JPH0348415A

JPH0348415A - ペースト組成物および積層セラミックコンデンサの製造方法

Info

Publication number: JPH0348415A
Application number: JP18406889A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Nakatani; 誠一中谷; Sei Yuhaku; 聖祐伯; Tsutomu Nishimura; 勉西村; Yasuhiko Hakotani; 箱谷　靖彦
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-07-17
Filing date: 1989-07-17
Publication date: 1991-03-01
Anticipated expiration: 2009-06-29
Also published as: JPH0650703B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明はセラミック積層体の製造方法とそれに適用する
ための導体ペースト組成物に関するものである．セラミ
ソク積層体としては、多層セラξック配線基板及び積層
セラミックコンデンサ等が挙げられる．従来の技術多層基板に用いられる導体材料としては、Ａｕ，Ｐｔ，
Ｐｄ等の貴金属とＷ，Ｍｏ，Ｃｕ等の卑金属が使用され
る．この金属材料に有機バインダ、溶剤を加えてペース
ト状にしたものをアルミナなどの絶縁基板上にスクリー
ン印刷し、焼き付けて導体パターンを形成するものであ
る．また、多層基板ではこれらの導体ペーストの他、絶
縁材料としてのセラミックやガラス粉末を有機バインダ
を溶かした溶剤中に分散させたものを用いて多層化する
方法と、前記絶縁粉末、有機バインダ等からなるグリー
ンシ一ト上に、前記導体ペーストでパターン形威したも
のを積層して多層化する方法がある．これらに使用され
る金属導体材料に注目すると、Ａｕ，Ａｇ／Ｐｄ、は空
気中で焼成できる反面、貴金属であるためコストが高い
．一方Ｗ．Ｍｏ，Ｃｕは、卑金属で安価であるが焼成雰
囲気を還元雰囲気か中性の雰囲気で行う必要がある．ま
たＷ，Ｍｏでは、ｌ５００゜Ｃ以上の高温焼或となる．
さらに信頼性の面からＡｕでは、半田食われが問題とな
り、Ａｇ／Ｐｄでは、マイグレーション及び導体抵抗が
高いという問題がある．そのため導体抵抗が低く、マイ
グレーションが少なく、半田付け性も良好なＣｕが近年
注目されつつある．しかし、前記のようにＣｕを用いるためには、窒素のよ
うな中性の雰囲気中で焼成を行う必要がある．そして、
窒素雰囲気中ではペースト中の有機バインダの分解除去
が困難となる．これは、窒素中の酸素濃度が低いためバ
インダの分解が起こらず、カーボンの形で残りメタライ
ズ性能（シート抵抗．半田濡れ性．接着強度）に悪影響
を及ぼす．逆に酸素濃度が高いと、ｗ４ｔ極が酸化され
半田付け性能が悪くなる．そのため焼成は、窒素雰囲気
に若干の酸素をコントロールしながら行うことが要求さ
れる．また積層セラミックコンデンサのようなグリーン
シ一トを用いた積層体においても同Ｇ様な問題が起こる
．すなわち、誘電体などのグリーンシ一ト中に含まれる有
機バインダの除去が困難となり、その除去が完全でない
とバインダは、炭化されたまま残り層間にブリスタを発
生させたり、電極一誘電体間のマッチングを悪くさせる
要因となる．そこで、このバインダ除去とＣｕメタライ
ズを両立させる方法が提案された．それは、Ｔ！ｌ極の
出発原料に酸化銅を用いる方法で、この方法によればあ
らかじめ空気中で脱バインダのための熱処理を行い、そ
の後酸化銅を還元して金属銅にし、さらに窒素中で焼成
を行うものである．この方法は、あらかじめ脱バインダ
を行い、還元さらに焼或するためＣｕ電極の積層体をう
るには最通な方法である．この酸化銅による多層化方法
は、たとえば特願昭５９−１４７８３３号，＃Ｉ化銅ペ
ーストは特願昭６０−２３８４６号，特願昭６２−１２
１９１２号．特願昭６０−１４０８１６号に述べられて
いる．発明が解決しようとする課題しかしながら上記のような構威では、次のような解決す
べき課題が明かとなった．それは、上記のようなセラ娩
ツク積層体において、セラミック材料と酸化銅ペースト
との焼成時のマッチング性がセラミック材料の組戒によ
って異なる点にある．従って、酸化鋼ペーストの＆ｔＩ
戒も積層するセラξック材料によって選択する必要があ
る．しかし、従来の酸化銅ペーストでは、焼成時にクラ
ックや、デラミネーシッンが発生し、また電極メタライ
ズ性（接着強度．シート抵抗など）も問題点を有してい
た．本発明は上記！！！題に鑑み、セラ毒ツク積層体の作製
に対しセラミック材料とマッチング性が良好で、かつメ
タライズ性能に富む酸化銅ペーストとそれを用いたセラ
ミック積層体の製造方法を提供するものである．課題を解決するための手段上記課題を解決するために本発明の酸化銅ペーストの＆
Ｉｌ戒が、ＣｕＯ粉末８０．０　〜９９．０重量％、Ｐ
ｂＯ粉末０．５〜１　０．　０重量％に、ＭｇＯ，Ｎｂ
２Ｏ，，Ｔａ２Ｏ，．ＮＩＯ，Ｔｉｅ２，Ｗ　Ｏ　ｓ　
，　Ｃ　ａ　Ｏ　，　Ｚ　ｎ　Ｏより選ばれた少なくと
も１種以上を０．５〜１０重量％含有した無機成分と、
少なくとも有機バインダと溶剤よりなる有機ビヒクル成
分とからなり、セラミック積層体の製造方法が、空気有
機バインダと溶剤よりなる有機ビヒクル成分とからなり
、空気中での熱処理により有機バインダの還元を行う工
程と、窒素有機バインダと溶剤よりなる誘電体と有機バ
インダの焼結を行う工程とから横威されたものである．
作用本発明は、セラミック積層体をつくる上で上記した横威
のＣｕＯペーストを用いること、及び前記の製造法によ
り、セラミック材料と良好なマンチング性を得ることが
できるものである，ＣｕＯペーストは、ＣｕＯの他にＰ
ｂＯを添加し、さらにＭｇＯ，Ｎｂ，０５，Ｔａ２　０
５，Ｎｉ　Ｏ，Ｔｉ０２，ＷＯ３，ＣａＯ，ＺｎＯより
選沢された添加物を加えることにより構或される．そし
て、本発明のセラミック積層体としては、主にセラ竃ッ
ク多層配線基板や積層セラミックコンデンサ等に適用さ
れる．一般にセラミック多層配線基板に使用される基板材料は
、銅の融点（１０８３”Ｃ）以下で焼結させる必要性か
ら、主にガラスーセラミック複合タイプが使用される．これは、アルごナ等のセラミック粉に硼珪酸鉛ガラスな
どの低軟化点ガラス粉を混合させたもので、ガラスは低
温焼成化、アルξナは強度補強の働きがある．硼珪酸鉛
ガラス粉を使用する理由は、ガラス材料の中でも低軟化
点ガラスであること、また絶縁特性に優れていること、
及び熱膨張係数がＳｉのそれに近いため基板上へのペア
チップ実装に適していることなどからである．また、積層セラミックコンデンサの誘電体材料には、銅
を電極とするための鉛複合ペロブスカイト材料が用いら
れる．これは前記と同様、銅の融点以下で焼結させる必
要性から必然的に決定されたものである．以上のような
セラミック積層体組底物に対して本発明のＣｕＯペース
トは、ＰｂＯと他の添加物を同時に加えることで基板材
料との濡れ性．反応性を高めることができ、Ｃｕと積層
体＆Ｉ底物との一体化に適している．また積層体の製造法の概要は、本発明のＣｕＯペースト
とセラミック材料による生積層体を形或（主にセラミン
ク組成物のグリーンシ一トとＣｕＯペーストによる印刷
と積層される．）シ、空気中での熱処理で脱バインダを
行う．導体の出発原料にＣｕＯを用いる理由はまさにこ
の点にある．すなわち本工程では、積層体中の有機バイ
ンダのみが除去され内部のＣｕＯや他の添加物は何の反
応も、焼結も起こらない．つぎに低温でセラミック材料
を還元せずにＣｕＯのみを還元する（望ましくは、１５
０〜３　０　０　’Ｃの水素雰囲気）。

さらに窒素雰囲気での焼成でセラミック材料と導体材料
の焼結を行う（望ましくは、９００〜９５０℃程度）．導体層のＣｕＯ粉は脱バインダ時において、大きな焼結
反応が起こらない反面、還元時にＣｕ金属となり著しい
体積収縮が起こる．そのためＣｕＯ粉のみの導体組成で
は、Ｃｕの収縮が大きすぎるため電極とセラミック層間
に隙間が生じたり、セラミック層にクラックが生じる原
因となる．しかし本発明のＣｕＯｕ成物では上記のよう
な問題が起こらない．つまり、添加物のＰｂＯは、融点
（８８０゜Ｃ）付近でセラ主ツタ材料と反応し、さらに
他の添加物を同時に添加することで電極層の焼結収縮が
セラミックのそれと大差なくなる．その結果良好なメタ
ライズ性能が得られる．ＰｂＯ単独での添加では、セラ
ミック材料との反応がよいものの電極層の収縮が大きす
ぎるため、デラミネーションが発生し易い．また他の添
加物だけでは、単にフィラーとして働くのみでセラξッ
クとの密着性が得られずクラックの発生の原因となる．また、ＣｕＯ粉の量に対して総添加物量が０．ｌ重量％
以下では、良好なメタライズ性が得られず、逆に２Ｏ重
量％以上では、導体層の収縮が小さすぎるため焼結体と
のマッチング性が悪くなる．望ましくは、ＰｂＯが１〜
３重量％、他の添加物が１〜５重量％が良い．実施例ｌ以下本発明の一実施例の積層セラミンクコンデンサにつ
いて、図面を参照しながら説明する．第１図は本発明の
第一の実施例における積層セラミックコンデンサの概要
図を示すものである．第１図において、ｌは内血電極層
、２はセラミック誘電体材料、３は外部電極である．以上のように構成された積層セラミックコンデンサにつ
いて、以下詳細に説明する．誘電体材料の組成及びグリーンシ一トの＆Ｉｌ戒は第１
表に示す通りである．（以　下　余　白）第１表誘電体組威．グリーンシ一ト組戒まず本発明にかかる誘電体材料は、Ｐ　ｂ　（Ｍｇ＋ｚｓ　Ｎｂｚｙｓ　）　０６をベース
とし他にＰｂＴｉＯｇ，Ｐｂ　（Ｎｉ＋ｚｚ　Ｗ＋ｚｔ
　）０９を加えたものを使用した．平均粒径は、１．５
μｍで、誘電体ぱあらかしめＭｇコロンバイトヲ作ａＪ
し（ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ，を１０００゜Ｃで仮焼する．〉
、後に他の成分を加えて再度仮焼（約８００’Ｃ）、粉
砕して得たものである．この誘電体を無機成分として、
有機バインダにはポリビニールブチラール、可塑剤とし
てＤＢＰ，ｌ剤としてトルエンとエタノールの混合液を
用いてスラリーとした．このスラリーをドクターブレー
ド法で、有機フィルム上に造膜しグリーンシ一トとした
．乾燥後の膜厚は、約３０μｍであった．次に、酸化銅ペーストの作製方法について説明する．酸化銅粉は、平均粒径２．５μｍのものを用い、他に試
薬のＰｂＯ，ＭｇＯ，Ｎｂ２Ｏ，，Ｔａ２　０，Ｎｉｐ
，Ｔｉｅ２，ＷＯａ，Ｃａｂ，ＺｎＯをそれぞれ第２表
に示すような無機組成とした．（以　下　余　白）次に、有機成分のビヒクル組成は、溶剤としてテルビネ
オールを用い、バインダであるエチルセルロースを溶か
したものを用いた．この有機ビヒクルと前記の無機組成
物を三段ロールにて（昆練しペーストとした．次に、積層コンデンサの製造方法について説明する．前記ＣｕＯベース｝（Ｎｃｉ４）を前記の誘電体グリー
ンシ一ト上に、スクリーン印刷して有機バインダパター
ンを形威した．同様にして作製した電極形威済みグリー
ンシ一トを、対向電極として構戒されるように６枚重ね
て積層し、熱プレスで８０’ＣＩ２Ｏｋｇ／ｃ−の圧力
で張り合わせた．そして、焼成後の寸法が１．　６　Ｘ
３．　２■となるように収縮率を考慮して切断した．電
極の有効而禎は．２．　８　８　ｔｍ２（１．　２　Ｘ
２．　４論）であり、誘電体の有効総数は５層、誘電体
層の厚みは焼成後で約２Ｏμｍである．次に、この未焼
結積層体の脱バインダを行う．本実施例に使用した誘電
体グリーンシ一トの有機バインダ及びＣｕＯペースト中
の有機バインダは、それぞれブチラール樹脂、エチルセ
ルロースである．したがって、空気中の熱処理で分解除
去を行うためには、その分解性から３００℃以上の温度
が必要である．尚、脱パインダの温度は、バインダが分
解する温度以上であれば良いが、必要以上の高温で行う
と酸化第二銅の誘電体への拡散が多くなり誘電特性を悪
くする．また脱バインダの温度条件の決定は、あらかじ
め有機バインダの熱分析の結果に基づいて行うべきもの
である．なお脱バインダ温度と誘電特性の結果を第３表
に示す．第３表　脱バインダ温度と誘電特性尚各温度における保持時間は２時間で、昇温，降温スピ
ードは１００（”Ｃ／時間）で行った．評価は、後の還
元．焼成の各工程を経て、かつ外部電極として市販のＣ
ｕペーストを端面に塗布し９００℃−１０分窒素中で焼
き付けた後の結果である．脱バインダの温度としては、３００゜Ｃから８００℃の
範囲が最適であり、３００゜Ｃ以下では、有機バインダ
の未分解でカーボンが残存し、誘電体中の酸化鉛を還元
し誘電性がえられなかったものと考えられる．逆に、８
００゜Ｃ以上では、誘電体が焼結し後の還元工程で、電
極が還元できなくなるためと思われる．次に還元工程では、バッチ式の電気炉において、水素１
００％の雰囲気で１００℃〜４００゜Ｃの範囲で各温度
５時間保持して検討した．その結果を第４表に示す．（以　下　余　白）第４表還元温度と誘電特性このときの脱バインダ温度は７００℃で、焼成は９００
゜Ｃで行ったものである．性能評価の結果、金属銅への
還元は、１５０゜Ｃ以上で充分起こっているのがわかる
．それ以下では、酸化銅のままで存在するので電極とし
て機能せず誘電特性が得られなかったものと考えられる
．逆に、３５０℃以上では、誘電体中の酸化鉛成分が還
元され誘電体が灰色を呈する．誘電体中に金属鉛が存在
すると誘電特性が得られず、焼或の際金属銅とも反応し
て低融点のＣｕ−Ｐｂ合金が析出する．従って還元の温
度は、１５０から３００℃が適している．次に焼成工程
を説明する．焼成は、窒素雰囲気のベルト式電気炉で実施した．内部
残存酸素量は、１〜２ｐｐｍで８　０　０　’Ｃ〜１１
００℃の範囲で実施した．以上のようにして作製された
積層コンデンサの端子部に外部電極用のＣｕペーストを
塗布して前記と同し焼或炉で焼き付けた。

焼成の温度と誘電特性の評価結果を第５表に示す．第５表　焼成温度と誘電特性焼成温度の影響としては、８５０から１０５０℃の範囲
で良好な誘電特性が得られている．標準条件におけるＣ
ｕＯペーストの評価結果を第６表に示す．第６表　導体組戒と誘電特性．マッチング性第６表から
、添加物としてＰｂＯ単独では、デラミネーシッンが発
生し易く、他の添加物と同時に添加したものは、有効な
誘電性やマッチングが得られている．また、その他の添
加物も単独で添加したものは、デラミネーシッンが発生
している．実施例２次に、セラミック基板と前記誘電体との複合化の例を示
す．セラミック基仮材料としては、第７表に示す組成の
ガラス及びアル砒ナ粉より構威されている．第７表に示す＆Ｉｌ１ｆｉ．の基板材料は、焼結温度が
約９００℃である．この材料を実施例ｌのように有機バ
インダと溶剤．可塑剤を加えてグリーンシ一トを作製す
る．基板材料によるグリーンシ一トは、厚みが約２Ｏ０μｍ
で、スルーホールのための穴がパンチングによって開け
られている．つぎにＣｕＯペーストは、同様に実施例ｌのものを用い
た．多層基板の作製は、前記のグリーンシ一ト上に前記Ｃｕ
Ｏペースト（恥４）で導体パターンをスクリーン印刷す
る．同槌にして、実施例１で作製した誘電体グリーンシ
一ト上にＣｕＯペースト（隠４）で電極パターンをスク
リーン印刷し、前記基板用グリーンシ一トと誘電体用グ
リーンシ一トを所望の枚数積層し、加熱圧着した．この
とき、誘電体グリーンシ一トは基仮用グリーンシ一トの
内部に構成されるようにした．次に、積層された未焼結
基板を脱バインダ，還元．焼成の各工程を経て作製する
．各工程の条件は実施例１の標準条件（脱バインダ．還元
，焼成が６００℃，２Ｏ０゜Ｃ．９００゜Ｃ）で行った
．このようにして作製された多Ｎ基板の表面に、市販のＣ
ｕペーストを用いて最上層パターンを印刷し、９００゜
Ｃの窒素雰囲気で焼成した．また、この基板の表面にさ
らに、グレーズ抵抗体を印刷し、焼成した．グレーズ抵
抗体の特性を評価するために、比較のためアル藁ナ基板
状に形威したものも同時に作製し評価した。その結果を
第８表に示す．第８表　グレーズ抵抗体特性使用したグレーズ抵抗体は、硼珪酸バリウムガラスに珪
化チタン粉末を混合したものにビヒクルを加えて混練し
たものである。ガラスと珪化物の量によって、シート抵
抗が１０．１００．１Ｋ．１０ＫΩ／口の４種類のもの
を用いた．第８表からもわかるように、アルミナ基板上
と同等の性能が得られており実使用上の問題はない．ま
た、内部に形成した誘電特性も誘電率に換算して約５０
００以上得られ、誘電損も約０．５％以下のものが得ら
れた．本実施例においては、グレーズ抵抗体を基板焼成の後で
行ったが、基板内に形成し同時焼成しても同様な結果が
得られた．このことは、基板材料中に、誘電体及び抵抗
体を形戒できることを意味し、今後の高密度な配線基板
をうる上で有効な手段である．発明の効果以上のように本発明は、ＣｕＯ粉末８０．０〜９９．０
重量％、ＰｂＯ粉末０．５〜１０．０重量％に、ＭｇＯ
，Ｎｂ２　０，，Ｔａ２　０，，Ｎｉｐ．ＴＩＯ２，Ｗ
Ｏ３，ＣａＯ，ＺｎＯより選ばれた少なくとも１種以上
を０．５〜１０．０重量％含有したペースト＆ｌＮ威物
を用いることにより、セラ逅ツク積層体の作製の際、セ
ラミック材料とマッチング性に冨む、良好な積層体が得
られる．また、積層体の製造方法が、空気中での熱処理
による脱バインダ工程と、水素中での熱処理による還元
工程と、窒素中での焼成工程とから構威されるもので、
これにより雰囲気コントロールが容易で、信頼性に冨む
Ｃｕメタライズが可能となった．

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一の実施例における積層セラミンク
コンデンサの概略図である．ｌ・・・・・・内部ｔｐｉ層、２・・・・・・誘電体材
料、３・・・・・・外部電極層．

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ＣｕＯ粉末８０．０〜９９．０重量％、ＰｂＯ粉
末０．５〜１０．０重量％に、ＭｇＯ，Ｎｂ＿２Ｏ＿５
，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＮｉＯ，ＴｉＯ＿２，ＷＯ＿３，Ｃ
ａＯ，ＺｎＯより選ばれた少なくとも１種以上を０．５
〜１０重量％含有した無機成分と、少なくとも有機バイ
ンダと溶剤よりなる有機ビヒクル成分を備えたことを特
徴とするペースト組成物。
（２）鉛複合ペロブスカイト化合物を誘電体とする積層
セラミックコンデンサの製造方法であって、内部電極ペ
ースト組成物が、ＣｕＯ粉末８０．０〜９９．０重量％
、ＰｂＯ粉末０．５〜１０．０重量％に、ＭｇＯ，Ｎｂ
＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＮｉＯ，ＴｉＯ＿２，Ｗ
Ｏ＿３，ＣａＯ，ＺｎＯより選ばれた少なくとも１種以
上を０．５〜１０重量％含有した無機成分と、少なくと
も有機バインダと溶剤よりなる有機ビヒクル成分とから
なり、空気中での熱処理により有機バインダの除去を行
う工程と、水素中での熱処理により内部電極の還元を行
う工程と、窒素中での熱処理により誘電体と内部電極の
焼結を行う工程とからなることを特徴とする積層セラミ
ックコンデンサの製造方法。
（３）有機バインダの除去を３００〜８００℃の温度範
囲で行うことを特徴とする請求項（２）記載の積層セラ
ミックコンデンサの製造方法。
（４）還元熱処理を１５０〜３００℃の温度範囲で行う
ことを特徴とする請求項（２）記載の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法。
（５）焼成温度が８５０〜１０５０℃の温度範囲である
ことを特徴すると請求項（２）記載の積層セラミツクコ
ンデンサの製造方法。
（６）誘電体組成物が、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿
２＿／＿３）Ｏ＿３，ＰｂＴｉＯ＿３，Ｐｂ（Ｎｉ＿１
＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、の混合物を主成分と
することを特徴とする請求項（２）記載の積層セラミッ
クコンデンサの製造方法。
（７）ガラス−セラミック混合物を絶縁材料とするセラ
ミック多層配線基板の製造法であつて、導体配線ペース
ト組成物が、ＣｕＯ粉末８０．０〜９９．０重量％、Ｐ
ｂＯ粉末０．５〜１０．０重量％に、ＭｇＯ，Ｎｂ＿２
Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＮｉＯ，ＴｉＯ＿２，ＷＯ＿
３，ＣａＯ，ＺｎＯより選ばれた少なくとも１種以上を
０．５〜１０重量％含有した無機成分と、少なくとも有
機バインダと溶剤よりなる有機ビヒクル成分とからなり
、空気中での熱処理により有機バインダの除去を行う工
程と、水素中での熱処理により内部電極の還元を行う工
程と、窒素中での熱処理により誘電体と内部電極の焼結
を行う工程とからなることを特徴とする多層セラミック
配線基板の製造方法。
（８）有機バインダの除去を３００〜８００℃の温度範
囲で行うことを特徴とする請求項（７）記載の多層セラ
ミック配線基板の製造方法。
（９）還元熱処理を１５０〜３００℃の温度範囲で行う
ことを特徴とする請求項（７）記載の多層セラミック配
線基板の製造方法。
（１０）焼成温度が８５０〜９５０℃の温度範囲である
ことを特徴すると請求項（７）記載の多層セラミック配
線基板の製造方法。
（１１）ガラス−セラミック混合物を絶縁材料とするセ
ラミック多層配線基板の内部に、鉛複合ペロブスカイト
化合物を誘電体とするコンデンサおよび／もしくは、抵
抗体を形成する方法であって、導体配線ペースト組成物
がＣｕＯ粉末８０．０〜９９．０重量％、ＰｂＯ粉末０
．５〜１０．０重量％に、ＭｇＯ，Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔ
ａ＿２Ｏ＿５，ＮｉＯ，ＴｉＯ＿２，ＷＯ＿３，ＣａＯ
，ＺｎＯより選ばれた少なくとも１種以上を０．５〜１
０重量％含有した無機成分と、少なくとも有機バインダ
と溶剤よりなる有機ビヒクル成分とからなり、空気中で
の熱処理により有機バインダの除去を行う工程と、水素
中での熱処理により内部電極の還元を行う工程と、窒素
中での熱処理により誘電体と内部電極の焼結を行う工程
とからなることを特徴とする多層セラミック配線基板の
製造方法。
（１２）有機バインダの除去を３００〜８００℃の温度
範囲で行うことを特徴とする請求項（１１）記載の多層
セラミック配線基板の製造方法。
（１３）還元熱処理を１５０〜３００℃の温度範囲で行
うことを特徴とする請求項（１１）記載の多層セラミッ
ク配線基板の製造方法。
（１４）焼成温度が８５０〜９５０℃の温度範囲である
ことを特徴すると請求項（１１）記載の多層セラミック
配線基板の製造方法。
（１５）抵抗体材料が珪化物とガラス混合物を主成分と
するペーストより成ることを特徴すると請求項（１１）
記載の多層セラミック配線基板の製造方法。
（１６）誘電体組成物が、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ
＿２＿／＿３）Ｏ＿３，ＰｂＴｉＯ＿３，Ｐｂ（Ｎｉ＿
１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、の混合物を主成分
とすることを特徴とする請求項（１１）記載の多層セラ
ミック配線基板の製造方法。