JP3088502B2 - 鉛を含有する積層セラミック部品の端子電極材料 - Google Patents
鉛を含有する積層セラミック部品の端子電極材料Info
- Publication number
- JP3088502B2 JP3088502B2 JP03210299A JP21029991A JP3088502B2 JP 3088502 B2 JP3088502 B2 JP 3088502B2 JP 03210299 A JP03210299 A JP 03210299A JP 21029991 A JP21029991 A JP 21029991A JP 3088502 B2 JP3088502 B2 JP 3088502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal electrode
- lead
- multilayer ceramic
- glass
- electrode materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、鉛を含有する積層セラ
ミックコンデンサを始めとする積層部品の端子電極材料
に関するものである。
ミックコンデンサを始めとする積層部品の端子電極材料
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層セラミックコンデンサ、積層
アクチュエータ等の積層セラミック部品の端子電極材料
として、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等の焼付け型の
電極材料が使用されており、この電極材料に混在するガ
ラスフリットとしてＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系、ＰｂＯ−Ｂ2
Ｏ3 系の低融点ガラスが一般に使用されて来た。
アクチュエータ等の積層セラミック部品の端子電極材料
として、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等の焼付け型の
電極材料が使用されており、この電極材料に混在するガ
ラスフリットとしてＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 系、ＰｂＯ−Ｂ2
Ｏ3 系の低融点ガラスが一般に使用されて来た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来の積層セラミック部品の端子電極材料としてＡｇ、Ａ
ｇ−Ｐｄ、ＰｄあるいはＣｕ等の金属粉末及びＺｎＯ−
Ｂ2 Ｏ3 系、またはＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 系の低融点ガラス
で構成されるものでは、鉛を含有する積層セラミック部
品に使用する場合、端子電極焼付け時にガラス中のＢ2
Ｏ3 とセラミック素体中の鉛が反応し、端子電極下部の
素体にマイクロクラックが発生する等の素体ダメージが
みられ、電極強度が劣るという問題がある。またこの素
体ダメージを解消しようとすると、端子電極焼付け温度
幅を非常に狭いものとして焼付けなければならないとい
う問題もある。
来の積層セラミック部品の端子電極材料としてＡｇ、Ａ
ｇ−Ｐｄ、ＰｄあるいはＣｕ等の金属粉末及びＺｎＯ−
Ｂ2 Ｏ3 系、またはＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 系の低融点ガラス
で構成されるものでは、鉛を含有する積層セラミック部
品に使用する場合、端子電極焼付け時にガラス中のＢ2
Ｏ3 とセラミック素体中の鉛が反応し、端子電極下部の
素体にマイクロクラックが発生する等の素体ダメージが
みられ、電極強度が劣るという問題がある。またこの素
体ダメージを解消しようとすると、端子電極焼付け温度
幅を非常に狭いものとして焼付けなければならないとい
う問題もある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の問題を改善するた
め、本発明では、鉛を含有する積層セラミック部品の端
子電極材料を、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕの一種類もしくは二種
類以上の金属粉末又はこれらの金属合金粉末と、ＰｂＯ
−Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＳｉＯ 2 系ガラスで構成することにより
積層セラミック素地中の鉛との反応を抑制したものであ
る。
め、本発明では、鉛を含有する積層セラミック部品の端
子電極材料を、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕの一種類もしくは二種
類以上の金属粉末又はこれらの金属合金粉末と、ＰｂＯ
−Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＳｉＯ 2 系ガラスで構成することにより
積層セラミック素地中の鉛との反応を抑制したものであ
る。
【０００５】
【作用】鉛を含有する積層セラミック部品の端子電極
は、通常、セラミック素地に、ガラスとＡｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ粉末からなる端子電極ペーストを塗布、乾燥
後、大気中あるいは端子電極材が酸化しない条件で焼付
けされる。
は、通常、セラミック素地に、ガラスとＡｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ粉末からなる端子電極ペーストを塗布、乾燥
後、大気中あるいは端子電極材が酸化しない条件で焼付
けされる。
