JPH0464450B2 - - Google Patents
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- JPH0464450B2 JPH0464450B2 JP61229788A JP22978886A JPH0464450B2 JP H0464450 B2 JPH0464450 B2 JP H0464450B2 JP 61229788 A JP61229788 A JP 61229788A JP 22978886 A JP22978886 A JP 22978886A JP H0464450 B2 JPH0464450 B2 JP H0464450B2
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- capacitor
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、セラミツクと外部電極とを同時に焼
成した積層形セラミツクコンデンサに関する。 （従来の技術） セラミツクと外部電極とを同時に焼成して得ら
れる従来の積層形セラミツクコンデンサは次のよ
うな製造手順に従つて作成される。 まず、複数枚の長尺な未焼成誘電体セラミツク
シートの主面にNi，Cu等の導電粒子を含む導電
ペーストを印刷して複数個の内部電極用導電層を
形成し、これ等のシートを１つ置きに長手方向に
ずらして重ねた後圧着し、ずらしたシートの導電
層が切断面に露出する位置と、ずらさないシート
の導電層が切断面に露出する位置とで切断してコ
ンデンサ素体としてのチツプ片を作成する。次い
で、該チツプ片の導電層が露出している端面とこ
れに連なる周端縁部に、導電ペーストを塗布して
外部電極用導電層を形成した後、900〜1200℃の
温度で還元雰囲気中でセラミツク素体の電極を同
時に焼成する。このようにして得られた積層形セ
ラミツクコンデンサの外部電極は、該端面で内部
電極と電気的に接続し、該端面とこれに連なるコ
ンデサン素体の周端縁部に直に密着している。 （発明が解決しようとする問題点） 上述のような製造手順により作成された第３図
及び第４図に図示の積層形セラミツクコンデンサ
は、プリント基板等に半田付け後の温度衝撃試験
時等において、コンデンサ素体の周端縁部に形成
された外部電極ａの周縁のセラミツクｂにクラツ
チＣが入り絶縁抵抗値が103MΩ以下になるもの
が生ずるという問題があつた。尚、第４図におい
て、ｄは円部電極である。 本発明は、従来のこのような問題を解消するこ
とのできる積層形セラミツクコンデンサを提出す
ることをその目的とするものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明は、上述の目的を達成するために、内部
電極用導電層が形成された未焼成セラミツクシー
トを複数枚積層し圧着して成るコンデンサ素体の
両端面及びそれに連なる周端縁部に外部電極用導
電層を形成した後焼成してなる積層形セラミツク
コンデンサにおいて、該セラミツク素体の周端縁
部と外部電極用導電層との間に上記セラミツクと
同一組成のセラミツクと導電性粒子とから成る中
間層が介在することを特徴とする。 （作用） 未焼成のセラミツクの焼成に伴う収縮と、外部
電極用導電層の焼成に伴う収縮とが相違するた
め、焼成後にコンデンサ素体の周端縁部に形成さ
れた外部電極の周縁におけるセラミツクに歪が残
る。しかしコンデンサ素体の周端縁部と外部電極
との間に、該セラミツクと同一組成のセラミツク
と導電製粒子とから成る中間層を介在させると、
該中間層の収縮量は、セラミツクの収縮量と外部
電極の収縮量との中間であるので、セラミツクに
生ずる歪は小さくなる。かくて本案コンデンサを
プリント基板等に半田付けした後の温度衝撃試験
等において、外部電極の周縁におけるセラミツク
にクラツクが生じない。 （実施例） 本発明の実施例を添付図面に付説明する。 実施例 １ BaTiO3を主成分といる厚さ28μｍの未焼成誘
電体セラミツクシートを複数枚を用意した。 また、純度99.9％のNi粉末100gと、エチルセ
ルローズ15gと、ブチルカルビトール94gとを混
練して作成した内部電極用導電ペーストと、純度
99.9％のNi粉末50gと該セラミツクシートと同一
組成の未焼成センラミツク粉末50gとエチルセル
ローズ20gとブチルカルビトール94gとを混練し
て作成した中間層用ペーストと、純度99.9％のNi
粉末100gとエチルセルローズ20gとブチルカルビ
トール94gとを混練して作成した外部電極用ペー
ストとを用意した。 上述の未焼成セラミツクシートと内部電極用導
電ペーストとを用いて、従来の方法に従つて、未
焼成のコンデンサ素体を作成し、該コンデンサ素
体に内在する内部電極の１端が露出する端面に連
なる周端縁部に中間層用ペーストを帯状に塗布
し、150℃で乾燥した後、該中間層上とコンデン
サ素体の端面とに連続して外部電極用ペーストを
塗布し、乾燥した後、H2を２％含むN2ガス雰囲
気中で1180℃で２時間焼成して積層形セラミツク
コンデンサを作成した。これ等のコンデンサの外
部電極上に市販の無電解ニツケルメツキ浴によつ
てニツケルメツキ膜を形成した。 第１図及び第２図は、本発明の１実施例の積層
形セラミツクコンデンサを示す。 同図において、１は内部にセラミツク層を介し
て積層され交互に対向する端面に露出する内部電
極２を有するコンデンサ素体、３は該端面に連な
るコンデンサ素体１の周端縁部に形成された帯状
の中間層、４は該中間層３及び端面上に連続して
形成された外部電極である。 この積層形セラミツクコンデサは、ガラスエポ
キシ配線基板上に半田付けし、市販のLCRメー
タ（YHP社製）、絶縁抵抗計（東亜電波製）とを
用いて、静電容量(c)と誘電正接（tanδ）と絶縁抵
抗（IR）とを測定した。次いで、−55℃に30分間
保持し、２秒以内に＋125℃に移動して30分間保
持することを１サイクルとする熱衝撃試験を100
回行なつた後、再び静電容量(c)と誘電正接
（tanδ）と絶縁抵抗（IR）とを測定し、静電容量
の最大変化率とtanδの最大値と絶縁抵抗103MΩ
以下の個数と目視で発見されるクラツクを有する
ものの個数を下表に示した。 実施例 ２ 中間層用ペーストとして、実施例１における
Ni粉末50gに代えて35gセラミツクと同一組成の
未焼成セラミツク粉末50gに代えて65gを用いた
実施例１と同じ方法及び條件で作成した。この測
定結果を下表に示す。 実施例 ３ 中間層用ペーストとして、実施例１における
Ni粉末50ｇに代えて20gセラミツクと同一組成の
未焼成セラミツク粉末50gに代えて80gとしたこ
と以外は実施例１と同じ方法及び條件で作成し
た。この測定結果を下表に示す。 実施例 ４ 内部電極用ペースト、中間層用ペースト及び外
部電極用ペーストの導電粒子として、実施例１に
おけるNi粉末に代えてCu粉末としたこと以外は、
実施例１と同じ方法及び同じ条件で作成した。こ
の測定結果を下表に示す。 比較例 中間層を除いた以外は実施例１と同じ方法及び
同じ條件で作成した。
成した積層形セラミツクコンデンサに関する。 （従来の技術） セラミツクと外部電極とを同時に焼成して得ら
れる従来の積層形セラミツクコンデンサは次のよ
うな製造手順に従つて作成される。 まず、複数枚の長尺な未焼成誘電体セラミツク
シートの主面にNi，Cu等の導電粒子を含む導電
ペーストを印刷して複数個の内部電極用導電層を
形成し、これ等のシートを１つ置きに長手方向に
ずらして重ねた後圧着し、ずらしたシートの導電
層が切断面に露出する位置と、ずらさないシート
の導電層が切断面に露出する位置とで切断してコ
ンデンサ素体としてのチツプ片を作成する。次い
で、該チツプ片の導電層が露出している端面とこ
れに連なる周端縁部に、導電ペーストを塗布して
外部電極用導電層を形成した後、900〜1200℃の
温度で還元雰囲気中でセラミツク素体の電極を同
時に焼成する。このようにして得られた積層形セ
ラミツクコンデンサの外部電極は、該端面で内部
電極と電気的に接続し、該端面とこれに連なるコ
ンデサン素体の周端縁部に直に密着している。 （発明が解決しようとする問題点） 上述のような製造手順により作成された第３図
及び第４図に図示の積層形セラミツクコンデンサ
は、プリント基板等に半田付け後の温度衝撃試験
時等において、コンデンサ素体の周端縁部に形成
された外部電極ａの周縁のセラミツクｂにクラツ
チＣが入り絶縁抵抗値が103MΩ以下になるもの
が生ずるという問題があつた。尚、第４図におい
て、ｄは円部電極である。 本発明は、従来のこのような問題を解消するこ
とのできる積層形セラミツクコンデンサを提出す
ることをその目的とするものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明は、上述の目的を達成するために、内部
電極用導電層が形成された未焼成セラミツクシー
トを複数枚積層し圧着して成るコンデンサ素体の
両端面及びそれに連なる周端縁部に外部電極用導
電層を形成した後焼成してなる積層形セラミツク
コンデンサにおいて、該セラミツク素体の周端縁
部と外部電極用導電層との間に上記セラミツクと
同一組成のセラミツクと導電性粒子とから成る中
間層が介在することを特徴とする。 （作用） 未焼成のセラミツクの焼成に伴う収縮と、外部
電極用導電層の焼成に伴う収縮とが相違するた
め、焼成後にコンデンサ素体の周端縁部に形成さ
れた外部電極の周縁におけるセラミツクに歪が残
る。しかしコンデンサ素体の周端縁部と外部電極
との間に、該セラミツクと同一組成のセラミツク
と導電製粒子とから成る中間層を介在させると、
該中間層の収縮量は、セラミツクの収縮量と外部
電極の収縮量との中間であるので、セラミツクに
生ずる歪は小さくなる。かくて本案コンデンサを
プリント基板等に半田付けした後の温度衝撃試験
等において、外部電極の周縁におけるセラミツク
にクラツクが生じない。 （実施例） 本発明の実施例を添付図面に付説明する。 実施例 １ BaTiO3を主成分といる厚さ28μｍの未焼成誘
電体セラミツクシートを複数枚を用意した。 また、純度99.9％のNi粉末100gと、エチルセ
ルローズ15gと、ブチルカルビトール94gとを混
練して作成した内部電極用導電ペーストと、純度
99.9％のNi粉末50gと該セラミツクシートと同一
組成の未焼成センラミツク粉末50gとエチルセル
ローズ20gとブチルカルビトール94gとを混練し
て作成した中間層用ペーストと、純度99.9％のNi
粉末100gとエチルセルローズ20gとブチルカルビ
トール94gとを混練して作成した外部電極用ペー
ストとを用意した。 上述の未焼成セラミツクシートと内部電極用導
電ペーストとを用いて、従来の方法に従つて、未
焼成のコンデンサ素体を作成し、該コンデンサ素
体に内在する内部電極の１端が露出する端面に連
なる周端縁部に中間層用ペーストを帯状に塗布
し、150℃で乾燥した後、該中間層上とコンデン
サ素体の端面とに連続して外部電極用ペーストを
塗布し、乾燥した後、H2を２％含むN2ガス雰囲
気中で1180℃で２時間焼成して積層形セラミツク
コンデンサを作成した。これ等のコンデンサの外
部電極上に市販の無電解ニツケルメツキ浴によつ
てニツケルメツキ膜を形成した。 第１図及び第２図は、本発明の１実施例の積層
形セラミツクコンデンサを示す。 同図において、１は内部にセラミツク層を介し
て積層され交互に対向する端面に露出する内部電
極２を有するコンデンサ素体、３は該端面に連な
るコンデンサ素体１の周端縁部に形成された帯状
の中間層、４は該中間層３及び端面上に連続して
形成された外部電極である。 この積層形セラミツクコンデサは、ガラスエポ
キシ配線基板上に半田付けし、市販のLCRメー
タ（YHP社製）、絶縁抵抗計（東亜電波製）とを
用いて、静電容量(c)と誘電正接（tanδ）と絶縁抵
抗（IR）とを測定した。次いで、−55℃に30分間
保持し、２秒以内に＋125℃に移動して30分間保
持することを１サイクルとする熱衝撃試験を100
回行なつた後、再び静電容量(c)と誘電正接
（tanδ）と絶縁抵抗（IR）とを測定し、静電容量
の最大変化率とtanδの最大値と絶縁抵抗103MΩ
以下の個数と目視で発見されるクラツクを有する
ものの個数を下表に示した。 実施例 ２ 中間層用ペーストとして、実施例１における
Ni粉末50gに代えて35gセラミツクと同一組成の
未焼成セラミツク粉末50gに代えて65gを用いた
実施例１と同じ方法及び條件で作成した。この測
定結果を下表に示す。 実施例 ３ 中間層用ペーストとして、実施例１における
Ni粉末50ｇに代えて20gセラミツクと同一組成の
未焼成セラミツク粉末50gに代えて80gとしたこ
と以外は実施例１と同じ方法及び條件で作成し
た。この測定結果を下表に示す。 実施例 ４ 内部電極用ペースト、中間層用ペースト及び外
部電極用ペーストの導電粒子として、実施例１に
おけるNi粉末に代えてCu粉末としたこと以外は、
実施例１と同じ方法及び同じ条件で作成した。こ
の測定結果を下表に示す。 比較例 中間層を除いた以外は実施例１と同じ方法及び
同じ條件で作成した。
【表】
【表】
尚、前記各ペーストの導電粒子として、Ag，
Ag−Pd等を同様に用いることができる。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、プリン
ト基板に半田付けした時あるいは温度衝撃試験等
を行なつた時でもコンデンサ素体の周端縁部の外
部電極周縁におけるセラミツクにクラツクが発生
することが少なく、また絶縁抵抗の劣化も少ない
という効果がある。
Ag−Pd等を同様に用いることができる。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、プリン
ト基板に半田付けした時あるいは温度衝撃試験等
を行なつた時でもコンデンサ素体の周端縁部の外
部電極周縁におけるセラミツクにクラツクが発生
することが少なく、また絶縁抵抗の劣化も少ない
という効果がある。
第１図は本発明の１実施例の拡大斜視図、第２
図はその断面図、第３図は従来例の拡大斜視図、
第４図はその断面図である。 １……コンデンサ素体、２……内部電極、３…
…中間層、４……外部電極。
図はその断面図、第３図は従来例の拡大斜視図、
第４図はその断面図である。 １……コンデンサ素体、２……内部電極、３…
…中間層、４……外部電極。
Claims (1)
- １ 内部電極用銅導電層が形成された未焼成セラ
ミツクシートを複数枚積層し圧着して成るコンデ
ンサ素体の両端面及びそれに連なる周端縁部に外
部電極用導電層を形成した後焼成してなる積層形
セラミツクコンデンサにおいて、該セラミツク素
体の周端縁部と外部電極用導電層との間に上記セ
ラミツクと同一組成のセラミツクと導電性粒子と
から成る中間層が介在することを特徴とする積層
形セラミツクコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229788A JPS6386414A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 積層形セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229788A JPS6386414A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 積層形セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386414A JPS6386414A (ja) | 1988-04-16 |
| JPH0464450B2 true JPH0464450B2 (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=16897682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229788A Granted JPS6386414A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 積層形セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386414A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5952863A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Circuit and method for generating non-overlapping clock signals for an integrated circuit |
| KR20120060868A (ko) * | 2010-09-29 | 2012-06-12 | 쿄세라 코포레이션 | 콘덴서 |
| WO2024075402A1 (ja) * | 2022-10-03 | 2024-04-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP61229788A patent/JPS6386414A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6386414A (ja) | 1988-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |