JPS5914203B2 - 誘電体組成物 - Google Patents

誘電体組成物

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JPS5914203B2
JPS5914203B2 JP52036928A JP3692877A JPS5914203B2 JP S5914203 B2 JPS5914203 B2 JP S5914203B2 JP 52036928 A JP52036928 A JP 52036928A JP 3692877 A JP3692877 A JP 3692877A JP S5914203 B2 JPS5914203 B2 JP S5914203B2
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crystalline
dielectric
glass
substrate
oxides
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JP52036928A
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ルドルフ・ジヨン・バツチヤ−
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EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
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Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JPS52125798A publication Critical patent/JPS52125798A/ja
Publication of JPS5914203B2 publication Critical patent/JPS5914203B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は印刷回路、そしてさらに詳しくはそのよララ回
路に使用するための誘電体層を製造する10ための組成
物に関する。
印刷回路の形成にあたつては、他の金属化物上に直接金
属化物を沈着させることによつて空間の節約を可能なら
しめることが有用である。
短絡を防止しそして容量結合を低下させるためには、そ
15のような金属化物は誘電体物質によつて分離されて
はならない。そのような多層構造体を製造するには二つ
の方法がある。
第一の方法は単一基材上の印刷された導体層の間に「ク
ロスオーバー」層を印刷しそし20て焼成して屡々「マ
ルチレベル」印刷配線板と呼ばれるものを形成すること
よりなる。第二の方法は、有機物で結合された粒状アル
ミナの薄い「テープ」上に導体パターンを印刷し次いで
そのような印刷テープを積層しそして得られる積層構造
物25を高温で焼成してそれ自体の基材として働く別々
の一体構造(モノリシック)多層構造体を製造すること
を包含する。本発明は、基材が予備焼成されたアルミナ
セラミックである場合の「マルチレベル」タイプの方法
中のなかんずく「クロスオー30バー」誘電体層形成に
おけるある種の組成物の役割を記載するものである。ク
ロスオーバー誘電体組成物は本質的には、数段階の焼成
を通じて二つの導体パターンを分離しうる低誘電率絶縁
体である。
誘電体としては高融35点粘稠ガラスが使用されていて
、その結果表面導線の焼成は誘電体の軟化が起る温度よ
り低い温度で実施できる。クロスオーバー誘電体の溶融
または軟化は、二つの導体パターン相互の短絡およびそ
れに続く電気回路の破壊を伴なう。クロスオーバー誘電
体に対する主たる要件は、表面導体焼成段階における再
軟化または熱可塑化の制御である。その他の必要とされ
る性質は、(a)クロスオーバー誘電体により絶縁され
た回路間に低い交流静電容量結合を与えるための低い誘
電率、(b)誘電加熱を避けるための低い電気的損失(
高いQ値)、(6)低い[ピンホール形成」傾向および
焼成時における気体発生傾向0低いこと、(d)スクリ
ーン印刷法に初期焼成を適応させうるような適正なガラ
ス軟化温度、(e)熱シヨツクひび割れに対する高い抵
抗性および(f)水蒸気およびそれに伴なう種々の電気
損失に敏感でないことである。さらにアルミナ基材上に
印刷された多層コンデンサー中の誘電体層製造用の組成
物もまた要求されている。
そのようなコンデンサーとしては、米国特許第3683
245号および同第3679943号各明細書記載のも
のがあげられ、これらは本明細書中に参照として包含さ
れている。多層構造物中に誘電体層を製造するための既
知の多くの組成物の中には、例えば米国特許第3586
522号または同第3785837号各明細書記載の結
晶性ガラスのようなガラスをベースとした組成物、また
は例えば米国特許第3787219号および同第383
7869号各明細書記載のような結晶性物質とガラスと
の混合物をベースとした組成物がある。
これらの米国特許のそれぞれは本明細書中に参照として
包含されている。多層機能がその上に形成されているア
ルミナ基材は、往々にして焼成誘電体層により加えられ
る力によつてひずみまたは曲がる。
曲がりを軽減させるような熱膨張特性を有する誘電体組
成物に対する需要が存在している。その理由は、さもな
いと基材のひび割れおよび劣悪なフイルム接着の結果を
生ずるからである。この焼成誘電体層は本明細書に定義
されているように非多孔性であり且つ典型的電極組成物
と共存性の温度(例えば975℃以下)で焼成可能でな
くてはならない。さらに、結晶性充填剤が使用される場
合には、それらは比較的低い誘電率を示すべきである。
多くの商業的に入手可能な誘電体組成物により生ぜしめ
られるアルミナ基材の曲がりの軽減は重要である。
何故ならばひずみのある(非平面の)基材は基材上への
以後の層の印刷において、整合を困難ならしめるからで
ある。また曲つた基材はコ不クタ一集成体中に集成する
ことがより困難である。更に、誘電体層により示される
圧縮力は例えば電極の浸漬はんだ付けにおけるような加
熱サイクルを受けた場合、アルミナ基材のひび割れを生
じうる。さらに、窒素中で焼成できる誘電体組成物に対
する必要性も存在している。
窒素焼成能力は、電極が空気中では分解(すなわち酸化
)なしには焼成できないような反応性金属または卑金属
である場合に必要とされる。本発明によれば、多層エレ
クトロニクス構造体中の誘電体層を印刷するのに有用な
組成物が提供される。
この組成物は基材のひずみまたは曲がり(すなわち平面
からの偏倚)を起させる傾向が小さく、そしてこれは窒
素中におけると同様に空気中で焼成させることができる
。この組成物は、重量基準で(a) 700℃以上の軟
化点およびアルミナのそれよりも低い熱膨張係数を有す
る1種またはそれ以上のガラス67.5〜85%、およ
び(b)(1)式AB2O4(式中Aは二価のMglc
alSrおよび/またはBaであり、そしてBは三価の
Atである)の結晶性化合物(多成分酸化物)、(2)
式ABO3(式中Aは二価のMglcalSrおよび/
またはBaでありそしてBは四価のZrである)の結晶
性化合物(多成分酸化物)、および/または(3)前記
結晶性化合物1および2を形成しうる前駆体結晶性酸化
物の混合物である1種または数種の充填剤32.5〜1
5(16を包含しており、ただしこれら(未焼成)組成
物中における前記前駆体の量はそれが変換した場合に結
晶性多成分酸化物1および2の前記量をあたえるに充分
な量である。
本明細書中である一連の項目に関して使用されている場
合の「および/または」なる表現は、これらの項目の各
個のものおよびこれらの項目の混合物の両方を意味して
いる。
好ましくは、この組成物は成分0))中には予形成され
た多成分酸化物1および2のみを包含しており、そして
より好ましくはこれら酸化物はMgおよびCa結晶性化
合物でありそして最も好ましくはMg化合物である。
組成物が窒素中で焼成される場合には、そのガラスは好
ましくはチタニウムを含有しないかまたは実質的にそう
であるものである。この組成物は不活性液体状の印刷用
ベヒクル中に分散させることができる。
前記基材上でLかもこれに接着性の底部電極、前記底部
電極の少くとも一部の上にあつてしかもこれに接着性の
誘電体層、および前記誘電体層の上のそして少くともそ
の一部に接着性の頂部電極を順次の層として基材上に包
含する多層エレクトロニクス構造体例えばコンデンサー
およびマルチレベル構造体もまた本発明の」部であるが
、その場合前記誘電体層は重量基準で(a) 700℃
以上の軟化点およびアルミナのそれよりも低い熱膨張係
数を有するガラス67.5〜85%、および(b)(1
)式AB2O4(式中Aは二価のMム CalSrおよ
び/またはBaでありそしてBは三価のAtである)の
結晶性化合物(多成分酸化物)および/または(2)式
ABO3(式中Aは二価のMglca,.srおよび/
またはBaでありそL(Bは四価Zrである)の結晶性
化合物(多成分酸化物)3Z5〜15%からなり、ただ
しその際多成分酸化物1および2が32.5%以下の量
で存在している場合には、化合物1および2を形成させ
うる前駆体結晶性酸化物は前記結晶性化合物1および2
プラス前駆体結晶性酸化物の合計重量が前記組成物の3
2.5(f)を越えないような量で存在させることがで
きる。
かかるエレクトロニクス装置としては以下の実施例に記
載の多層コンデンサーおよび基材上のマルチレベルパタ
ーンがあげられる。本発明の組成物を使用して製造され
た誘電体層は焼成の間のアルミナ基材の曲がりを最小な
らしめ、そしてまた良好な電気的性質(例えば10以下
の誘電率および共振回路における電力損失の尺度である
約400またはそれ以上のQ値)を与えうる。
熱膨張係数は、25た〜300℃の間で測定された場合
に関連材料でできた標準サイズのバ一がどれだけ1℃当
りに伸長したかを示す尺度である。
本発明の組成物は粉末状態のガラスおよびある種の結晶
性酸化物充填剤を包含している。これら粉末は、通常の
スクリーン印刷操作に使用するに充分なだけ微細に分割
されている。一般に、この粉末は400メツゾユスクリ
ーンを通過するに充分なだけ微細に分割されており、そ
してこれは好ましくは0.5〜15ミクロン範囲の平均
粒子サイズを有している。このサイズを達成するために
、粉末は使用前にミル(ポールミルまたは多次元ミル)
中で粉砕されてもよい。ガラスおよび結晶性酸化物なら
びにそれらの相対的割合は、それらが誘電体層の焼成時
におけるアルミナ基材のひずみ(曲がり)の軽減を生ぜ
しめるように選ばれる。
使用されるガラスは実質的には非電導性であり、そして
700℃以上の軟化点(ガラスが迅速に変形する温度)
を有しておりそしてアルミナの熱膨張係数(70X10
−7/℃)より以下の熱膨張係数を有している。
一般にBi2O2とPbOとの和が30%以下のガラス
が好ましい。本発明のガラスは、所望の比率で所望の化
合物を生成するような適当なバツチ組成物を溶融させる
ことによつて、適当な酸化物(または酸化物前駆体例え
ば水酸化物および炭酸塩)のバツチ組成物から製造され
る。
そのバツチ組成物をまず混合し、次いで溶融させて実質
的に均質の流動性ガラスを生成させる。この溶融段階の
間に保持される温度は臨界的ではないが、しかしそれは
通常1450〜15.50℃範囲であり、それによつて
速やかな溶融物の均質化を得ることができる。均質な流
動性ガラスが得られた後それを通常は水中に注いでガラ
スフリツトを形成させる。前記の結晶性多成分酸化物は
アルミナよりも大なる熱膨張係数を有している。
酸化物としてはMgAt2O4、CaAt2O4、Sr
At2O4、BaAt2O4、MgzrO3、Cazr
O3、SrzrO3、BazrO3およびそれらの混合
物(物理的混合物および例えばCaO.5srO.5z
rO.5O3のような混晶性化合物を含む)があげられ
る。屡々多成分酸化物として本明細書中で旨及されてい
る結晶性酸化物を本発明の(未焼成)粉末組成物中に存
在させることができる。あるいはまたこれらは多層構造
物中の誘電体組成物の焼成時に形成させることもできる
。すなわち、この粉末組成物はいくらかの多成分酸化物
を含有していてもよくまたは含有していなくてもよい。
しかし粉末組成物中に15%以下の多成分酸化物が存在
している場合には、焼成誘電体中において15〜32.
5%の多成分酸化物を存在させるに充分な前駆体結晶性
酸化物(例えばMgAt2O4に対するMgOとAt2
O3)を存在させる。すなわち、粉末組成物中に5(f
l)MgAt2O4が存在する場合には焼成誘電体層中
に少くともさらに5(F6のこのものかまたは他の多成
分酸化物を形成するに充分量の前駆体酸化物を粉末中に
存在せしめる。この粉末は、15〜32.5(f)の結
晶性酸化物(多成分酸化物)および/またはそれらの前
駆体酸化物を包含している。
1596以下の多成分酸化物は基材の曲がりに充分な軽
減を与えない。
3Z5%以上の結晶性酸化物は結果的に多孔性誘電体層
を生ずる。
多孔性は誘電体中へのまたはこれを通しての導体層の沈
下、従つて短絡を生ぜしめうる。前駆体酸化物が焼成誘
電体層中に残存する場合には、多成分酸化物および前駆
体酸化物の全重量は32.5(IIを越えないが、しか
し少くとも15(F6の多成分酸化物は存在する。すな
わちこの粉末組成物は、重量基準で15〜32.5%の
結晶性酸化物および85〜67.5(Lのガラスを包含
している。本発明の組成物は予備焼成された金属化物を
有するアルミナ基材上に通常の方法でフイルムとして印
刷される。好ましくはスクリーンまたはステンシル印刷
技術が使用される。この組成物は不活性液体ベヒクル中
の分散物の形で微細分散粉末として印刷される。水また
は種々の有機液体のいずれか一つを含む不活性液体を濃
厚化剤および/または安定剤および/または他の一般的
添加剤を加えまたはこれらを加えずにベヒクルとして使
用することができる。使用しうる有機液体の例は脂肪族
アルコール、そのようなアルコールのエステル例えばア
セテートおよびプロビオネート、テルベン例えば松根油
、テルピネオールその他、2,2,4−トリメチルペン
タンジオール−1,3−モノイソブチレート中のポリイ
ソブチルメタアクリレートの溶液、例えば松根油および
エチレングリコールモノアセテートのモノブチルエーテ
ルのような溶媒中の例えば低級アルコールのポリメタク
リレートのような樹脂の溶液またはエチルセルロースの
溶液である。このベヒクルは基材への適用後の迅速な固
化(セツト)を促進させるために揮発性液体を含有して
いてもよくまたはこれから構成されていてもよい。無機
固体に対するベヒクルの比はかなり変動させることがで
き、そしてこれは分散液を適用する様式および使用され
るベヒクルの種類に依存する。一般にはベヒクル1重量
部当り0.4〜9重量部の固体分を使用して所望のコン
システンシ一を有する分散物を生成させる。好ましくは
ベヒクル1部当り2〜4部の無機固体分が使用される。
本発明の組成物を予め焼成されたセラミツク基材(その
上に金属化物を有している)上に印刷した後、この基材
を再焼成する。
一般に、この誘電体組成物は8000−975℃範囲の
温度で焼成されて連続誘電体層を形成する。好ましくは
この焼成は約900体〜950℃のピーク温度で行われ
る。通常このピーク温度は約10分保持されるが、しか
し5〜30分を当業者は使用することができる。ベルト
炉またはボツクス炉を使用することができる。ベルト炉
が使用される場合には全焼成サイクルは通常約40〜6
0分である。これら組成物は空気中または窒素中で焼成
することができる。
窒素焼成が使用される場合には、ガラスはチタンを含有
しないかまたは実質的にチタンを含まないものであるこ
とが好ましい。本発明の組成物はアルミナ基材上に形成
される多層構造体中の誘電体層として使用するように意
図されているけれども、これらの組成物はアルミナと同
様の熱膨張特性を有する基材を含めてその他の基材と共
に使用することができる。典型的な商業的に入手可能な
緻密化(予め焼成)したアルミナ基材は90(F6以上
のアルミナを包含しており、例えばAnlerican
LavaCOrp.製アルシマグ(Alsimag)6
14は96f6アルミナを含有している。本発明の多層
構造物は導体層(例えばコンデンサー)または線路(例
えば導線の交叉点に誘電体バッドまたは「クロスオーバ
ー」を有する複合回路)を包含する。
この多層構造体の幾可学形状は本発明の特徴ではなく、
これは当業者によつて必要に従つて通常の様式で設計さ
れる。米国特許第3785837号明細書はクロスオー
バー誘電体を開示しており、そして米国特許第3787
219号明細書は多層コンデンサーを開示している。数
個または多数個の層を有する構造体を本発明の組成物を
使用して提供することができる。本発明に説明するため
に与えられている次の実施例においては、すべての部、
%、比およびその他は特記されていない限りは重量基準
である。
多くの実桐例においては、2個の導体および1個の中間
誘電体層をもつ多層コンデンサーをアルミナ基材上に印
刷Lそして焼成して、本発明の有用性を示している。他
の例においては、誘電体組成物 1をアルミナ基材上に
印刷しそして焼成して本発明の利点すなわち焼成誘電体
層による基材のひずみまたは曲がりの低減を示している
。各々の例において、その基材は予め焼成(緻密化)さ
れた96%アルミナ基材(アルシマグ614)であつた
。これらの例に使用されているガラスは次のようにして
製造された。所望の比率の金属酸化物、水酸化物および
/または炭酸塩の物理的混合物を製造し、そしてこれを
1450〜1550℃のピーク温度で溶融させ、そして
次いで水中に注ぐことによつて急冷させた。次いでこの
ガラスを、26%インチアルミナボールを有する慣用の
1tボールミル(36tのガラスを15Tnt水中で2
時間ミル処理)中で微細に分割し、済別しそして乾燥さ
せた。この粉末を湿時400メツシユふるいを通してふ
るいがけした。平均粒子サイズは1〜5ミクロンであり
、すべての粒子は約1〜20ミクロンの間にあつた。結
晶性酸化物すなわち前駆体酸化物または多成分酸化物1
および2、すなわち希土類金属ジルコン酸塩およびアル
ミン酸塩は商業高に入手可能であるが、または通常の技
術を使用して製造された。
例えばMgAt2O4は1モルのMgOおよび1モルの
At2O3(全固体分仕込量100f)および50fの
水を0.5時間前記の1tボールミル中で混合すること
により生成された。この生成物を淵過し、次いで125
℃乾燥させそして最後に2時間アルミナボート中で空気
中において加熱した。次いでこの生成物を粉砕し、(前
記のようにして)再びミル処理しそして2時間1300
℃に再加熱した。最後のミル処理は100rの再ミル処
理した生成物と100Tntの水とを2時間多次元ミル
中でミル処理することにより達成された(購入された結
晶性酸化物もまたこの最終ミル処理にかけたχ得られた
酸化物の粒子サイズは約1〜20ミクロン範囲でありそ
して平均粒子サイズは1〜5ミクロンであつた。ガラス
および結晶性酸化物の分散物は、所望の相対量の微細分
割ガラスおよび結晶性酸化物をスクリーン印刷に適当な
コンシステンシ一およびレオロジ一を有するベヒクルと
混合することにより製造された。
固体/ベヒクル比は77/23であつた。すなわち77
部の無機固体(ガラスおよび結晶性酸化物)を重合体一
溶媒混合物(2,2,4:トリメチルベンタンジオール
1,3−モノイソブチレート溶媒801f6中ポリイソ
ブチルメタクリレート20%)22.8部および湿潤剤
(大豆レシチン)0.2部ベヒクルと混合させた。ある
場合にはレオロジ一の修正のために、更に2部までの溶
媒が加えられた。実施例1〜9および比較例A−E これら実験においては、本発明の誘電体組成物をアルミ
ナ基材上に印刷しそして空気中で焼成して、本発明の組
成物を使用した場合の基材ひずみ(曲がり)の減少を示
した。
基材は2インチ(5.08c!n)×1インチ(2.5
4cm)X25ミル(0.64rwn)厚さであつた。
200メツシユ印刷スクリーンを中心(Zインチ平方ま
たは0.64?平方)にかぶせ、その中心の四角形を除
いてその基材の一方の全表面を誘電体組成物で被覆した
第一にスターレツトゲージを使用して、各基材上のその
中心の四角形の厚さ(高さ)を測定した。曲がり%はそ
れぞれミルで表わした場合の基材の中心の高さの変化を
基材の厚さで除したものに等しい。このガラスは50X
10−7/℃の熱膨張係数を有していた。このガラスは
40(!)SiO2、18%BaOl5%CaO、6%
B2O3、10%At2O3、5%MgOl8%ZnO
および8%PbOを含有していた。表1に記載の誘電体
組成物層を次いで基材上に、パターンを有する200メ
ツシユ・スクリーンを通して印刷した。この印刷物を1
20℃で10分間乾燥させ、そして次いで第二の誘電体
層を第一のものの上に印刷しそして前記のようにして乾
燥させた。印刷された基材を950℃のボツクス炉中で
10分間焼成した。更に2個の誘電体層を印刷しそして
前記のようにして乾燥させた。
焼成は前記のようにしてくりかえされた。次いでアルミ
ナ基材の申心の高さを測定した。表1に示されている基
材の中心における%ひずみ(または曲がり)%は、本明
細書記載の何らかの印刷または焼成の前および後の高さ
の変化を比較するものである。実施例1〜9の曲がり%
は二成分酸化物たるAt2O3、ZrO2およびMgO
を使用した比較例A−D,.またはこれら比較例A−D
および実施例1〜9と同一のガラスを使用してはいるが
しかし結晶性充填剤を使用していない比較例Eの曲がり
%に比べて改善の得られたことを示す。誘電体層は優れ
た外観を有し(ただしさけ目おLび粗な表面を示しそし
て従つて許容しえないもうであつた比較例Dを除く)、
そして次に示すよ)にインク試験によつて非多孔性であ
ることがわ1)つた。
水溶性インク(シューファー社のスクリゾプ・デラツク
スブル一應2)の1滴を焼成誘電本上におきそして約1
分間放置し、次いで約5秒j流水で洗つた。しみが残つ
た場合にはこの試料よ多孔性と考えられる。比較例F−
I 本発明の場合より大量の結晶性充填剤を使用して実施例
1の基材曲がり実験をくりかえした。
前記のインク試験によつてその誘電体層は多孔性である
という結果が得られた。これらの比較例においては、無
機粉末は40%結晶性充填剤および60%ガラスを含有
していた。このガラスは例1のものであり、無機固体/
ベヒクル比は実施例1におけると同様に77/23であ
つた。同一のベヒクルおよび印刷および焼成操作が使用
されたがただし焼成温度は900℃とした。結晶性充填
剤は次のとおりであつた。無機粉末中の予生成三成分酸
化物の%はかつこ内に示されている。F: 2Mg0/
1Zr02(0) G:MgAt2O4(40) H: 1MgAt204/1Mg0(31)I:CaZ
rO3(40) ″X”各焼成誘電体は前記インク試験
によれば多孔性であつた。
このことは本発明においては40%以下の結晶性充填剤
が使用されなくてはならないことを示している。実施例
10〜12および比較例J 実施例1の基材曲がり試験をくりかえしたがただし異つ
たガラス、すなわち54.5%SiO2、14.5%A
t2O3、22.0%CaO、8.5%B2O3および
0.5%NaOよりなるガラス(TCE6OXlO−7
/℃)が使用された。
組成および結果は表2に示される。焼成は実施例1にお
けるように空気中950℃であつた。焼成誘電体はどれ
もインク試験によつては多孔性ではなかつた。各々は優
れた外観を有していた。本発明の組成物はわずか0.5
〜 1.5%の曲がりを示し、他方アルミナ充填剤(同
一相対比)を使用した組成物についてそれは10.4%
であつた。実施例13〜23および比較例K−L これらの例においては、本発明の誘電体組成物を使用し
て多層コンデンサーが製造された。
表3は前記のようにしてそれから分散物が製造される場
合の無機固体分の種類および相対割合を示している。基
材の寸法は1インチ(2.54cm)×1インチ( 2
.54cm)×25ミル( 0.64wn)厚さであつ
た。底部電極(400ミルの円形、電極タブがそれから
延びている、すなわち「キーホール」型)を325メツ
シユスクリーンを通して金組成物で基材上に印刷し、1
25℃で10分間乾燥させそして10分間900℃の空
気中で焼成した。
この金組成物は16部のベヒクル( 7.6%エチルセ
ルロース/ 93.4%テルピネオール)中に分散され
た80.3部の微細分割された金および3.7部の微細
分割されたガラス結合剤からなつている。焼成電極の厚
さは約0.7ミルであつた。誘電体層(440ミル、円
形)を焼成底部電極上に印刷して底部電極を円形部分〔
ここには頂部電極(キーホール型)の印刷が意図される
〕でおおつた。
誘電体層を125℃で10分乾燥させ次いで第二誘電体
層を第一のものの上に印刷しそして乾燥させた。この構
造物を900℃で10分間再焼成した。誘電体層の厚さ
は表3に記載されている。同一金組成物を使用して、焼
成誘電体層上に前述したようにして頂部電極(キーホー
ル型)を印刷しそして乾燥させ、そして次いで900℃
で10分間焼成した。
共振回路における電力損失の尺度であるQ(Qが高い程
電力損失はより小さい)を、ゼネラル・ラジオ1682
(1MHz)ブリツジから静電容量(PF)およびコン
ダクタンス(MhO)を読みとりそして次の式を使用す
ることにより決定した。
10進法における散逸係数(DissipatiOnf
actOr)はゼネラル・ラジオ1672A(1k圧)
ブリッジを使用して測定されそして次いで%に変換され
た誘電率は次式 〔式中Cは静電容量(PF)、tおよびAはそれぞれミ
ルで表わした誘電体の厚さおよび面積である〕により静
電容量から決定された。
IRはペン・エアホン・プロダクッ社製メガトロメータ
一型式710を使用して直流100ボルトで測定された
破壊電圧(交流ボルト)は、アソシエイテッド・リサー
チ・インコーポレイテツド製ハイボツトブレイクダウン
試験器を使用して測定された。
表3に記載したように各組成物を使用して良好な電気的
性質が得られた。各多層コンデンサーに対するRは約1
013mh0であつた。実施例24〜29 これらの例は空気中ではなく窒素中で焼成することによ
つて多層構造体を製造するために本発明の組成物を使用
する場合を示している。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ガラスおよび結晶性物質の混合物であり、而して重
    量基準で(a)700℃以上の軟化点およびアルミナの
    それよりも低い熱膨張係数を有する1種またはそれ以上
    のガラス粉末67.5〜85%、および(b)(1)式
    AB_2O_4(式中Aは二価のMg、Ca、Srおよ
    び/またはBaでありそしてBは三価のAlである)の
    結晶性多成分酸化物粉末、(2)式ABO_3(式中A
    は二価のMg、Ca、Srおよび/またはBaでありそ
    してBは四価のZrである)の結晶性多成分酸化物粉末
    、(3)結晶性多成分酸化物1および2を形成しうる前
    駆体結晶性酸化物の混合物粉末の1種またはそれ以上3
    2.5〜15% によつて構成されていてしかも前記前駆体の量はそれが
    変換した場合に結晶性多成分酸化物1および2の前記量
    をあたえるに充分な量であることを特徴とする、アルミ
    ナ基材上における導体および誘電体層の多層構造である
    エレクトロニクス構造体中の誘電体層の形成に有用な微
    細分割された無機粉末組成物。
JP52036928A 1976-03-30 1977-03-30 誘電体組成物 Expired JPS5914203B2 (ja)

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