JPH10224004A - 厚膜抵抗体ペースト - Google Patents
厚膜抵抗体ペーストInfo
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- JPH10224004A JPH10224004A JP9026220A JP2622097A JPH10224004A JP H10224004 A JPH10224004 A JP H10224004A JP 9026220 A JP9026220 A JP 9026220A JP 2622097 A JP2622097 A JP 2622097A JP H10224004 A JPH10224004 A JP H10224004A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚膜抵抗体の抵抗値の経時変化を少なくす
る。 【解決手段】 厚膜抵抗体ペーストは、２種類のガラス
Ａ，Ｂの粉末を含有し、配合量が多い方のガラスＡは、
ＣａＯ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３７〜５９重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2 Ｏ3 ：８〜２
８重量％を合計で９５重量％以上含有し、配合量が少な
い方のガラスＢは、ＳｉＯ2 ：５３〜７２重量％、Ｂ2
Ｏ3 ：２０〜３０重量％及びＮａ2 Ｏ：１〜７重量％を
合計で８５重量％以上含有する。２種類のガラスＡ，Ｂ
の合計配合量に対する、ガラスＡの配合比を７３〜９９
重量％とし、ガラスＢの配合比を２７〜１重量％とす
る。２種類のガラスＡ，Ｂは、環境に影響を及ぼす可能
性のあるＰｂ、Ｃｄ、Ｎｉを含まない。配合量が多い方
のガラスＡは、配合量が少ない方のガラスＢと比較し
て、熱膨張係数が０．５×１０-6／ｄｅｇ以上大きく且
つ屈伏点が３０℃以上高い。
る。 【解決手段】 厚膜抵抗体ペーストは、２種類のガラス
Ａ，Ｂの粉末を含有し、配合量が多い方のガラスＡは、
ＣａＯ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３７〜５９重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2 Ｏ3 ：８〜２
８重量％を合計で９５重量％以上含有し、配合量が少な
い方のガラスＢは、ＳｉＯ2 ：５３〜７２重量％、Ｂ2
Ｏ3 ：２０〜３０重量％及びＮａ2 Ｏ：１〜７重量％を
合計で８５重量％以上含有する。２種類のガラスＡ，Ｂ
の合計配合量に対する、ガラスＡの配合比を７３〜９９
重量％とし、ガラスＢの配合比を２７〜１重量％とす
る。２種類のガラスＡ，Ｂは、環境に影響を及ぼす可能
性のあるＰｂ、Ｃｄ、Ｎｉを含まない。配合量が多い方
のガラスＡは、配合量が少ない方のガラスＢと比較し
て、熱膨張係数が０．５×１０-6／ｄｅｇ以上大きく且
つ屈伏点が３０℃以上高い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスの粉末と導
電物質の粉末とを含む厚膜抵抗体ペーストに関するもの
である。
電物質の粉末とを含む厚膜抵抗体ペーストに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミック基板の表面に抵抗
体を厚膜法で形成する場合、ＲｕＯ2系の厚膜抵抗体ペ
ーストを用いて厚膜抵抗体パターンを印刷し、これを６
００〜９００℃で焼成して厚膜抵抗体を形成するように
している。一般に、焼成後の厚膜抵抗体は、抵抗値がば
らついているので、焼成後に厚膜抵抗体をレーザトリミ
ング法でトリミングして抵抗値を調整するようにしてい
る。
体を厚膜法で形成する場合、ＲｕＯ2系の厚膜抵抗体ペ
ーストを用いて厚膜抵抗体パターンを印刷し、これを６
００〜９００℃で焼成して厚膜抵抗体を形成するように
している。一般に、焼成後の厚膜抵抗体は、抵抗値がば
らついているので、焼成後に厚膜抵抗体をレーザトリミ
ング法でトリミングして抵抗値を調整するようにしてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】焼成後に厚膜抵抗体を
レーザトリミングする際に、熱歪により厚膜抵抗体にマ
イクロクラックが入ることがあり、このマイクロクラッ
クが実使用環境下で徐々に進行して抵抗値が経時変化
し、回路の信頼性を低下させる原因となっている。この
マイクロクラックの進行は、厚膜抵抗体に引張応力が作
用している状態で発生しやすい。従って、マイクロクラ
ックの進行を防ぐには、厚膜抵抗体に圧縮力が加わるよ
うにすることが望ましく、そのためには、厚膜抵抗体の
熱膨張係数をセラミック基板の熱膨張係数よりも小さく
すれば良い。
レーザトリミングする際に、熱歪により厚膜抵抗体にマ
イクロクラックが入ることがあり、このマイクロクラッ
クが実使用環境下で徐々に進行して抵抗値が経時変化
し、回路の信頼性を低下させる原因となっている。この
マイクロクラックの進行は、厚膜抵抗体に引張応力が作
用している状態で発生しやすい。従って、マイクロクラ
ックの進行を防ぐには、厚膜抵抗体に圧縮力が加わるよ
うにすることが望ましく、そのためには、厚膜抵抗体の
熱膨張係数をセラミック基板の熱膨張係数よりも小さく
すれば良い。
【０００４】しかし、従来より、セラミック基板に厚膜
抵抗体を形成するのに用いられているＲｕＯ2 系の厚膜
抵抗体ペーストは、ガラスの粉末とＲｕＯ2 の粉末を有
機ビヒクルと混合してペースト化したものであり、Ｒｕ
Ｏ2 の熱膨張係数は６．０×１０-6／ｄｅｇである。こ
れに対し、アルミナ基板と比較して熱膨張係数が小さい
低温焼成セラミック基板は、熱膨張係数が５．５×１０
-6／ｄｅｇ程度であるため、厚膜抵抗体ペーストのガラ
スの熱膨張係数は５．５×１０-6／ｄｅｇより小さくす
ることが望ましいが、電気的特性や機械的強度、有害性
等を考慮すると、ガラスの選択範囲も限られ、現実に
は、セラミック基板の熱膨張係数と同程度か、或はそれ
より大きな熱膨張係数のガラスを使用せざるを得なかっ
た。従って、このガラスとＲｕＯ2 を含む厚膜抵抗体の
熱膨張係数は、小さいものでもセラミック基板の熱膨張
係数と同程度であり、厚膜抵抗体とセラミック基板との
熱膨張差によって厚膜抵抗体に十分な圧縮力が働かず、
引張力が働く場合もある。このため、レーザトリミング
時に厚膜抵抗体に生じたマイクロクラックが実使用環境
下で進行しやすく、抵抗値の経時変化が大きいという問
題があった。
抵抗体を形成するのに用いられているＲｕＯ2 系の厚膜
抵抗体ペーストは、ガラスの粉末とＲｕＯ2 の粉末を有
機ビヒクルと混合してペースト化したものであり、Ｒｕ
Ｏ2 の熱膨張係数は６．０×１０-6／ｄｅｇである。こ
れに対し、アルミナ基板と比較して熱膨張係数が小さい
低温焼成セラミック基板は、熱膨張係数が５．５×１０
-6／ｄｅｇ程度であるため、厚膜抵抗体ペーストのガラ
スの熱膨張係数は５．５×１０-6／ｄｅｇより小さくす
ることが望ましいが、電気的特性や機械的強度、有害性
等を考慮すると、ガラスの選択範囲も限られ、現実に
は、セラミック基板の熱膨張係数と同程度か、或はそれ
より大きな熱膨張係数のガラスを使用せざるを得なかっ
た。従って、このガラスとＲｕＯ2 を含む厚膜抵抗体の
熱膨張係数は、小さいものでもセラミック基板の熱膨張
係数と同程度であり、厚膜抵抗体とセラミック基板との
熱膨張差によって厚膜抵抗体に十分な圧縮力が働かず、
引張力が働く場合もある。このため、レーザトリミング
時に厚膜抵抗体に生じたマイクロクラックが実使用環境
下で進行しやすく、抵抗値の経時変化が大きいという問
題があった。
【０００５】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、厚膜抵抗体の抵抗値
の経時変化を少なくすることができる厚膜抵抗体ペース
トを提供することにある。
たものであり、従ってその目的は、厚膜抵抗体の抵抗値
の経時変化を少なくすることができる厚膜抵抗体ペース
トを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１の厚膜抵抗体ペーストは、２種類
のガラスの粉末が配合され、配合量が多い方のガラス
は、配合量が少ない方のガラスと比較して、熱膨張係数
が大きく且つ屈伏点が高くなっている。この組成の厚膜
抵抗体ペーストをセラミック基板に印刷して焼成する
と、その焼成過程で以下のような段階を経て厚膜抵抗体
が焼結する。以下、説明の便宜上、配合量が多い方のガ
ラスをＡとし、配合量が少ない方のガラスをＢとする。
に、本発明の請求項１の厚膜抵抗体ペーストは、２種類
のガラスの粉末が配合され、配合量が多い方のガラス
は、配合量が少ない方のガラスと比較して、熱膨張係数
が大きく且つ屈伏点が高くなっている。この組成の厚膜
抵抗体ペーストをセラミック基板に印刷して焼成する
と、その焼成過程で以下のような段階を経て厚膜抵抗体
が焼結する。以下、説明の便宜上、配合量が多い方のガ
ラスをＡとし、配合量が少ない方のガラスをＢとする。
【０００７】［第１段階］焼成時のガラス温度の上昇に
より、まず、屈伏点が低い方のガラスＢが溶解し、図１
（ａ）に模式的に例示するように、溶解したガラスＢが
導電物質の粉末を包み込む。この時点では、屈伏点が高
い方のガラスＡはまだ溶解しない。ここで、屈伏点と
は、ガラスの温度上昇による熱膨張が止まる時のガラス
の軟化温度に相当する温度であり、屈伏点以下では、ガ
ラスが温度上昇に伴いほぼ直線的に熱膨張し、屈伏点を
越えると、ガラスは収縮に転じる。
より、まず、屈伏点が低い方のガラスＢが溶解し、図１
（ａ）に模式的に例示するように、溶解したガラスＢが
導電物質の粉末を包み込む。この時点では、屈伏点が高
い方のガラスＡはまだ溶解しない。ここで、屈伏点と
は、ガラスの温度上昇による熱膨張が止まる時のガラス
の軟化温度に相当する温度であり、屈伏点以下では、ガ
ラスが温度上昇に伴いほぼ直線的に熱膨張し、屈伏点を
越えると、ガラスは収縮に転じる。
【０００８】［第２段階］屈伏点が高い方のガラスＡが
徐々に溶解し始める。この時、先に溶解したガラスＢが
流動し、ガラスＡを包み込むようになる。
徐々に溶解し始める。この時、先に溶解したガラスＢが
流動し、ガラスＡを包み込むようになる。
【０００９】［第３段階］更に、焼成が進むと、ガラス
Ａも溶解し、ガラスＢと密着すると共に、図１（ｂ）に
模式的に例示するように、ガラスＡとガラスＢとの界面
に導電物質が凝集し、導電路が形成される。第１段階か
ら第３段階までの間に、厚膜抵抗体ペースト中の有機ビ
ヒクルが熱分解して蒸発し、或は燃焼し、厚膜抵抗体の
膜から有機ビヒクルが除去される。
Ａも溶解し、ガラスＢと密着すると共に、図１（ｂ）に
模式的に例示するように、ガラスＡとガラスＢとの界面
に導電物質が凝集し、導電路が形成される。第１段階か
ら第３段階までの間に、厚膜抵抗体ペースト中の有機ビ
ヒクルが熱分解して蒸発し、或は燃焼し、厚膜抵抗体の
膜から有機ビヒクルが除去される。
【００１０】［第４段階］焼成の最終段階で、温度低下
により、ガラスＡ，Ｂが硬化して、厚膜抵抗体の膜がセ
ラミック基板上に形成される。
により、ガラスＡ，Ｂが硬化して、厚膜抵抗体の膜がセ
ラミック基板上に形成される。
【００１１】このようにして焼成された厚膜抵抗体は、
熱膨張係数の小さいガラスＢが、これより熱膨張係数の
大きいガラスＡを包み込んだ構造となる。この構造の厚
膜抵抗体は、熱膨張係数の小さいガラスＢによって全体
の熱膨張係数が小さくなるばかりでなく、熱膨張係数の
小さいガラスＢには、熱膨張係数の大きいガラスＡによ
って圧縮力が加わった状態となる。この状態では、たと
え、焼成後のレーザトリミングにより厚膜抵抗体にマイ
クロクラックが入ったとしても、圧縮力が加わったガラ
スＢの部分がマイクロクラックの進行を抑える働きをす
る。
熱膨張係数の小さいガラスＢが、これより熱膨張係数の
大きいガラスＡを包み込んだ構造となる。この構造の厚
膜抵抗体は、熱膨張係数の小さいガラスＢによって全体
の熱膨張係数が小さくなるばかりでなく、熱膨張係数の
小さいガラスＢには、熱膨張係数の大きいガラスＡによ
って圧縮力が加わった状態となる。この状態では、たと
え、焼成後のレーザトリミングにより厚膜抵抗体にマイ
クロクラックが入ったとしても、圧縮力が加わったガラ
スＢの部分がマイクロクラックの進行を抑える働きをす
る。
【００１２】ところで、厚膜抵抗体のマイクロクラック
の進行を抑える効果は、熱膨張係数の小さいガラスＢに
加わる圧縮力が大きくなるほど、大きくなる。この圧縮
力はガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差が大きいほど大きく
なる。また、熱膨張係数の小さいガラスＢがガラスＡを
包み込んだ構造になるためには、ガラスＡが溶解し始め
る前にガラスＢの溶解が十分に進んでいる必要がある。
従って、ガラスＡ，Ｂの屈伏点の差、ひいては、ガラス
Ａ，Ｂが溶解し始める温度の差が小さいと、ガラスＢが
ガラスＡを十分に包み込んだ構造にならない。この構造
では、たとえ、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差が大きく
ても、十分な圧縮力は働かない。
の進行を抑える効果は、熱膨張係数の小さいガラスＢに
加わる圧縮力が大きくなるほど、大きくなる。この圧縮
力はガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差が大きいほど大きく
なる。また、熱膨張係数の小さいガラスＢがガラスＡを
包み込んだ構造になるためには、ガラスＡが溶解し始め
る前にガラスＢの溶解が十分に進んでいる必要がある。
従って、ガラスＡ，Ｂの屈伏点の差、ひいては、ガラス
Ａ，Ｂが溶解し始める温度の差が小さいと、ガラスＢが
ガラスＡを十分に包み込んだ構造にならない。この構造
では、たとえ、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差が大きく
ても、十分な圧縮力は働かない。
【００１３】従って、請求項２のように、配合量が多い
方のガラスＡは、配合量が少ない方のガラスＢと比較し
て、熱膨張係数が０．５×１０-6／ｄｅｇ以上大きく且
つ屈伏点が３０℃以上高くすることが好ましい。このよ
うにすれば、ガラスＡが溶解し始める前にガラスＢの溶
解が十分に進み、ガラスＢが確実にガラスＡを包み込ん
だ構造となる。しかも、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差
が０．５×１０-6／ｄｅｇ以上であるため、ガラスＡか
らガラスＢに加わる圧縮力が十分に大きくなり、マイク
ロクラックの進行を抑えるのに十分な圧縮力が得られ、
厚膜抵抗体の抵抗値の経時変化が効果的に抑えられる。
方のガラスＡは、配合量が少ない方のガラスＢと比較し
て、熱膨張係数が０．５×１０-6／ｄｅｇ以上大きく且
つ屈伏点が３０℃以上高くすることが好ましい。このよ
うにすれば、ガラスＡが溶解し始める前にガラスＢの溶
解が十分に進み、ガラスＢが確実にガラスＡを包み込ん
だ構造となる。しかも、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差
が０．５×１０-6／ｄｅｇ以上であるため、ガラスＡか
らガラスＢに加わる圧縮力が十分に大きくなり、マイク
ロクラックの進行を抑えるのに十分な圧縮力が得られ、
厚膜抵抗体の抵抗値の経時変化が効果的に抑えられる。
【００１４】また、請求項３のように、２種類のガラス
Ａ，Ｂは、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｎｉを含まないガラスを用いる
ことが好ましい。従来の厚膜抵抗体ペーストは、Ｐｂ、
Ｃｄ、Ｎｉを含んでいたが、これらは環境に影響を及ぼ
す可能性のある金属である。従って、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｎｉ
を含まないガラスＡ，Ｂを用いることで、地球環境保護
にも役立つ。
Ａ，Ｂは、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｎｉを含まないガラスを用いる
ことが好ましい。従来の厚膜抵抗体ペーストは、Ｐｂ、
Ｃｄ、Ｎｉを含んでいたが、これらは環境に影響を及ぼ
す可能性のある金属である。従って、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｎｉ
を含まないガラスＡ，Ｂを用いることで、地球環境保護
にも役立つ。
【００１５】また、請求項４のように、配合量が多い方
のガラスＡはＣａＯ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３
７〜５９重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2
Ｏ3：８〜２８重量％を合計で９５重量％以上含有し、
配合量が少ない方のガラスＢはＳｉＯ2 ：５３〜７２重
量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２０〜３０重量％及びＮａ2 Ｏ：１〜
７重量％を合計で８５重量％以上含有する組成とすると
良い。このような組成のガラスＡ，Ｂは、熱膨張係数の
差と屈伏点の差を確保できる。
のガラスＡはＣａＯ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３
７〜５９重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2
Ｏ3：８〜２８重量％を合計で９５重量％以上含有し、
配合量が少ない方のガラスＢはＳｉＯ2 ：５３〜７２重
量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２０〜３０重量％及びＮａ2 Ｏ：１〜
７重量％を合計で８５重量％以上含有する組成とすると
良い。このような組成のガラスＡ，Ｂは、熱膨張係数の
差と屈伏点の差を確保できる。
【００１６】ところで、圧縮力の加わるガラスＢがマイ
クロクラックの進行を抑える働きをするため、ガラスＢ
の配合量はある程度必要であるが、ガラスＢが増加する
に従って、ガラスＢからガラスＡに働く引張力が大きく
なり、ガラスＢに働く圧縮力によるマイクロクラック抑
止効果がガラスＡに働く引張力によって減殺されてしま
う。
クロクラックの進行を抑える働きをするため、ガラスＢ
の配合量はある程度必要であるが、ガラスＢが増加する
に従って、ガラスＢからガラスＡに働く引張力が大きく
なり、ガラスＢに働く圧縮力によるマイクロクラック抑
止効果がガラスＡに働く引張力によって減殺されてしま
う。
【００１７】従って、請求項５のように、２種類のガラ
スＡ，Ｂの合計配合量に対する、配合量が多い方のガラ
スＡの配合比を７３〜９９重量％とし、配合量が少ない
方のガラスＢの配合比を２７〜１重量％とすることが好
ましい。後述する本発明者らの温度サイクル試験の結果
によれば、図３に示すように、ガラスＢの配合比が２７
重量％を越えると、厚膜抵抗体の抵抗値の変化率が目標
値である１％を越え、ガラスＢによるマイクロクラック
抑止効果が有効に発揮されていないことが確認された。
また、ガラスＢの配合比が１重量％であっても、厚膜抵
抗体の抵抗値の変化率は１％未満であり、ガラスＢによ
るマイクロクラック抑止効果が十分に発揮されているこ
とが確認された。従って、ガラスＢの配合比が２７〜１
重量％であれば、ガラスＢによるマイクロクラック抑止
効果が十分に発揮される。
スＡ，Ｂの合計配合量に対する、配合量が多い方のガラ
スＡの配合比を７３〜９９重量％とし、配合量が少ない
方のガラスＢの配合比を２７〜１重量％とすることが好
ましい。後述する本発明者らの温度サイクル試験の結果
によれば、図３に示すように、ガラスＢの配合比が２７
重量％を越えると、厚膜抵抗体の抵抗値の変化率が目標
値である１％を越え、ガラスＢによるマイクロクラック
抑止効果が有効に発揮されていないことが確認された。
また、ガラスＢの配合比が１重量％であっても、厚膜抵
抗体の抵抗値の変化率は１％未満であり、ガラスＢによ
るマイクロクラック抑止効果が十分に発揮されているこ
とが確認された。従って、ガラスＢの配合比が２７〜１
重量％であれば、ガラスＢによるマイクロクラック抑止
効果が十分に発揮される。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態で用いる厚膜
抵抗体ペーストは、２種類のガラスＡ，Ｂの粉末と、導
電物質であるＲｕＯ2 の粉末とを有機ビヒクルと混合し
てペースト化したものであり、有機ビヒクルはバインダ
樹脂（例えばエチルセルロース）と溶剤（例えばテレピ
ネオール）とからなる。配合量が多い方のガラスＡは、
ＣａＯ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３７〜５９重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2 Ｏ3 ：８〜２
８重量％を合計で９５重量％以上含有し、配合量が少な
い方のガラスＢは、ＳｉＯ2 ：５３〜７２重量％、Ｂ2
Ｏ3 ：２０〜３０重量％及びＮａ2 Ｏ：１〜７重量％を
合計で８５重量％以上含有する。これら２種類のガラス
Ａ，Ｂは、環境に影響を及ぼす可能性のある金属である
Ｐｂ、Ｃｄ、Ｎｉを含まない。配合量が多い方のガラス
Ａの熱膨張係数をＡα、屈伏点をＡＤとし、配合量が少
ない方のガラスＢの熱膨張係数をＢα、屈伏点をＢＤと
すると、Ａα−Ｂα≧０．５×１０-6／ｄｅｇ 且つ
ＡＤ−ＢＤ≧３０℃となっている。これら２種類のガラ
スＡ，Ｂの合計配合量に対する、配合量が多い方のガラ
スＡの配合比を７３〜９９重量％とし、配合量が少ない
方のガラスＢの配合比を２７〜１重量％とする。厚膜抵
抗体ペーストに対するＲｕＯ2 の配合比は、必要とする
抵抗値に応じて決めれば良く、ＲｕＯ2 の配合比が多く
なるほど、抵抗値が小さくなる。
抵抗体ペーストは、２種類のガラスＡ，Ｂの粉末と、導
電物質であるＲｕＯ2 の粉末とを有機ビヒクルと混合し
てペースト化したものであり、有機ビヒクルはバインダ
樹脂（例えばエチルセルロース）と溶剤（例えばテレピ
ネオール）とからなる。配合量が多い方のガラスＡは、
ＣａＯ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３７〜５９重量
％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2 Ｏ3 ：８〜２
８重量％を合計で９５重量％以上含有し、配合量が少な
い方のガラスＢは、ＳｉＯ2 ：５３〜７２重量％、Ｂ2
Ｏ3 ：２０〜３０重量％及びＮａ2 Ｏ：１〜７重量％を
合計で８５重量％以上含有する。これら２種類のガラス
Ａ，Ｂは、環境に影響を及ぼす可能性のある金属である
Ｐｂ、Ｃｄ、Ｎｉを含まない。配合量が多い方のガラス
Ａの熱膨張係数をＡα、屈伏点をＡＤとし、配合量が少
ない方のガラスＢの熱膨張係数をＢα、屈伏点をＢＤと
すると、Ａα−Ｂα≧０．５×１０-6／ｄｅｇ 且つ
ＡＤ−ＢＤ≧３０℃となっている。これら２種類のガラ
スＡ，Ｂの合計配合量に対する、配合量が多い方のガラ
スＡの配合比を７３〜９９重量％とし、配合量が少ない
方のガラスＢの配合比を２７〜１重量％とする。厚膜抵
抗体ペーストに対するＲｕＯ2 の配合比は、必要とする
抵抗値に応じて決めれば良く、ＲｕＯ2 の配合比が多く
なるほど、抵抗値が小さくなる。
【００１９】
【実施例】ガラスＡ，Ｂの組成、熱膨張係数及び屈伏点
と温度サイクルによる厚膜抵抗体の抵抗値の変化率との
関係を考察するために、配合量が多い方のガラスＡは、
表１に示すＡ１〜Ａ５の５種類のサンプルを用意し、配
合量が少ない方のガラスＢは、表２に示すＢ１〜Ｂ５の
５種類のサンプルを用意した。
と温度サイクルによる厚膜抵抗体の抵抗値の変化率との
関係を考察するために、配合量が多い方のガラスＡは、
表１に示すＡ１〜Ａ５の５種類のサンプルを用意し、配
合量が少ない方のガラスＢは、表２に示すＢ１〜Ｂ５の
５種類のサンプルを用意した。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】ガラスＡのサンプルＡ１〜Ａ５は、Ｃａ
Ｏ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３７〜５９重量％、
Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2 Ｏ3 ：８〜２８重
量％を合計で９５重量％以上含有し、屈伏点は６８５〜
７２２℃、熱膨張係数は５．４〜６．９×１０-6／ｄｅ
ｇである。
Ｏ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３７〜５９重量％、
Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2 Ｏ3 ：８〜２８重
量％を合計で９５重量％以上含有し、屈伏点は６８５〜
７２２℃、熱膨張係数は５．４〜６．９×１０-6／ｄｅ
ｇである。
【００２３】ガラスＢのサンプルＢ１〜Ｂ５は、ＳｉＯ
2 ：５３〜７２重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２０〜３０重量％及
びＮａ2 Ｏ：１〜７重量％を合計で８５重量％以上含有
し、屈伏点は６３６〜６６１℃、熱膨張係数は３．９５
〜４．９４×１０-6／ｄｅｇである。
2 ：５３〜７２重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２０〜３０重量％及
びＮａ2 Ｏ：１〜７重量％を合計で８５重量％以上含有
し、屈伏点は６３６〜６６１℃、熱膨張係数は３．９５
〜４．９４×１０-6／ｄｅｇである。
【００２４】これらガラスＡ，Ｂのサンプルを用いて、
表３（実施例）及び表４（比較例）に示す配合比のガラ
スＡ，Ｂの粉末を平均粒径０．２μｍのＲｕＯ2 の粉末
と有機ビヒクルに混合し、３本ロールにて十分に混練し
て厚膜抵抗体ペーストを作製した。尚、ＲｕＯ2 の粉末
の配合比は、抵抗値を変えるため、１５重量％、２０重
量％、２５重量％の３種類とした。
表３（実施例）及び表４（比較例）に示す配合比のガラ
スＡ，Ｂの粉末を平均粒径０．２μｍのＲｕＯ2 の粉末
と有機ビヒクルに混合し、３本ロールにて十分に混練し
て厚膜抵抗体ペーストを作製した。尚、ＲｕＯ2 の粉末
の配合比は、抵抗値を変えるため、１５重量％、２０重
量％、２５重量％の３種類とした。
【００２５】
【表３】
【００２６】
【表４】
【００２７】各厚膜抵抗体ペーストを印刷するセラミッ
ク基板として、熱膨張係数が５．５×１０-6／ｄｅｇの
低温焼成セラミック基板を用いた。この低温焼成セラミ
ック基板は、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
系ガラス粉末：６０重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末：４０重量
％との混合物からなるセラミック材料で形成されてい
る。図２に示すように、この低温焼成セラミック基板の
表面に抵抗体電極用のＡｇ／Ｐｄ導体を２ｍｍ間隔で印
刷・焼成し、その上から、上記厚膜抵抗体ペーストを乾
燥時の膜厚が２０μｍとなるようにスクリーン印刷し、
これを１２０℃で乾燥した。この厚膜抵抗体パターンの
サイズは、長さ２ｍｍ×幅１ｍｍである。更に、この厚
膜抵抗体パターンの上にオーバーコートガラスペースト
を乾燥時の膜厚が１３μｍとなるようにスクリーン印刷
し、これを１２０℃で乾燥した。
ク基板として、熱膨張係数が５．５×１０-6／ｄｅｇの
低温焼成セラミック基板を用いた。この低温焼成セラミ
ック基板は、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
系ガラス粉末：６０重量％とＡｌ2 Ｏ3 粉末：４０重量
％との混合物からなるセラミック材料で形成されてい
る。図２に示すように、この低温焼成セラミック基板の
表面に抵抗体電極用のＡｇ／Ｐｄ導体を２ｍｍ間隔で印
刷・焼成し、その上から、上記厚膜抵抗体ペーストを乾
燥時の膜厚が２０μｍとなるようにスクリーン印刷し、
これを１２０℃で乾燥した。この厚膜抵抗体パターンの
サイズは、長さ２ｍｍ×幅１ｍｍである。更に、この厚
膜抵抗体パターンの上にオーバーコートガラスペースト
を乾燥時の膜厚が１３μｍとなるようにスクリーン印刷
し、これを１２０℃で乾燥した。
【００２８】この後、この低温焼成セラミック基板をベ
ルト炉に収容し、ピーク温度９００℃、６分ホールドの
条件で、６０分間焼成し、厚膜抵抗体とオーバーコート
ガラスとを同時焼成した。この時、厚膜抵抗体は以下の
ような段階を経て焼結する。
ルト炉に収容し、ピーク温度９００℃、６分ホールドの
条件で、６０分間焼成し、厚膜抵抗体とオーバーコート
ガラスとを同時焼成した。この時、厚膜抵抗体は以下の
ような段階を経て焼結する。
【００２９】［第１段階］焼成時間の経過と共に、ガラ
ス温度が上昇し、まず、屈伏点が低い方のガラスＢが溶
解し始める。そして、図１（ａ）に模式的に示すよう
に、溶解したガラスＢがＲｕＯ2 の粉末を包み込む。こ
の時点では、屈伏点が高い方のガラスＡはまだ溶解しな
い。
ス温度が上昇し、まず、屈伏点が低い方のガラスＢが溶
解し始める。そして、図１（ａ）に模式的に示すよう
に、溶解したガラスＢがＲｕＯ2 の粉末を包み込む。こ
の時点では、屈伏点が高い方のガラスＡはまだ溶解しな
い。
【００３０】［第２段階］ガラス温度が更に上昇し、屈
伏点が高い方のガラスＡが徐々に溶解し始める。この
時、先に溶解したガラスＢが流動し、ガラスＡを包み込
むようになる。
伏点が高い方のガラスＡが徐々に溶解し始める。この
時、先に溶解したガラスＢが流動し、ガラスＡを包み込
むようになる。
【００３１】［第３段階］更に、焼成が進むと、ガラス
Ａも溶解し、ガラスＢと密着すると共に、図１（ｂ）に
模式的に示すように、ガラスＡとガラスＢとの界面にＲ
ｕＯ2 が凝集し、導電路が形成される。第１段階から第
３段階までの間に、厚膜抵抗体ペースト中の有機ビヒク
ルが熱分解して蒸発し、或は燃焼し、厚膜抵抗体の膜か
ら有機ビヒクルが除去される。
Ａも溶解し、ガラスＢと密着すると共に、図１（ｂ）に
模式的に示すように、ガラスＡとガラスＢとの界面にＲ
ｕＯ2 が凝集し、導電路が形成される。第１段階から第
３段階までの間に、厚膜抵抗体ペースト中の有機ビヒク
ルが熱分解して蒸発し、或は燃焼し、厚膜抵抗体の膜か
ら有機ビヒクルが除去される。
【００３２】［第４段階］焼成の最終段階で、温度低下
により、ガラスＡ，Ｂが硬化して、厚膜抵抗体の膜が低
温焼成セラミック基板上に形成される。
により、ガラスＡ，Ｂが硬化して、厚膜抵抗体の膜が低
温焼成セラミック基板上に形成される。
【００３３】このようにして焼成された厚膜抵抗体は、
熱膨張係数の小さいガラスＢが、これより熱膨張係数の
大きいガラスＡを包み込んだ構造となる。この構造の厚
膜抵抗体には、熱膨張係数の小さいガラスＢによって全
体の熱膨張係数が小さくなるばかりでなく、熱膨張係数
の小さいガラスＢは、熱膨張係数の大きいガラスＡによ
って圧縮力が加わった状態となる。
熱膨張係数の小さいガラスＢが、これより熱膨張係数の
大きいガラスＡを包み込んだ構造となる。この構造の厚
膜抵抗体には、熱膨張係数の小さいガラスＢによって全
体の熱膨張係数が小さくなるばかりでなく、熱膨張係数
の小さいガラスＢは、熱膨張係数の大きいガラスＡによ
って圧縮力が加わった状態となる。
【００３４】焼成後、表層抵抗体をレーザトリミングし
て、その抵抗値を初期値の２倍の値に調整した後、温度
サイクル試験（−４０℃３０分／＋１５０℃３０分：１
０００サイクル）を行い、トリミング後１０分経過時の
表層抵抗体の抵抗値を初期値として１０００サイクル後
の厚膜抵抗体の抵抗値の変化率を測定した。この測定結
果は、前掲した表３（実施例）及び表４（比較例）に示
されている。図３〜図５は、この試験結果をグラフに表
したもので、図３は、ガラスＢの配合比と厚膜抵抗体の
抵抗値の変化率との関係を示し、図４は、ガラスＡ，Ｂ
の熱膨張係数の差と厚膜抵抗体の抵抗値の変化率との関
係を示し、図５は、ガラスＡ，Ｂの屈伏点の差と厚膜抵
抗体の抵抗値の変化率との関係を示している。
て、その抵抗値を初期値の２倍の値に調整した後、温度
サイクル試験（−４０℃３０分／＋１５０℃３０分：１
０００サイクル）を行い、トリミング後１０分経過時の
表層抵抗体の抵抗値を初期値として１０００サイクル後
の厚膜抵抗体の抵抗値の変化率を測定した。この測定結
果は、前掲した表３（実施例）及び表４（比較例）に示
されている。図３〜図５は、この試験結果をグラフに表
したもので、図３は、ガラスＢの配合比と厚膜抵抗体の
抵抗値の変化率との関係を示し、図４は、ガラスＡ，Ｂ
の熱膨張係数の差と厚膜抵抗体の抵抗値の変化率との関
係を示し、図５は、ガラスＡ，Ｂの屈伏点の差と厚膜抵
抗体の抵抗値の変化率との関係を示している。
【００３５】表４に示す比較例Ｎｏ．１，３〜６は、含
有するガラスをガラスＡのみとした厚膜抵抗体ペースト
であり、従来の厚膜抵抗体ペーストと同じ組成である。
これらの比較例Ｎｏ．１，３〜６では、温度サイクルに
よる抵抗値変化率が１．３４〜１．８５％にもなり、目
標値（１％以下）を達成できない。これは、レーザトリ
ミング時に厚膜抵抗体に生じたマイクロクラックが温度
サイクル試験により進行したことを意味する。
有するガラスをガラスＡのみとした厚膜抵抗体ペースト
であり、従来の厚膜抵抗体ペーストと同じ組成である。
これらの比較例Ｎｏ．１，３〜６では、温度サイクルに
よる抵抗値変化率が１．３４〜１．８５％にもなり、目
標値（１％以下）を達成できない。これは、レーザトリ
ミング時に厚膜抵抗体に生じたマイクロクラックが温度
サイクル試験により進行したことを意味する。
【００３６】これに対し、表３に示す実施例Ｎｏ．１〜
１６の厚膜抵抗体ペーストを焼成した厚膜抵抗体は、図
１（ｂ）に示すように、熱膨張係数の小さいガラスＢ
が、これより熱膨張係数の大きいガラスＡを包み込んだ
構造となる。この構造では、熱膨張係数の小さいガラス
Ｂによって厚膜抵抗体全体の熱膨張係数が小さくなるば
かりでなく、熱膨張係数の小さいガラスＢには、熱膨張
係数の大きいガラスＡによって圧縮力が加わった状態と
なる。この状態では、たとえ、焼成後のレーザトリミン
グにより厚膜抵抗体にマイクロクラックが入ったとして
も、圧縮力が加わったガラスＢの部分がマイクロクラッ
クの進行を抑える働きをする。これにより、実施例Ｎ
ｏ．１〜１６では、温度サイクルによる抵抗値変化率が
０．１５〜０．８４％となり、目標値（１％以下）を余
裕をもって達成できた。
１６の厚膜抵抗体ペーストを焼成した厚膜抵抗体は、図
１（ｂ）に示すように、熱膨張係数の小さいガラスＢ
が、これより熱膨張係数の大きいガラスＡを包み込んだ
構造となる。この構造では、熱膨張係数の小さいガラス
Ｂによって厚膜抵抗体全体の熱膨張係数が小さくなるば
かりでなく、熱膨張係数の小さいガラスＢには、熱膨張
係数の大きいガラスＡによって圧縮力が加わった状態と
なる。この状態では、たとえ、焼成後のレーザトリミン
グにより厚膜抵抗体にマイクロクラックが入ったとして
も、圧縮力が加わったガラスＢの部分がマイクロクラッ
クの進行を抑える働きをする。これにより、実施例Ｎ
ｏ．１〜１６では、温度サイクルによる抵抗値変化率が
０．１５〜０．８４％となり、目標値（１％以下）を余
裕をもって達成できた。
【００３７】ところで、圧縮力の加わるガラスＢがマイ
クロクラックの進行を抑える働きをするため、ガラスＢ
の配合量はある程度必要であるが、ガラスＢが増加する
に従って、ガラスＢからガラスＡに働く引張力が大きく
なり、ガラスＢに働く圧縮力によるマイクロクラック抑
止効果がガラスＡに働く引張力によって減殺されてしま
う。
クロクラックの進行を抑える働きをするため、ガラスＢ
の配合量はある程度必要であるが、ガラスＢが増加する
に従って、ガラスＢからガラスＡに働く引張力が大きく
なり、ガラスＢに働く圧縮力によるマイクロクラック抑
止効果がガラスＡに働く引張力によって減殺されてしま
う。
【００３８】本発明者らの試験結果によれば、図３に示
すように、ガラスＢの配合比が１０〜１５％でマイクロ
クラック抑止効果が最大となり、抵抗値変化率が最低
（０．２１〜０．２３％）となる。ガラスＢの配合比が
１５％より多くなると、ガラスＢの配合比が多くなるに
従って抵抗値変化率が徐々に増加し、ガラスＢの配合比
が２７重量％を越えると、厚膜抵抗体の抵抗値の変化率
が目標値である１％を越え、ガラスＢによるマイクロク
ラック抑止効果が有効に発揮されていないことが判明し
た。
すように、ガラスＢの配合比が１０〜１５％でマイクロ
クラック抑止効果が最大となり、抵抗値変化率が最低
（０．２１〜０．２３％）となる。ガラスＢの配合比が
１５％より多くなると、ガラスＢの配合比が多くなるに
従って抵抗値変化率が徐々に増加し、ガラスＢの配合比
が２７重量％を越えると、厚膜抵抗体の抵抗値の変化率
が目標値である１％を越え、ガラスＢによるマイクロク
ラック抑止効果が有効に発揮されていないことが判明し
た。
【００３９】また、ガラスＢの配合比が１０％より少な
くなると、ガラスＢの配合比が少なくなるに従って抵抗
値変化率が徐々に増加するが、ガラスＢが１重量％含ま
れていれば、厚膜抵抗体の抵抗値の変化率は１％未満で
あり、ガラスＢによるマイクロクラック抑止効果が十分
に発揮されていることが判明した。この試験結果から、
ガラスＢの配合比は２７〜１重量％であれば良く、この
配合比であれば、ガラスＢによるマイクロクラック抑止
効果を十分に発揮できて、抵抗値変化率の目標値（１％
以下）を達成できる。
くなると、ガラスＢの配合比が少なくなるに従って抵抗
値変化率が徐々に増加するが、ガラスＢが１重量％含ま
れていれば、厚膜抵抗体の抵抗値の変化率は１％未満で
あり、ガラスＢによるマイクロクラック抑止効果が十分
に発揮されていることが判明した。この試験結果から、
ガラスＢの配合比は２７〜１重量％であれば良く、この
配合比であれば、ガラスＢによるマイクロクラック抑止
効果を十分に発揮できて、抵抗値変化率の目標値（１％
以下）を達成できる。
【００４０】また、マイクロクラック抑止効果は、熱膨
張係数の小さいガラスＢに加わる圧縮力が大きくなるほ
ど、大きくなる。この圧縮力はガラスＡ，Ｂの熱膨張係
数の差が小さいと、小さくなり、マイクロクラック抑止
効果が少なくなる。
張係数の小さいガラスＢに加わる圧縮力が大きくなるほ
ど、大きくなる。この圧縮力はガラスＡ，Ｂの熱膨張係
数の差が小さいと、小さくなり、マイクロクラック抑止
効果が少なくなる。
【００４１】本発明者らの試験結果によれば、表４の比
較例Ｎｏ．７のように、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差
が０．４６×１０-6／ｄｅｇであると、抵抗値の変化率
が１．１６％となり、目標値を越えてしまう。図４に示
すように、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差が０．５×１
０-6／ｄｅｇ以上であれば、抵抗値変化率を目標値（１
％）以下にすることができ、ガラスＢによるマイクロク
ラック抑止効果を十分に発揮できることが判明した。
較例Ｎｏ．７のように、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差
が０．４６×１０-6／ｄｅｇであると、抵抗値の変化率
が１．１６％となり、目標値を越えてしまう。図４に示
すように、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差が０．５×１
０-6／ｄｅｇ以上であれば、抵抗値変化率を目標値（１
％）以下にすることができ、ガラスＢによるマイクロク
ラック抑止効果を十分に発揮できることが判明した。
【００４２】また、ガラスＢによるマイクロクラック抑
止効果を発揮させるためには、図１（ｂ）に示すよう
に、熱膨張係数の小さいガラスＢがガラスＡを包み込ん
だ構造になる必要があり、そのためには、ガラスＡが溶
解し始める前にガラスＢの溶解が十分に進んでいる必要
がある。従って、ガラスＡ，Ｂの屈伏点の差、ひいて
は、ガラスＡ，Ｂが溶解し始める温度の差が小さいと、
ガラスＢがガラスＡを十分に包み込んだ構造にならな
い。この構造では、たとえ、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数
の差が大きくても、十分な圧縮力は働かない。
止効果を発揮させるためには、図１（ｂ）に示すよう
に、熱膨張係数の小さいガラスＢがガラスＡを包み込ん
だ構造になる必要があり、そのためには、ガラスＡが溶
解し始める前にガラスＢの溶解が十分に進んでいる必要
がある。従って、ガラスＡ，Ｂの屈伏点の差、ひいて
は、ガラスＡ，Ｂが溶解し始める温度の差が小さいと、
ガラスＢがガラスＡを十分に包み込んだ構造にならな
い。この構造では、たとえ、ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数
の差が大きくても、十分な圧縮力は働かない。
【００４３】本発明者らの試験結果によれば、表４の比
較例Ｎｏ．８のように、ガラスＡ，Ｂの屈伏点の差が２
４℃であると、抵抗値の変化率が１．２６％となり、目
標値を越えてしまう。図５に示すように、ガラスＡ，Ｂ
の屈伏点の差が３０℃以上であれば、抵抗値変化率を目
標値以下にすることができ、ガラスＢによるマイクロク
ラック抑止効果を十分に発揮できることが判明した。
較例Ｎｏ．８のように、ガラスＡ，Ｂの屈伏点の差が２
４℃であると、抵抗値の変化率が１．２６％となり、目
標値を越えてしまう。図５に示すように、ガラスＡ，Ｂ
の屈伏点の差が３０℃以上であれば、抵抗値変化率を目
標値以下にすることができ、ガラスＢによるマイクロク
ラック抑止効果を十分に発揮できることが判明した。
【００４４】以上説明した実施例では、厚膜抵抗体ペー
ストを印刷・焼成するセラミック基板として、低温焼成
セラミック基板を用いたが、アルミナ基板、窒化アルミ
ニウム基板等の他のセラミック基板を用いても良い。
ストを印刷・焼成するセラミック基板として、低温焼成
セラミック基板を用いたが、アルミナ基板、窒化アルミ
ニウム基板等の他のセラミック基板を用いても良い。
【００４５】また、厚膜抵抗体ペーストに配合する導電
物質として、ＲｕＯ2 を用いたが、Ｍ2 Ｒｕ2 Ｏ
7-x （Ｍ＝Ｂｉ，Ａｌ等）、ＭｏＯ3 等の他の導電物質
を用いても良い。
物質として、ＲｕＯ2 を用いたが、Ｍ2 Ｒｕ2 Ｏ
7-x （Ｍ＝Ｂｉ，Ａｌ等）、ＭｏＯ3 等の他の導電物質
を用いても良い。
【００４６】また、上記実施形態では、ＲｕＯ2 の粉末
の配合比を１５重量％、２０重量％、２５重量％とした
が、ＲｕＯ2 の配合比は、これらに限定されず、必要と
する抵抗値に応じて決めれば良い。
の配合比を１５重量％、２０重量％、２５重量％とした
が、ＲｕＯ2 の配合比は、これらに限定されず、必要と
する抵抗値に応じて決めれば良い。
【００４７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の請求項１の厚膜抵抗体ペーストは、２種類のガラス
Ａ，Ｂの粉末が配合され、配合量が多い方のガラスＡ
は、配合量が少ない方のガラスＢと比較して、熱膨張係
数が大きく且つ屈伏点が高くなっているため、配合量が
少ない方のガラスＢに圧縮力が働いて、厚膜抵抗体のマ
イクロクラックの進行を抑えることができ、厚膜抵抗体
の抵抗値の経時変化を少なくすることができる。
の請求項１の厚膜抵抗体ペーストは、２種類のガラス
Ａ，Ｂの粉末が配合され、配合量が多い方のガラスＡ
は、配合量が少ない方のガラスＢと比較して、熱膨張係
数が大きく且つ屈伏点が高くなっているため、配合量が
少ない方のガラスＢに圧縮力が働いて、厚膜抵抗体のマ
イクロクラックの進行を抑えることができ、厚膜抵抗体
の抵抗値の経時変化を少なくすることができる。
【００４８】更に、請求項２によれば、２種類のガラス
Ａ，Ｂの熱膨張係数の差を、０．５×１０-6／ｄｅｇ以
上とし、且つ屈伏点の差を３０℃以上としたので、ガラ
スＢに働く圧縮力によるマイクロクラック抑止効果を十
分に高めることができて、厚膜抵抗体の抵抗値の経時変
化を確実に目標値以下に抑えることができ、厚膜抵抗体
の信頼性を向上できる。
Ａ，Ｂの熱膨張係数の差を、０．５×１０-6／ｄｅｇ以
上とし、且つ屈伏点の差を３０℃以上としたので、ガラ
スＢに働く圧縮力によるマイクロクラック抑止効果を十
分に高めることができて、厚膜抵抗体の抵抗値の経時変
化を確実に目標値以下に抑えることができ、厚膜抵抗体
の信頼性を向上できる。
【００４９】また、請求項３では、２種類のガラスＡ，
Ｂは、環境に影響を及ぼす可能性のあるＰｂ、Ｃｄ、Ｎ
ｉを含まないので、廃棄物処理が容易になると共に、環
境汚染を防止できる。
Ｂは、環境に影響を及ぼす可能性のあるＰｂ、Ｃｄ、Ｎ
ｉを含まないので、廃棄物処理が容易になると共に、環
境汚染を防止できる。
【００５０】また、請求項４では、配合量が多い方のガ
ラスＡは、ＣａＯ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３７
〜５９重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2 Ｏ
3 ：８〜２８重量％を合計で９５重量％以上含有し、配
合量が少ない方のガラスＢはＳｉＯ2 ：５３〜７２重量
％、Ｂ2 Ｏ3 ：２０〜３０重量％及びＮａ2 Ｏ：１〜７
重量％を合計で８５重量％以上含有するので、２種類の
ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差：０．５×１０-6／ｄｅ
ｇ以上と屈伏点の差：３０℃以上を確保することができ
る。
ラスＡは、ＣａＯ：２０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３７
〜５９重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2 Ｏ
3 ：８〜２８重量％を合計で９５重量％以上含有し、配
合量が少ない方のガラスＢはＳｉＯ2 ：５３〜７２重量
％、Ｂ2 Ｏ3 ：２０〜３０重量％及びＮａ2 Ｏ：１〜７
重量％を合計で８５重量％以上含有するので、２種類の
ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差：０．５×１０-6／ｄｅ
ｇ以上と屈伏点の差：３０℃以上を確保することができ
る。
【００５１】また、請求項５では、圧縮力が働くガラス
Ｂの配合比を２７〜１重量％としたので、ガラスＢによ
るマイクロクラック抑止効果を十分に発揮させることが
できる。
Ｂの配合比を２７〜１重量％としたので、ガラスＢによ
るマイクロクラック抑止効果を十分に発揮させることが
できる。
【図１】本発明の一実施形態を示す厚膜抵抗体の焼成過
程の変化を説明する図で、（ａ）は焼成前期の状態を示
す模式図、（ｂ）は焼成後期の状態を示す模式図
程の変化を説明する図で、（ａ）は焼成前期の状態を示
す模式図、（ｂ）は焼成後期の状態を示す模式図
【図２】温度サイクル試験に用いた厚膜抵抗体の形状と
サイズを説明する平面図
サイズを説明する平面図
【図３】ガラスＢの配合比と厚膜抵抗体の抵抗値変化率
との関係をグラフで示す図
との関係をグラフで示す図
【図４】ガラスＡ，Ｂの熱膨張係数の差と厚膜抵抗体の
抵抗値変化率との関係をグラフで示す図
抵抗値変化率との関係をグラフで示す図
【図５】ガラスＡ，Ｂの屈伏点の差と厚膜抵抗体の抵抗
値変化率との関係をグラフで示す図
値変化率との関係をグラフで示す図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樋口 千明 神奈川県厚木市飯山字台ノ岡2453番21号 田中貴金属工業株式会社厚木工場内 (72)発明者 渡辺 嘉伸 神奈川県厚木市飯山字台ノ岡2453番21号 田中貴金属工業株式会社厚木工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 ２種類のガラスの粉末と導電物質の粉末
とを有機ビヒクルと混合して成る厚膜抵抗体ペーストで
あって、 配合量が多い方のガラスは、配合量が少ない方のガラス
と比較して、熱膨張係数が大きく且つ屈伏点が高いこと
を特徴とする厚膜抵抗体ペースト。 - 【請求項２】 配合量が多い方のガラスは、配合量が少
ない方のガラスと比較して、熱膨張係数が０．５×１０
-6／ｄｅｇ以上大きく且つ屈伏点が３０℃以上高いこと
を特徴とする請求項１に記載の厚膜抵抗体ペースト。 - 【請求項３】 前記２種類のガラスは、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｎ
ｉを含まないガラスが用いられていることを特徴とする
請求項１または２に記載の厚膜抵抗体ペースト。 - 【請求項４】 配合量が多い方のガラスは、ＣａＯ：２
０〜２６重量％、ＳｉＯ2 ：３７〜５９重量％、Ａｌ2
Ｏ3 ：５〜１３重量％及びＢ2 Ｏ3 ：８〜２８重量％を
合計で９５重量％以上含有し、 配合量が少ない方のガラスは、ＳｉＯ2 ：５３〜７２重
量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２０〜３０重量％及びＮａ2 Ｏ：１〜
７重量％を合計で８５重量％以上含有することを特徴と
する請求項１乃至３のいずれかに記載の厚膜抵抗体ペー
スト。 - 【請求項５】 前記２種類のガラスの合計配合量に対す
る、配合量が多い方のガラスの配合比を７３〜９９重量
％とし、配合量が少ない方のガラスの配合比を２７〜１
重量％としたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
かに記載の厚膜抵抗体ペースト。
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