。この平均値を別表の隘６の掴に示す。
を１昼夜常温で放置した。その後、市販のＬＣＲメータ
（ＹＨＰ４２７４Ａ）でＩＫＨｚにおける静電容量Ｃと
誘電体損失ｔａｎδを測定し、インピーダンスアナライ
ザ（ＹＨＰ４１９１Ａ）を使用して等個直列抵抗ＥＳＲ
を測定した。この平均値を別表の隘６の掴に示す。
以下同様にしてそれぞれ別表各欄に示す組成の導電粉末
を含む導電ペーストを作った。そしてこれを外部電極用
材料として使用し 何れも同じ構造と規格の積層セラミ
ックコンデンサを製作した。
を含む導電ペーストを作った。そしてこれを外部電極用
材料として使用し 何れも同じ構造と規格の積層セラミ
ックコンデンサを製作した。
この内ｍｌは、寛２〜１５に示した実施例との−比較の
ため作られた従来の導電ペーストの導電粉末の組成と、
これを使用して作られた積層セラミックコンデンサの特
性を５００個の平均値で示したものである。
ため作られた従来の導電ペーストの導電粉末の組成と、
これを使用して作られた積層セラミックコンデンサの特
性を５００個の平均値で示したものである。
この結果、Ｎ１２〜１５の積層セラミックコンデンサは
、静電容量Ｃが３０７ｎＦ ＋８０％−２０％、誘電体
損失ｔａｎδが３．２％以下１等価直列抵抗ＥＳＲが５
０ｍΩ以下という規格を全てが満足した。
、静電容量Ｃが３０７ｎＦ ＋８０％−２０％、誘電体
損失ｔａｎδが３．２％以下１等価直列抵抗ＥＳＲが５
０ｍΩ以下という規格を全てが満足した。
これに対して、隘１の積層セラミックコンデンサで上記
の規格を満足したのは５００個中８ｏ個であった。
の規格を満足したのは５００個中８ｏ個であった。
以上説明した通り、この発明によれば、導電粉末がＮｉ
粉末のみからなる従来のものに比べて低い温度で焼き付
けが可能な導電ペーストを提供することができる。これ
によって内部電極中の導電成分の異常な粒子成長を防ぎ
、積層セラミックコンデンサの特性値のレベルを高くシ
。
粉末のみからなる従来のものに比べて低い温度で焼き付
けが可能な導電ペーストを提供することができる。これ
によって内部電極中の導電成分の異常な粒子成長を防ぎ
、積層セラミックコンデンサの特性値のレベルを高くシ
。
所定の規格範囲を全て満足させることができるようにな
る。
る。
Claims (1)
- 導電粉末とバインダとからなる導電ペーストにおいて、
導電粉末が、Ｎｉ粉末８０〜９９重量％と、Ｚｎ、Ａｌ
、粉末の何れか１種以上１〜２０重量％とからなること
を特徴とする導電ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24202984A JPS61121205A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 導電ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24202984A JPS61121205A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 導電ペ−スト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121205A true JPS61121205A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17083207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24202984A Pending JPS61121205A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 導電ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012202923A1 (de) | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Tdk Corp. | Elektroden-Sinterkörper, vielschichtige elektronische Vorrichtung, interne Elektrodenpaste, Herstellungsverfahren des Elektroden-Sinterkörpers und Herstellungsverfahren der vielschichtigen elektronischen Vorrichtung |
| US20140218841A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Apple Inc. | Low acoustic noise capacitors |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593909A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | ニチコン株式会社 | セラミツクコンデンサ用電極ペ−スト |
| JPS59114703A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-02 | 太陽誘電株式会社 | 焼付型導電性ペ−スト |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24202984A patent/JPS61121205A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593909A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | ニチコン株式会社 | セラミツクコンデンサ用電極ペ−スト |
| JPS59114703A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-02 | 太陽誘電株式会社 | 焼付型導電性ペ−スト |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012202923A1 (de) | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Tdk Corp. | Elektroden-Sinterkörper, vielschichtige elektronische Vorrichtung, interne Elektrodenpaste, Herstellungsverfahren des Elektroden-Sinterkörpers und Herstellungsverfahren der vielschichtigen elektronischen Vorrichtung |
| US9001492B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-04-07 | Tdk Corporation | Electrode sintered body, multilayer electronic device, internal electrode paste, a manufacturing method of electrode sintered body and a manufacturing method of multilayer electronic device |
| US20140218841A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Apple Inc. | Low acoustic noise capacitors |
| US9287049B2 (en) * | 2013-02-01 | 2016-03-15 | Apple Inc. | Low acoustic noise capacitors |
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