JPS61121206A - 導電ペ−スト - Google Patents
導電ペ−ストInfo
- Publication number
- JPS61121206A JPS61121206A JP24203084A JP24203084A JPS61121206A JP S61121206 A JPS61121206 A JP S61121206A JP 24203084 A JP24203084 A JP 24203084A JP 24203084 A JP24203084 A JP 24203084A JP S61121206 A JPS61121206 A JP S61121206A
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- JP
- Japan
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- powder
- conductive
- conductive paste
- multilayer ceramic
- temperature
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｎｉを主成分とし、非酸化雰囲気中で焼成
される導電ペーストに関する。
される導電ペーストに関する。
（従来の技術〕
非酸化雰囲気中で焼成して製造される積層セラミックコ
ンデンサは、従来において、その内部電極と外部電極が
同一の導電ペーストを用いて作られていた。そしてこの
導電ペースト中の導電粉末は、Ｎｔ粉末のみからなって
いた。
ンデンサは、従来において、その内部電極と外部電極が
同一の導電ペーストを用いて作られていた。そしてこの
導電ペースト中の導電粉末は、Ｎｔ粉末のみからなって
いた。
この種の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明す
る。まずセラミック材料を用いて未焼結磁器シートを作
り、これに内部電極用の導電ペーストを印刷する。この
シートを数枚積層して切断する。次いでこれを非酸化雰
囲気中で１１００〜１３００℃の温度で焼成する。得ら
れた積層体の側面に外部電極用の導電ペーストを塗布し
。
る。まずセラミック材料を用いて未焼結磁器シートを作
り、これに内部電極用の導電ペーストを印刷する。この
シートを数枚積層して切断する。次いでこれを非酸化雰
囲気中で１１００〜１３００℃の温度で焼成する。得ら
れた積層体の側面に外部電極用の導電ペーストを塗布し
。
これを非酸化雰囲気中で１１００〜１１５０℃の温度で
焼成することにより、積層セラミックコンデンサチップ
となる。
焼成することにより、積層セラミックコンデンサチップ
となる。
しかしながら゛、こうして作られた積層セラミックコン
デンサチップの場合、内部電極がセラミックの焼結工程
と同時に行われるそれ自身の焼付工程と、外部電極の焼
付工程との２度に亙って高温に晒されるため、この間に
内部電極の導電成分が異常に粒子成長しやすい。この結
果。
デンサチップの場合、内部電極がセラミックの焼結工程
と同時に行われるそれ自身の焼付工程と、外部電極の焼
付工程との２度に亙って高温に晒されるため、この間に
内部電極の導電成分が異常に粒子成長しやすい。この結
果。
従来の導電ペーストを使用して生産されたものは、静電
容量Ｃ２誘電体損失ｔａｎδ１等価直列抵抗ＥＳＲ等の
平均値が所定の規格すれすれで。
容量Ｃ２誘電体損失ｔａｎδ１等価直列抵抗ＥＳＲ等の
平均値が所定の規格すれすれで。
中には所定の規格範囲に入らないものがあった。
この発明の目的は、従来のＮｉ導電ペーストに於ける上
記の問題を解決することにある。即ち、外部電極用の導
電ペーストの焼付温度を。
記の問題を解決することにある。即ち、外部電極用の導
電ペーストの焼付温度を。
従来より２０〜４４０℃程低くすることにより、内部電
極中の導電成分の異常な粒子成長を抑え。
極中の導電成分の異常な粒子成長を抑え。
もって積層セラミックコンデンサチップの特性の平均値
をより高いレベルとし、その全てが所定の規格範囲を満
足できるようにすることを目的とする。
をより高いレベルとし、その全てが所定の規格範囲を満
足できるようにすることを目的とする。
この発明による導電ペーストは、導電粉末とバインダと
からなるもので、導電粒子は、Ｎｉ粉末を６６〜９９重
量％と、 Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ粉末の何れか１種以上を０
．５〜２０重量％と、Ｚｎ。
からなるもので、導電粒子は、Ｎｉ粉末を６６〜９９重
量％と、 Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ粉末の何れか１種以上を０
．５〜２０重量％と、Ｚｎ。
Ａｌ粉末の何れか１種以上を０．５〜２０重量％とから
なるものである。なお、バインダは従来公知の９例えば
エチルセルローズとブチルカルピトール等からなる。
なるものである。なお、バインダは従来公知の９例えば
エチルセルローズとブチルカルピトール等からなる。
Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ及びＺｎ、Ａｌ等はＮｉに比べて融点
の低い金属であり、焼き付は温度を下げるという点で何
れも同じ作用を示す。このため、これらの金属成分を含
む導電ペーストは。
の低い金属であり、焼き付は温度を下げるという点で何
れも同じ作用を示す。このため、これらの金属成分を含
む導電ペーストは。
従来のＮｉのみの導電粉末からなるものに比べて２０〜
４４０℃低い温度で焼き付けることができる。従ってこ
れを積層セラミックコンデンサの外部電極用の導電ペー
ストとして使用して、従来より低い温度で焼き付けるこ
とによって、高温による内部電極の導電粒子の異常な成
長を防ぐことができる。よって上記コンデンサの静電容
量Ｃ１誘電体損失ｔａｎδ２等価直列抵抗ＥＳＲ等の特
性の平均値を高いレベルにすることができる。
４４０℃低い温度で焼き付けることができる。従ってこ
れを積層セラミックコンデンサの外部電極用の導電ペー
ストとして使用して、従来より低い温度で焼き付けるこ
とによって、高温による内部電極の導電粒子の異常な成
長を防ぐことができる。よって上記コンデンサの静電容
量Ｃ１誘電体損失ｔａｎδ２等価直列抵抗ＥＳＲ等の特
性の平均値を高いレベルにすることができる。
なお、導電粉末中の組成比の下限を、上記のように限定
したのは９次ぎの理由による。即ち。
したのは９次ぎの理由による。即ち。
導電ペーストの焼付温度を従来に比べて２０℃以上低く
することができるのは、導電粉末中にＣｕ、Ｐｂ、Ｓｎ
等の金属粉末及びＺｎ、 ＡＬ等の金属粉末をそれぞれ
０．５重量％以上含ませたときであることによる。
することができるのは、導電粉末中にＣｕ、Ｐｂ、Ｓｎ
等の金属粉末及びＺｎ、 ＡＬ等の金属粉末をそれぞれ
０．５重量％以上含ませたときであることによる。
別えば、導電粉末としてＮｉ粉末のみを含む従来の導電
ペーストでは、その焼付温度が１１００℃程度である。
ペーストでは、その焼付温度が１１００℃程度である。
これに対し、導電粉末中に０．３重量％のＣｕ粉末と０
．２重量％のＰｂ粉末及び０．４重量％のＺｎ粉末と０
．１ｆｆｉ量％のＡｌ粉末を含む導電ペーストの焼付温
度は１０８０℃であり。
．２重量％のＰｂ粉末及び０．４重量％のＺｎ粉末と０
．１ｆｆｉ量％のＡｌ粉末を含む導電ペーストの焼付温
度は１０８０℃であり。
２０℃低い温度で焼き付けることができる。
また、導電粉末中の組成比の上限を、上記のように限定
した理由は、導電ペーストの焼付温度や、これに伴う積
層セラミックコンデンサの特性面によるものではなく９
次ぎの理由による。
した理由は、導電ペーストの焼付温度や、これに伴う積
層セラミックコンデンサの特性面によるものではなく９
次ぎの理由による。
即ち、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ等の金属を多く含む電極は、溶
融した半田に接すると、電極を構成する金属が溶融半田
中に熔は出す、いわゆる電極食われ現象を生ずるからで
ある。
融した半田に接すると、電極を構成する金属が溶融半田
中に熔は出す、いわゆる電極食われ現象を生ずるからで
ある。
電極食われが生じたか否かについては、／８融した２７
０±５℃の半田中に、積層セラミックコンデンサチップ
を２０±１秒間浸漬した後、電極面積が浸漬前の９０％
以上残るか否かで判定した。
０±５℃の半田中に、積層セラミックコンデンサチップ
を２０±１秒間浸漬した後、電極面積が浸漬前の９０％
以上残るか否かで判定した。
上記Ｃｕ、Ｐｂ、３ｎ等の粉末が導電粉末中に含まれる
量が、 ２０重量％まではこの条件で電極の食われが生
じないものと判定された。
量が、 ２０重量％まではこの条件で電極の食われが生
じないものと判定された。
他方、Ｚｎ、Ａ１等の金属を多く含む電極は。
溶融した半田を弾き、半田付けが困難になる。
半田付けに支障が無いか否かについては、溶融した２３
０±５℃の半田中に、積層セラミックコンデンサチップ
を３±０．５秒間浸漬した後。
０±５℃の半田中に、積層セラミックコンデンサチップ
を３±０．５秒間浸漬した後。
電極面積の９０％以上が半田で覆われているか否かで判
定した。上記Ｚｎ、Ａ１等の粉末が導電粉末中に含まれ
る量が、２０重量％まではこの条件で半田付けに支障が
ないものと判定された。
定した。上記Ｚｎ、Ａ１等の粉末が導電粉末中に含まれ
る量が、２０重量％まではこの条件で半田付けに支障が
ないものと判定された。
次ぎにこの発明の実施例と比較例について説明する。
導電粉末として純度９９．９％のＮ’ｉ粉末９３ｇ。
Ｃｕ粉末０．２ｇ、Ｐｂ粉末３．０ｇ、Ｓｎ粉末０．８
ｇ、Ａｌ粉末０．９ｇ、Ｚｎ粉末２．１ｇ及びバインダ
ーとしてエチルセルローズ１６ｇとブチルカルピトール
６４ｇを押漬機で５時間組混合した。その後、ロールミ
ルで１時間混練し、別表の階５の掴に示した組成の導電
粉末を含む導電ペーストを作った。
ｇ、Ａｌ粉末０．９ｇ、Ｚｎ粉末２．１ｇ及びバインダ
ーとしてエチルセルローズ１６ｇとブチルカルピトール
６４ｇを押漬機で５時間組混合した。その後、ロールミ
ルで１時間混練し、別表の階５の掴に示した組成の導電
粉末を含む導電ペーストを作った。
次いでこの導電ペーストを次ぎの方法で積層セラミック
コンデンサの外部電極として使用した。まず１３ａＴｉ
ｏ：＋系のセラミック材料と内部電極用のＮｉ導電ペー
ストを使用して未焼成の積層チップを作製した。そして
これを２％のＨ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中において
１２５０°Ｃの温度で焼成した。次いで積層チップの側
面に露出した内部電極に接して同積層チップの両側面に
上記外部電極用の導電ペーストを約５０μｍの厚さでは
＼均一に塗布し、これを乾燥固化させた。さらにこれを
２％のＨ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中において９４０
℃で約１時間保持して焼き付けた。この温度を別表に示
す。
コンデンサの外部電極として使用した。まず１３ａＴｉ
ｏ：＋系のセラミック材料と内部電極用のＮｉ導電ペー
ストを使用して未焼成の積層チップを作製した。そして
これを２％のＨ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中において
１２５０°Ｃの温度で焼成した。次いで積層チップの側
面に露出した内部電極に接して同積層チップの両側面に
上記外部電極用の導電ペーストを約５０μｍの厚さでは
＼均一に塗布し、これを乾燥固化させた。さらにこれを
２％のＨ２ガスを含むＮ２ガス雰囲気中において９４０
℃で約１時間保持して焼き付けた。この温度を別表に示
す。
こうして作られた５００個の積層セラミックコンデンサ
を１昼夜常温で放置した。その後、市販のＬＣＲメータ
（ＹＨＰ４２７４Ａ）でｌＫ１１ｚにおける静電容量Ｃ
と誘電体損失ｔａｎδを測定し、インピーダンスアナラ
イザ（ＹＨＰ４１９１Ａ）を使用して等価直列抵抗ＥＳ
Ｒを測定した。この平均値を別表の階５の欄に示す。
を１昼夜常温で放置した。その後、市販のＬＣＲメータ
（ＹＨＰ４２７４Ａ）でｌＫ１１ｚにおける静電容量Ｃ
と誘電体損失ｔａｎδを測定し、インピーダンスアナラ
イザ（ＹＨＰ４１９１Ａ）を使用して等価直列抵抗ＥＳ
Ｒを測定した。この平均値を別表の階５の欄に示す。
以下同様にしてそれぞれ別表各欄に示す組成の導電粉末
を含む導電ペーストを作った。そしてこれを外部電極用
材料として使用し、何れも同じ構造と規格の積層セラミ
ックコンデンサを製作した。
を含む導電ペーストを作った。そしてこれを外部電極用
材料として使用し、何れも同じ構造と規格の積層セラミ
ックコンデンサを製作した。
この内患１は、１１ｋＬ２〜４８に示した実施例との比
較のため作られた従来の導電ペーストの導電粉末の組成
と、これを使用して作られた積層セラミックコンデンサ
の特性を５００個の平均値で示したものである。
較のため作られた従来の導電ペーストの導電粉末の組成
と、これを使用して作られた積層セラミックコンデンサ
