JPS63244729A - 積層形セラミツクコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
積層形セラミツクコンデンサ及びその製造方法Info
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- JPS63244729A JPS63244729A JP7624687A JP7624687A JPS63244729A JP S63244729 A JPS63244729 A JP S63244729A JP 7624687 A JP7624687 A JP 7624687A JP 7624687 A JP7624687 A JP 7624687A JP S63244729 A JPS63244729 A JP S63244729A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ニッケルで内部電極が形成された積層形セラ
ミックコンデンサに関する。
ミックコンデンサに関する。
(従来の技術)
従来、ニッケルで内部電極が形成された積層形セラミッ
クコンデンサは、一般に次のような製造手順で作製され
る。
クコンデンサは、一般に次のような製造手順で作製され
る。
まず、複数枚の長尺な未焼成誘電体セラミックシートの
一重部にニッケル等の導電粒子を含む導電ペーストを印
刷して複数個の内部電極用導電層を形成し、これ等のシ
ートを1つ置きに長手方向にずらして重ねた後圧着し、
ずらしたシートの導電層及びずらさないシートの導電層
がそれぞれ切断面に露出する位置で切断し、多数のコン
デンサ素体を作成する。次いで、該コンデンサ素体の導
電層が露出している両端面とこれに連なる周端縁部にニ
ッケル粉末とエチルセルローズとブチルカルピトールと
から成る導電ペーストを塗布して外部電極用導電層を形
成した後、1150〜1250℃の温度の還元雰囲気中
で内部電極、セラミック及び外部電極を同時に焼成する
。
一重部にニッケル等の導電粒子を含む導電ペーストを印
刷して複数個の内部電極用導電層を形成し、これ等のシ
ートを1つ置きに長手方向にずらして重ねた後圧着し、
ずらしたシートの導電層及びずらさないシートの導電層
がそれぞれ切断面に露出する位置で切断し、多数のコン
デンサ素体を作成する。次いで、該コンデンサ素体の導
電層が露出している両端面とこれに連なる周端縁部にニ
ッケル粉末とエチルセルローズとブチルカルピトールと
から成る導電ペーストを塗布して外部電極用導電層を形
成した後、1150〜1250℃の温度の還元雰囲気中
で内部電極、セラミック及び外部電極を同時に焼成する
。
以上の製造方法によれば、前記コンデンサ素体を焼成し
た後、外部電極用導電層を形成し還元雰囲気、中で再び
焼成して積層形セラミックコンデンサを作製する場合の
ように、セラミックの絶縁抵抗が低下することがない。
た後、外部電極用導電層を形成し還元雰囲気、中で再び
焼成して積層形セラミックコンデンサを作製する場合の
ように、セラミックの絶縁抵抗が低下することがない。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来の方法により作製された積層形セラ
ミックコンデンサは、未焼成のセラミックの焼成に伴う
収縮口と外部電極用導電層の焼成に伴う収縮量とが相違
するため、焼成後にコンデンサ素体の周端縁部に形成さ
れた外部電極の周縁におけるセラミックに歪が生じて残
り、コンデンサをプリント基板等に半田付けした後に該
基板に熱衝撃テストを行なうと熱衝撃により該部分にク
ラックが生じゃすく、そのためセラミックコンデンサの
絶縁抵抗が10Ω以下のものが生じるという問題があっ
た。また、このものは内部電極と外部電極の接続に支障
を来たし、誘電正接が劣化し又はばらつくものが線数の
5〜8%程度生ずるという問題があった。
ミックコンデンサは、未焼成のセラミックの焼成に伴う
収縮口と外部電極用導電層の焼成に伴う収縮量とが相違
するため、焼成後にコンデンサ素体の周端縁部に形成さ
れた外部電極の周縁におけるセラミックに歪が生じて残
り、コンデンサをプリント基板等に半田付けした後に該
基板に熱衝撃テストを行なうと熱衝撃により該部分にク
ラックが生じゃすく、そのためセラミックコンデンサの
絶縁抵抗が10Ω以下のものが生じるという問題があっ
た。また、このものは内部電極と外部電極の接続に支障
を来たし、誘電正接が劣化し又はばらつくものが線数の
5〜8%程度生ずるという問題があった。
本発明は、上述のような問題を解消する積層形セラミッ
クコンデンサ及びその製造方法を提供することをその目
的とするものである。
クコンデンサ及びその製造方法を提供することをその目
的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
上述の目的を達成するために本願の第1発明は、ニッケ
ルから成る複数の内部電極用導電層がセラミック層を介
して積層されて形成されたコンデンサ素体の両端面及び
これに連なる周端縁部に外部電極用導電層が形成された
積層形セラミックコンデンサにおいて、前記外部電極用
導電層は、1〜50重量%の銀と50〜99重R%の亜
鉛を含むことを特徴とし、第2発明は、ニッケルから成
る内部電極用導電層が形成された未焼成セラミックシー
トを複数枚積層し圧着して成る未焼成コンデンサ素体を
焼成した後該素体の両端面及びそれに連なる周端縁部に
外部電極用導電層を形成し、次いで大気中で焼成するこ
とを特徴とする。
ルから成る複数の内部電極用導電層がセラミック層を介
して積層されて形成されたコンデンサ素体の両端面及び
これに連なる周端縁部に外部電極用導電層が形成された
積層形セラミックコンデンサにおいて、前記外部電極用
導電層は、1〜50重量%の銀と50〜99重R%の亜
鉛を含むことを特徴とし、第2発明は、ニッケルから成
る内部電極用導電層が形成された未焼成セラミックシー
トを複数枚積層し圧着して成る未焼成コンデンサ素体を
焼成した後該素体の両端面及びそれに連なる周端縁部に
外部電極用導電層を形成し、次いで大気中で焼成するこ
とを特徴とする。
(作 用)
内部電極のニッケルと外部電極の亜鉛が固溶し、また亜
鉛と銀が固溶してそれぞれニッケルー亜鉛固溶体及び銀
−亜鉛固溶体を形成し、内部電極と外部電極とが固溶体
によって接続されるから、熱衝撃等によって該接続が破
断されない。外部電極の銀及び亜鉛をそれぞれ1〜50
重量%及び50〜99重量%の範囲に限定したのは、銀
の量が1重量%以下(亜鉛が99重量%以上)であると
内部電極と外部電極の接続に支障を来たし、熱衝撃侵の
絶縁抵抗に劣化を来たすものが生じ、銀の口が50重量
%以上(亜鉛の量が50重量%以下)では内部電極のす
べてと外部電極とが接続されなくなって、静電容量が減
少し、誘電正接が大きくなるからである。
鉛と銀が固溶してそれぞれニッケルー亜鉛固溶体及び銀
−亜鉛固溶体を形成し、内部電極と外部電極とが固溶体
によって接続されるから、熱衝撃等によって該接続が破
断されない。外部電極の銀及び亜鉛をそれぞれ1〜50
重量%及び50〜99重量%の範囲に限定したのは、銀
の量が1重量%以下(亜鉛が99重量%以上)であると
内部電極と外部電極の接続に支障を来たし、熱衝撃侵の
絶縁抵抗に劣化を来たすものが生じ、銀の口が50重量
%以上(亜鉛の量が50重量%以下)では内部電極のす
べてと外部電極とが接続されなくなって、静電容量が減
少し、誘電正接が大きくなるからである。
銀は加熱又は冷却すると、酸素を吸収又は放出するから
、銀と亜鉛を共存させて大気中で加熱すると、銀は酸素
を吸収して亜鉛への酸素の供給を防止し、亜鉛の酸化膜
を半導体にする作用を有する。したがってコンデンサ素
体の焼成後に銀及び亜鉛を含む外部電極用導電層を大気
中で焼成することができる。その結果、従来の方法によ
るコンデンサのように外部電極の周縁におけるセラミッ
クに歪が生ずることがなく、本発明の方法によるコンデ
ンサをプリント基板に半田付けした模に該基板に熱衝撃
テストを行なうと熱衝撃によって該歪のある部分にクラ
ックが生じないから、絶縁抵抗が10MΩ以下になるこ
とがない。
、銀と亜鉛を共存させて大気中で加熱すると、銀は酸素
を吸収して亜鉛への酸素の供給を防止し、亜鉛の酸化膜
を半導体にする作用を有する。したがってコンデンサ素
体の焼成後に銀及び亜鉛を含む外部電極用導電層を大気
中で焼成することができる。その結果、従来の方法によ
るコンデンサのように外部電極の周縁におけるセラミッ
クに歪が生ずることがなく、本発明の方法によるコンデ
ンサをプリント基板に半田付けした模に該基板に熱衝撃
テストを行なうと熱衝撃によって該歪のある部分にクラ
ックが生じないから、絶縁抵抗が10MΩ以下になるこ
とがない。
(実施例)
以下本発明の実施例を図面につき説明する。
実施例1
亜鉛粉末(純度99.9%、平均粒径2.5μm)75
9と、銀粉末(純度99.9%、平均粒径1.5双m)
25gと、エチルセルローズ20gと、ブチルカルピト
ール150gと、PbO−8□0.−3iO系ガラス粉
末2gとを痛潰機で24時間混合した後、該混合物を3
本ロールミルにて3時間混練して外部電極ペーストを作
製した。
9と、銀粉末(純度99.9%、平均粒径1.5双m)
25gと、エチルセルローズ20gと、ブチルカルピト
ール150gと、PbO−8□0.−3iO系ガラス粉
末2gとを痛潰機で24時間混合した後、該混合物を3
本ロールミルにて3時間混練して外部電極ペーストを作
製した。
これとは別に、11μmの厚さのセラミック層50層か
ら成り、該セラミック層間にニッケル導体から成る内部
電極が介在する縦3.1all、横1.5m、高さ0.
9Mの外部電極が形成されていないコンデンサ素体を用
意した。該コンデンサ素体は上記した従来のものと同じ
条件及び方法により作製した。
ら成り、該セラミック層間にニッケル導体から成る内部
電極が介在する縦3.1all、横1.5m、高さ0.
9Mの外部電極が形成されていないコンデンサ素体を用
意した。該コンデンサ素体は上記した従来のものと同じ
条件及び方法により作製した。
該コンデンサ素体の両端面及びこれに連なる周端縁部に
上記外部電極ペーストを塗布し、125℃で10分間乾
燥し、引き続き空気中で700℃、10分間焼成して積
層形セラミックコンデンサを得た。
上記外部電極ペーストを塗布し、125℃で10分間乾
燥し、引き続き空気中で700℃、10分間焼成して積
層形セラミックコンデンサを得た。
尚、外部電極上には、ニッケルメッキを施した。
該コンデンサの複数個をガラスエポキシ配線基板上の銅
電極に半田付けした後、市販のLCRメータ(YIIP
4274A)で該コンデンサの静電容量と誘電正接(
tanδ)とを100個について測定した。
電極に半田付けした後、市販のLCRメータ(YIIP
4274A)で該コンデンサの静電容量と誘電正接(
tanδ)とを100個について測定した。
次いで、該コンデンサの絶縁抵抗値(50Vにおける)
を絶縁抵抗測定器(東亜電波5M−9E)で100個に
ついて測定した。測定された絶縁抵抗値はすべて10M
Ω以上であった。その後、コンデンサを搭載した配線基
板を、−55℃の温度に保たれた恒温槽内に放置し、3
0分間経過後、125℃の温度に保たれた恒温槽内に速
やかに移動し、30分間放置することを1サイクルとし
てこれを100サイクル熱衝撃テストを行なった後、再
び上記測定器によって静電容量及び誘電正接と絶縁抵抗
を測定した。そのいずれも全く変動がなかった。その測
定結果を表1に示す。実施例2〜6 実施例2は、亜鉛粉末65g、銀粉末35gとし、実施
例3は、亜鉛粉末85g、銀粉末15gとし、実施例4
は亜鉛粉末50g、銀粉末509とし、実施例5は亜鉛
929、銀8gとし、実施例6は亜鉛粉末99g、銀粉
末1gとし、それ以外はいずれの実施例とも、実施例1
と同じ方法及び条件で行なった。測定結果は表1に示す
。
を絶縁抵抗測定器(東亜電波5M−9E)で100個に
ついて測定した。測定された絶縁抵抗値はすべて10M
Ω以上であった。その後、コンデンサを搭載した配線基
板を、−55℃の温度に保たれた恒温槽内に放置し、3
0分間経過後、125℃の温度に保たれた恒温槽内に速
やかに移動し、30分間放置することを1サイクルとし
てこれを100サイクル熱衝撃テストを行なった後、再
び上記測定器によって静電容量及び誘電正接と絶縁抵抗
を測定した。そのいずれも全く変動がなかった。その測
定結果を表1に示す。実施例2〜6 実施例2は、亜鉛粉末65g、銀粉末35gとし、実施
例3は、亜鉛粉末85g、銀粉末15gとし、実施例4
は亜鉛粉末50g、銀粉末509とし、実施例5は亜鉛
929、銀8gとし、実施例6は亜鉛粉末99g、銀粉
末1gとし、それ以外はいずれの実施例とも、実施例1
と同じ方法及び条件で行なった。測定結果は表1に示す
。
比較例1及び2
比較例1は、亜鉛粉末1005F、銀粉末は零とし、比
較例2は亜鉛40g、銀60gとしたこと以外は実施例
1と同じ方法及び条件で行なつ・た。
較例2は亜鉛40g、銀60gとしたこと以外は実施例
1と同じ方法及び条件で行なつ・た。
測定結果を表1に示す。
尚、絶縁抵抗値が10MΩ以下のものを不良品とした。
比較例3
比較例3は、上記した従来の方法により実施例1のコン
デンサ素体と同じ条件で作製した。
デンサ素体と同じ条件で作製した。
測定結果を表1に示す。
表1
(資料100個)
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、熱衝撃等による
絶縁抵抗の劣化がないと共に静電容量の低下や誘電正接
の増大がない等の効果がある。
絶縁抵抗の劣化がないと共に静電容量の低下や誘電正接
の増大がない等の効果がある。
外2名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ニッケルから成る複数の内部電極用導電層がセラミ
ック層を介して積層されて形成されたコンデンサ素体の
両端面及びこれに連なる周端縁部に外部電極用導電層が
形成された積層形セラミックコンデンサにおいて、前記
外部電極用導電層は、1〜50重量%の銀と50〜99
重量%の亜鉛を含むことを特徴とする積層形セラミック
コンデンサ。 2、ニッケルから成る内部電極用導電層が形成された未
焼成セラミックシートを複数枚積層し圧着して成る未焼
成コンデンサ素体を焼成した後該素体の両端面及びそれ
に連なる周端縁部に外部電極用導電層を形成し、次いで
大気中で焼成することを特徴とする積層形セラミックコ
ンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62076246A JPH0752696B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 積層形セラミツクコンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62076246A JPH0752696B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 積層形セラミツクコンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63244729A true JPS63244729A (ja) | 1988-10-12 |
JPH0752696B2 JPH0752696B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=13599825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62076246A Expired - Lifetime JPH0752696B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 積層形セラミツクコンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0752696B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02150007A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層磁器コンデンサ |
JP2009206430A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Tdk Corp | 積層電子部品およびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60240115A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | 京セラ株式会社 | 積層型磁器コンデンサ |
JPS61158122A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-17 | 太陽誘電株式会社 | 導電ペ−スト |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62076246A patent/JPH0752696B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60240115A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | 京セラ株式会社 | 積層型磁器コンデンサ |
JPS61158122A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-17 | 太陽誘電株式会社 | 導電ペ−スト |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02150007A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層磁器コンデンサ |
JP2009206430A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Tdk Corp | 積層電子部品およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0752696B2 (ja) | 1995-06-05 |
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