JPH0113205B2 - - Google Patents
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- JPH0113205B2 JPH0113205B2 JP56071743A JP7174381A JPH0113205B2 JP H0113205 B2 JPH0113205 B2 JP H0113205B2 JP 56071743 A JP56071743 A JP 56071743A JP 7174381 A JP7174381 A JP 7174381A JP H0113205 B2 JPH0113205 B2 JP H0113205B2
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はMg2TiO4―CaTiO3系誘電体層と電極
層を交互に積層した積層チツプコンデンサにおい
て、電極層に挾まれない最外部の誘電体層組成が
電極層に挾まれた誘電体層組成に対して
Mg2TiO4の含有量を多くしたことを特徴とする
耐熱衝撃性の高い耐熱衝撃型積層チツプコンデン
サに関する。
層を交互に積層した積層チツプコンデンサにおい
て、電極層に挾まれない最外部の誘電体層組成が
電極層に挾まれた誘電体層組成に対して
Mg2TiO4の含有量を多くしたことを特徴とする
耐熱衝撃性の高い耐熱衝撃型積層チツプコンデン
サに関する。
一般に、コンデンサの静電容量は
Ｃ＝εoεＳ／ｔ
で表わされる。ここで、εoは真空の誘電率、ε
は比誘電率、Ｓは電極面積、ｔは電極間隔であ
る。形状を小型化すると同時に静電容量を大きく
するには、εを大きくするか、Ｓを大きくする
か、ｔを小さくするかである。
は比誘電率、Ｓは電極面積、ｔは電極間隔であ
る。形状を小型化すると同時に静電容量を大きく
するには、εを大きくするか、Ｓを大きくする
か、ｔを小さくするかである。
積層チツプコンデンサは特にＳを大きくし、ｔ
を小さくすることにおいて工夫されたものであ
る。すなわち、薄膜コンデンサが多数並列に接続
された構造となるように数十ミクロンの誘電体薄
膜層と電極層を交互に配列し、電極層はクシ型に
対向させ外部の電極に接続した構成をなしてい
る。
を小さくすることにおいて工夫されたものであ
る。すなわち、薄膜コンデンサが多数並列に接続
された構造となるように数十ミクロンの誘電体薄
膜層と電極層を交互に配列し、電極層はクシ型に
対向させ外部の電極に接続した構成をなしてい
る。
このような積層チツプコンデンサは形状が通常
３mm×1.5mm×0.5mm程度のきわめて小さなもので
あり、ハイブリツドIC用及びプリント基板直付
け用のチツプ部品としての用途に供されつつあ
り、このような需要が近年急に高まるに伴ない、
低価格化，小型高容量化，自動挿着化及びその他
特性の高性能化が図られてきている。特に、自動
挿着化の面においては最近半田付けがきわめて高
温度化してきている。例えば、ポリウレタン被覆
導線を用いたコイルと積層チツプコンデンサとを
接続してLCフイルタを構成させる際、ウレタン
樹脂を400〜450℃の高温で焼き取ると同時にコイ
ルに積層チツプコンデンサを直付けする方法が採
られている。このような苛酷な温度で半田付けさ
れることは従来ほとんどなかつたため、かかる高
温でのチツプ部品の半田耐熱性に対しては十分配
慮されていたとは言えない。
３mm×1.5mm×0.5mm程度のきわめて小さなもので
あり、ハイブリツドIC用及びプリント基板直付
け用のチツプ部品としての用途に供されつつあ
り、このような需要が近年急に高まるに伴ない、
低価格化，小型高容量化，自動挿着化及びその他
特性の高性能化が図られてきている。特に、自動
挿着化の面においては最近半田付けがきわめて高
温度化してきている。例えば、ポリウレタン被覆
導線を用いたコイルと積層チツプコンデンサとを
接続してLCフイルタを構成させる際、ウレタン
樹脂を400〜450℃の高温で焼き取ると同時にコイ
ルに積層チツプコンデンサを直付けする方法が採
られている。このような苛酷な温度で半田付けさ
れることは従来ほとんどなかつたため、かかる高
温でのチツプ部品の半田耐熱性に対しては十分配
慮されていたとは言えない。
セラミツクは本来耐熱衝撃性の高いものである
が、積層チツプコンデンサのような電極との複合
構造をなすものでは、電極を通しての熱伝導とセ
ラミツク内部での熱伝導の速さの違いにより部分
的に温度差が著しく生じ、温度の高い部分は熱膨
張するため、引張り応力に弱いセラミツクにクラ
ツクを発生する。通常、外部電極と最外部の誘電
体との接触の境目にクラツクを生じる場合が多
い。
が、積層チツプコンデンサのような電極との複合
構造をなすものでは、電極を通しての熱伝導とセ
ラミツク内部での熱伝導の速さの違いにより部分
的に温度差が著しく生じ、温度の高い部分は熱膨
張するため、引張り応力に弱いセラミツクにクラ
ツクを発生する。通常、外部電極と最外部の誘電
体との接触の境目にクラツクを生じる場合が多
い。
そして、耐熱衝撃性を高める方法については積
層チツプコンデンサに関する限り、これといつた
方法は従来提案されていない。
層チツプコンデンサに関する限り、これといつた
方法は従来提案されていない。
本発明は上記に鑑み鋭意検討した結果、耐熱衝
撃性のきわめて高い積層チツプコンデンサを提供
することができたものである。
撃性のきわめて高い積層チツプコンデンサを提供
することができたものである。
以下、実施例にもとづき詳細に本発明を説明す
る。
る。
（実施例）
Mg2TiO4及びCaTiO3を主体とする誘電体組成
100重量部に焼結助剤としてカオリン５〜15重量
部，MnO2を0.1〜0.5重量部加えた組成を十分に
混合し、有機結着剤を添加して3000〜5000センチ
ポイズのスラリーを作製し、脱泡して後、ガラス
平板上にスラリーを均一厚みになるように引き伸
ばして乾燥し、40μ±2μのシートを作製した。こ
のようなシートでMg2TiO4及びCaTiO3の配合組
成の異なるものを数種類準備した。
100重量部に焼結助剤としてカオリン５〜15重量
部，MnO2を0.1〜0.5重量部加えた組成を十分に
混合し、有機結着剤を添加して3000〜5000センチ
ポイズのスラリーを作製し、脱泡して後、ガラス
平板上にスラリーを均一厚みになるように引き伸
ばして乾燥し、40μ±2μのシートを作製した。こ
のようなシートでMg2TiO4及びCaTiO3の配合組
成の異なるものを数種類準備した。
第１図は上記シートを用いて作製した積層チツ
プコンデンサの構造例を示す。図中、Ａ及び
A′は磁器誘電体層であり、Ｂはパラジウムを主
体とする電極層である。そして、誘電体層Ａ・
A′と電極層Ｂが交互に積層されているとともに
該誘電体層A′が最外部に設置されており、かつ
電極層Ｂはクシ型に対向されて設けられている。
また、Ｃは銀電極、Ｄは半田メツキ層であり、こ
れら銀電極Ｃと半田メツキ層Ｄにより外部電極が
構成されている。ここで、最外部に設置された誘
電体層A′は電極層Ｂに挾まれた誘電体層Ａに対
してMg2TiO4が１〜５モル％多く、CaTiO3が５
〜１モル％少なく含有させた組成である。因みに
従来の積層チツプコンデンサは、電極層Ｂに挾ま
れた誘電体層Ａと最外部の誘電体層A′とは同一
組成のものである。
プコンデンサの構造例を示す。図中、Ａ及び
A′は磁器誘電体層であり、Ｂはパラジウムを主
体とする電極層である。そして、誘電体層Ａ・
A′と電極層Ｂが交互に積層されているとともに
該誘電体層A′が最外部に設置されており、かつ
電極層Ｂはクシ型に対向されて設けられている。
また、Ｃは銀電極、Ｄは半田メツキ層であり、こ
れら銀電極Ｃと半田メツキ層Ｄにより外部電極が
構成されている。ここで、最外部に設置された誘
電体層A′は電極層Ｂに挾まれた誘電体層Ａに対
してMg2TiO4が１〜５モル％多く、CaTiO3が５
〜１モル％少なく含有させた組成である。因みに
従来の積層チツプコンデンサは、電極層Ｂに挾ま
れた誘電体層Ａと最外部の誘電体層A′とは同一
組成のものである。
第２図は従来品と本発明の積層チツプコンデン
サの耐熱衝撃性をMg2TiO4とCaTiO3の配合組成
を種々変えて比較したものである。すなわち高温
半田を380〜600℃に加熱し、試料を１秒間浸漬し
た後、クラツクの発生を調べた結果、100ケ中１
ケ以上の試料にクラツクが発生する限界温度を誘
電体組成に対してプロツトしたものである。ここ
で、図の横軸は上記電極層Ｂに挾まれる誘電体層
Ａの組成を示しており、図中ａは従来品、ｂは本
発明品で最外部の誘電体層A′のMg2TiO4が電極
層Ｂに挾まれる誘電体層Ａよりも１モル％多い
（CaTiO3は１モル％少ない）組成のもの、Ｃは
同じく本発明品で最外部の誘電体層A′の
Mg2TiO4が内部の誘電体層Ａよりも５モル％多
い（CaTiO3は５モル％少ない）組成のもの、ｄ
は参考品で最外部の誘電体層A′のMg2TiO4が内
部の誘電体層Ａよりも10モル％多い（CaTiO3は
10モル％少ない）組成のものの特性を示してい
る。また、図中の破線は誘電体の比誘電率を示
す。
サの耐熱衝撃性をMg2TiO4とCaTiO3の配合組成
を種々変えて比較したものである。すなわち高温
半田を380〜600℃に加熱し、試料を１秒間浸漬し
た後、クラツクの発生を調べた結果、100ケ中１
ケ以上の試料にクラツクが発生する限界温度を誘
電体組成に対してプロツトしたものである。ここ
で、図の横軸は上記電極層Ｂに挾まれる誘電体層
Ａの組成を示しており、図中ａは従来品、ｂは本
発明品で最外部の誘電体層A′のMg2TiO4が電極
層Ｂに挾まれる誘電体層Ａよりも１モル％多い
（CaTiO3は１モル％少ない）組成のもの、Ｃは
同じく本発明品で最外部の誘電体層A′の
Mg2TiO4が内部の誘電体層Ａよりも５モル％多
い（CaTiO3は５モル％少ない）組成のもの、ｄ
は参考品で最外部の誘電体層A′のMg2TiO4が内
部の誘電体層Ａよりも10モル％多い（CaTiO3は
10モル％少ない）組成のものの特性を示してい
る。また、図中の破線は誘電体の比誘電率を示
す。
この図から明らかなように、従来品では
CaTiO3が多い、比誘電率の高い組成について耐
熱衝撃性が低いのに対し、本発明の積層チツプコ
ンデンサでは広い温度範囲に亘つて耐熱衝撃性が
高く保持されることが解る。
CaTiO3が多い、比誘電率の高い組成について耐
熱衝撃性が低いのに対し、本発明の積層チツプコ
ンデンサでは広い温度範囲に亘つて耐熱衝撃性が
高く保持されることが解る。
なお、第２図で参考品ｄは耐熱衝撃性が一応優
れているが、最外部の誘電体層A′のMg2TiO4が
内部の誘電体層Ａのそれよりも５モル％を超えて
多くなる（CaTiO3は５モル％を超えて少なくな
る）と、チツプコンデンサの焼結体が変形するこ
とがあり好ましくない。また、最外部の誘電体層
A′のMg2TiO4が内部のそれに対して１モル％未
満で多い（CaTiO3は１モル％未満で少ない）場
合には、耐熱衝撃性において顕著な効果が認めら
れなかつた。
れているが、最外部の誘電体層A′のMg2TiO4が
内部の誘電体層Ａのそれよりも５モル％を超えて
多くなる（CaTiO3は５モル％を超えて少なくな
る）と、チツプコンデンサの焼結体が変形するこ
とがあり好ましくない。また、最外部の誘電体層
A′のMg2TiO4が内部のそれに対して１モル％未
満で多い（CaTiO3は１モル％未満で少ない）場
合には、耐熱衝撃性において顕著な効果が認めら
れなかつた。
第３図は熱衝撃温度に対する抗折強度の関係を
示したものであり、従来品と本発明の試料の比較
を示している。図中ａは従来品、ｂは本発明品の
試料の特性であり、本発明品は第２図の組成点Ｘ
の試料（Mg2TiO485モル％，CaTiO315モル％）
であり、かつ最外部層のMg2TiO4を５モル％増
加（CaTiO3は５モル％低減）した試料である。
示したものであり、従来品と本発明の試料の比較
を示している。図中ａは従来品、ｂは本発明品の
試料の特性であり、本発明品は第２図の組成点Ｘ
の試料（Mg2TiO485モル％，CaTiO315モル％）
であり、かつ最外部層のMg2TiO4を５モル％増
加（CaTiO3は５モル％低減）した試料である。
この図から明らかなように、本発明品の試料は
500℃を超えても抵抗力が安定していることが認
められる。
500℃を超えても抵抗力が安定していることが認
められる。
以上述べたように、本発明にかかる積層チツプ
コンデンサはきわめて耐熱衝撃性が高く、プリン
ト基板への自動挿着直付け用、有機樹脂被覆導線
直付け用としてきわめて有効であり、その需要が
高まつてきている電子関係産業に対してきわめて
意義の高いものである。
コンデンサはきわめて耐熱衝撃性が高く、プリン
ト基板への自動挿着直付け用、有機樹脂被覆導線
直付け用としてきわめて有効であり、その需要が
高まつてきている電子関係産業に対してきわめて
意義の高いものである。
第１図は本発明にかかる積層チツプコンデンサ
の概略断面構成図、第２図は従来品と本発明の耐
熱衝撃温度特性を比較して示す図、第３図は同じ
く従来品と本発明の熱衝撃温度に対する抗折強度
の関係を比較して示す図である。 Ａ……電極層に挾まれる磁器誘電体層、A′…
…最外部の磁器誘電体層、Ｂ……電極層。
の概略断面構成図、第２図は従来品と本発明の耐
熱衝撃温度特性を比較して示す図、第３図は同じ
く従来品と本発明の熱衝撃温度に対する抗折強度
の関係を比較して示す図である。 Ａ……電極層に挾まれる磁器誘電体層、A′…
…最外部の磁器誘電体層、Ｂ……電極層。
Claims (1)
- １ 磁器誘電体層と電極層が交互に積層され、該
電極層がクシ型に対向された構造の積層チツプコ
ンデンサにおいて、上記電極層に挾まれた誘電体
部分がMg2TiO4及びCaTiO3を主成分とする誘電
体層からなり、かつ最外部に設置された誘電体部
分が上記電極層に挾まれた誘電体部分の
Mg2TiO4及びCaTiO3の組成に比較してMg2TiO4
成分を１〜５モル％多く、CaTiO3成分を５〜１
モル％少なく含有させた組成からなる誘電体層で
構成されていることを特徴とする耐熱衝撃型積層
チツプコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56071743A JPS57187922A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Heat resistant impact type laminated chip condenser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56071743A JPS57187922A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Heat resistant impact type laminated chip condenser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57187922A JPS57187922A (en) | 1982-11-18 |
| JPH0113205B2 true JPH0113205B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=13469305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56071743A Granted JPS57187922A (en) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Heat resistant impact type laminated chip condenser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57187922A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6370744B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2018-08-08 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP6571590B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2019-09-04 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP6596547B2 (ja) * | 2018-07-10 | 2019-10-23 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP6595670B2 (ja) * | 2018-07-10 | 2019-10-23 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP7209072B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2023-01-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP6980873B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2021-12-15 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
-
1981
- 1981-05-13 JP JP56071743A patent/JPS57187922A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57187922A (en) | 1982-11-18 |
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