JP3127797B2 - コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板Info
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、コンデンサを内蔵
したガラスセラミック基板、特にガラスセラミック絶縁
層、コンデンサ用電極、その他の回路用配線等を同時焼
成して得るコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板に関す
る。
したガラスセラミック基板、特にガラスセラミック絶縁
層、コンデンサ用電極、その他の回路用配線等を同時焼
成して得るコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ガラス粉末とセラミックフィラーの混合
物から作製したグリーンシートにＡｇペースト、コンデ
ンサペーストを用いて所定のパターンを形成し、複数枚
積層して８００〜１０００℃で焼成して得られるコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック基板（多層配線基板）があ
る。このようなコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
は、リード付きコンデンサやチップコンデンサを、基板
上に半田付けしたものに比べて小型高密度化が可能なた
め、電子機器の小型化に貢献するものと期待されてい
る。
物から作製したグリーンシートにＡｇペースト、コンデ
ンサペーストを用いて所定のパターンを形成し、複数枚
積層して８００〜１０００℃で焼成して得られるコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック基板（多層配線基板）があ
る。このようなコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
は、リード付きコンデンサやチップコンデンサを、基板
上に半田付けしたものに比べて小型高密度化が可能なた
め、電子機器の小型化に貢献するものと期待されてい
る。
【０００３】従来、コンデンサ内蔵のセラミック多層配
線基板においては、そのコンデンサに用いる材料とし
て、低温焼成可能な鉛ペロブスカイト系複合材料を主成
分としたものについて数々の研究が行われている。その
代表的なものとして、例えばＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ2/3
Ｗ1/3 ）Ｏ3 等の材料があり、それらの誘電率は単独で
は各々１２０００、２４０００、２００００と高い値が
得られている。
線基板においては、そのコンデンサに用いる材料とし
て、低温焼成可能な鉛ペロブスカイト系複合材料を主成
分としたものについて数々の研究が行われている。その
代表的なものとして、例えばＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ2/3
Ｗ1/3 ）Ｏ3 等の材料があり、それらの誘電率は単独で
は各々１２０００、２４０００、２００００と高い値が
得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の鉛ペロブスカイト系複合材料をガラスセラミック基
板に内蔵すると、焼成時に酸化硼素やシリカなどのガラ
ス成分の誘電体層中への拡散がおこり、焼成後のコンデ
ンサが所望の誘電特性を満たさないことがあった。例え
ば、鉛ペロブスカイト系複合材料Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 の誘電率は単独では上記のように１２０００
であるが、低温焼成基板に内蔵すると３０程度に低下し
てしまう。これを改善する方法として、従来たとえばコ
ンデンサ用電極とガラスセラミック絶縁層との間にバリ
ア層を印刷等により設けて拡散を抑制する方法が提案さ
れているが、バリア層を形成するための工程数が増加す
る等の不具合がある。
来の鉛ペロブスカイト系複合材料をガラスセラミック基
板に内蔵すると、焼成時に酸化硼素やシリカなどのガラ
ス成分の誘電体層中への拡散がおこり、焼成後のコンデ
ンサが所望の誘電特性を満たさないことがあった。例え
ば、鉛ペロブスカイト系複合材料Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 の誘電率は単独では上記のように１２０００
であるが、低温焼成基板に内蔵すると３０程度に低下し
てしまう。これを改善する方法として、従来たとえばコ
ンデンサ用電極とガラスセラミック絶縁層との間にバリ
ア層を印刷等により設けて拡散を抑制する方法が提案さ
れているが、バリア層を形成するための工程数が増加す
る等の不具合がある。
【０００５】本発明は上記の問題点に鑑みて提案された
もので、上記従来のように工程数を増加させることな
く、焼成時に酸化硼素やシリカなどのガラス成分が誘電
体層中へ拡散するのを防止して、高誘電率で誘電損失の
少ないコンデンサ内蔵のガラスセラミック多層配線基板
を提供することを目的とする。
もので、上記従来のように工程数を増加させることな
く、焼成時に酸化硼素やシリカなどのガラス成分が誘電
体層中へ拡散するのを防止して、高誘電率で誘電損失の
少ないコンデンサ内蔵のガラスセラミック多層配線基板
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明によるコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
は、以下の構成としたものである。
めに本発明によるコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
は、以下の構成としたものである。
【０００７】即ち、ガラスセラミック絶縁層、コンデン
サ用電極、その他の回路用配線等を同時焼成して得るコ
ンデンサ内蔵ガラスセラミック基板において、上記コン
デンサ用電極は、球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉とを含
有する導体ペーストを焼成して形成されていることを特
徴とする。
サ用電極、その他の回路用配線等を同時焼成して得るコ
ンデンサ内蔵ガラスセラミック基板において、上記コン
デンサ用電極は、球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉とを含
有する導体ペーストを焼成して形成されていることを特
徴とする。
【０００８】
【作用】上記のようにコンデンサ用電極を形成する導体
ペーストに、球状Ａｇ粉とともにフレーク状Ａｇ粉を含
有させたことによって、焼成時に電極層が緻密化され、
ガラス成分の誘電体層中への拡散が抑制される。それに
よって誘電率の低下が防止され、高誘電率で誘電特性の
優れたコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板を提供する
ことが可能となる。
ペーストに、球状Ａｇ粉とともにフレーク状Ａｇ粉を含
有させたことによって、焼成時に電極層が緻密化され、
ガラス成分の誘電体層中への拡散が抑制される。それに
よって誘電率の低下が防止され、高誘電率で誘電特性の
優れたコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板を提供する
ことが可能となる。
【０００９】なお上記の球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉
の混合比率（重量比率）は、２０：８０〜８０：２０の
範囲内、すなわち球状Ａｇ粉２０〜８０ｗｔ％に対し
て、フレークＡｇ粉は８０〜２０ｗｔ％とするのが望ま
しい。フレーク状Ａｇ粉が８０ｗｔ％を越えるか２０ｗ
ｔ％未満であると、電極層があまり緻密化せずガラス成
分が拡散してコンデンサの容量が低下するからである。
の混合比率（重量比率）は、２０：８０〜８０：２０の
範囲内、すなわち球状Ａｇ粉２０〜８０ｗｔ％に対し
て、フレークＡｇ粉は８０〜２０ｗｔ％とするのが望ま
しい。フレーク状Ａｇ粉が８０ｗｔ％を越えるか２０ｗ
ｔ％未満であると、電極層があまり緻密化せずガラス成
分が拡散してコンデンサの容量が低下するからである。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板（多層配線基板）の具体的な構
成の一例を示す焼成後の断面図である。図において、１
はガラスセラミックよりなる絶縁層、２はコンデンサで
ある。そのコンデンサ２は一対の電極２１と、その両電
極２１・２１間に介在させた誘電体層２２とよりなる。
３は上記各電極２１に導電接続させたビア導体である。
蔵ガラスセラミック基板（多層配線基板）の具体的な構
成の一例を示す焼成後の断面図である。図において、１
はガラスセラミックよりなる絶縁層、２はコンデンサで
ある。そのコンデンサ２は一対の電極２１と、その両電
極２１・２１間に介在させた誘電体層２２とよりなる。
３は上記各電極２１に導電接続させたビア導体である。
【００１１】上記のようなコンデンサを内蔵したガラス
セラミック多層配線基板を製造するに当たっては、例え
ば絶縁層１を構成する複数枚のガラスセラミックグリー
ンシートに予めコンデンサ２の電極２１や誘電体層２２
およびビア導体３さらに必要に応じて図に省略した所望
の配線パターン等を形成した後、それらのガラスセラミ
ックグリーンシートを積層して焼成する。この場合、コ
ンデンサ２は、例えばセラミックグリーンシート上に電
極２１を印刷等で形成した後に、その上に誘電体層２２
となる誘電体ペーストを印刷等で形成し、さらにその上
に電極２１を印刷等して形成する。またビア導体３は、
ビア孔を形成した後に導体ペーストを充填して形成すれ
ばよい。
セラミック多層配線基板を製造するに当たっては、例え
ば絶縁層１を構成する複数枚のガラスセラミックグリー
ンシートに予めコンデンサ２の電極２１や誘電体層２２
およびビア導体３さらに必要に応じて図に省略した所望
の配線パターン等を形成した後、それらのガラスセラミ
ックグリーンシートを積層して焼成する。この場合、コ
ンデンサ２は、例えばセラミックグリーンシート上に電
極２１を印刷等で形成した後に、その上に誘電体層２２
となる誘電体ペーストを印刷等で形成し、さらにその上
に電極２１を印刷等して形成する。またビア導体３は、
ビア孔を形成した後に導体ペーストを充填して形成すれ
ばよい。
【００１２】上記のガラスセラミックグリーンシートに
用いるガラスセラミック粉末としては、例えば１１００
℃以下で充分に焼結するものを用いればよく、その材質
は適宜であり、ガラス粉末としては、例えば酸化鉛、酸
化亜鉛、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物
等を含有するアルミノ硼珪酸ガラスで軟化点が６００〜
８００℃の非晶質ガラス粉末、あるいは６００〜１１０
０℃で結晶化する結晶化ガラス等が使用できる。又これ
にアルミナ、ジルコン、ムライト、コージェライト、ア
ノーサイト、シリカ等のセラミックフィラーを混合して
もよい。その場合の混合比率は、ガラスセラミック基板
の坑折強度、誘電率、緻密性等の性能を勘案して適宜調
整すればよく、一般的に重量比で約１：１が好ましい。
用いるガラスセラミック粉末としては、例えば１１００
℃以下で充分に焼結するものを用いればよく、その材質
は適宜であり、ガラス粉末としては、例えば酸化鉛、酸
化亜鉛、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物
等を含有するアルミノ硼珪酸ガラスで軟化点が６００〜
８００℃の非晶質ガラス粉末、あるいは６００〜１１０
０℃で結晶化する結晶化ガラス等が使用できる。又これ
にアルミナ、ジルコン、ムライト、コージェライト、ア
ノーサイト、シリカ等のセラミックフィラーを混合して
もよい。その場合の混合比率は、ガラスセラミック基板
の坑折強度、誘電率、緻密性等の性能を勘案して適宜調
整すればよく、一般的に重量比で約１：１が好ましい。
【００１３】上記のガラスセラミックグリーンシート
は、ガラスセラミック粉末をスラリーに調整後、ドクタ
ーブレード等を用いてシート状に形成するもので、その
厚さは、作成すべき基板の焼成後の厚さを勘案して適宜
設定すればよく、例えば３０〜２００μｍ程度に成形す
る。また上記のスラリーに調整するには、ガラスセラミ
ック粉末にバインダや可塑剤および溶剤を加えて、ボー
ルミルやアトライタ等で混合して得ればよい。そのバイ
ンダとしては、例えばポリビニルブチラール、メタアク
リルポリマ、アクリルポリマ等を使用することができ
る。また可塑剤としてはフタル酸の誘導体等を、また溶
剤としてはアルコール類、ケトン類、塩素系有機溶剤等
をそれぞれ使用することができる。
は、ガラスセラミック粉末をスラリーに調整後、ドクタ
ーブレード等を用いてシート状に形成するもので、その
厚さは、作成すべき基板の焼成後の厚さを勘案して適宜
設定すればよく、例えば３０〜２００μｍ程度に成形す
る。また上記のスラリーに調整するには、ガラスセラミ
ック粉末にバインダや可塑剤および溶剤を加えて、ボー
ルミルやアトライタ等で混合して得ればよい。そのバイ
ンダとしては、例えばポリビニルブチラール、メタアク
リルポリマ、アクリルポリマ等を使用することができ
る。また可塑剤としてはフタル酸の誘導体等を、また溶
剤としてはアルコール類、ケトン類、塩素系有機溶剤等
をそれぞれ使用することができる。
【００１４】上記のようにして作成したガラスセラミッ
クグリーンシートには、前述のように予めコンデンサ２
やビア導体３さらに必要に応じて図に省略した所望の配
線パターン等を形成するもので、特に本発明においては
コンデンサ２の電極２１を形成するための導体ペースト
に前述のように球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉とを混合
したものを用いる。
クグリーンシートには、前述のように予めコンデンサ２
やビア導体３さらに必要に応じて図に省略した所望の配
線パターン等を形成するもので、特に本発明においては
コンデンサ２の電極２１を形成するための導体ペースト
に前述のように球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉とを混合
したものを用いる。
【００１５】その球状およびフレーク状Ａｇ粉の粒径
は、コンデンサ用電極を例えばスクリーン印刷等で形成
する際にスクリーンを容易に通過できればよく、球状Ａ
ｇ粉の平均粒径は０．１〜１μｍ程度、フレーク状Ａｇ
粉の平均粒径（平均長径）は１〜５μｍ程度が好まし
い。またフレーク状Ａｇ粉の長径を厚さで割ったアスペ
クト比は５〜４０程度が好ましい。アスペクト比が５未
満または４０よりも大きいと電極層を緻密化する効果が
少ないからである。
は、コンデンサ用電極を例えばスクリーン印刷等で形成
する際にスクリーンを容易に通過できればよく、球状Ａ
ｇ粉の平均粒径は０．１〜１μｍ程度、フレーク状Ａｇ
粉の平均粒径（平均長径）は１〜５μｍ程度が好まし
い。またフレーク状Ａｇ粉の長径を厚さで割ったアスペ
クト比は５〜４０程度が好ましい。アスペクト比が５未
満または４０よりも大きいと電極層を緻密化する効果が
少ないからである。
【００１６】上記の球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉とを
混合し、これにバインダを混練して導体ペーストを作製
するもので、具体的には例えば球状Ａｇ粉とフレーク状
Ａｇ粉との混合粉末１００重量部に対してビヒクルを２
０〜３０重量部程度加え、スリーロールミル等で混合す
る。そのビヒクルの特性は、特に限定されないが、エチ
ルセルロース４〜８ｗｔ％のターピネオール溶液を使用
することができる。またペーストの粘度は、２００〜３
００Ｐａ・Ｓとすれば印刷に好適である。
混合し、これにバインダを混練して導体ペーストを作製
するもので、具体的には例えば球状Ａｇ粉とフレーク状
Ａｇ粉との混合粉末１００重量部に対してビヒクルを２
０〜３０重量部程度加え、スリーロールミル等で混合す
る。そのビヒクルの特性は、特に限定されないが、エチ
ルセルロース４〜８ｗｔ％のターピネオール溶液を使用
することができる。またペーストの粘度は、２００〜３
００Ｐａ・Ｓとすれば印刷に好適である。
【００１７】一方、コンデンサ２の誘電体層２２を形成
する誘電体ペーストとしては、前述のような鉛ペロブス
カイト系複合材料を主成分としたもの等を用いることが
できる。それらの材料を上記導体ペーストと同様の要領
でペースト状にすればよい。また前記のビア導体３や配
線パターン等を形成する導体ペーストとしては上記と同
様にＡｇ粉等を含有するペーストを用いればよく、その
場合フレーク状のＡｇ粉を含有するものでも含有しない
ものでもいずれでもよい。
する誘電体ペーストとしては、前述のような鉛ペロブス
カイト系複合材料を主成分としたもの等を用いることが
できる。それらの材料を上記導体ペーストと同様の要領
でペースト状にすればよい。また前記のビア導体３や配
線パターン等を形成する導体ペーストとしては上記と同
様にＡｇ粉等を含有するペーストを用いればよく、その
場合フレーク状のＡｇ粉を含有するものでも含有しない
ものでもいずれでもよい。
【００１８】なお、上記のコンデンサ電極２１を形成す
るために導体ペーストを印刷等する際の厚さは、あまり
薄いと前記のガラス成分の拡散抑制効果が少なく、あま
り厚いと表面に凹凸がでてしまうので、７〜１５μｍ程
度が望ましい。また誘電体層２２を形成するための誘電
体ペーストの厚さは、あまり薄いとショートしてしま
い、厚いと表面に凹凸がでてしまうので、３０〜４０μ
ｍ程度が望ましい。
るために導体ペーストを印刷等する際の厚さは、あまり
薄いと前記のガラス成分の拡散抑制効果が少なく、あま
り厚いと表面に凹凸がでてしまうので、７〜１５μｍ程
度が望ましい。また誘電体層２２を形成するための誘電
体ペーストの厚さは、あまり薄いとショートしてしま
い、厚いと表面に凹凸がでてしまうので、３０〜４０μ
ｍ程度が望ましい。
【００１９】次に、上記のようにして予めコンデンサ２
やビア導体３および配線パターン等を形成したガラスセ
ラミックグリーンシートを複数枚積層した後、ホットプ
レス機等で一体化して焼成する。そのときのホットプレ
ス機等による圧力は、例えば５０〜３００ｋｇ／ｃｍ
2 、温度は６０〜９０℃程度とする。また焼成は、例え
ば４５０〜６００℃程度に加熱してバインダ等の有機物
を除去した後、１１００℃以下、例えば８００から１０
００℃で行えばよい。
やビア導体３および配線パターン等を形成したガラスセ
ラミックグリーンシートを複数枚積層した後、ホットプ
レス機等で一体化して焼成する。そのときのホットプレ
ス機等による圧力は、例えば５０〜３００ｋｇ／ｃｍ
2 、温度は６０〜９０℃程度とする。また焼成は、例え
ば４５０〜６００℃程度に加熱してバインダ等の有機物
を除去した後、１１００℃以下、例えば８００から１０
００℃で行えばよい。
【００２０】
【実施例】前記図１に示すようなコンデンサ内蔵ガラス
セラミック多層配線基板を作製するに当たり、ガラスセ
ラミックグリーンシートを形成するためのガラスセラミ
ック粉末として、下記表１に示す組成のガラス粉末（平
均粒径２．２μｍ）と、アルミナ粉末（平均粒径１．７
μｍ）を５０：５０の比率で混合した。
セラミック多層配線基板を作製するに当たり、ガラスセ
ラミックグリーンシートを形成するためのガラスセラミ
ック粉末として、下記表１に示す組成のガラス粉末（平
均粒径２．２μｍ）と、アルミナ粉末（平均粒径１．７
μｍ）を５０：５０の比率で混合した。
【００２１】
【００２２】上記の混合粉末１００重量部に対して、ボ
リビニルブチラール９重量部、フタル酸ジイソブチル７
重量部、オレイン酸１重量部、イソプロピルアルコール
４０重量部、トリクロロエタン２０重量部を加えてボー
ルミルで２４時間混合してスラリーを製作した。そのス
ラリーをドクターブレード法でシート状に成形してガラ
スセラミックグリーンシートを作製した。そのガラスセ
ラミックグリーンシートの厚さは２３２μｍであった。
リビニルブチラール９重量部、フタル酸ジイソブチル７
重量部、オレイン酸１重量部、イソプロピルアルコール
４０重量部、トリクロロエタン２０重量部を加えてボー
ルミルで２４時間混合してスラリーを製作した。そのス
ラリーをドクターブレード法でシート状に成形してガラ
スセラミックグリーンシートを作製した。そのガラスセ
ラミックグリーンシートの厚さは２３２μｍであった。
【００２３】一方、コンデンサ２の電極２１を形成する
ための導体ペーストとしては、平均粒径０．１〜１μｍ
の球状Ａｇ粉と、平均粒径（平均長径）１〜５μｍ、ア
スペクト比３０のフレークＡｇ粉とを種々の割合（重量
比）で混合し、それらの各混合粉末１００重量部を、そ
れぞれエチルセルロース６ｗｔ％のターピネオール溶液
３０重量部とともにスリーロールミルで混練したものを
用いた。
ための導体ペーストとしては、平均粒径０．１〜１μｍ
の球状Ａｇ粉と、平均粒径（平均長径）１〜５μｍ、ア
スペクト比３０のフレークＡｇ粉とを種々の割合（重量
比）で混合し、それらの各混合粉末１００重量部を、そ
れぞれエチルセルロース６ｗｔ％のターピネオール溶液
３０重量部とともにスリーロールミルで混練したものを
用いた。
【００２４】またコンデンサ２の誘電体層２２を形成す
るための誘電体ペーストとしては、平均粒径０．３μｍ
のＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末１００重量部をエ
チルセルロース８ｗｔ％のターピネオール溶液３０重量
部とともにスリーロールミルで混練したものを用いた。
るための誘電体ペーストとしては、平均粒径０．３μｍ
のＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末１００重量部をエ
チルセルロース８ｗｔ％のターピネオール溶液３０重量
部とともにスリーロールミルで混練したものを用いた。
【００２５】そして上記の導体ペーストや誘電体ペース
トを、それぞれ印刷等で所望の厚さに形成することによ
ってコンデンサ２の電極２１と誘電体層２２を形成し
た。なおコンデンサ電極２１の厚さはそれぞれ１０μｍ
とし、誘電体層２２の厚さは３０μｍに形成した。
トを、それぞれ印刷等で所望の厚さに形成することによ
ってコンデンサ２の電極２１と誘電体層２２を形成し
た。なおコンデンサ電極２１の厚さはそれぞれ１０μｍ
とし、誘電体層２２の厚さは３０μｍに形成した。
【００２６】さらに、ビア導体４は、ガラスセラミック
グリーンシートに形成した直径１００μｍのスルーホー
ルに導体ペーストを充填して形成した。その導体ペース
トとしては、平均粒径１０μｍのＡｇ粉末１００重量部
を、エチルセルロース５％のターピネオール溶液１１重
量部とともにスリーロールミルで混合したものを用い
た。
グリーンシートに形成した直径１００μｍのスルーホー
ルに導体ペーストを充填して形成した。その導体ペース
トとしては、平均粒径１０μｍのＡｇ粉末１００重量部
を、エチルセルロース５％のターピネオール溶液１１重
量部とともにスリーロールミルで混合したものを用い
た。
【００２７】上記のようにしてコンデンサ２の電極２１
と誘電体層２２およびビア導体３を形成するためのペー
ストを予め印刷もしくは充填してなる複数枚のガラスセ
ラミックグリーンシートを互いに積層し、その積層体を
１５０ｋｇ／ｃｍ2 、８５℃の条件で加圧成形した。次
いで、５００℃で３時間保持してバインダを除去した
後、８７５℃の空気中で２０分間焼成してコンデンサ内
蔵のガラスセラミック基板を作製した。
と誘電体層２２およびビア導体３を形成するためのペー
ストを予め印刷もしくは充填してなる複数枚のガラスセ
ラミックグリーンシートを互いに積層し、その積層体を
１５０ｋｇ／ｃｍ2 、８５℃の条件で加圧成形した。次
いで、５００℃で３時間保持してバインダを除去した
後、８７５℃の空気中で２０分間焼成してコンデンサ内
蔵のガラスセラミック基板を作製した。
【００２８】なおコンデンサ２の電極２１に用いる導体
ペーストの球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉との混合比率
（重量比率）は、前述のように種々異ならせ、前記の好
適な条件を満たすものと満たさないもの、さらに本発明
のように球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉との両方を用い
ることなく、球状Ａｇ粉またはフレーク状Ａｇ粉のいず
れか一方のみを用いた場合についても上記と同様の要領
でコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板を作製した。そ
れらの基板を試料として各基板のコンデンサの誘電特性
を調べた。その結果を下記表２に示す。なお下記表２中
の誘電率εおよび誘電損失ｔａｎδは１ｋＨｚ、室温で
の測定値である。
ペーストの球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉との混合比率
（重量比率）は、前述のように種々異ならせ、前記の好
適な条件を満たすものと満たさないもの、さらに本発明
のように球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉との両方を用い
ることなく、球状Ａｇ粉またはフレーク状Ａｇ粉のいず
れか一方のみを用いた場合についても上記と同様の要領
でコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板を作製した。そ
れらの基板を試料として各基板のコンデンサの誘電特性
を調べた。その結果を下記表２に示す。なお下記表２中
の誘電率εおよび誘電損失ｔａｎδは１ｋＨｚ、室温で
の測定値である。
【００２９】
【００３０】上記表２中の試料２〜６は、コンデンサ電
極を形成するための導体ペーストに本発明が要件とする
球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉との両方を用いたもので
あるが、試料１および８のように球状Ａｇ粉のみを、ま
た試料７のようにフレーク状Ａｇ粉のみを用いたものに
比べ、誘電率εが高いことが分かる、特に球状Ａｇ粉と
フレーク状Ａｇ粉との混合比率を２０：８０〜８０：２
０の範囲内とした試料３〜５では誘電率が５０００以上
に向上し、良好な誘電特性を示している。
極を形成するための導体ペーストに本発明が要件とする
球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉との両方を用いたもので
あるが、試料１および８のように球状Ａｇ粉のみを、ま
た試料７のようにフレーク状Ａｇ粉のみを用いたものに
比べ、誘電率εが高いことが分かる、特に球状Ａｇ粉と
フレーク状Ａｇ粉との混合比率を２０：８０〜８０：２
０の範囲内とした試料３〜５では誘電率が５０００以上
に向上し、良好な誘電特性を示している。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によるコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板は、コンデンサの電極を形成す
るための導体ペーストに、球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ
粉とを含有させたことによって、焼結時にガラスセラミ
ックの絶縁体材料成分、特に酸化硼素やシリカなどのガ
ラス成分の誘電体層中への拡散を抑制することができ、
誘電率が高くかつ誘電損失の低いコンデンサにすること
ができる。また前記従来のようにバリア層を印刷等で形
成する場合に比べ、その印刷等の工程が少なくなるため
手間の削減やコストの低下が図れ、なおかつ誘電特性の
よい高品質のセラミック基板を提供することができるも
のである。
蔵ガラスセラミック基板は、コンデンサの電極を形成す
るための導体ペーストに、球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ
粉とを含有させたことによって、焼結時にガラスセラミ
ックの絶縁体材料成分、特に酸化硼素やシリカなどのガ
ラス成分の誘電体層中への拡散を抑制することができ、
誘電率が高くかつ誘電損失の低いコンデンサにすること
ができる。また前記従来のようにバリア層を印刷等で形
成する場合に比べ、その印刷等の工程が少なくなるため
手間の削減やコストの低下が図れ、なおかつ誘電特性の
よい高品質のセラミック基板を提供することができるも
のである。
【図１】本発明によるコンデンサ内蔵ガラスセラミック
基板の構成例を示す断面図。
基板の構成例を示す断面図。
１ 絶縁層 ２ コンデンサ ２１ コンデンサ用電極 ２２ 誘電体層 ３ ビア導体
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラスセラミック絶縁層、コンデンサ用
電極、その他の回路用配線等を同時焼成して得るコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック基板において、上記コンデン
サ用電極は、球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉とを含有す
る導体ペーストを焼成して形成されていることを特徴と
するコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板。 - 【請求項２】 前記の球状Ａｇ粉とフレーク状Ａｇ粉と
の配合比率を、２０：８０〜８０：２０の範囲内とした
請求項１記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07267649A JP3127797B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07267649A JP3127797B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992977A JPH0992977A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3127797B2 true JP3127797B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=17447620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07267649A Expired - Fee Related JP3127797B2 (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3127797B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06225838A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-08-16 | Hotsuto & Kuule Kk | 熱蔵庫 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1178232C (zh) | 1999-04-26 | 2004-12-01 | 松下电器产业株式会社 | 电子零件及无线终端装置 |
| KR100811138B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2008-03-07 | 오리온피디피주식회사 | 저온소성세라믹기판을 이용한 다층회로기판의 제조방법과 이에 의해 제조된 다층회로기판 |
| WO2006030562A1 (ja) | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | チップ型電子部品内蔵型多層基板及びその製造方法 |
| KR100790695B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 전자부품 패키지용 세라믹 기판의 제조방법 |
| KR100790694B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 내장형 ｌｔｃｃ 기판 제조방법 |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP07267649A patent/JP3127797B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06225838A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-08-16 | Hotsuto & Kuule Kk | 熱蔵庫 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0992977A (ja) | 1997-04-04 |
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