JP4655715B2 - 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 - Google Patents
低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4655715B2 JP4655715B2 JP2005085226A JP2005085226A JP4655715B2 JP 4655715 B2 JP4655715 B2 JP 4655715B2 JP 2005085226 A JP2005085226 A JP 2005085226A JP 2005085226 A JP2005085226 A JP 2005085226A JP 4655715 B2 JP4655715 B2 JP 4655715B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- mass
- vol
- low
- substrate material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
まず、比較例1と比較例2及び実施例1〜実施例4によって示されるように、ガラスをムライトで置換した場合、すなわち、組成式(0.88−x)ガラス+0.12TiO2+xAl6Si2O13において、xを変化させた場合は、線熱膨張係数は図3に示すように変化し、比誘電率は図4に示すように変化する。さらに、比較例3と比較例4及び実施例5〜実施例7によって示されるように、チタニアをムライトで置換した場合、すなわち、組成式0.60ガラス+(0.40−x)TiO2+xAl6Si2O13において、xを変化させた場合は、線熱膨張係数は図5に示すように変化し、比誘電率は図6に示すように変化する。ムライトは、50〜300℃の線熱膨張係数が5.0×10−6/℃、比誘電率が7.4であり、一方、本実施例で用いたガラスは、50〜300℃の線熱膨張係数が5.7×10−6/℃、比誘電率が6.4である。したがって、ガラスをムライトで置換する置換量を増やすと、図3に示すように線熱膨張係数はムライトの添加量の増加にしたがって低下し、図4に示すように比誘電率はムライトの添加量の増加に影響されない。一方、チタニアは50〜300℃の線熱膨張係数が11.5×10−6/℃、比誘電率が104である。したがって、チタニアをムライトで置換する置換量を増やすと、図5に示すように線熱膨張係数はムライトの添加量の増加にしたがって低下し、図6に示すように比誘電率はムライトの添加量の増加にしたがって低下する。ただし、図6においてムライトの含有量を30vol%未満とした場合、比誘電率は10以上であるので、いずれも比誘電率10以上を確保できる。したがって、ガラス或いはチタニアをムライトで置換することにより、低温焼成基板材料の比誘電率を10以上有しつつ、線熱膨張係数を低下させるように制御ができることが明らかとなった。
組成の異なる2種類のセラミックスグリーンシートをそれぞれ10mm角で成形し、6層の積層構造となるように積層体を形成した後、同時焼成を行ない、6層からなる厚さ480μmの異組成の層からなる多層基板を作製した。ここで一方のガラス−セラミックス混合層の組成は70vol%ガラス−30vol%アルミナ(S組成と表記する)とし、他方のガラス−セラミックス混合層の組成は、70vol%ガラス−15vol%アルミナ−15vol%チタニア(T組成と表記する)とした。ここでいずれのガラスの組成も、酸化物換算で、50質量%SiO2+2質量%B2O3+11質量%Al2O3+1質量%MgO+3質量%CaO+33質量%SrOとした。多層基板の積層構造は、図7の(a)〜(g)に示す積層構造とした。そのときの反りの大きさ(平均値)を図7に合わせて示した。図7を参照すると、最も非対称構造となっている(d)で示した積層構造において反りが最も大きく、同一組成のみからなる多層基板である(a)と(g)で示した積層構造において反りが最も小さいことがわかる。
組成の異なる2種類のセラミックスグリーンシートをそれぞれ成形し、図1(1)(c)の6層の積層構造となるように積層体を形成した後、同時焼成を行なうことで、6層からなる厚さ480μmの異組成のガラス−セラミックス混合層からなる多層基板を作製した。多層基板の大きさは、10mm角及び50mm角の2水準を作製した。ここで一方のガラス−セラミックス混合層の組成は表1に示した各組成とした。他方のガラス−セラミックス混合層の組成は、ガラス70vol%とアルミナ30vol%を含有するガラス−セラミックス混合層とした。ここでいずれのガラス−セラミックス混合層においても、ガラスの組成は、酸化物換算で、50質量%SiO2+2質量%B2O3+11質量%Al2O3+1質量%MgO+3質量%CaO+33質量%SrOとした。他方のガラス−セラミックス混合層の50〜300℃における線熱膨張係数は、6.15×10−6/℃、比誘電率は7.3であった。
Claims (9)
- SiO246〜60質量%、B2O30.5〜5質量%、Al2O36〜17.5質量%及びアルカリ土類金属酸化物25〜45質量%の組成を有し、該アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも60質量%がSrOであるガラスを60vol%以上66vol%未満、チタニアを10vol%を超えて13vol%未満、及び、ムライトを22vol%を超えて30vol%未満含有することを特徴とする低温焼成基板材料。
- 50〜300℃における線熱膨張係数が5.90×10−6/℃〜6.40×10−6/℃であることを特徴とする請求項1に記載の低温焼成基板材料。
- 室温1.9GHzにおける比誘電率が10以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の低温焼成基板材料。
- ガラス−セラミックス混合層が積層されている多層配線基板において、前記ガラス−セラミックス混合層のうち少なくとも1層は、SiO246〜60質量%、B2O30.5〜5質量%、Al2O36〜17.5質量%及びアルカリ土類金属酸化物25〜45質量%の組成を有し、該アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも60質量%がSrOであるガラスを60vol%以上66vol%未満、チタニアを10vol%を超えて13vol%未満、及び、ムライトを22vol%を超えて30vol%未満含有する低温焼成基板材料からなることを特徴とする多層配線基板。
- 前記低温焼成基板材料は、50〜300℃における線熱膨張係数が5.90×10−6/℃〜6.40×10−6/℃であり、且つ、室温1.9GHzにおける比誘電率が10以上であることを特徴とする請求項4に記載の多層配線基板。
- 前記低温焼成基板材料からなるガラス−セラミックス混合層と、該ガラス−セラミックス混合層以外の他のガラス−セラミックス混合層との50〜300℃における線熱膨張係数の差が0.25×10−6/℃以下であることを特徴とする請求項4又は5に記載の多層配線基板。
- 前記低温焼成基板材料からなるガラス−セラミックス混合層以外の他のガラス−セラミックス混合層は、室温1.9GHzにおける比誘電率が5〜8であることを特徴とする請求項4、5又は6に記載の多層配線基板。
- 前記低温焼成基板材料からなるガラス−セラミックス混合層以外の他のガラス−セラミックス混合層は、SiO246〜60質量%、B2O30.5〜5質量%、Al2O36〜17.5質量%及びアルカリ土類金属酸化物25〜45質量%の組成を有し、該アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも60質量%がSrOであるガラスが58〜76vol%、アルミナが24〜42vol%含有されている低温焼成基板材料からなるガラス−セラミックス混合層であることを特徴とする請求項4、5、6又は7に記載の多層配線基板。
- 前記多層配線基板の反りは、50mm角の大きさ当たりで200μm以下であることを特徴とする請求項4、5、6、7又は8に記載の多層配線基板。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005085226A JP4655715B2 (ja) | 2005-03-24 | 2005-03-24 | 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 |
US11/166,367 US7307032B2 (en) | 2004-06-28 | 2005-06-27 | Low-temperature co-fired ceramics material and multilayer wiring board using the same |
DE602005025285T DE602005025285D1 (de) | 2004-06-28 | 2005-06-27 | Bei niedriger Temperatur simultan gebrannte Keramik und mehrschichtige Leiterplatte |
EP05013812A EP1612194B1 (en) | 2004-06-28 | 2005-06-27 | Low-temperature co-fired ceramic material and multilayer wiring board using the same |
KR1020050055797A KR100930852B1 (ko) | 2004-06-28 | 2005-06-27 | 저온 소성 기판 재료 및 그것을 사용한 다층 배선 기판 |
TW094121534A TWI361800B (en) | 2004-06-28 | 2005-06-28 | Low-temperature co-fired ceramics material and multilayer wiring board using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005085226A JP4655715B2 (ja) | 2005-03-24 | 2005-03-24 | 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006265033A JP2006265033A (ja) | 2006-10-05 |
JP4655715B2 true JP4655715B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=37201380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005085226A Expired - Fee Related JP4655715B2 (ja) | 2004-06-28 | 2005-03-24 | 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4655715B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6114691B2 (ja) * | 2011-05-16 | 2017-04-12 | 日本碍子株式会社 | 大容量モジュールの周辺回路用の回路基板、及び当該回路基板を用いる周辺回路を含む大容量モジュール |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0483737A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-17 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体磁器組成物及びその製造法並びにそれを用いた配線基板 |
JPH05211006A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-08-20 | Tdk Corp | 高周波誘電体材料ならびに共振器およびその製造方法 |
JPH09307206A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Tdk Corp | 多層セラミックス部品 |
JP2000264677A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | ガラス組成物、それを用いたペ−スト、グリ−ンシ−ト、絶縁体、pdp用隔壁およびpdp |
JP2003212646A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Narumi China Corp | ガラスセラミックス用組成物及び高誘電率ガラスセラミックス基板及びコンデンサ内蔵セラミックス多層配線基板 |
JP2006012687A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Tdk Corp | 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 |
JP2006008467A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Tdk Corp | 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 |
-
2005
- 2005-03-24 JP JP2005085226A patent/JP4655715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0483737A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-17 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体磁器組成物及びその製造法並びにそれを用いた配線基板 |
JPH05211006A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-08-20 | Tdk Corp | 高周波誘電体材料ならびに共振器およびその製造方法 |
JPH09307206A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Tdk Corp | 多層セラミックス部品 |
JP2000264677A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Mitsubishi Materials Corp | ガラス組成物、それを用いたペ−スト、グリ−ンシ−ト、絶縁体、pdp用隔壁およびpdp |
JP2003212646A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Narumi China Corp | ガラスセラミックス用組成物及び高誘電率ガラスセラミックス基板及びコンデンサ内蔵セラミックス多層配線基板 |
JP2006012687A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Tdk Corp | 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 |
JP2006008467A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Tdk Corp | 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006265033A (ja) | 2006-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8263230B2 (en) | Ceramic composition, ceramic green sheet, and ceramic electronic component | |
JP5104761B2 (ja) | セラミック基板およびその製造方法 | |
WO2009113475A1 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層型セラミック電子部品 | |
JP5316545B2 (ja) | ガラスセラミック組成物およびガラスセラミック基板 | |
JP4295682B2 (ja) | 多層配線基板 | |
JPWO2013121928A1 (ja) | 複合積層セラミック電子部品 | |
JPWO2008018408A1 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層セラミック電子部品 | |
JPWO2008018407A1 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層セラミック電子部品 | |
KR100485736B1 (ko) | 유리 세라믹 조성물, 유리 세라믹 소결체 및 세라믹 다층기판 | |
JP2001114554A (ja) | 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板 | |
JPWO2013121929A1 (ja) | 複合積層セラミック電子部品 | |
US7307032B2 (en) | Low-temperature co-fired ceramics material and multilayer wiring board using the same | |
JP4145262B2 (ja) | 積層セラミック基板 | |
JP4655715B2 (ja) | 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 | |
JP4166731B2 (ja) | 低温焼成基板材料及びそれを用いた多層配線基板 | |
JP4699769B2 (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
JPH034594A (ja) | コンデンサー内蔵複合回路基板 | |
WO2022191020A1 (ja) | ガラスセラミック材料、積層体、及び、電子部品 | |
JP4281549B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品 | |
JP7056764B2 (ja) | ガラスセラミック材料、積層体、及び、電子部品 | |
JP3315182B2 (ja) | セラミック基板用組成物 | |
JP3315233B2 (ja) | セラミック基板用組成物 | |
JP2652229B2 (ja) | 積層回路セラミック基板 | |
JP4345458B2 (ja) | ガラスセラミック基板 | |
JP4514301B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101130 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101213 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4655715 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |