JPS639728B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS639728B2 JPS639728B2 JP16323581A JP16323581A JPS639728B2 JP S639728 B2 JPS639728 B2 JP S639728B2 JP 16323581 A JP16323581 A JP 16323581A JP 16323581 A JP16323581 A JP 16323581A JP S639728 B2 JPS639728 B2 JP S639728B2
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- JP
- Japan
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- thick film
- resistor
- glass
- temperature
- fired
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 15
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜抵抗体のオーバーコート焼成法に
関する。
関する。
一般の厚膜集積回路や抵抗ネツトワークに用い
られる厚膜抵抗体は、導電性金属粒子とガラス粉
末を、ガラスの軟化点以上で焼成し、マトリツク
ス状に導電性金属粒子をガラスに分散させ、形成
される。この厚膜抵抗体の耐湿性向上などを目的
とし、厚膜抵抗体上を覆つて硼硅酸鉛を主成分と
する絶縁物ガラスペーストを印刷し、焼成する。
られる厚膜抵抗体は、導電性金属粒子とガラス粉
末を、ガラスの軟化点以上で焼成し、マトリツク
ス状に導電性金属粒子をガラスに分散させ、形成
される。この厚膜抵抗体の耐湿性向上などを目的
とし、厚膜抵抗体上を覆つて硼硅酸鉛を主成分と
する絶縁物ガラスペーストを印刷し、焼成する。
従来は厚膜抵抗体上に印刷された絶縁物ガラス
ペーストを第１図に示すように、厚膜抵抗体中の
ガラス成分の転位点温度TA以上で一挙に焼成す
る方法をとつている。しかしガラスペースト中に
含まれる結合材を十分飛散させずに一挙に転移点
温度以上で本焼成すると、厚膜抵抗体の導電性金
属粒子とガラス成分との十分な反応と結合が得ら
れず、また絶縁部ガラスペーストと厚膜抵抗体間
のぬれ性が十分に得られず、しかも導電性金属粒
子の粒径、形状に微妙に影響される。この結果、
抵抗体に印加される電圧パルスや過負荷電圧に対
し、抵抗値のドリフトが大きくなるという欠点が
ある。
ペーストを第１図に示すように、厚膜抵抗体中の
ガラス成分の転位点温度TA以上で一挙に焼成す
る方法をとつている。しかしガラスペースト中に
含まれる結合材を十分飛散させずに一挙に転移点
温度以上で本焼成すると、厚膜抵抗体の導電性金
属粒子とガラス成分との十分な反応と結合が得ら
れず、また絶縁部ガラスペーストと厚膜抵抗体間
のぬれ性が十分に得られず、しかも導電性金属粒
子の粒径、形状に微妙に影響される。この結果、
抵抗体に印加される電圧パルスや過負荷電圧に対
し、抵抗値のドリフトが大きくなるという欠点が
ある。
本発明は以上の欠点を解決するもので、絶縁物
ガラスペースト焼成時に、下層に形成された厚膜
抵抗体に含まれるガラス成分の転移点温度未満で
一旦保持することにより、絶縁物ガラスペースト
成分中に含まれる有機結合材を十分に飛散させ、
その後前記転移点温度以上で再焼成することによ
り、厚膜抵抗体の導電性金属粒子とガラス成分の
焼結状態をより安定化し、負荷特性の優れた抵抗
体を得ることができるものである。
ガラスペースト焼成時に、下層に形成された厚膜
抵抗体に含まれるガラス成分の転移点温度未満で
一旦保持することにより、絶縁物ガラスペースト
成分中に含まれる有機結合材を十分に飛散させ、
その後前記転移点温度以上で再焼成することによ
り、厚膜抵抗体の導電性金属粒子とガラス成分の
焼結状態をより安定化し、負荷特性の優れた抵抗
体を得ることができるものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
第２図は本発明方法により焼成される絶縁ガラ
ス膜付き厚膜抵抗体の一例を示す図である。図に
おいて、１はセラミツク基板で、このセラミツク
基板１上に厚膜電極２および厚膜抵抗体３が印刷
され、焼成されている。表面に露出する厚膜抵抗
体３の全面は、ガラス粉末、例えば硼硅酸塩と有
機結合剤とからなる絶縁物ガラスペースト４で覆
われている。この絶縁物ガラスペースト４は、厚
膜抵抗体３の全面を覆うように印刷し、乾燥し、
次に第３図に示すような２段焼成法により、最初
は厚膜抵抗体３に含まれるガラス成分の転移点温
度TA未満の温度TBで十分なバインダーアウト
（絶縁物ガラスペースト中に含まれる有機結合材
の焼散）を行つた後に、転移点温度TA以上の焼
成温度TC（500℃〜890℃）で本焼成を行う。
ス膜付き厚膜抵抗体の一例を示す図である。図に
おいて、１はセラミツク基板で、このセラミツク
基板１上に厚膜電極２および厚膜抵抗体３が印刷
され、焼成されている。表面に露出する厚膜抵抗
体３の全面は、ガラス粉末、例えば硼硅酸塩と有
機結合剤とからなる絶縁物ガラスペースト４で覆
われている。この絶縁物ガラスペースト４は、厚
膜抵抗体３の全面を覆うように印刷し、乾燥し、
次に第３図に示すような２段焼成法により、最初
は厚膜抵抗体３に含まれるガラス成分の転移点温
度TA未満の温度TBで十分なバインダーアウト
（絶縁物ガラスペースト中に含まれる有機結合材
の焼散）を行つた後に、転移点温度TA以上の焼
成温度TC（500℃〜890℃）で本焼成を行う。
このように焼成済の抵抗体３を転移点温度TA
以上で再焼成することにより、抵抗体３の導電成
分とガラス成分の焼結反応が促進され、かつ導電
成分のガラス中への溶解と析出によつて結合状態
が安定化し、抵抗体の負荷によるストレスに対す
る特性が良化する。
以上で再焼成することにより、抵抗体３の導電成
分とガラス成分の焼結反応が促進され、かつ導電
成分のガラス中への溶解と析出によつて結合状態
が安定化し、抵抗体の負荷によるストレスに対す
る特性が良化する。
２段焼成温度として、TB＝300℃、TC＝530℃
の温度で焼成して形成した抵抗体（焼成後の抵抗
体寸法1.7mm×1.2mm×10μｍ）について、短時間
過負荷試験を行つた結果（特性Ａ）を従来の焼成
法による結果（特性Ｂ）とともに第４図に示す。
図に示されるように本実施例の抵抗体は、抵抗値
ドリフトに大きな効果が得られている。
の温度で焼成して形成した抵抗体（焼成後の抵抗
体寸法1.7mm×1.2mm×10μｍ）について、短時間
過負荷試験を行つた結果（特性Ａ）を従来の焼成
法による結果（特性Ｂ）とともに第４図に示す。
図に示されるように本実施例の抵抗体は、抵抗値
ドリフトに大きな効果が得られている。
なお抵抗体を覆つて印刷されたガラスペースト
は、抵抗体ガラス成分の転移点温度未満で熱処理
されるため、バインダーアウトが十分に行われ、
ガラス焼成膜としてピンホールが少なく、緻密な
保護膜が形成される。
は、抵抗体ガラス成分の転移点温度未満で熱処理
されるため、バインダーアウトが十分に行われ、
ガラス焼成膜としてピンホールが少なく、緻密な
保護膜が形成される。
以上のように本発明のオーバーコート焼成法に
おいては厚膜抵抗体に含まれるガラス成分の転移
点温度未満で一旦低温焼成し、次に転移点温度以
上で再焼成するようにたので、ガラスペースト中
に含まれる結合材を十分に焼散し、ガラス焼成膜
としてピンホールの少ない緻密な保護膜を得るこ
とができ、また厚膜抵抗体の導電性金属粒子とガ
ラス成分の焼結状態をより安定化し、負荷特性の
優れた抵抗体を得ることができる。
おいては厚膜抵抗体に含まれるガラス成分の転移
点温度未満で一旦低温焼成し、次に転移点温度以
上で再焼成するようにたので、ガラスペースト中
に含まれる結合材を十分に焼散し、ガラス焼成膜
としてピンホールの少ない緻密な保護膜を得るこ
とができ、また厚膜抵抗体の導電性金属粒子とガ
ラス成分の焼結状態をより安定化し、負荷特性の
優れた抵抗体を得ることができる。
第１図は従来の厚膜抵抗体のオーバーコート焼
成法の説明図、第２図は本発明方法により焼成さ
れる絶縁ガラス膜付き厚膜抵抗体の一例を示す断
面図、第３図は本発明の厚膜抵抗体のオーバーコ
ート焼成法の説明図、第４図は同方法により焼成
された厚膜抵抗体の過負荷試験特性図である。 １……セラミツク基板、２……厚膜電極、３…
…厚膜抵抗体、４……絶縁物ガラスペースト。
成法の説明図、第２図は本発明方法により焼成さ
れる絶縁ガラス膜付き厚膜抵抗体の一例を示す断
面図、第３図は本発明の厚膜抵抗体のオーバーコ
ート焼成法の説明図、第４図は同方法により焼成
された厚膜抵抗体の過負荷試験特性図である。 １……セラミツク基板、２……厚膜電極、３…
…厚膜抵抗体、４……絶縁物ガラスペースト。
Claims (1)
- １ セラミツク基板上の焼成された厚膜抵抗体上
にガラス粉末および有機結合材からなる絶縁物ガ
ラスペーストを印刷し、前記厚膜抵抗体に含まれ
るガラス成分の転移点温度未満で一旦低温焼成
し、次に前記転移点温度以上で再焼成する厚膜抵
抗体のオーバーコート焼成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323581A JPS5864001A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 厚膜抵抗体のオ−バ−コ−ト焼成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323581A JPS5864001A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 厚膜抵抗体のオ−バ−コ−ト焼成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864001A JPS5864001A (ja) | 1983-04-16 |
| JPS639728B2 true JPS639728B2 (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=15769896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16323581A Granted JPS5864001A (ja) | 1981-10-13 | 1981-10-13 | 厚膜抵抗体のオ−バ−コ−ト焼成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864001A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07109806B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1995-11-22 | 株式会社村田製作所 | 抵抗体の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-13 JP JP16323581A patent/JPS5864001A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5864001A (ja) | 1983-04-16 |
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