JPH0411962B2 - - Google Patents
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- JPH0411962B2 JPH0411962B2 JP59242030A JP24203084A JPH0411962B2 JP H0411962 B2 JPH0411962 B2 JP H0411962B2 JP 59242030 A JP59242030 A JP 59242030A JP 24203084 A JP24203084 A JP 24203084A JP H0411962 B2 JPH0411962 B2 JP H0411962B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
この発明は、Niを主成分とし、非酸化雰囲気
中で焼成される導電ペーストに関する。 ［従来の技術］ 非酸化雰囲気中で焼成して製造される積層セラ
ミツクコンデンサは、従来において、その内部電
極と外部電極が同ーの導電ペーストを用いて作ら
れていた。そしてこの導電ペースト中の導電粉末
は、Ni粉末のみからなつていた。 この種の積層セラミツクコンデンサの製造方法
を説明する。まずセラミツク材料を用いて未焼結
磁器シートを作り、これに内部電極用の導電ペー
ストを印刷する。このシートを数枚積層して切断
する。次いでこれを非酸化雰囲気中で1100〜1300
℃の温度で焼成する。得られた積層体の側面に外
部電極用の導電ペーストを塗布し、これを非酸化
雰囲気中で1100〜1150℃の温度で焼成することに
より、積層セラミツクコンデンサチツプとなる。 ［発明が解決しようとしている課題］ しかしながら、こうして作られた積層セラミツ
クコンデンサチツプの場合、内部電極がセラミツ
クの焼結工程と同時に行われるそれ自身の焼付工
程と、外部電極の焼付工程との２度に亙つて高温
に晒されるため、この間に内部電極の導電成分が
異常に粒子成長しやすい。この結果、従来の導電
ペーストを使用して生産されたものは、静電容量
Ｃ、誘電体損失tanδ、等価直列抵抗ESR等の平
均値が所定の規格すれすれで、中には所定の規格
範囲に入らないものがあつた。 このような問題点を解消するため、例えば特開
昭59−3909号公報に示されたように、NiにPb、
Zn或はガラス等の成分を添加することにより、
1250〜1400℃という高温での焼付け時にも、金属
粒子の凝集を抑制することができる電極形成用の
導電ペーストが提案されている。しかし、この導
電ペーストでは、焼付け時における、当該導電ペ
ーストそのもの金属粒子の凝集を防止できるが、
例えば既に形成されている別の電極、例えば積層
セラミツクコンデンサーの内部電極が高温での焼
付けに弱いような場合は、その内部電極の劣化を
伴つてしまうという課題が残る。 この発明の目的は、従来のNi導電ペーストに
於ける上記の問題を解決することにある。即ち、
外部電極用の導電ペーストの焼付温度を、従来よ
り100〜350℃程低くすることにより、内部電極中
の導電成分の異常な粒子成長を抑え、もつて積層
セラミツクコンデンサチツプの特性が平均値をよ
り高いレベルとし、その全てが所定の規格範囲を
満足できるようにすることを目的とする。 ［課題を解決するための手段］ この発明のよる導電ペーストは、導電粉末とバ
インダとからなるもので、導電粉末は、Ni粉末
66〜98.5重量％と、Cu、Sn粉末の何れか１種以
上１〜20重量％と、Al粉末の0.5〜20重量％とか
らなるものである。なお、バインダは従来公知
の、例えばエチルセルローズとブチカルビトール
等からなる。 ［作用］ Cu、Sn及びAlはNiに比べて融点の低い金属で
あり、焼き付け温度を下げるという点で何れも同
じ作用を示す。このため、これらの金属成分を含
む導電ペーストは、従来のNiのみの導電粉末か
らなるものに比べて100〜350℃低い温度で焼き付
けることができる。従つてこれを積層セラミツク
コンデンサの外部電極用の導電ペーストとして使
用して、従来より低い温度で焼き付けることによ
つて、高温による内部電極の導電粒子の異常な成
長を防ぐことができる。よつて上記コンデンサの
静電容量Ｃ、誘電体損失 tanδ、等価直列抵抗
ESR等の特性の平均値を従来のものより高いレ
ベルにすることができる。 なお、導電粉末中の組成比の下限を、上記のよ
うに限定したのは、次ぎの理由による。即ち、導
電ペーストの焼付温度を従来に比べて100℃以上
低くすることができるのは、導電粉末中にCuや
Snの粉末を１重量％以上含ませたときであるこ
とによる。 例えば、導電粉末としてNi粉末のみを含む従
来の導電ペーストでは、その焼付温度が1100℃程
度である。これに対し、導電粉末中に7.2重量％
のCu粉末及び1.6重量％のAlを含む導電ペースト
の焼付温度は950℃であり、前記Niのみのものよ
り150℃低い温度で焼き付けることができる。 また、導電粉末中の組成比の上限を、上記のよ
うに限定した理由は、導電ペーストの焼付温度
や、これに伴う積層セラミツクコンデンサの特性
面によるものではなく、他の実用上の理由によ
る。即ち、CuやSnを多く含む電極は、溶融した
半田に接すると、電極を構成する金属が溶融半田
中に溶け出す、いわゆる電極食われ現象を生ずる
からである。電極食われが生じたか否かについて
は、溶融した270±５℃の半田中に、積層セラミ
ツクコンデンサチツプを20±１秒間浸漬した後、
電極面積が浸漬前の90％以上残るか否かで判定し
た。上記Cu、Sn等の粉末が導電粉末中に含まれ
る量が、20重量％まではこの条件で電極の食われ
が生じないものと判定した。 他方、Alを多く含む電極は、溶融した半田を
弾き、半田付けが困難になる。半田付けに支障が
ないか否かについては、溶融した230±５℃の半
田中に積層セラミツクコンデンサチツプを３±
0.5秒間浸漬した後、電極面積の90％以上が半田
で覆われているか否かで判定した。Al粉末が導
電粉末中に含まれる量が20重量％までは、この条
件で半田付けに支障ない電極が形成できたと判定
した。 ［実施例］ 次ぎにこの発明の実施例について、比較例と共
に説明する。 導電粉末として純度99.9％のNi粉末91.2g、Cu
粉末7.2g、Al粉末1.6g及びバインダーとしてエチ
ルセルローズ16gとブチルカルビトール64gを擂
潰機で５時間粗混合した。その後、ロールミルで
１時間混練し、別表のNo.２の欄に示した組成の導
電粉末を含む導電ペーストを作つた。 次いでこの導電ペーストを次ぎの方法で積層セ
ラミツクコンデンサの外部電極として使用した。
まずBaTiO3系のセラミツク材料と内部電極用の
Ni導電ペーストを使用して未焼成の積層チツプ
を作製した。そしてこれを２％のH2ガスを含む
N2ガス雰囲気中において1250℃の温度で焼成し
た。次いで積層チツプの側面に露出した内部電極
に接した同積層チツプの両側面に上記外部電極用
の導電ペーストを約50μmの厚さでほヾ均一に塗
布し、これを乾燥固化させた。さらにこれを２％
のH2ガスを含むN2ガス雰囲気中において950℃
で約１時間保持して焼き付けた。この温度を別表
に示す。 こうして作られた500個の積層セラミツクコン
デンサを１昼夜常温で放置した。その後、市販の
LCRメータ（YHP4274A）で1KHzにおける静
電容量Ｃと誘電体損失tanδを測定し、インピーダ
ンスアナライザ（YHP4191A）を使用した等価
直列抵抗ESRを測定した。この平均値を別表の
No.５の欄に示す。 以下同様にしてそれぞれ別表各欄に示す組成の
導電粉末を含む導電ペーストを作つた。そしてこ
れを外部電極用材料として使用し、何れも同じ構
造と規格の積層セラミツクコンデンサを製作し
た。 この内No.１の試料は、No.２と３に示した本発明
の実施例による試料との比較のため作られた従来
の導電ペーストの導電粉末の組成と、これを使用
して作られた積層セラミツクコンデンサの特性を
500個の平均値で示したものである。
中で焼成される導電ペーストに関する。 ［従来の技術］ 非酸化雰囲気中で焼成して製造される積層セラ
ミツクコンデンサは、従来において、その内部電
極と外部電極が同ーの導電ペーストを用いて作ら
れていた。そしてこの導電ペースト中の導電粉末
は、Ni粉末のみからなつていた。 この種の積層セラミツクコンデンサの製造方法
を説明する。まずセラミツク材料を用いて未焼結
磁器シートを作り、これに内部電極用の導電ペー
ストを印刷する。このシートを数枚積層して切断
する。次いでこれを非酸化雰囲気中で1100〜1300
℃の温度で焼成する。得られた積層体の側面に外
部電極用の導電ペーストを塗布し、これを非酸化
雰囲気中で1100〜1150℃の温度で焼成することに
より、積層セラミツクコンデンサチツプとなる。 ［発明が解決しようとしている課題］ しかしながら、こうして作られた積層セラミツ
クコンデンサチツプの場合、内部電極がセラミツ
クの焼結工程と同時に行われるそれ自身の焼付工
程と、外部電極の焼付工程との２度に亙つて高温
に晒されるため、この間に内部電極の導電成分が
異常に粒子成長しやすい。この結果、従来の導電
ペーストを使用して生産されたものは、静電容量
Ｃ、誘電体損失tanδ、等価直列抵抗ESR等の平
均値が所定の規格すれすれで、中には所定の規格
範囲に入らないものがあつた。 このような問題点を解消するため、例えば特開
昭59−3909号公報に示されたように、NiにPb、
Zn或はガラス等の成分を添加することにより、
1250〜1400℃という高温での焼付け時にも、金属
粒子の凝集を抑制することができる電極形成用の
導電ペーストが提案されている。しかし、この導
電ペーストでは、焼付け時における、当該導電ペ
ーストそのもの金属粒子の凝集を防止できるが、
例えば既に形成されている別の電極、例えば積層
セラミツクコンデンサーの内部電極が高温での焼
付けに弱いような場合は、その内部電極の劣化を
伴つてしまうという課題が残る。 この発明の目的は、従来のNi導電ペーストに
於ける上記の問題を解決することにある。即ち、
外部電極用の導電ペーストの焼付温度を、従来よ
り100〜350℃程低くすることにより、内部電極中
の導電成分の異常な粒子成長を抑え、もつて積層
セラミツクコンデンサチツプの特性が平均値をよ
り高いレベルとし、その全てが所定の規格範囲を
満足できるようにすることを目的とする。 ［課題を解決するための手段］ この発明のよる導電ペーストは、導電粉末とバ
インダとからなるもので、導電粉末は、Ni粉末
66〜98.5重量％と、Cu、Sn粉末の何れか１種以
上１〜20重量％と、Al粉末の0.5〜20重量％とか
らなるものである。なお、バインダは従来公知
の、例えばエチルセルローズとブチカルビトール
等からなる。 ［作用］ Cu、Sn及びAlはNiに比べて融点の低い金属で
あり、焼き付け温度を下げるという点で何れも同
じ作用を示す。このため、これらの金属成分を含
む導電ペーストは、従来のNiのみの導電粉末か
らなるものに比べて100〜350℃低い温度で焼き付
けることができる。従つてこれを積層セラミツク
コンデンサの外部電極用の導電ペーストとして使
用して、従来より低い温度で焼き付けることによ
つて、高温による内部電極の導電粒子の異常な成
長を防ぐことができる。よつて上記コンデンサの
静電容量Ｃ、誘電体損失 tanδ、等価直列抵抗
ESR等の特性の平均値を従来のものより高いレ
ベルにすることができる。 なお、導電粉末中の組成比の下限を、上記のよ
うに限定したのは、次ぎの理由による。即ち、導
電ペーストの焼付温度を従来に比べて100℃以上
低くすることができるのは、導電粉末中にCuや
Snの粉末を１重量％以上含ませたときであるこ
とによる。 例えば、導電粉末としてNi粉末のみを含む従
来の導電ペーストでは、その焼付温度が1100℃程
度である。これに対し、導電粉末中に7.2重量％
のCu粉末及び1.6重量％のAlを含む導電ペースト
の焼付温度は950℃であり、前記Niのみのものよ
り150℃低い温度で焼き付けることができる。 また、導電粉末中の組成比の上限を、上記のよ
うに限定した理由は、導電ペーストの焼付温度
や、これに伴う積層セラミツクコンデンサの特性
面によるものではなく、他の実用上の理由によ
る。即ち、CuやSnを多く含む電極は、溶融した
半田に接すると、電極を構成する金属が溶融半田
中に溶け出す、いわゆる電極食われ現象を生ずる
からである。電極食われが生じたか否かについて
は、溶融した270±５℃の半田中に、積層セラミ
ツクコンデンサチツプを20±１秒間浸漬した後、
電極面積が浸漬前の90％以上残るか否かで判定し
た。上記Cu、Sn等の粉末が導電粉末中に含まれ
る量が、20重量％まではこの条件で電極の食われ
が生じないものと判定した。 他方、Alを多く含む電極は、溶融した半田を
弾き、半田付けが困難になる。半田付けに支障が
ないか否かについては、溶融した230±５℃の半
田中に積層セラミツクコンデンサチツプを３±
0.5秒間浸漬した後、電極面積の90％以上が半田
で覆われているか否かで判定した。Al粉末が導
電粉末中に含まれる量が20重量％までは、この条
件で半田付けに支障ない電極が形成できたと判定
した。 ［実施例］ 次ぎにこの発明の実施例について、比較例と共
に説明する。 導電粉末として純度99.9％のNi粉末91.2g、Cu
粉末7.2g、Al粉末1.6g及びバインダーとしてエチ
ルセルローズ16gとブチルカルビトール64gを擂
潰機で５時間粗混合した。その後、ロールミルで
１時間混練し、別表のNo.２の欄に示した組成の導
電粉末を含む導電ペーストを作つた。 次いでこの導電ペーストを次ぎの方法で積層セ
ラミツクコンデンサの外部電極として使用した。
まずBaTiO3系のセラミツク材料と内部電極用の
Ni導電ペーストを使用して未焼成の積層チツプ
を作製した。そしてこれを２％のH2ガスを含む
N2ガス雰囲気中において1250℃の温度で焼成し
た。次いで積層チツプの側面に露出した内部電極
に接した同積層チツプの両側面に上記外部電極用
の導電ペーストを約50μmの厚さでほヾ均一に塗
布し、これを乾燥固化させた。さらにこれを２％
のH2ガスを含むN2ガス雰囲気中において950℃
で約１時間保持して焼き付けた。この温度を別表
に示す。 こうして作られた500個の積層セラミツクコン
デンサを１昼夜常温で放置した。その後、市販の
LCRメータ（YHP4274A）で1KHzにおける静
電容量Ｃと誘電体損失tanδを測定し、インピーダ
ンスアナライザ（YHP4191A）を使用した等価
直列抵抗ESRを測定した。この平均値を別表の
No.５の欄に示す。 以下同様にしてそれぞれ別表各欄に示す組成の
導電粉末を含む導電ペーストを作つた。そしてこ
れを外部電極用材料として使用し、何れも同じ構
造と規格の積層セラミツクコンデンサを製作し
た。 この内No.１の試料は、No.２と３に示した本発明
の実施例による試料との比較のため作られた従来
の導電ペーストの導電粉末の組成と、これを使用
して作られた積層セラミツクコンデンサの特性を
500個の平均値で示したものである。
【表】
この結果、No.２と３の積層セラミツクコンデン
サは、静電容量Ｃが307nF×80％−20％、誘電体
損失tanδが3.2％以下、等価直列抵抗ESRが50m
Ωという規格を500個の試料全てが満足した。こ
れに対して、No.１の積層セラミツクコンデンサで
上記の規格を満足したものは500個中80個であつ
た。 ［発明の効果］ 以上説明した通り、この発明によれば、導電粉
末がNi粉末のみからなる従来のものに比べて低
い温度で焼き付けが可能な導電ペーストを提供す
ることができる。これによつて内部電極中の導電
成分の異常な粒子成長を抑え、積層セラミツクコ
ンデンサの特性値のレベルを高くし、所定の規格
範囲を全て満足させることができるようになる。
サは、静電容量Ｃが307nF×80％−20％、誘電体
損失tanδが3.2％以下、等価直列抵抗ESRが50m
Ωという規格を500個の試料全てが満足した。こ
れに対して、No.１の積層セラミツクコンデンサで
上記の規格を満足したものは500個中80個であつ
た。 ［発明の効果］ 以上説明した通り、この発明によれば、導電粉
末がNi粉末のみからなる従来のものに比べて低
い温度で焼き付けが可能な導電ペーストを提供す
ることができる。これによつて内部電極中の導電
成分の異常な粒子成長を抑え、積層セラミツクコ
ンデンサの特性値のレベルを高くし、所定の規格
範囲を全て満足させることができるようになる。
Claims (1)
- １ 導電粉末とバインダとからなる導電ペースト
において、導電粉末が、Ni粉末66〜98.5重量％
と、Cu、Sn粉末の何れか１種以上１〜20重量％
と、Al粉末の0.5〜20重量％とからなることを特
徴とする導電ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203084A JPS61121206A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 導電ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24203084A JPS61121206A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 導電ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121206A JPS61121206A (ja) | 1986-06-09 |
| JPH0411962B2 true JPH0411962B2 (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=17083222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24203084A Granted JPS61121206A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 導電ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121206A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6149649B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-06-21 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593909A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | ニチコン株式会社 | セラミツクコンデンサ用電極ペ−スト |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24203084A patent/JPS61121206A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593909A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | ニチコン株式会社 | セラミツクコンデンサ用電極ペ−スト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61121206A (ja) | 1986-06-09 |
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