JPS628882B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS628882B2 JPS628882B2 JP57225429A JP22542982A JPS628882B2 JP S628882 B2 JPS628882 B2 JP S628882B2 JP 57225429 A JP57225429 A JP 57225429A JP 22542982 A JP22542982 A JP 22542982A JP S628882 B2 JPS628882 B2 JP S628882B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- powder
- conductor
- conductive paste
- paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
技術分野
本発明は、ニツケルを主成分とする焼付型導電
ペーストに関し、更に詳細には、多層セラミツク
回路装置の外部又は内部における配線、端子、電
極等の導体をセラミツク生シート即ちセラミツク
グリーンシートと同時焼成して形成する場合に使
用するための焼付型導電ペーストに関する。 従来技術 多層セラミツク回路装置の集積度を増すため
に、多層セラミツク体の露出表面に厚膜コンデン
サ若しくは厚膜抵抗等が形成されるようになつ
た。従来、このような多層セラミツク回路装置の
導体は銀（70％）−パラジウム（30％）を主成分
とする焼付型導電ペーストによつて形成した。 しかしながら、銀パラジウムペーストは、比抵
抗の高いパラジウムを３割も含むため、焼結させ
て導体とした時、シート抵抗が35ｍΩ／□と高い
ものとなつてしまつた。また、銀パラジウムペー
ストは高価であつた。このため、ニツケル等の卑
金属のペーストで電極を形成することが試みられ
ている。しかし、単にニツケル粉末のペーストを
作つても、所望の特性を有する導体を形成するこ
とは不可能であつた。即ちニツケルを主成分とす
る導電ペーストにおいては、酸化雰囲気中で焼結
した場合、330℃前後の温度から酸化が激しくな
り、また還元又は中性雰囲気中では1300℃附近の
温度から凝集し粒状に成長して導電性を喪失す
る。 多層セラミツク回路装置の内部及び外部の導体
を形成するための導電性ペーストには次の条件が
要求される。 (1) セラミツク体の焼成と同時に導体を形成させ
るため、導電ペーストは約1050℃〜1400℃の温
度で焼結可能なこと。 (2) 導体が形成されたセラミツク体に、更に厚膜
コンデンサや厚膜抵抗等を形成するため、導電
ペーストから形成された導体は大気雰囲気（酸
化雰囲気）中で約1000℃の熱処理を施しても抵
抗率が小さいこと。 (3) (1)の焼結及び(2)の熱処理の後においても導体
の剥離強度は１Kg／mm2以上であること。 発明の目的 そこで本発明の目的は、上記条件を満足する焼
付型導電性ペーストを提供することにある。 発明の構成 上記目的を達成するための本発明はニツケル
（Ni）紛末が70〜99重量％と、アルミニウム
（Al）、及びタンタル（Ta）の内の少なくとも１
種からなる付加粉末が0.5〜29.9重量％と、ガラ
スフリツトが0.1〜20重量％とで100重量％となる
基本組成物と、ペースト状にするための適当量の
ビヒクルとから成る導電性ペーストに係わるもの
である。 発明の効果 上記発明によれば、アルミニウム、タンタルか
らなる付加粉末が凝集抑止の働きをなし、シート
抵抗25ｍΩ／□以下、剥離強度１Kg／mm2以上でか
つ異常な粒状成長を生じない導体を得ることが可
能な導電ペーストを提供することが出来る。 実施例 次に本発明の実施例について述べる。 実施例 １ 平均粒径５μｍのNi粉末、平均粒径５μｍの
Al粉末、平均粒径３μのCaO−BaO−SiO2ガラ
スフリツト（融点1000℃）を第１表に示す割合に
秤量して配合し、この配合物100重量部に対して
エチルセルロース６重量部およびα−ターピネオ
ール33重量部をビヒクルとして加え、３段式ロー
ルミルで混練して導電性ペーストの試料をそれぞ
れ作成した。 次にAl2O3粉末50重量部、SiO2粉末20重量部、
SrO粉末25重量部、Li2O粉末１重量部、及び
MgO粉末４重量部から成るセラミツク原料、ア
クリル酸エステルポリマーの水溶性からなるバイ
ンダ、グリセリン、カルボン酸塩及び水をそれぞ
れ添加し、ボールミルにて混合してスリツプを作
成し、脱泡処理した後にドクターブレード法によ
り厚さ200μのセラミツク生シートを作製した。
そして乾燥した後にプレスにて長方形状に打ち抜
いた。 次にこの生シート上に、導電性ペーストを325
メツシユのスクリーンを使用して第１図に示すパ
ターンに印刷し、125℃で10分乾燥し、４枚を積
層して熱圧着させた後に、空気雰囲気中での900
℃の熱処理でバインダをとばし、N2（98.5容積
％）＋H2（1.5容積％）の雰囲気中で1200℃、２時
間焼成し、第１図及び第２図に示す磁器１と導体
２とから成る試料を作製した。次に各層の導体２
の２ａ〜２ｂ間（幅0.2mm、厚さ15μ、長さ20
mm）の抵抗値を抵抗ブリツジで測定し、計算によ
りシート抵抗S1を求め、次いで空気雰囲気中で
1000℃、30分の加熱処理を５回繰返した後、上記
と同じ測定方法でシート抵抗S2を求めたところ、
第１表の結果が得られた。尚内部の層の抵抗は予
め設けたスルーホール（図示せず）を使用して測
定した。 また上記と同一の生シートを四角形に打ち抜
き、その中央に上記の導電性ペーストを同様にし
て印刷し、上記と同様に焼成し、第３図及び第４
図に示す如く磁器３と導体４とから成る試料を作
り、焼結後寸法が２mmの導体４に第４図に示すよ
うに0.6mmの銅線５のリング状端部を30mmｇの半
田６で固着させ、銅線５にバネ計りを結合させて
引張強度Ｔ（Kg／mm）を測定したところ、第１表
の結果が得られた。尚本実施例及びこの後に述べ
る各実施例の各表に於いて、シート抵抗S1及びS2
の測定試料と引張強度Ｔの測定試料とは別の試料
であるが、磁器及び導体が同一であるので、同一
試料番号が付され同一欄に示されている。また、
各実施例の各表に於けるシート抵抗S1及びS2の単
位はｍΩ／□であり、引張強度Ｔの単位はKg／mm
である。
ペーストに関し、更に詳細には、多層セラミツク
回路装置の外部又は内部における配線、端子、電
極等の導体をセラミツク生シート即ちセラミツク
グリーンシートと同時焼成して形成する場合に使
用するための焼付型導電ペーストに関する。 従来技術 多層セラミツク回路装置の集積度を増すため
に、多層セラミツク体の露出表面に厚膜コンデン
サ若しくは厚膜抵抗等が形成されるようになつ
た。従来、このような多層セラミツク回路装置の
導体は銀（70％）−パラジウム（30％）を主成分
とする焼付型導電ペーストによつて形成した。 しかしながら、銀パラジウムペーストは、比抵
抗の高いパラジウムを３割も含むため、焼結させ
て導体とした時、シート抵抗が35ｍΩ／□と高い
ものとなつてしまつた。また、銀パラジウムペー
ストは高価であつた。このため、ニツケル等の卑
金属のペーストで電極を形成することが試みられ
ている。しかし、単にニツケル粉末のペーストを
作つても、所望の特性を有する導体を形成するこ
とは不可能であつた。即ちニツケルを主成分とす
る導電ペーストにおいては、酸化雰囲気中で焼結
した場合、330℃前後の温度から酸化が激しくな
り、また還元又は中性雰囲気中では1300℃附近の
温度から凝集し粒状に成長して導電性を喪失す
る。 多層セラミツク回路装置の内部及び外部の導体
を形成するための導電性ペーストには次の条件が
要求される。 (1) セラミツク体の焼成と同時に導体を形成させ
るため、導電ペーストは約1050℃〜1400℃の温
度で焼結可能なこと。 (2) 導体が形成されたセラミツク体に、更に厚膜
コンデンサや厚膜抵抗等を形成するため、導電
ペーストから形成された導体は大気雰囲気（酸
化雰囲気）中で約1000℃の熱処理を施しても抵
抗率が小さいこと。 (3) (1)の焼結及び(2)の熱処理の後においても導体
の剥離強度は１Kg／mm2以上であること。 発明の目的 そこで本発明の目的は、上記条件を満足する焼
付型導電性ペーストを提供することにある。 発明の構成 上記目的を達成するための本発明はニツケル
（Ni）紛末が70〜99重量％と、アルミニウム
（Al）、及びタンタル（Ta）の内の少なくとも１
種からなる付加粉末が0.5〜29.9重量％と、ガラ
スフリツトが0.1〜20重量％とで100重量％となる
基本組成物と、ペースト状にするための適当量の
ビヒクルとから成る導電性ペーストに係わるもの
である。 発明の効果 上記発明によれば、アルミニウム、タンタルか
らなる付加粉末が凝集抑止の働きをなし、シート
抵抗25ｍΩ／□以下、剥離強度１Kg／mm2以上でか
つ異常な粒状成長を生じない導体を得ることが可
能な導電ペーストを提供することが出来る。 実施例 次に本発明の実施例について述べる。 実施例 １ 平均粒径５μｍのNi粉末、平均粒径５μｍの
Al粉末、平均粒径３μのCaO−BaO−SiO2ガラ
スフリツト（融点1000℃）を第１表に示す割合に
秤量して配合し、この配合物100重量部に対して
エチルセルロース６重量部およびα−ターピネオ
ール33重量部をビヒクルとして加え、３段式ロー
ルミルで混練して導電性ペーストの試料をそれぞ
れ作成した。 次にAl2O3粉末50重量部、SiO2粉末20重量部、
SrO粉末25重量部、Li2O粉末１重量部、及び
MgO粉末４重量部から成るセラミツク原料、ア
クリル酸エステルポリマーの水溶性からなるバイ
ンダ、グリセリン、カルボン酸塩及び水をそれぞ
れ添加し、ボールミルにて混合してスリツプを作
成し、脱泡処理した後にドクターブレード法によ
り厚さ200μのセラミツク生シートを作製した。
そして乾燥した後にプレスにて長方形状に打ち抜
いた。 次にこの生シート上に、導電性ペーストを325
メツシユのスクリーンを使用して第１図に示すパ
ターンに印刷し、125℃で10分乾燥し、４枚を積
層して熱圧着させた後に、空気雰囲気中での900
℃の熱処理でバインダをとばし、N2（98.5容積
％）＋H2（1.5容積％）の雰囲気中で1200℃、２時
間焼成し、第１図及び第２図に示す磁器１と導体
２とから成る試料を作製した。次に各層の導体２
の２ａ〜２ｂ間（幅0.2mm、厚さ15μ、長さ20
mm）の抵抗値を抵抗ブリツジで測定し、計算によ
りシート抵抗S1を求め、次いで空気雰囲気中で
1000℃、30分の加熱処理を５回繰返した後、上記
と同じ測定方法でシート抵抗S2を求めたところ、
第１表の結果が得られた。尚内部の層の抵抗は予
め設けたスルーホール（図示せず）を使用して測
定した。 また上記と同一の生シートを四角形に打ち抜
き、その中央に上記の導電性ペーストを同様にし
て印刷し、上記と同様に焼成し、第３図及び第４
図に示す如く磁器３と導体４とから成る試料を作
り、焼結後寸法が２mmの導体４に第４図に示すよ
うに0.6mmの銅線５のリング状端部を30mmｇの半
田６で固着させ、銅線５にバネ計りを結合させて
引張強度Ｔ（Kg／mm）を測定したところ、第１表
の結果が得られた。尚本実施例及びこの後に述べ
る各実施例の各表に於いて、シート抵抗S1及びS2
の測定試料と引張強度Ｔの測定試料とは別の試料
であるが、磁器及び導体が同一であるので、同一
試料番号が付され同一欄に示されている。また、
各実施例の各表に於けるシート抵抗S1及びS2の単
位はｍΩ／□であり、引張強度Ｔの単位はKg／mm
である。
【表】
【表】
第１表から明らかなように、Al 0.5〜29.9重量
％の範囲で添加することにより、熱処理前シート
抵抗S1及び熱処理後シート抵抗S2が25ｍΩ／□以
下、Ｔが１Kg／mm2以上の電極導体を磁器に形成す
ることが出来た。即ち従来の銀パラジウム電極の
シート抵抗（35ｍΩ／□）より大幅にシート抵抗
S1及びS2の小さい導体を得ることが出来た。 尚、Alが0.5重量％未満ではAl、Ni固溶体がで
きにくく粒子の異常成長及び酸化が防止できず、
引張強度Ｔが１Kg／mm2未満となる。またAlが29.9
重量％を越えると、シート抵抗が25ｍΩ／□を越
える。従つて、Alを0.5〜29.9重量％の範囲にす
ることが望ましい。また、ガラスフリツトが0.1
重量％未満であると、酸化防止のための添加効果
がなく、Ｔが１Kg／mm2未満となり、20重量％を越
えるとS1及びS2が25ｍΩ／□を越える。従つて、
ガラスフリツトを0.1〜20重量％の範囲にするこ
とが望ましい。このため試料番号16、20、25、29
は本発明の範囲外のものである。 実施例 ２ 実施例１のAl粉末の代りにTa（タンタル）粉
末を使用した他は、実施例１と同一にして、ペー
ストを作り、S1、S2、Ｔを測定したところ第２表
の結果が得られた。
％の範囲で添加することにより、熱処理前シート
抵抗S1及び熱処理後シート抵抗S2が25ｍΩ／□以
下、Ｔが１Kg／mm2以上の電極導体を磁器に形成す
ることが出来た。即ち従来の銀パラジウム電極の
シート抵抗（35ｍΩ／□）より大幅にシート抵抗
S1及びS2の小さい導体を得ることが出来た。 尚、Alが0.5重量％未満ではAl、Ni固溶体がで
きにくく粒子の異常成長及び酸化が防止できず、
引張強度Ｔが１Kg／mm2未満となる。またAlが29.9
重量％を越えると、シート抵抗が25ｍΩ／□を越
える。従つて、Alを0.5〜29.9重量％の範囲にす
ることが望ましい。また、ガラスフリツトが0.1
重量％未満であると、酸化防止のための添加効果
がなく、Ｔが１Kg／mm2未満となり、20重量％を越
えるとS1及びS2が25ｍΩ／□を越える。従つて、
ガラスフリツトを0.1〜20重量％の範囲にするこ
とが望ましい。このため試料番号16、20、25、29
は本発明の範囲外のものである。 実施例 ２ 実施例１のAl粉末の代りにTa（タンタル）粉
末を使用した他は、実施例１と同一にして、ペー
ストを作り、S1、S2、Ｔを測定したところ第２表
の結果が得られた。
【表】
この第２表から明らかなように、Taを使用し
ても実施例１と同様な作用効果を得ることができ
る。尚第２表で試料番号43、48、53は本発明の範
囲外のものである。
ても実施例１と同様な作用効果を得ることができ
る。尚第２表で試料番号43、48、53は本発明の範
囲外のものである。
第１図は本発明の実施例１に係わる磁器及び電
極を示す平面図、第２図は第１図の正面図、第３
図は実施例１でＴを測定するための試料の平面
図、第４図はＴの測定状態を示す断面図である。 １……磁気、２……導体。
極を示す平面図、第２図は第１図の正面図、第３
図は実施例１でＴを測定するための試料の平面
図、第４図はＴの測定状態を示す断面図である。 １……磁気、２……導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ニツケル粉末70〜99重量％と、 アルミニウム及びタンタルの内の少なくとも１
種からなる付加粉末0.5〜29.9重量％と、 ガラスフリツト0.1〜20重量％と で100重量％となる基本組成物と、 ペースト状態にするための適当量のビヒクル
と、から成る焼付型導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22542982A JPS59114703A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 焼付型導電性ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22542982A JPS59114703A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 焼付型導電性ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59114703A JPS59114703A (ja) | 1984-07-02 |
| JPS628882B2 true JPS628882B2 (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16829227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22542982A Granted JPS59114703A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 焼付型導電性ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59114703A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121205A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | 太陽誘電株式会社 | 導電ペ−スト |
| DE69133413D1 (de) * | 1990-05-07 | 2004-10-21 | Canon Kk | Substratträger des Vakuumtyps |
| JP4513981B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-07-28 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4057777A (en) * | 1975-11-19 | 1977-11-08 | Trw Inc. | Termination for electrical resistor and method of making same |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP22542982A patent/JPS59114703A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59114703A (ja) | 1984-07-02 |
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