【０００６】本発明では、端子電極材料がＰｂＯ−Ａｌ
2 Ｏ 3 −ＳｉＯ 2 系ガラスと、金属粉末で構成されてい
る。従って素体中の鉛との反応のない端子電極材料を使
用することにより、電極強度の大きい、健全な積層体セ
ラミック部品を得ることができる。
2 Ｏ 3 −ＳｉＯ 2 系ガラスと、金属粉末で構成されてい
る。従って素体中の鉛との反応のない端子電極材料を使
用することにより、電極強度の大きい、健全な積層体セ
ラミック部品を得ることができる。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を説明する。鉛を含む積層
セラミック部品としては、例えばＰｂ（Ｍｇ1/3)Ｏ3 −
ＰｂＴｉＯ3 系のものを使用した、コンデンサを用いて
実験を行った。
セラミック部品としては、例えばＰｂ（Ｍｇ1/3)Ｏ3 −
ＰｂＴｉＯ3 系のものを使用した、コンデンサを用いて
実験を行った。
【０００８】端子電極材料として、0.５〜５.0μｍのＡ
ｇ粉と、１〜２０μｍのガラス粉末を有機ビヒクルに充
分分散し、ペーストを調整した。おな実験に使用した各
種ガラス粉末の組成を表１に示した。
ｇ粉と、１〜２０μｍのガラス粉末を有機ビヒクルに充
分分散し、ペーストを調整した。おな実験に使用した各
種ガラス粉末の組成を表１に示した。
【０００９】
【表１】
【００１０】積層セラミック素地としては、酸化鉛を6
7.88 wt％含有する組成物を、１０００℃，４ｈ大気中
焼成を行ったものを使用し、これに端子電極を７００
℃、大気中で焼付けたときの素地ダメージの程度及び電
極強度を表２に示した。
7.88 wt％含有する組成物を、１０００℃，４ｈ大気中
焼成を行ったものを使用し、これに端子電極を７００
℃、大気中で焼付けたときの素地ダメージの程度及び電
極強度を表２に示した。
【００１１】
【表２】
【００１２】なお素地ダメージ程度を×、△、○で大別
したが、×印は端子電極下より２０μｍ以上にわたりマ
イクロクラックが発生していることを示し、△印は同じ
く５〜２０μｍの範囲にわたりマイクロクラックが発生
していることを示し、○印は同じく５μｍ以下の範囲で
マイクロクラックの発生していることを示す。
したが、×印は端子電極下より２０μｍ以上にわたりマ
イクロクラックが発生していることを示し、△印は同じ
く５〜２０μｍの範囲にわたりマイクロクラックが発生
していることを示し、○印は同じく５μｍ以下の範囲で
マイクロクラックの発生していることを示す。
【００１３】これにより試料Ｎo.４のみが素地ダメージ
がなく、かつ電極強度が大きくなっていることがわか
る。また試料Ｎo.９については試料Ｎo.１〜３，５〜８
と比較して素地ダメージが小さく、ややすぐれている結
果が得られた。
がなく、かつ電極強度が大きくなっていることがわか
る。また試料Ｎo.９については試料Ｎo.１〜３，５〜８
と比較して素地ダメージが小さく、ややすぐれている結
果が得られた。
【００１４】なお、試料Ｎo.４とＮo.９のガラス種にお
いて、ガラス含有量および焼付け温度条件を変化させて
素地ダメージ及び電極強度を評価した。このときのガラ
ス含有量は表３に示し、評価結果は表４に示す。表４に
おいて、６００，７００，８００はそれぞれ焼付け温度
である。ここでガラス量のないものにおいては、フリッ
トを含まないＡｇペーストを塗布、焼付けして評価し
た。
いて、ガラス含有量および焼付け温度条件を変化させて
素地ダメージ及び電極強度を評価した。このときのガラ
ス含有量は表３に示し、評価結果は表４に示す。表４に
おいて、６００，７００，８００はそれぞれ焼付け温度
である。ここでガラス量のないものにおいては、フリッ
トを含まないＡｇペーストを塗布、焼付けして評価し
た。
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】これにより、試料Ｎo.４，１０〜１５につ
いて、ガラス量１〜１０重量部において、焼成温度６０
０〜７００℃の幅で素地ダメージが無いことがわかる。
ガラスが１重量部含有される試料Ｎo.１１では、焼付け
が７００〜８００℃で電極強度が大きくなっている。試
料Ｎo.１０に示す如く、ガラス量０の場合は、ダメージ
が無いが、電極強度がゼロで全く密着性がない。また試
料Ｎo.１５に示す如く、ガラス量１２重量部の場合は、
焼成温度幅が狭くなり、試料Ｎo.４，試料Ｎo.１１〜１
４に比べて電極強度が低い。
いて、ガラス量１〜１０重量部において、焼成温度６０
０〜７００℃の幅で素地ダメージが無いことがわかる。
ガラスが１重量部含有される試料Ｎo.１１では、焼付け
が７００〜８００℃で電極強度が大きくなっている。試
料Ｎo.１０に示す如く、ガラス量０の場合は、ダメージ
が無いが、電極強度がゼロで全く密着性がない。また試
料Ｎo.１５に示す如く、ガラス量１２重量部の場合は、
焼成温度幅が狭くなり、試料Ｎo.４，試料Ｎo.１１〜１
４に比べて電極強度が低い。
【００１８】また試料Ｎo.９，１６〜２０のガラス系に
おいては、素地ダメージの小さな焼付温度域もあるが、
大半が電極強度がＰｂＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系のも
のより電極強度が小さくなっており、また焼付温度幅が
狭くなっている。
おいては、素地ダメージの小さな焼付温度域もあるが、
大半が電極強度がＰｂＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系のも
のより電極強度が小さくなっており、また焼付温度幅が
狭くなっている。
【００１９】なお、ＰｂＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系の
ガラスにおいては、表４において試料Ｎo.１５とＮo.
４，１１〜１４と比較すれば明らかなように、ガラス含
有量１〜１０重量部の範囲が適切である。
ガラスにおいては、表４において試料Ｎo.１５とＮo.
４，１１〜１４と比較すれば明らかなように、ガラス含
有量１〜１０重量部の範囲が適切である。
【００２０】また試料Ｎo.１５では、焼付温度が７００
℃、８００℃のとき、ガスによる局所的ふくれがみられ
た。
℃、８００℃のとき、ガスによる局所的ふくれがみられ
た。
【００２１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明は鉛を含
有する積層型セラミック部品の端子電極材料として、Ｐ
ｂＯ−Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＳｉＯ 2 系ガラスを使用することに
より、従来使用されている端子電極材料に比較して、鉛
を含有する積層セラミックに対する素地ダメージの少な
い、電極強度の大きい積層セラミック部品を容易に製造
できる効果がある。
有する積層型セラミック部品の端子電極材料として、Ｐ
ｂＯ−Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＳｉＯ 2 系ガラスを使用することに
より、従来使用されている端子電極材料に比較して、鉛
を含有する積層セラミックに対する素地ダメージの少な
い、電極強度の大きい積層セラミック部品を容易に製造
できる効果がある。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−219115（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−109314（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−268411（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−86665（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−150009（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/40
Claims (2)
- 【請求項１】 鉛を含有する積層セラミック部品の端子
電極材料として、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕの一種類もしくは二
種類以上の金属粉末またはこれらの金属合金粉末と、Ｐ
ｂＯ−Ａｌ 2 Ｏ 3 −ＳｉＯ 2 系ガラスを含有することを
特徴とする鉛を含有する積層セラミック部品の端子電極
材料。 - 【請求項２】 上記ガラスは、上記金属粉末または合金
粉末１００重量部に対して１〜１０重量部含有すること
を特徴とする請求項１記載の鉛を含有する積層セラミッ
ク部品の端子電極材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03210299A JP3088502B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 鉛を含有する積層セラミック部品の端子電極材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03210299A JP3088502B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 鉛を含有する積層セラミック部品の端子電極材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536563A JPH0536563A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3088502B2 true JP3088502B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=16587104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03210299A Expired - Fee Related JP3088502B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 鉛を含有する積層セラミック部品の端子電極材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3088502B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368362A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Sony Corp | プリント配線板及びその基材、並びに電子回路装置 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP03210299A patent/JP3088502B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536563A (ja) | 1993-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0059852B1 (en) | An electroconductive paste to be baked on ceramic bodies to provide capacitors, varistors or the like | |
| US4416932A (en) | Thick film conductor compositions | |
| US4381945A (en) | Thick film conductor compositions | |
| US4517155A (en) | Copper base metal termination for multilayer ceramic capacitors | |
| US5561587A (en) | Conductive paste and multilayer ceramic capacitor | |
| EP0125730B1 (en) | Copper metallization for dielectric materials | |
| JPS6035405A (ja) | 銅伝導体組成物 | |
| EP0156489A2 (en) | Ceramic glass material, capacitor made therefrom and method of making the same | |
| US4530031A (en) | Dielectric composition | |
| JP3840673B2 (ja) | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品 | |
| JP3152065B2 (ja) | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0851044A (ja) | 磁器コンデンサ | |
| JP3088502B2 (ja) | 鉛を含有する積層セラミック部品の端子電極材料 | |
| JPH0955118A (ja) | 導体ペーストおよびセラミック積層コンデンサ | |
| DE1113407B (de) | Verfahren zur Herstellung eines keramischen, dielektrischen Materials | |
| JPS58178903A (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JPH0896623A (ja) | 導電ペースト | |
| JPH02150010A (ja) | 積層磁器コンデンサ | |
| JPH0897527A (ja) | 導電性ペースト | |
| KR100492864B1 (ko) | 세라믹 콘덴서, 도전성 조성물 및 도전 페이스트 | |
| JP3493665B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| JPS6127003A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
| JP2996016B2 (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
| JPH08273434A (ja) | 導電性アルミニウム合金ペースト組成物 | |
| US3917487A (en) | Cadmium-containing silver conductor compositions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000118 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000627 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080714 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090714 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |