JPH10330163A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、還元性霧囲気で低温焼成可能で、
しかも、誘電率が高く、しかも、誘電率の温度係数が安
定し、高周波領域（例えばＧＨｚ帯）でのＱ値がＱｆで
８０００以上の非還元性誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】本発明は、（ＣａＯ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ
_y ）Ｏ₂ で表される複合酸化物と、該複合酸化物１００
重量部に対して、マンガン化合物をＭｎＣＯ₃ 換算で
１．０〜５．０重量部と、ａＬｉ₂ Ｏ−ｂＢ₂ Ｏ₃ −ｃ
Ａｌ₂ Ｏ₃ で表されるガラス成分を０．５〜５重量部を
含み、０．９５≦ｘ≦１．０５、０．０１≦ｙ≦０．１
０、１５≦ａ≦５５、２５≦ｂ≦６５、０＜ｃ≦２０、
ａ＋ｂ＋ｃ＝１００の範囲である非還元性誘電体磁器組
成物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域（ＧＨ
ｚ帯）でも使用可能な積層コンデンサ等に適した温度補
償用誘竃体磁器組成物に関するものであり、その特性は
高周波領域に至るまでＱが高く、誘電率εの温度依存性
が小さい。更に銀や銅などを内部電極として、同時焼成
が可能な低温焼結性に優れた非還元性誘電体磁器組成物
に関するものである

【０００２】

【従来の技術】従来、積層セラミックコンデンサは、誘
電体磁器原料粉末からなるセラミックグリーンシートの
表面に、パラジウム系（パラジウム単体またはＡｇ−パ
ラジウム合金）等の貴金属の導電性ペーストを用いて、
内部電極となる所定パターンの導体膜を印刷し、この複
数のセラミックグリーンシートを積層・圧着して所定形
状に裁断して、この積層体を１２００〜１３００℃、酸
化性雰囲気中で焼結処理し、その後、積層体の端面に、
銀などから成る外部電極下地導体膜を６００〜８００℃
で焼きつけを行い、この下地導体膜の表面にＮｉ、Ｓｎ
などのメッキ層を形成していた。

【０００３】近年、移動体通信の発展に伴い、積層セラ
ミックコンデンサにおいても、高周波化が要求されてい
る。即ち、高周波動作の回路における使用可能領域が広
く、しかも、高周波動作の回路中で損失抵抗が低く、高
周波領域においてもＱが充分に高く、誘電率εの温度依
存性が小さいことが重要となる。

【０００４】例えば、高周波動作の回路における使用可
能領域が広く、損失抵抗が低くするためには、内部電極
や外部電極に高い導電率の材料を用いる必要があり、そ
の材料としてＡｇやＣｕが例示できる。

【０００５】さらに、構造的には、誘電体セラミック層
と内部電極とが交互に積層し、製造工程的には、誘電体
セラミック層と内部電極とが一体的に焼結されるため、
ＡｇやＣｕの融点を越えない１０００℃以下の焼成温度
で、誘電体セラミック層が充分に焼結可能な材料を用い
る必要がある。

【０００６】しかも、内部外部電極にＣｕを用いる場
合、Ｃｕの酸化を防止するために焼結雰囲気を中性又は
還元性雰囲気とする必要があり、誘電体材料が還元反応
しないように材料を設定しなくてはならない。

【０００７】この様な誘電体磁器組成物として従来から
種々の提案が行われている。

【０００８】例えば、ＣａＺｒＯ₃ 系主成分に対して添
加剤としてのＭｎＯ₂ を添加した材料系で、中性又は還
元性雰囲気での焼成が可能となる非還元性温度補償用誘
電体磁器組成物が提案されている（第１の従来例：特公
昭５７−３９００１号）。

【０００９】また、Ｃａ（Ｚｒ・Ｔｉ）系主成分に対し
て添加剤としてのＭｎＯ₂ の存在と、主成分原料の沈殿
生成法の改善によって、低損失で共振周波数の温度係数
が零に近い高周波用誘電体磁器組成物としていた（第２
の従来例：特開平１−１２０７０９号）。

【００１０】さらに、（Ｃａ・Ｓｒ・Ｂａ）（Ｚｒ・Ｔ
ｉ）系の材料において、測定周波数１０〜１１ＧＨｚで
のＱが２５００〜２８００（Ｑｆで２５０００〜３００
００）であるマイクロ波用誘電体磁器組成物が提案され
ている（第３の従来例：特公昭６１−１５５３０号）。

【００１１】さらに、（ＣａＳｒ）（ＺｒＴｉ）＋Ｍｎ
Ｏ₂ ＋ＳｉＯ₂ 系の主成分に（Ｌｉ₂ Ｏ−ＲＯ）−（Ｂ
₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ ）ＲＯ：ＳｒＯ、ＢａＯ、ＣａＯ系の
成分の添加された非還元性誘電体磁器組成物が提案され
ており、１０００℃以下で焼結することが可能で、１Ｍ
Ｈｚ、１Ｖｒｍｓの測定条件でのＱ値が３０００程度
で、しかも、安定した誘電率εの温度依存性を得ること
ができるものであった（第４の従来例：特開平５−２１
７４２６号）。

【００１２】さらに、（Ｂａ・Ｃａ・Ｓｒ）＋Ｓｉ＋Ｚ
ｒ＋Ａｌ＋Ｔｉ糸磁器において、９００℃以下の温度の
焼成で緻密に焼結可能であり、しかも１ＭＨｚ、１Ｖｒ
ｍｓの測定条件下でのＱ値が３０００程度の誘電体磁器
組成物が提案されている（第５の従来例：特開平５−１
９００２０号）。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、何れの誘電体
磁器組成物も高周波用積層コンデンサの磁器材料として
は充分なものではなかった。

【００１４】例えば、上述の第１及び第２の従来例で
は、焼成温度が１３００℃以上と高温での焼結処理を行
う必要があり、ＡｇやＣｕなどの比較的融点の低い材料
を内部電極に用いることができなかった。ＡｇやＣｕで
内部電極を構成した積層セラミックコンデンサでは、焼
結処理中にＡｇやＣｕが溶出してしまうためである。

【００１５】その結果、内部電極の材料としてＰｄ系を
用いなければならず、コスト高になってしまい、内部電
極の損失抵抗を低くすることが困難であった。

【００１６】また、第３従来例では、高周波領域でのＱ
値が、１０〜１１ＧＨｚで２５００〜２８００と十分な
値を示すものの、焼成温度が１４５０℃以上必要であ
り、前者同様に内部電極にＡｇやＣｕを用いることがで
きなかった。

【００１７】また、第４の従来例では、１０００℃以下
の温度で焼成することができ、ＡｇやＣｕを内部電極と
して使用することができても、１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓの
測定条件における円盤状プレス単板のＱ値が３０００程
度であり、高周波領域（ＧＨｚ帯）で使用するには不満
足なものであった。

【００１８】さらに、第５の従来例では、さらに９００
℃以下での焼成を可能なものとしているが、第４の従来
例と同様１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓの測定条件における円盤
状プレス単板のＱ値が３０００程度であり、高周波領域
で使用するには不満足なものである。

【００１９】結局、従来から種々提案されている高周波
用組成物は、高周波領域において高Ｑ値化と１０００℃
以下での低温焼成化は、相反する関係にあった。

【００２０】本発明は、１０００℃以下の還元性霧囲気
でも焼成可能な、且つ誘電率が高く、しかも、誘電率の
温度係数が安定し、高周波領域（例えばＧＨｚ帯）での
Ｑ値がＱｆで８０００以上となり、特に高周波領域での
Ｑ値が大幅に向上されるものである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一般式
（ＣａＯ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ₂ で表される複合
酸化物と、該複合酸化物１００重量部に対してマンガン
化合物をＭｎＣＯ₃ 換算で１．０〜５．０重量部と、ａ
Ｌｉ₂ Ｏ−ｂＢ₂ Ｏ₃ −ｃＡｌ₂ Ｏ₃ より構成されるガ
ラス成分を０．５〜５重量部を含み、 ０．９５≦ｘ≦１．０５ ０．０１≦ｙ≦０．１０ １５≦ａ≦５５ ２５≦ｂ≦６５ ０＜ｃ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ の範囲にあることを特徴とする非還元性誘電体磁器組成
物である。

【００２２】換言すれば、本発明は、主成分が（Ｃａ
Ｏ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ₂ 系で表される非還元性
誘電体磁器組成物であって、低温焼成化するために添加
していたガラス成分のＳｉＯ₂ が、還元され易い性質を
持っていることから削除したことと、主成分の電気的な
特性（特にＧＨｚ帯でのＱ値）を低下させることなく低
温焼成化を達成させるための成分として、Ｌｉ₂ Ｏ−Ｂ
₂ Ｏ₃ を添加したこと、さらに、Ｌｉ₂ Ｏ−Ｂ₂ Ｏ₃ 系
ガラスの耐湿性に関する問題点を解消するために、Ａ１
₂ Ｏ₃ を加えた３成分系ガラスにしたことを特徴とした
非還元性誘電体磁器組成物と言える。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明では、主成分が（ＣａＯ）
_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ₂ 系の非還元性誘電体磁器組
成物であるため、高周波の諸特性に内部電極、外部電極
材料として欠かせることの出来ないＡｇやＣｕを用いる
ことができる。

【００２４】同時に、マンガン化合物を所定量添加する
ことにより、高周波動作特性が安定する。

【００２５】また、（ＣａＯ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）
Ｏ₂ 系の非還元性誘電体磁器組成物にＬｉ₂ Ｏ−Ｂ₂ Ｏ
₃ −Ａｌ₂ Ｏ₃ のガラス成分を所定量含有することによ
り、高周波領域における高Ｑ値化と、１０００℃以下で
の低温焼成化を同時に実現したものである。

【００２６】即ち、従来の誘電体磁器材料を還元性雰囲
気で焼成すると、低温焼結を目的としたガラス成分のＳ
ｉＯ₂ が還元されてしまい、絶縁抵抗、特には誘電体積
失などの電気特性を劣化させてしまうという問題点に対
して、Ｂ₂ Ｏ₃ −Ｌｉ₂ Ｏ系のガラスにより構成された
成分を主成分に対して必要量添加するとことにより、高
周波領域でのＱ値が従来例に比較して格段に向上する。
尚、Ｌｉ₂ Ｏ−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスの問題点であった耐湿
性について、Ａｌ₂ Ｏ₃ を加えた３成分系のガラス成分
にしたことにより、耐湿性についても解消した誘電体磁
器組成物となる。

【００２７】これによって、１０００℃以下の還元性霧
囲気でも焼成可能な、且つ誘電率が高く、しかも、誘電
率の温度係数が安定し、高周波領域（例えばＧＨｚ帯）
でのＱ値がＱｆで８０００以上となり、特に高周波領域
でのＱ値が大幅に向上されるものである。

【００２８】本発明の誘電体磁器組成物は、例えば（Ｃ
ａＯ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ₂で示される主成分に
対して、硼素含有化合物とアルカリ金属含有化合物とア
ルミナ含有化合物とＭｎ含有化合物を添加含有するもの
である．上述の硼素黍含有化合物としては金属硼素、Ｂ
₂ Ｏ₃ 、コレマナイト、ＣａＢ₂ Ｏ₃ 等が例示できる。

【００２９】また、アルカリ金属としては、Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｋが例示でき、この中でもＬｉが特に望ましい。

【００３０】アルカリ金属含有化合物としては、上記ア
ルミナ金属の炭酸塩、酸化物等が例示できる。

【００３１】また、アルミナ含有化合物としては、金属
アルミニウム、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、しゅう酸アルミニウム等が
例示できる。

【００３２】さらに、Ｍｎ含有化合物としては炭酸マン
ガンであっても、酸化マンガンでも良い。

【００３３】

【実施例】以下、本発明の非還元性誘電体磁器組成物の
実施例を詳説する。

【００３４】まず、（ＣａＯ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）
Ｏ₂ にマンガン化合物が添加された主成分を作成するた
め、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃ ）、二酸化チタン（Ｔ
ｉＯ₂ ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂ ）を秤量し、さ
らに、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ₃ ）を秤量し、各粉末を
混合して、主成分原料を作成する。

【００３５】尚、各々の粉末は、主成分原料を、（Ｃａ
Ｏ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ₂ 及びこの（ＣａＯ）_X
（Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ₂ １００重量部に対して、Ｚ重
量部の炭酸マンガン（ＭｎＣＯ₃ ）を添加した時、各々
ｘ、ｙ、ｚが、表１中の値になるように秤量する。

【００３６】また、ガラス成分の原料としてアルミナ
（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）、硼酸（Ｂ₂ Ｏ₃ ）、炭酸リチウム（Ｌ
ｉ₂ ＣＯ₃ ）粉末を用意し、夫々所定範囲になるように
調合して、水と共にポールミルに入れ、混式で十分に攪
拌混合して混合物を得る。そして、この混合物を乾燥し
た後、白金坩堝に入れて１０００℃に加熱し、溶融した
混合物を水中に摘下して急冷しガラスを得た。その後、
このガラス成分を粉砕して平均粒径１μｍ程度の微粉末
とする。

【００３７】尚、各粉末は、ガラス成分をａＡｌ₂ Ｏ₃
−ｂＢ₂ Ｏ₃ −ｃＬｉ₂ ＣＯ₃ として表した時、各々
ａ、ｂ、ｃが表１中の値になるように秤量する。

【００３８】上述の主成原料（炭酸マンガンを添加した
（ＣａＯ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ₂ 系材料）と上述
のガラス微粉末（ａＡｌ₂ Ｏ₃ −ｂＢ₂ Ｏ₃ −ｃＬｉ₂
ＣＯ₃ ）を、表１に示す添加量となるように添加し、湿
式混合にて約２０時間攪拌混合し、乾燥後、混合物を得
た。

【００３９】この混合粉末に有機バインダー（ＰＶＡ）
を５ｗｔ％加えて、十分に混合し、乾燥後４０メッシュ
の網目を通過する程度に造粒した。

【００４０】この造粒粉を１ｔｏｎ／ｃｍ² の圧力で直
径１２ｍｍ、厚み２ｍｍの円盤状のプレス単板に成るよ
うに加圧成形した。

【００４１】このようにして得られた成形体を５０℃／
時間の割合で昇温し、４００℃で５時間保持してバイン
ダーを焼失させた。その後、還元性（窒素一水素（０．
１〜５容量％）雰囲気中で、３００℃／時間の割合で昇
温して、１０００℃で２時間保持した。その後、自然冷
却して、３００℃以下になると投入ガスを止め、磁器素
体を取り出した。この様にして得られた単板状の磁器素
体両面に、インジウムとガリウムより成る金属を塗布
し、電極とし、コンデンサユニット（試料）を作成し
た。

【００４２】このようにして得られた試料の電気的特性
を自動ブリッジ法による測定器にて１ＭＨｚ、１Ｖｒｍ
ｓ、２５℃の条件下で、第４の評価項目であるＱ値を測
定した。また容量値から第１の評価項目である誘電率を
算出した。

【００４３】また、第３の評価項目である比抵抗（絶縁
抵抗）については、２５℃の条件下で、２５０ＶＤＣ印
加後の１分値にて評価を行った。

【００４４】第５の評価項目であるＱｆ値は、２枚の平
行金属板間に誘電体円柱を挟んで構成されるＴＥモード
共振器による方法で２５℃の条件下での共振周波数
（７．５ＧＨｚ近傍）と、上述のＱ値より算出した。

【００４５】第２の評価項目である誘電率の温度特性
は、次式より求めた。

【００４６】即ち、誘電率の温度特性＝（（Ｃ₈₅−
Ｃ₂₅）×１０⁶ ）／Ｃ₂₅×（Ｃ₈₅−Ｃ₂₅）尚、単位は、
ｐｐｍ／℃であり、Ｃ₈₅は８５℃における誘電率であ
り、Ｃ₂₅は２５℃における誘電率である。

【００４７】第６の評価項目である耐湿信頼性は、８５
℃／８５％ＲＨにて９６時間放置経過後のＱｆの変化率
を求めた。そして変化率の判定基準としては、±３％以
内ならば二重丸とし、±３〜５％ならば丸、±５％以上
のものをバツとした。尚±５％以内のものを判定ＯＫと
した理由は測定誤差を考慮したものある。

【００４８】尚、ｘの値、ガラス成分の添加量、ガラス
成分のｂ及びｃの値次第では、上述の１０００℃で焼結
しない試料については、電気特性等を測定するには到ら
ない。

【００４９】上述の主成分及びガラス成分の組成比率、
ガラス成分の添加量、電気的な特性及び耐湿試験の判定
を表１に記載する。尚、表中試料番号に＊印を付した試
料は本発明の範囲外である。

【００５０】

【表１】

【００５１】（ＣａＯ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ₂ で
表される主成分と、該主成分１００重量部に対してマン
ガン化合物をＭｎＣＯ₃ 換算でｚ重量部と、ａＬｉ₂ Ｏ
−ｂＢ₂ Ｏ₃ −ｃＡｌ₂ Ｏ₃ より構成されるガラス成分
を０．５〜５重量部を含む非還元性誘電体磁器組成物に
おいて、試料番号１〜６は、ｙ＝０．０３、ｚ＝３重量
部、モル組成が３５Ｌｉ₂ Ｏ−５５Ｂ₂ Ｏ₃ −１０Ａｌ
₂ Ｏ₃ のガラス成分を１重量部にして、ｘ＝０．９４〜
１．０６とした。

【００５２】その結果、試料番号１（ｘが０．９５未
満）では、特にＱｆが２３００となり、高周波用非還元
性誘電体磁器組成物として満足できないものとなってし
まう。

【００５３】また、試料番号６（ｘが１．０５を越え
る）では、１０００℃で焼結されないものとなってしま
う。

【００５４】試料番号７〜１１は、ｘ＝０．９８、ｚ＝
３重量部、モル組成が３５Ｌｉ₂ Ｏ−５５Ｂ₂ Ｏ₃ −１
０Ａｌ₂ Ｏ₃ のガラス成分を１重量部にして、ｙ＝０．
００〜０．１１とした。

【００５５】その結果、試料番号７（ｙが０．００）で
は、誘電率の温度係数の絶対値が３０ｐｐｍを越えてし
まう。また、試料番号１１（ｙが０．１０を越える）で
も誘電率の温度係数の絶対値が３０ｐｐｍを越えてしま
う。従って、温度係数の安定化の上で、ｙは０以上０．
１０以下が良好な範囲となる。

【００５６】試料番号１２〜１５は、ｘ＝１．００、ｙ
＝０．０３とした主成分に対して、ＭｎＣＯ₃ を０〜６
重量部添加とした。尚、ガラス成分はモル組成が３５Ｌ
ｉ₂ Ｏ−５５Ｂ₂ Ｏ₃ −１０Ａｌ₂ Ｏ₃ のガラス成分を
１重量部にした。

【００５７】その結果、試料番号１２（ＭｎＣＯ₃ を添
加しない）、試料番号１５（ｘが１．０５を越える）で
は、高周波におけるＱｆが３０００以下と非常に低い値
となり、高周波用非還元性誘電体磁器組成物として満足
できないものとなってしまう。従って、Ｑｆ値から、マ
ンガン化合物は、ＭｎＣＯ₃ 換算で１．０〜５．０重量
部が良好な範囲となる。

【００５８】試料番号１６〜２１は、ｘ＝１．００、ｙ
＝０．０３とした主成分に対して、ＭｎＣＯ₃ を３重量
部添加し、モル比３５Ｌｉ ₂ Ｏ−５５Ｂ₂ Ｏ₃ −１０
Ａｌ₂ Ｏ₃ で表されるガラス成分を添加量を０．４〜６
重量部夫々添加した。

【００５９】その結果、試料番号１６（主成分に対して
ガラス成分を０．４重量部添加した）では、１０００℃
で焼結されないものとなってしまう。また、試料番号２
１（主成分に対してガラス成分を６重量部添加した）で
は、高周波数におけるにＱｆが３０００以下と非常に低
い値となり、高周波用非還元性誘電体磁器組成物として
満足できないものとなってしまう。従って、焼結性及び
Ｑｆ値から、特定モル比率のガラス成分は、主成分に対
して０．５〜５重量部が良好な範囲となる。

【００６０】試料番号２２〜２９は、ｘ＝１．００、ｙ
＝０．０３とした主成分に対して、ＭｎＣＯ₃ を３重量
部添加し、ａＬｉ ₂ Ｏ−ｂＢ₂ Ｏ₃ −ｃＡｌ₂ Ｏ₃ で
表されるガラス成分の添加量を主成分に対して２重量部
添加し、そのモル比ａ、ｂ、ｃの値を種々変えた。

【００６１】また、試料番号３０〜３２は、ガラス成分
を主成分に対して１重量部添加し、そのモル比ａ、ｂ、
ｃの値を種々変えた。

【００６２】試料番号２２、２３のように、Ｌｉ ₂ Ｏ
のモル比ａが１４ｍｏｌ％以下となると、１０００℃で
焼結されにくく、特にＱｆ値の劣化を引き起こす。

【００６３】また、試料番号２９、３１、３５のよう
に、Ｂ₂ Ｏ₃ のモル比ｂが２４ｍｏｌ％以下となって
も、１０００℃で焼結されにくく、特にＱｆ値の劣化を
引き起こす。

【００６４】さらに、試料番号２８、３４、３７のよう
に、Ａｌ₂ Ｏ₃ を含まないガラス成分では、耐湿試験の
結果、Ｑｆ値の変化率が±５％以上となり、Ｑｆ値が安
定した非還元性誘電体磁器組成物となならない。

【００６５】尚、試料番号２７、３３、３８（Ａｌ₂ Ｏ
₃ のモル比ｃが１ｍｏｌ％）では、一応、耐湿気試験の
結果では、Ｑｆ値の変化率が±３〜５％であり、良品の
範囲であるが、特性的には不安定のものとなってしま
う。

【００６６】また、試料番号３５〜３８のように、Ｌｉ
₂ Ｏのモル比ａが５５ｍｏｌ％を越えてしまうと、Ｑ
ｆ値が劣化し、高周波用非還元性誘電体磁器組成物とし
て満足しなくなる。

【００６７】試料番号２３、２６のように、Ｂ₂ Ｏ₃ の
モル比ｂが６５ｍｏｌ％を越えてしまうと、比抵抗の低
下及びＱｆ値の劣化を引き起こしてしまう。

【００６８】試料番号２２、２４、３０、３１のよう
に、Ａｌ₂ Ｏ₃ のモル比ｃが２０ｍｏｌを越えてしまう
と、１０００℃で焼結されないものとなってしまう。

【００６９】以上のように、１０００℃という低温焼成
可能な非還元性誘電体磁器組成物であって、誘電体率が
２５以上で、温度係数の絶対値が３０ｐｐｍ以内で、Ｑ
ｆ値が８０００以上で、且つ耐湿試験後の変化率が良好
とするためには、（ＣａＯ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ
₂ で表される複合酸化物と、該複合酸化物１００重量部
に対して、マンガン化合物をＭｎＣＯ₃ 換算で１．０〜
５．０重量部と、ａＬｉ₂ Ｏ−ｂＢ₂ Ｏ₃ −ｃＡｌ₂ Ｏ
₃ で表されるガラス成分を０．５〜５重量部を含み、 ０．９５≦ｘ≦１．０５ ０．０１≦ｙ≦０．１０ １５≦ａ≦５５ ２５≦ｂ≦６５ ０＜ｃ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ の範囲にあることが重要となる。

【００７０】尚、高周波特性のＱｆ値が１２０００以上
で、非常に安定した非還元性誘電体磁器組成物が要求さ
れる場合には、マンガン化合物をＭｎＣＯ₃ 換算での添
加量をＺ重量部とすれば、 ０．９８≦ｘ≦１．００ ０．０２≦ｙ≦０．０４ ２．０≦ｚ≦４．０ ３０≦ａ≦４０ ５０≦ｂ≦６０ ５≦ｃ≦１５ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ として、ガラス成分の添加量を０．８〜１．２重量部と
すればよい。

【００７１】尚、表には記載していないが、ａＬｉ₂ Ｏ
−ｂＢ₂ Ｏ₃ −ｃＡｌ₂ Ｏ₃ のモル比率が、ａ＝３０、
ｂ＝６０、ｃ＝１０やａ＝３０、ｂ＝５５、ｃ＝１５と
した試料にについても、Ｑｆ値が１２０００以上で、非
常に安定した非還元性誘電体磁器組成物となることを確
認した。

【００７２】

【発明の効果】以上のように、（ＣａＯ）（Ｚｐ・Ｔ
ｉ）＋ＭｎＣＯ₃ による主成分とＬｉ₂Ｏ−Ｂ₂ Ｏ₃ −
Ａｌ₂ Ｏ₃ 系ガラスを所定組成比率及びモル比率で、所
定量添加したたため、内部電極に高周波電気特性に優
れ、且つ低融点材料であるＣｕやＡｇを用いることがで
き、誘電率２５以上、誘電率の温度係数が±３０ｐｐｍ
以内、比抵抗が１０¹³以上、Ｑ値が１００００以上で、
しかも、高周波領域（例えばＧＨｚ帯）でのＱ値がＱｆ
で８０００以上の非還元性誘電体磁器組成物となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金内 明宏 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ＣａＯ）_X （Ｚｒ_1-y ・Ｔｉ_y ）Ｏ₂
   で表される複合酸化物と、 該複合酸化物１００重量部に対して、マンガン化合物を
   ＭｎＣＯ₃ 換算で１．０〜５．０重量部と、ａＬｉ₂ Ｏ
   −ｂＢ₂ Ｏ₃ −ｃＡｌ₂ Ｏ₃ で表されるガラス成分を
   ０．５〜５重量部を含み、 ０．９５≦ｘ≦１．０５ ０．０１≦ｙ≦０．１０ １５≦ａ≦５５ ２５≦ｂ≦６５ ０＜ｃ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ の範囲にあることを特徴とする非還元性誘電体磁器組成
   物。