の特性を５００個の平均値で示したものである。
この結果、Ｉ’＆Ｌ２〜４８の積層セラミックコンデン
サは、静電容量Ｃが３０７ｎＦ ＋ ８０％−２０％、
誘電体損失ｔａｎδが３．２％以下９等価直列抵抗ＥＳ
Ｒが５０ｍΩ以下という規格を全てが満足した。
サは、静電容量Ｃが３０７ｎＦ ＋ ８０％−２０％、
誘電体損失ｔａｎδが３．２％以下９等価直列抵抗ＥＳ
Ｒが５０ｍΩ以下という規格を全てが満足した。
これに対して、Ｎｌｌの積層セラミックコンデンサで上
記規格を満足したのは５００個中８ｏ個であった。
記規格を満足したのは５００個中８ｏ個であった。
以上説明した通り、この発明によれば、導電粉末がＮｉ
粉末のみからなる従来のものに比べて低い温度で焼き付
けが可能な導電ペーストを提供することができる。これ
によって内部電極中の導電成分の異常な粒子成長を抑え
、積層セラミックコンデンサの特性値のレベルを高（シ
。
粉末のみからなる従来のものに比べて低い温度で焼き付
けが可能な導電ペーストを提供することができる。これ
によって内部電極中の導電成分の異常な粒子成長を抑え
、積層セラミックコンデンサの特性値のレベルを高（シ
。
所定の規格範囲を全て満足させることができるようにな
る。
る。
Claims (1)
- 導電粉末とバインダとからなる導電ペーストにおいて、
導電粉末が、Ｎｉ粉末６６〜９９重量％と、Ｃｕ、Ｐｂ
、Ｓｎ粉末の何れか１種以上０．５〜２０重量％と、Ｚ
ｎ、Ａｌ粉末の何れか１種以上０．５〜２０重量％とか
らなることを特徴とする導電ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203084A JPS61121206A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 導電ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203084A JPS61121206A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 導電ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121206A true JPS61121206A (ja) | 1986-06-09 |
| JPH0411962B2 JPH0411962B2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=17083222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24203084A Granted JPS61121206A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 導電ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121206A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015065332A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593909A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | ニチコン株式会社 | セラミツクコンデンサ用電極ペ−スト |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24203084A patent/JPS61121206A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593909A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | ニチコン株式会社 | セラミツクコンデンサ用電極ペ−スト |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015065332A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0411962B2 (ja) | 1992-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |